CN103849836A - 等离子体设备及其反应腔室 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体设备及其反应腔室，用于等离子体的反应腔室报包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。

Description

等离子体设备及其反应腔室

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种用于等离子体设备的反应腔室和具有该用于等离子体设备的反应腔室的等离子体设备。

背景技术

在PVD（物理气相沉积）工艺设备中，需要预清洗工艺腔室，预清洗工艺作为PVD工艺的一部分，目的是为了在沉积金属膜之前，清除晶圆表面的污染物或沟槽和穿孔底部的残余物。预清洗工艺会明显提升接下来步骤所沉积膜的附着力、改善芯片的电气性能和可靠性。预清洗完成后的下一步骤就是通过溅射来沉积金属膜。预清洗工艺通常是将气体，如Ar（氩气）、He（氦气）等，激发为等离子体，利用等离子体的化学反应和物理轰击作用，对晶圆或工件进行去杂质的处理。预清洗作为PVD工艺的重要部分，对晶圆的清洗效果直接影响后序工艺中沉积膜的附着力及芯片的电气性能和可靠性。传统的晶圆预清洗装置对晶圆的清洗不均匀，导致晶圆的中心处被刻蚀得较多且边缘处被刻蚀的较少。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的一个目的在于提出一种能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口的用于等离子体设备的反应腔室。

本发明的另一个目的在于提出一种具有所述用于等离子体设备的反应腔室的等离子体设备。

为实现上述目的，本发明的第一方面提出一种用于等离子体设备的反应腔室，所述用于等离子体设备的反应腔室包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。

根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室通过在所述反应腔内设置所述边缘磁场增强组件，可以利用所述边缘磁场增强组件增强所述反应腔的外周缘的磁场强度，这样可以提高所述反应腔的外周缘处的等离子体的离化率。由此可以提高所述反应腔的外周缘处的离子体密度，即可以降低所述反应腔的中心处和外周缘处的等离子体密度差异以使所述反应腔内等离子体分布均匀，从而可以使晶圆的中心处和边缘处被等离子体均匀轰击以提高具有所述反应腔室的等离子体设备清洗晶圆的均匀性，进而可以增大预清洗工艺窗口。因此，根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。

另外，根据本发明的用于等离子体设备的反应腔室还具有如下附加技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述边缘磁场增强组件包括多个磁性件，所述多个磁性件沿所述反应腔的周向间隔排列成环状。由此可以利用所述边缘磁场增强组件增强所述反应腔的外周缘处的磁场，且利用排列成环状的多个所述磁性件可以使所述反应腔的外周缘的各处的磁场均得到增强，即可以提高所述边缘磁场增强组件对所述反应腔的外周缘的磁场的增强效果。

根据本发明的一个实施例，所述边缘磁场增强组件还包括上盘和下盘，每个所述磁性件的上端与所述上盘相连而每个所述磁性件的下端与所述下盘相连。这样可以将多个所述磁性件固定在所述上盘和所述下盘之间，即可以利用所述上盘和所述下盘将多个所述磁性件的排列位置固定，由此不仅可以使多个所述磁性件在所述反应腔内的位置固定，而且可以便于将所述边缘磁场增强组件安装在所述反应腔内。

根据本发明的一个实施例，所述上盘上设有上安装孔，所述下盘上设有下安装孔，每个所述磁性件的第一端设有与所述上安装孔配合的上销轴而第二端设有与所述下安装孔配合的下销轴。由此可以将多个所述磁性件可拆卸地安装在所述上盘和所述下盘之间且所述磁性件的安装和拆卸方便。

根据本发明的一个实施例，所述上盘和所述下盘进一步通过螺柱相连，且所述边缘磁场增强组件通过所述螺柱连接到所述反应腔的顶壁上。这样不仅可以利用所述螺柱加强所述边缘磁场增强组件的结构的稳定性，而且可以便于将所述边缘磁场增强组件安装在所述反应腔内。

根据本发明的一个实施例，所述多个磁性件邻近所述上盘和下盘的外周缘且排列成以多个同心环，所述多个同心环的中心轴线与所述上盘和下盘的中心轴线重合。由此可以利用排列成多个同心环的多个所述磁性件进一步提高所述边缘磁场增强组件对所述反应腔的外周缘的磁场的增强效果。

