CN103779906A - 充电管理装置和系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种充电管理装置和系统，所述充电管理装置包括：充电模式检测电路、延时电路、充电电流检测电路和信号检测电路；充电模式检测电路，对恒流充电模式下电池的充电反馈电压和恒压充电模式下电池的充电反馈电压进行检测，生成恒压充电模式指示信号；延时电路，接收所述恒压充电模式指示信号并进行延时处理，生成第一充电结束信号；充电电流检测电路，对恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流进行检测，当恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流的比值小于第一阈值时，生成第二充电结束信号；信号检测电路，根据所述第一充电结束信号或第二充电结束信号生成充电终止信号，终止对电池充电。

Description

充电管理装置和系统

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种充电管理装置和系统。

背景技术

充电电池的充电问题一直是人们关心的焦点，正确良好的充电方法可以确保电池的寿命。在充电过程中电池的电压会随著储存电量的增加而逐渐上升，当电池储存的电量达到饱和电极材料无法继续充电时，若继续充电则电解液会起电解，并且在阳极产生氧气，在阴极产生氢气，如此会在密封的电池内部造成内部压力上升，会对电池内部结构造成破坏。像这种现象称之为过度充电。过渡充电会造成电池寿命的缩短，电池性能受到严重破坏，甚至发生爆炸，因此在充电过程中如何避免对电池过充是非常重要的。

线性充电器是电源管理芯片中的一个基本模块，在电子系统中得到了广泛的应用。线性充电器的充电过程可分为预充电、恒流充电(CC)和恒压充电(CV)三个阶段，传统的充电器的充电结束信号是在CV阶段产生的。进入CV模式后，充电电流会逐渐减小，当CV模式充电电流小于CC模式充电电流的10%时，认为充电结束。这种判断充电结束电路的控制比较简单，只需要一个比较器来判断充电电流小于设定值即可。但这种判断充电结束的方法存在一个缺陷。当充电时，被充电设备内部电路由电池电压（VoltageBattery,VBAT）供电，则在充电过程中，被充电设备内部电路消耗的电流可能会一直大于10%的CC模式充电电流。因此在这种情况下，即使已经完成充电，也不会产生充电结束信号，因此会导致电池一直在充电且始终显示充不满。

发明内容

本发明的目的是提供一种充电管理装置和系统，能够对电池由恒流充电状态进入恒压充电状态的情况进行有效检测，通过检测产生恒压充电模式指示信号，在用电器内部电路由电池电压供电时，能够及时指示电池已经充满。

第一方面，本发明实施例提供了一种充电管理装置，所述装置包括：

充电模式检测电路，对恒流充电模式下电池的充电反馈电压和恒压充电模式下电池的充电反馈电压进行检测，生成恒压充电模式指示信号；

延时电路，接收所述恒压充电模式指示信号并进行延时处理，生成第一充电结束信号；

充电电流检测电路，对恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流进行检测，当恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流的比值小于第一阈值时，生成第二充电结束信号；

信号检测电路，根据所述第一充电结束信号或第二充电结束信号生成充电终止信号，终止对电池充电。优选的，所述充电模式检测电路包括：

第一运算放大器，包括第一共源放大单元和共栅放大单元，所述第一运算放大器用于根据恒流充电反馈电压和恒流充电参考电压确定恒流充电的工作电流；

第二运算放大器，包括第二共源放大单元和共栅放大单元，所述第二运算放大器用于根据恒压充电反馈电压和恒压充电参考电压确定恒压充电的输出电压；其中，所述第一运算放大器与所述第二运算放大器共用共栅放大单元；

恒压充电模式检测单元，包括第一P型金属-氧化物-半导体PMOS晶体管、第一N型金属-氧化物-半导体NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电容、第二电容和反相器；所述第一PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极、第二电容的第一端以及反相器的输入端相连接；第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管共栅连接到第二运算放大器内部的第一检测点，并与第一电容的第一端相连接，第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管、第三晶体管的漏极相连接；第一电容的第二端、第二电容的第二端、第二NMOS晶体管和第三晶体管的漏极共地连接，反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接；反相器输出恒压充电模式指示信号；

当电池处于恒流充电状态，恒压充电反馈电压低于恒压充电参考电压，所述第一检测点为低电平，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管截止，第一PMOS晶体管导通，反相器输入端为高电平，输出的恒压充电模式指示信号为低电平，指示电池的充电模式不在恒压充电状态；

当电池处于恒压充电状态，恒压充电反馈电压等于恒压充电参考电压，所述第一检测点为高电平，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管导通，反相器输入端为低电平，输出的恒压充电模式指示信号为高电平，指示电池的充电模式处于恒压充电状态。

优选的，所述第二共源放大单元包括：第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述第二PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的源极相连接；所述第五PMOS晶体管的栅极连接恒压充电反馈电压；所述第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管共栅连接恒压充电参考电压；第三PMOS晶体管与第四NMOS晶体管共漏连接，漏极为所述第一检测点。

