CN103809576B - 上位机失效处理方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，该上位机失效处理方法由下位机执行，其包括：从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。本发明还提供了一种上位机失效处理装置，能够在保证安全的前提下使设备正常完成工艺流程，避免因上位机失效导致产品损坏。

Description

上位机失效处理方法和装置
技术领域
本发明涉及半导体设备控制技术领域，特别涉及一种上位机失效的处理方法及处理装置。
背景技术
立式氧化炉设备在半导体生产行业不可或缺，无论国产还是进口设备，对于设备控制方式，多数采用上位机和下位机相结合的控制方式，正常运行时由上位机为主要控制，通过上位机与下位机及上位机与设备及下位机与设备之间的通讯进行控制，由于下位机的计算速度很难达到实时控制，所以当设备在工艺过程中，上位机出现问题导致宕机的时候，多数情况下都会停止工艺，然后通过操作人员进行排故处理。虽然设备和人员的安全性得以保证，但却很有可能会造成产品报废，造成较大的经济损失。
发明内容
本发明的主要目的旨在提供一种能够在半导体工艺过程中上位机失效的情况下，继续对设备进行控制的方法，以最大限度地保护操作人员、设备以及产品的安全。
为达成上述目的，本发明提供一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，所述上位机失效处理方法由下位机执行，其包括以下步骤：从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。
优选地，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。
优选地，所述上位机失效处理方法还包括：存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。
优选地，若接收所述上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段为工艺准备阶段，则将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
优选地，若接收所述上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段为主工艺阶段，则维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
优选地，根据所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺级阶段是否完成。
优选地，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量、运动部件的状态。
本发明还提供了一种上位机失效处理装置，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制。所述上位机失效处理装置包括第一接收模块、第二接收模块以及控制模块。其中，第一接收模块用于从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；第二接收模块用于接收上位机失效信号；控制模块与所述第一接收模块和第二接收模块相连，用于根据接收该上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。
优选地，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。
优选地，所述控制模块包括存储子模块，用于存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。
优选地，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为工艺准备阶段，则所述控制模块将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
优选地，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为主工艺阶段，则所述控制模块维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
优选地，所述控制模块包括计时子模块，其中设有所述主工艺阶段所需的时间，所述计时子模块根据所述第一接收模块获取所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、所述第二接收模块接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺级阶段是否完成。
优选地，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量、运动部件的状态。
本发明所提出的上位机失效处理方法和装置，能够在上位机失效时，由下位机根据当前半导体设备所处的工艺阶段对各半导体设备进行控制，能够在保证安全的前提下使设备正常完成工艺流程。
附图说明
图1为本发明上位机失效处理装置的方块图；
图2为本发明上位机失效处理方法的流程图；
图3为本发明一实施例上位机失效处理方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
图1为本发明上位机失效处理装置的方块图；图2为本发明上位机失效处理方法的流程图，以下将结合图1和图2对本发明进行详细的说明。
本发明的上位机失效处理装置位于下位机10中，用于在半导体工艺期间上位机20失效时对各半导体设备30进行控制。上位机失效处理装置包括第一接收模块11，第二接收模块12和控制模块13。其中，第一接收模块11用于执行步骤S1，从上位机获取半导体工艺所处的工艺阶段。具体来说，半导体工艺的工艺阶段可分为工艺准备阶段、主工艺阶段和工艺结束阶段。从半导体工艺开始，第一接收模块11通过与上位机20建立通讯，从上位机20获得半导体工艺的工艺阶段是处于工艺准备阶段，主工艺阶段还是工艺结束阶段。第二接收模块12和控制模块13用于执行步骤S2，具体来说第二接收模块12用于接收上位机失效信号，当上位机发生宕机等失效情况时，将即时发送失效信号至第二接收模块12；控制模块13与第一接收模块11和第二接收模块12相连，用于根据第二接收模块12接收上位机失效信号时，半导体工艺所处的工艺阶段来对各半导体设备30的工艺参数进行相应控制。具体来说，当上位机在主工艺阶段发生失效情况，如果此时停止工艺会造成产品的损坏，造成很大的经济损失，因此控制模块13将控制半导体设备30的各工艺参数维持原来的参数，直到主工艺阶段完成。其中，主工艺阶段的完成判定可通过控制模块13的计时子模块来完成，下文将进一步阐述。当判断主工艺阶段完成后，控制模块再控制将半导体设备30的工艺参数设定为工艺结束阶段所适用的工艺参数。如果上位机在工艺准备阶段发生失效情况，由于主工艺阶段尚未开始，控制模块13可以停止工艺，直接将半导体设备30的工艺参数设定为工艺结束阶段所适用的工艺参数；如果失效情况发生在工艺结束阶段，由于主工艺阶段已经完成，控制模块13继续维持该工艺结束阶段所适用的工艺参数。因此，较佳的控制模块13具有存储工艺结束阶段各半导体设备所适用的工艺参数的存储子模块，可根据需要直接调取该工艺参数来控制各半导体设备。
图3所示为本发明一具体实施例的上位机失效处理方法的流程示意图。在本实施例中，半导体设备为立式扩散/氧化炉，半导体工艺为通过立式扩散/氧化炉进行的晶片热处理工艺。该晶片热处理工艺同样分为工艺准备阶段、主工艺阶段和工艺结束阶段三个过程。从工艺开始，第一接收模块11与上位机建立通讯，从上位机获取当前所处的热处理工艺的工艺阶段。上位机检测其是否出现问题导致宕机，一旦出现宕机，上位机将即时发送失效信号至第二接收模块12。此时，控制模块13将根据第一接收模块11所接收的工艺阶段和第二接收模块12接收的失效信号，判断上位机发生宕机时热处理工艺是处于工艺准备阶段，主工艺阶段还是工艺结束阶段。
若上位机发生宕机时热处理工艺仍处于工艺准备阶段，由于主工艺阶段尚未开始，工艺准备阶段过程中只会在立式扩散/氧化炉中通入小流量的氧气，只要停止工艺将硅片取出进行清洗处理，就完全可以满足再次进行工艺的要求。因此，控制模块13将调用存储子模块中工艺结束阶段立式扩散/氧化炉所适用的工艺参数，这些工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量、运动部件的状态等。如将炉丝目标温度控制为600℃这一设备出舟温度，将工艺气体MFC流量计的流量值设为0、关闭所有工艺气体阀体同时开启氮气气路的阀体，及给炉管通入氮气。保持当前状态，等炉丝温度降到出舟温度后，后续工作由现场操作人员完成。
若上位机发生宕机时热处理工艺处于主工艺阶段，如果停止工艺会造成产品的损坏，造成很大的经济损失，因此控制模块13将维持当前立式扩散/氧化炉的工艺参数，包括炉丝的温度，工艺气体的流量，各阀体的状态，运动部件的状态等，直到主工艺阶段完成。具体的，控制模块13包括一计时子模块，该计时子模块中设有主工艺阶段所需要的总体时间。计时子模块根据第一接收模块所获取的热处理工艺进入主工艺阶段的时刻、第二接收模块接收上位机失效信号的时刻以及该主工艺阶段所需时间，就能够获得上位机宕机时主工艺阶段距离其完成的剩余时间。计时模块并根据该剩余时间进行计时计算，以判断主工艺级阶段是否完成。当主工艺阶段完成后，控制模块13将调用存储子模块中工艺结束阶段立式扩散/氧化炉所适用的工艺参数，如将炉丝温度控制在设备出舟温度600℃，所有工艺气体MFC流量设置为0，阀体根据需要进行关闭及打开，并通氮气，因为此时主工艺阶段已经完成且上位机也处于宕机状态，出舟温度控制可以不需要太过精确，保持当前状态等炉丝温度降到出舟温度后，后续工作由现场操作人员完成。
若上位机发生宕机时，热处理工艺不处于工艺准备阶段或主工艺阶段，则说明热处理工艺已经处于工艺结束阶段，硅片的热处理完成，只需安全取出即可。因此，控制模块13将保持当前的设备的工艺参数，等炉丝温度降到出舟温度后，后续工作由现场操作人员完成。
综上所述，本发明的上位机失效处理方法和装置，能够在上位机失效时，由下位机根据当前半导体设备所处的工艺阶段对各半导体设备进行控制，能够在保证安全的前提下使设备正常完成工艺流程，避免因设备失去控制导致产品损坏。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (14)