根据本发明的一个实施例，所述多个磁性件等间隔排列。这样可以使所述边缘磁场增强组件均匀增强所述反应腔的外周缘的磁场，即可以使所述反应腔的外周缘的周向的各处磁场得到均匀增强，由此可以使所述反应腔内的等离子体的分布更加均匀，从而可以进一步提高具有所述反应腔室的等离子体设备清洗晶圆的均匀性，进而可以进一步增大预清洗工艺窗口。

根据本发明的一个实施例，所述磁性件为圆柱形磁铁。这样可以使所述边缘磁场增强组件的结构更加合理。

根据本发明的一个实施例，多个所述磁性件的N极朝向同一方向，多个所述磁性件的S极朝向同一方向。这样可以利用多个所述磁性件最大限度地增强所述反应腔的外周缘的磁场。

根据本发明的一个实施例，所述腔体为圆筒形，所述反应腔为圆柱形，所述多个磁性件沿所述反应腔的周向等间隔排列成至少一个圆环，所述圆环的中心轴线与所述反应腔的中心轴线重合。这样可以使所述反应腔室的结构与晶圆的形状适配，由此可以提高具有所述反应腔室的等离子体设备清洗晶圆的方便性和效果。

根据本发明的一个实施例，所述同心环为两个。这样可以在保证所述反应腔室的成本较低的情况下提高所述边缘磁场增强组件对所述反应腔的外周缘的磁场的增强效果。

根据本发明的一个实施例，所述边缘磁场增强组件邻近所述反应腔的顶壁设置。这样可以扩大所述边缘磁场增强组件在上下方向上对所述反应腔的外周缘的磁场的增强范围。

根据本发明的一个实施例，所述边缘磁场增强组件安装在所述反应腔的顶壁上。由此可以使所述边缘磁场增强组件在上下方向上对所述反应腔的外周缘的磁场的增强范围最大。

根据本发明的一个实施例，所述腔体包括：上筒体；下筒体；中间绝缘筒体，所述中间绝缘筒体设在所述上筒体与所述下筒体之间；顶盖，所述顶盖设在所述上筒体的上端；底盖，所述底盖设在所述下筒体的下端；法拉第筒，所述法拉第筒设在所述中间绝缘筒的内壁上且设有沿轴向贯通的接缝；和绝缘件，所述绝缘件安装在所述接缝处。所述腔体具有结构合理，性能可靠、成本低等优点。

本发明的第二方面提出一种等离子体设备，所述等离子体设备包括：反应腔室，所述反应腔室组件为根据本发明的第一方面所述的用于等离子体设备的反应腔室；射频线圈，所述射频线圈绕所述腔体的外周壁设置；第一射频电源，所述第一射频电源通过第一匹配器与所述射频线圈相连；和晶片支撑件，所述晶片支撑件设在所述反应腔内，用于支撑晶片。

根据本发明实施例的等离子体设备通过利用根据本发明的第一方面所述的用于等离子体设备的反应腔室，从而具有清洗晶圆均匀、工艺窗口宽等优点。

根据本发明的一个实施例，所述等离子体设备还包括第二射频电源，所述第二射频电源通过第二匹配器与所述晶片支撑件相连。所述第二射频电源的射频功率通过所述第二匹配器使在所述晶片支撑件上的晶圆产生射频自偏压，以吸引正离子来轰击，从而可以提高所述等离子体设备对晶圆的清洗效果和清洗效率。

根据本发明的一个实施例，所述等离子体设备为PVD设备、CVD设备或刻蚀设备。所述等离子体设备具有应用范围广等优点。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室的边缘磁场增强组件的结构示意图；

图3是根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室的边缘磁场增强组件的局部结构示意图；

图4是根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室的磁性件的结构示意图；

图5是根据本发明实施例的等离子体设备的结构示意图。

等离子体设备1、反应腔室10、腔体100、反应腔110、工艺气体进口111、工艺气体出口112、反应腔110的顶壁113、上筒体120、下筒体130、中间绝缘筒体140、顶盖150、底盖160、法拉第筒170、绝缘件180、边缘磁场增强组件200、磁性件210、磁性件210的第一端211、上销轴212、磁性件210的第二端213、下销轴214、上盘220、下盘230、螺柱240、射频线圈20、第一射频电源30、第一匹配器40、晶片支撑件50、第二射频电源60、第二匹配器70。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面参照图1-图4描述根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室10。如图1-图4所示，根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室10包括腔体100和边缘磁场增强组件200。