优选的，所述第一共源放大单元包括：第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管和第五NMOS晶体管；

所述第六PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管的源极相连接；所述第七PMOS晶体管的栅极连接恒压充电反馈电压；所述第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管共栅连接恒流充电参考电压；第九PMOS晶体管与第五NMOS晶体管共漏连接。

优选的，所述延时电路具体为多级D触发器串联的电路。

优选的，所述第一充电结束信号和第二充电结束信号均为高电平信号有效，信号检测电路具体为或非运算逻辑电路。

优选的，所述第一充电结束信号和第二充电结束信号均为低电平信号有效，信号检测电路具体为与运算逻辑电路。

第二方面，本发明实施例提供了一种充电管理系统，包括：电源、充电电池、充电设备和如上述第一方面所述的充电管理装置；

所述充电设备与所述电源相连接，向所述充电电池提供充电电流和充电电压；

所述充电管理装置，对所述充电电压和充电电流进行检测，判断是否完成对充电电池的充电；当检测到已完成充电时，充电管理装置产生充电结束信号，指示所述充电设备对电池的充电已经完成。

本发明的提供的一种充电管理装置，能够对电池由恒流充电状态进入恒压充电状态的情况进行有效检测，通过检测产生恒压充电模式指示信号，充电管理装置根据恒压充电指示信号生成充电终止信号，指示所述充电设备对电池的充电已经完成。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种充电模式检测电路的电路图；

图2为本发明实施例提供的一种充电管理装置的逻辑框图；

图3为本发明实施例提供的充电管理装置中延时电路的一种具体实现电路图；

图4为本发明实施例提供的充电管理装置各电路的输出逻辑的波形图；

图5为本发明实施例提供的一种充电管理装置的示意图；

图6为本发明实施例提供的一种充电管理系统的示意图。

下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种具有充电模式检测电路的充电管理装置，适用于各种电源管理芯片的过充检测，能够对电池由恒流充电状态进入恒压充电状态的情况进行有效检测，从而准确判断电池是否已经充满，避免由于被充电设备由VBAT供电而导致无法产生充电结束信号，造成电池过充的问题。

下面，首先对充电管理装置中的充电模式检测电路部分进行说明。

图1为本发明实施例提供的充电模式检测电路的电路图。如图1所示，充电模式检测电路包括：第一运算放大器11、第二运算放大器12、和恒压充电模式检测单元13。其中，第一运算放大器11包括晶体管T1～T15,第二运算放大器12包括晶体管T6～T20；第一运算放大器11和第二运算放大器12共用晶体管T6～T15。在CC模式下，第一运算放大器11工作；在CV模式下，第二运算放大器12工作。

恒压充电模式检测单元13具体包括：第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3、第三NMOS晶体管M4、第一电容C1、第二电容C2和反相器INV0；第一PMOS晶体管M1的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与第一NMOS晶体管M2的漏极、第二电容C1的第一端以及反相器INV0的输入端相连接；第一NMOS晶体管M2与第二NMOS晶体管M3共栅连接到第二运算放大器12内部的第一检测点A，并与第一电容C1的第一端相连接；第一NMOS晶体管M2的源极与第二NMOS晶体管M3、第三晶体管M4的漏极相连接；第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二NMOS晶体管M3和第三晶体管M4的漏极共地连接，反相器INV0的输出端与第三晶体管M4的栅开启电压；反相器INV0输出恒压充电模式指示信号；

第一运算放大器11具体包括：第六PMOS晶体管T1、第七PMOS晶体管T2、第八PMOS晶体管T3、第九PMOS晶体管T4和第五NMOS晶体管T5，以及与第二运算放大单元12共用的第十PMOS晶体管T6、第十一PMOS晶体管T7、第十二PMOS晶体管T8、第十三PMOS晶体管T9、第六NMOS晶体管T10、第七NMOS晶体管T11、第八NMOS晶体管T12、第九NMOS晶体管T13、第十NMOS晶体管T14和第五NMOS晶体管T15。

第六PMOS晶体管T1的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与第七PMOS晶体管T2、第八PMOS晶体管T3和第九PMOS晶体管T4的源极相连接；第七PMOS晶体管T2的栅极连接恒流充电反馈电压VFB_CC；第八PMOS晶体管T3和第九PMOS晶体管T4共栅连接恒流充电参考电压VREF_CC；第九PMOS晶体管T4与第五NMOS晶体管T5共漏连接;

