CN103839589A

CN103839589A - 比特失效检测方法

Info

Publication number: CN103839589A
Application number: CN201410098678.8A
Authority: CN
Inventors: 钱亮; 孔蔚然; 贾敏
Original assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Current assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date: 2014-03-17
Filing date: 2014-03-17
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2034-03-17
Also published as: CN103839589B

Abstract

本发明揭示了一种比特失效检测方法。该方法包括：提供一参考电流及一边界系数，将待测比特的电流跟参考电流与边界系数的乘积作比较，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效；其中，所述边界系数大于等于1。本方法能够提高对异常比特的检测效果，从而提高产品性能。

Description

比特失效检测方法

技术领域

本发明涉及存储器检测技术领域，特别是涉及一种比特（bit）失效检测方法。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性存储器，在断电情况下依然能够保持存储的数据信息。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，与EEPROM不同的是，闪存能够在字节水平上进行删除和重写，而不是整个芯片的擦写，从而使得闪存比EEPROM的更新速度更快。

在目前的闪存中，通常有着较大的容量，也就是具有相应数量的比特，在如此大量的比特中，其质量的优劣符合正态分布，因此，如何保证位于3σ之外的比特（tail bit，尾比特）的优劣，将直接制约着闪存的性能。

现有技术中常用方法为引入一边界系数margin1（M1），用于在读取“1”时检测电流的大小，所述M1的取值小于1，包括:40%，45%，50%，55%，60%，65%，70%及75%。通常状况，认为电流小于饱和电流是有风险的，大于饱和电流是足够安全的。因此测试筛选的目标定为将电流小的尾比特筛选出来。

但是，这种方法并不能够完全有效，例如若一个比特是弱擦除比特（weakerase tail bit），并且具有写入干扰现象（program punch through），这个比特的起始电流将比较大，即使经过写入干扰模式的测试后，电流还是很大，则这个比特是不能够被筛选出来。如图1所示，按照现有方法1对比特A进行检测，其起始电流是37μA，干扰模式的测试后后获得的检测电流是25μA，而按照判断标准，大于18μA（饱和电流）即为合格，因此会认为该比特A是正常的。但是若从客户端2进行耐久性测试（endurance cycle），由于经过耐久性测试，该比特的起始电流降为22μA，正常写入干扰模式就可以将该比特的电流降到10μA，从而出现失效，也就是说实际上该比特是异常的，应当在测试阶段被筛选出。因此，如何克服这一现象，将有效的提升产品的性能。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种比特失效检测方法，以提高对异常比特的检测效果，从而提高产品性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种比特失效检测方法，所述比特为弱擦除比特，且具有写入干扰现象，包括：

提供一参考电流及一边界系数，将待测比特的电流跟参考电流与边界系数的乘积作比较，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效；其中，所述边界系数大于等于1。

可选的，对于所述的比特失效检测方法，所述边界系数为100%～120%。

可选的，对于所述的比特失效检测方法，所述参考电流通过结合闪存中处于正态分布区间为（-3σ，3σ）的比特的电流而得。

与现有技术相比，本发明提供的比特失效检测方法中，使得所述边界系数大于等于1，从而结合参考电流，作为了比较的标准，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效。与现有技术相比，改变了边界系数的取值方向和比较内容，克服了现有技术在检测上的缺陷，在针对一些具有特殊性的比特时，能够有效的筛选出，从而提高了检测效果。

附图说明

图1为现有技术中比特失效检测方法的流程图；

图2为本发明实施例中比特失效检测方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的比特失效检测方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

发明人在经过长期研究后发现，对于既是弱擦除比特（weak erase tail bit），又具有写入干扰现象（program punch through）的比特而言，其起始电流通常较大，那么依照边界系数M1小于1的情况下，是很难将这种比特给筛选出来。而考虑到大批量比特中，正常比特的电流基本相同，那么以此为基准，来判断是否超过正常比特的电流，就能够有效地筛选出异常的比特。基于此，本发明的核心思想在于，提供一种比特失效检测方法，包括：

步骤S101，提供一参考电流及一边界系数，所述边界系数大于等于1；

步骤S102，将待测比特的电流跟参考电流与边界系数的乘积作比较，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效。

以下列举所述比特失效检测方法的较优实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。

基于上述思想，下面提供比特失效检测方法的较优实施例，请参考图2，图2为本发明实施例中比特失效检测方法的流程图。

如图2所示，在本实施例中，所述比特失效检测方法包括：

步骤S101，提供一参考电流及一边界系数margin1（M1），所述边界系数大于等于1；优选的，在本实施例中，所述边界系数M1为100%～120%，例如是100%、105%、110%、115%或120%。所述边界系数M1的值还可以更大，这可以根据实际工艺进行调整。

所述参考电流通过结合闪存中处于正态分布区间为（-3σ，3σ）的比特的电流而得，在标准正态分布中，处于（-3σ，3σ）的比特的电流是能够得到保证，因此本发明中，通过结合此范围中的比特的电流，获得一参考电流，该参考电流可以是算术平均值或者加权平均值，当然，还可以是由其他算法得到，并不仅限于上述两种平均值，例如可以根据各个电流的权重直接指定。

步骤S102，将待测比特的电流跟参考电流与边界系数的乘积（即饱和电流）作比较，若所述待测比特的电流大于参考电流与边界系数的乘积，则所述比特判定为失效。举例而言，一待测比特的电流为37μA，获得的参考电流为30μA，设定边界系数M1=110%，则有30×110%=33μA，由于37>33，该待测比特可以初步被确认为不良，需要被筛选出。

在上述本发明的实施例中，提供了新的比较方法和边界系数，相比现有技术，本发明的方法在检测既是弱擦除比特，又具有写入干扰现象的比特时，有效性很高，从而在CP检测中提高了筛选的成功率，进而有利于闪存产品耐久性（endurance）的提升，提高了产品的质量。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种比特失效检测方法，所述比特为弱擦除比特，且具有写入干扰现象，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的比特失效检测方法，其特征在于，所述边界系数为100%～120%。

3.如权利要求1所述的比特失效检测方法，其特征在于，所述参考电流通过结合闪存中处于正态分布区间为（-3σ，3σ）的比特的电流而得。