腔体100内具有反应腔110，反应腔110具有工艺气体进口111和工艺气体出口112。边缘磁场增强组件200设在反应腔110内以增强反应腔110外周缘处的磁场。

发明人经过实验分析发现传统的晶圆预清洗装置对晶圆的清洗不均匀的原因在于：预清洗工艺中所用的工艺气体（例如氩气）的等离子体分布具有单峰状特性，反应腔的中心区域的等离子体密度高于边缘处的等离子体密度，最终导致晶圆的中心处被刻蚀得较多且边缘处被刻蚀得较少。

根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室10通过在反应腔110内设置边缘磁场增强组件200，可以利用边缘磁场增强组件200增强反应腔110的外周缘的磁场强度，这样可以提高反应腔110的外周缘处的等离子体的离化率。由此可以提高反应腔110的外周缘处的离子体密度，即可以降低反应腔110的中心处和外周缘处的等离子体密度差异以使反应腔110内等离子体分布均匀，从而可以使晶圆的中心处和边缘处被等离子体均匀轰击以提高具有反应腔室10的等离子体设备清洗晶圆的均匀性，进而可以增大预清洗工艺窗口。因此，根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室10具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。

具体而言，如图1-图4所示，边缘磁场增强组件200可以包括多个磁性件210，多个磁性件210可以沿反应腔110的周向间隔排列成环状。由此可以利用边缘磁场增强组件200增强反应腔110的外周缘处的磁场，且利用排列成环状的多个磁性件210可以使反应腔110的外周缘的各处的磁场均得到增强，即可以提高边缘磁场增强组件200对反应腔110的外周缘的磁场的增强效果。

图1和图3示出了根据本发明一个实施例的用于等离子体设备的反应腔室10。如图1和图3所示，腔体100可以为圆筒形，反应腔110可以为圆柱形，多个磁性件210可以沿反应腔110的周向等间隔排列成至少一个圆环，所述圆环的中心轴线可以与反应腔110的中心轴线重合。这样可以使反应腔室10的结构与晶圆的形状适配，由此可以提高具有反应腔室10的等离子体设备清洗晶圆的方便性和效果。

有利地，如图3所示，所述同心环可以为两个。也就是说，多个磁性件210可以沿反应腔110的周向等间隔排列成两个圆环。具体地，位于外侧的圆环上可以排列有三十六个磁性件210，位于内侧的圆环上可以排列有十八个磁性件210。这样可以在保证反应腔室10的成本较低的情况下提高边缘磁场增强组件200对反应腔110的外周缘的磁场的增强效果。

更为有利地，边缘磁场增强组件200可以邻近反应腔110的顶壁113设置（上下方向如图1、图2、图4和图5中的箭头A所示）。这样可以扩大边缘磁场增强组件200在上下方向上对反应腔110的外周缘的磁场的增强范围。优选地，如图1所示，边缘磁场增强组件200可以安装在反应腔110的顶壁113上。由此可以使边缘磁场增强组件200在上下方向上对反应腔110的外周缘的磁场的增强范围最大。

图1-图4示出了根据本发明一个具体实施例的用于等离子体设备的反应腔室10。如图1-图4所示，如图1-图4所示，边缘磁场增强组件200还可以包括上盘220和下盘230，每个磁性件210的上端可以与上盘220相连而每个磁性件210的下端可以与下盘230相连。上盘220的厚度可以为五毫米，下盘230的厚度可以为五毫米。这样可以将多个磁性件210固定在上盘220和下盘230之间，即可以利用上盘220和下盘230将多个磁性件210的排列位置固定，由此不仅可以使多个磁性件210在反应腔110内的位置固定，而且可以便于将边缘磁场增强组件200安装在反应腔110内。

可选地，如图1-图4所示，上盘220上可以设有上安装孔，下盘230上可以设有下安装孔，所述上安装孔和所述下安装孔可以在上下方向上相对，每个磁性件210的第一端211可以设有与所述上安装孔配合的上销轴212而磁性件210的第二端213可以设有与所述下安装孔配合的下销轴214。换言之，磁性件210的上端可以设有上销轴212，磁性件210的下端可以设有下销轴214，上销轴212可以配合在所述上安装孔内且下销轴214可以配合在所述下安装孔内。由此可以将多个磁性件210可拆卸地安装在上盘220和下盘230之间且磁性件210的安装和拆卸方便。其中，磁性件210可以为圆柱形磁铁以使边缘磁场增强组件200的结构更加合理。