1.一种上位机失效处理方法，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，其特征在于，所述上位机失效处理方法由下位机执行，其包括以下步骤：
从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；以及
当接收上位机失效信号时，根据当前所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。
2.根据权利要求1所述的上位机失效处理方法，其特征在于，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。
3.根据权利要求2所述的上位机失效处理方法，其特征在于，还包括：存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。
4.根据权利要求3所述的上位机失效处理方法，其特征在于，若接收所述上位机失效信号时，所述半导体工艺所处的工艺阶段为工艺准备阶段，则将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
5.根据权利要求2所述的上位机失效处理方法，其特征在于，若接收所述上位机失效信号时，所述半导体工艺所处的工艺阶段为主工艺阶段，则维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
6.根据权利要求5所述的上位机失效处理方法，其特征在于，根据所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺阶段是否完成。
7.根据权利要求1所述的上位机失效处理方法，其特征在于，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量和运动部件的状态。
8.一种上位机失效处理装置，用于在半导体工艺期间上位机失效时对各半导体设备进行控制，其特征在于，所述失效处理装置包含于下位机中，其包括：
第一接收模块，用于从所述上位机获取所述半导体工艺所处的工艺阶段；
第二接收模块，用于接收上位机失效信号；以及
控制模块，与所述第一接收模块和第二接收模块相连，用于根据接收该上位机失效信号时所述半导体工艺所处的工艺阶段对所述各半导体设备的工艺参数进行相应控制。
9.根据权利要求8所述的上位机失效处理装置，其特征在于，所述工艺阶段包括工艺准备阶段，主工艺阶段以及工艺结束阶段。
10.根据权利要求9所述的上位机失效处理装置，其特征在于，所述控制模块包括存储子模块，用于存储所述工艺结束阶段所述各半导体设备的工艺参数。
11.根据权利要求10所述的上位机失效处理装置，其特征在于，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时，所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为工艺准备阶段，则所述控制模块将所述各半导体设备的工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
12.根据权利要求11所述的上位机失效处理装置，其特征在于，若所述第二接收模块接收所述上位机失效信号时，所述第一接收模块获取的所述工艺阶段为主工艺阶段，则所述控制模块维持当前所述各半导体设备的工艺参数，直至所述主工艺阶段完成时将该些工艺参数设为所述工艺结束阶段的工艺参数。
13.根据权利要求9所述的上位机失效处理装置，其特征在于，所述控制模块包括计时子模块，其中设有所述主工艺阶段所需的时间，所述计时子模块根据所述第一接收模块获取所述半导体工艺进入所述主工艺阶段的时刻、所述第二接收模块接收所述上位机失效信号的时刻以及所述主工艺阶段所需的时间，获得所述上位机失效时所述主工艺阶段的剩余时间，并根据该剩余时间计时计算以判断所述主工艺阶段是否完成。
14.根据权利要求8所述的上位机失效处理装置，其特征在于，所述半导体设备为立式扩散/氧化炉，所述半导体设备的工艺参数包括炉丝温度、阀体的开关状态、气体的流量和运动部件的状态。
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