其中，多个所述第一安装孔可以沿上盘220的周向等间隔排列成六个圆环，所述第二安装孔可以沿下盘230的周向等间隔排列成六个圆环，多个磁性件210可以根据实际需要安装在任意一个或多个所述圆环上。

更为具体地，多个磁性件210的N极可以朝向同一方向，多个磁性件210的S极可以朝向同一方向。换言之，多个磁性件210的N极可以朝上且多个磁性件210的S极可以朝下，多个磁性件210的N极也可以朝下且多个磁性件210的S极也可以朝上。这样可以利用多个磁性件210最大限度地增强反应腔110的外周缘的磁场。

可选地，如图1-图3所示，上盘220和下盘230可以进一步通过螺柱240相连，且边缘磁场增强组件200可以通过螺柱240连接到反应腔110的顶壁113上。螺柱240可以由不锈钢制成。也就是说，螺柱240可以依次穿过上盘220和下盘230而连接到反应腔110的顶壁113上，这样不仅可以利用螺柱240加强边缘磁场增强组件200的结构的稳定性，而且可以便于将边缘磁场增强组件200安装在反应腔110内。

有利地，螺柱240可以为多个，多个螺柱240可以沿上盘220和下盘230的周向排列成至少一个圆环，从而可以进一步提高边缘磁场增强组件200的结构的稳定性和边缘磁场增强组件200在反应腔110的顶壁113上的位置的稳定性。

图2和图3示出了根据本发明一个具体示例的用于等离子体设备的反应腔室10。如图2和图3所示，多个磁性件210可以邻近上盘220和下盘230的外周缘且多个磁性件210可以排列成以多个同心环，所述多个同心环的中心轴线可以与上盘220和下盘230的中心轴线重合。也就是说，多个所述同心环的圆心可以与上盘220和下盘230的圆心在上下方向上位于同一条直线上。由此可以利用排列成多个同心环的多个磁性件210进一步提高边缘磁场增强组件200对反应腔110的外周缘的磁场增强效果。

有利地，如图3所示，多个磁性件210可以等间隔排列。这样可以使边缘磁场增强组件200均匀增强反应腔110的外周缘的磁场，即可以使反应腔110的外周缘的周向的各处磁场得到均匀增强，由此可以使反应腔110内的等离子体的分布更加均匀，从而可以进一步提高具有反应腔室10的等离子体设备清洗晶圆的均匀性，进而可以进一步增大预清洗工艺窗口。

图1示出了根据本发明一个示例的用于等离子体设备的反应腔室10。如图1所示，腔体100可以包括上筒体120、下筒体130、中间绝缘筒体140、顶盖150、底盖160、法拉第筒170和绝缘件180。

上筒体120和下筒体130可以由金属（例如铝）制成。中间绝缘筒体140可以设在上筒体120与下筒体130之间，中间绝缘筒体140可以有陶瓷或石英制成。顶盖150可以设在上筒体120的上端，顶盖150可以有金属（例如铝）制成，边缘磁场增强组件200可以安装在顶盖150的下表面上，即螺柱240可以安装在顶盖150的下表面上。底盖160可以设在下筒体130的下端，上筒体120、下筒体130、中间绝缘筒体140、顶盖150和底盖160可以共同限定出反应腔110。法拉第筒170可以设在中间绝缘筒体140的内壁上，法拉第筒170可以由金属（例如铝）制成，法拉第筒170上可以设有沿轴向贯通的接缝。换言之，所述接缝可以沿上下方向贯通法拉第筒170，所述接缝的宽度可以小于十毫米。所述接缝用于减少涡流损耗和防止法拉第筒170发热。绝缘件180可以安装在所述接缝处，以避免绝缘筒体140从所述接缝露出的部分被腐蚀。腔体100具有结构合理，性能可靠、成本低等优点。

下面参照图5描述根据本发明实施例的等离子体设备1。如图5所示，根据本发明实施例的等离子体设备1包括反应腔室、射频线圈20、第一射频电源30和晶片支撑件50。

所述反应腔室组件为根据上述实施例的的用于等离子体设备的反应腔室10。射频线圈20绕腔体100的外周壁设置。射频线圈20可以为一匝或多匝。第一射频电源30通过第一匹配器40与射频线圈20相连，以通过第一匹配器40将射频功率施加在射频线圈20上，从而将反应腔110内的工艺气体激发为等离子体。具体地，第一射频电源30的频率可以为2MHz或13.56MHz，第一射频电源30施加在射频线圈20上的射频功率可以为400kHz、2MHz、13.56MHz或60MHz。晶片支撑件50设在反应腔110内，用于支撑晶片。

根据本发明实施例的等离子体设备1通过利用反应腔室10，从而具有清洗晶圆均匀、工艺窗口宽等优点。

其中，等离子体设备1可以为PVD设备、CVD设备或刻蚀设备。等离子体设备1具有应用范围广等优点。

图5示出了根据本发明一个具体实施例的等离子体设备1。如图5所示，等离子体设备1还可以包括第二射频电源60，第二射频电源60可以通过第二匹配器70与晶片支撑件50相连。第二射频电源60的频率可以为2MHz或13.56MHz。第二射频电源60的射频功率通过第二匹配器70使在晶片支撑件50上的晶圆产生射频自偏压，以吸引正离子来轰击，从而可以提高等离子体设备1对晶圆的清洗效果和清洗效率。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (17)

1.一种用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和

边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。

2.根据权利要求1所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述边缘磁场增强组件包括多个磁性件，所述多个磁性件沿所述反应腔的周向间隔排列成环状。

3.根据权利要求2所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述边缘磁场增强组件还包括上盘和下盘，每个所述磁性件的上端与所述上盘相连而每个所述磁性件的下端与所述下盘相连。

4.根据权利要求3所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述上盘上设有上安装孔，所述下盘上设有下安装孔，每个所述磁性件的第一端设有与所述上安装孔配合的上销轴而第二端设有与所述下安装孔配合的下销轴。

5.根据权利要求3所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述上盘和所述下盘进一步通过螺柱相连，且所述边缘磁场增强组件通过所述螺柱连接到所述反应腔的顶壁上。

6.根据权利要求3所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述多个磁性件邻近所述上盘和下盘的外周缘且排列成以多个同心环，所述多个同心环的中心轴线与所述上盘和下盘的中心轴线重合。

7.根据权利要求2所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述多个磁性件等间隔排列。

8.根据权利要求2所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述磁性件为圆柱形磁铁。

9.根据权利要求2所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，多个所述磁性件的N极朝向同一方向，多个所述磁性件的S极朝向同一方向。

10.根据权利要求2-9中任一项所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述腔体为圆筒形，所述反应腔为圆柱形，所述多个磁性件沿所述反应腔的周向等间隔排列成至少一个圆环，所述圆环的中心轴线与所述反应腔的中心轴线重合。

11.根据权利要求10所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述同心环为两个。

12.根据权利要求1所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述边缘磁场增强组件邻近所述反应腔的顶壁设置。

13.根据权利要求1所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述边缘磁场增强组件安装在所述反应腔的顶壁上。

14.根据权利要求1所述的用于等离子体设备的反应腔室，其特征在于，所述腔体包括：

上筒体；

下筒体；

中间绝缘筒体，所述中间绝缘筒体设在所述上筒体与所述下筒体之间；

顶盖，所述顶盖设在所述上筒体的上端；

底盖，所述底盖设在所述下筒体的下端；

法拉第筒，所述法拉第筒设在所述中间绝缘筒的内壁上且设有沿轴向贯通的接缝；和

绝缘件，所述绝缘件安装在所述接缝处。

15.一种等离子体设备，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室组件为根据权利要求1-14中任一项所述的用于等离子体设备的反应腔室；

射频线圈，所述射频线圈绕所述腔体的外周壁设置；

第一射频电源，所述第一射频电源通过第一匹配器与所述射频线圈相连；和

晶片支撑件，所述晶片支撑件设在所述反应腔内，用于支撑晶片。

16.根据权利要求15所述的等离子体设备，其特征在于，还包括第二射频电源，所述第二射频电源通过第二匹配器与所述晶片支撑件相连。

17.根据权利要求15所述的等离子体设备，其特征在于，所述等离子体设备为PVD设备、CVD设备或刻蚀设备。

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