第十PMOS晶体管T6和第十一PMOS晶体管T7共栅源连接，其中源极连接模拟电路电源电压AVDD，栅极连接第十二PMOS晶体管T8、第六NMOS晶体管T10和第十NMOS晶体管T14的漏极以及第四NMOS晶体管T16的栅极、第十二PMOS晶体管T8和第十三PMOS晶体管T9共栅连接，第十二PMOS晶体管T8的源极与第十PMOS晶体管T6的漏极相连接，第十三PMOS晶体管T9的源极与第十一PMOS晶体管T7的漏极相连接，第十三PMOS晶体管T9的漏极与第七NMOS晶体管T11的源极相连接，第六NMOS晶体管T10和第七NMOS晶体管T11共栅连接至第五NMOS晶体管T5和第十NMOS晶体管T14的栅极，第六NMOS晶体管T10的源极与第八NMOS晶体管T12的漏极相连接并连接第七PMOS晶体管T2的漏极和第四NMOS晶体管T16的源极，第七NMOS晶体管T11的源极与第九NMOS晶体管T13的漏极相连接并与第八PMOS晶体管T3的漏极和第四PMOS晶体管T18的漏极相连，第八NMOS晶体管T12和第九NMOS晶体管T13共栅连接第五NMOS晶体管T15的栅极,第十NMOS晶体管T14的源极与第五NMOS晶体管T15的漏极相连接并与第五NMOS晶体管T5的源极和第五PMOS晶体管T20的漏极相连，第八NMOS晶体管T12、第九NMOS晶体管T13、第五NMOS晶体管T15共源连接至地电压。第二运算放大器12包括：第二PMOS晶体管T19、第三PMOS晶体管T17、第四PMOS晶体管T18、第五PMOS晶体管T20和第四NMOS晶体管T16以及与第一运算放大单元11共用的第十PMOS晶体管T6、第十一PMOS晶体管T7、第十二PMOS晶体管T8、第十三PMOS晶体管T9、第六NMOS晶体管T10、第七NMOS晶体管T11、第八NMOS晶体管T12、第九NMOS晶体管T13、第十NMOS晶体管T14和第五NMOS晶体管T15。

第二PMOS晶体管T19的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与第三PMOS晶体管T17、第四PMOS晶体管T18和第五PMOS晶体管T20的源极相连接；第五PMOS晶体管T20的栅极连接恒压充电反馈电压VFB_CV；第三PMOS晶体管T17和第四PMOS晶体管T18共栅连接恒压充电参考电压VREF_CV；第三PMOS晶体管T17与第四NMOS晶体管T16共漏连接于A点;

第十PMOS晶体管T6和第十一PMOS晶体管T7共栅源连接，其中源极连接模拟电路电源电压AVDD，栅极连接第十二PMOS晶体管T8、第六NMOS晶体管T10和第十NMOS晶体管T14的漏极以及第四NMOS晶体管T16的栅极、第十二PMOS晶体管T8和第十三PMOS晶体管T9共栅连接，第十二PMOS晶体管T8的源极与第十PMOS晶体管T6的漏极相连接，第十三PMOS晶体管T9的源极与第十一PMOS晶体管T7的漏极相连接，第十三PMOS晶体管T9的漏极与第七NMOS晶体管T11的源极相连接，第六NMOS晶体管T10和第七NMOS晶体管T11共栅连接至第五NMOS晶体管T5和第十NMOS晶体管T14的栅极，第六NMOS晶体管T10的源极与第八NMOS晶体管T12的漏极相连接并连接第七PMOS晶体管T2的漏极和第四NMOS晶体管T16的源极，第七NMOS晶体管T11的源极与第九NMOS晶体管T13的漏极相连接并与第八PMOS晶体管T3的漏极和第四PMOS晶体管T18的漏极相连，第八NMOS晶体管T12和第九NMOS晶体管T13共栅连接第五NMOS晶体管T15的栅极,第十NMOS晶体管T14的源极与第五NMOS晶体管T15的漏极相连接并与第五NMOS晶体管T5的源极和第五PMOS晶体管T20的漏极相连，第八NMOS晶体管T12、第九NMOS晶体管T13、第五NMOS晶体管T15共源连接至地电压。

恒压充电模式检测单元13具体包括M1,M2,M3,M4构成的带迟滞的电流比较器以及电容C1和C2；其中M3和M4形成迟滞，防止比较输出发生振荡，C1和C2电容的作用是防止比较器发生误翻转；

当电池处于恒流充电状态时，第一运算放大器（T1～T15）工作，恒压充电反馈电压VFB_CV低于恒压充电参考电压VREF_CV，A点输出为低电平，第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3截止，第一PMOS晶体管M1导通，反相器INV0输入端为高电平，输出的恒压充电模式指示信号STAT1_pre为低电平，指示电池的充电模式不在恒压充电状态；

当电池进入恒压充电状态后，第二运算放大器（T6～T20）工作，恒压充电反馈电压VFB_CV等于恒压充电参考电压VREF_CV，A点输出为高电平，第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3导通，反相器INV0输入端为低电平，输出的恒压充电模式指示信号STAT1_pre为高电平，指示电池的充电模式处于恒压充电状态。

本发明实施例提供的充电模式检测电路，能够对电池由恒流充电状态进入恒压充电状态的情况进行有效检测，通过检测产生恒压充电模式指示信号，指示电池已经充满。此外，通过充电模式检测电路中第一运算放大器和第二运算放大器共用部分电路的设计，节省了电源管理芯片的面积。

相应的，本发明还提供了一种充电管理装置，图2为本发明实施例提供的充电管理装置的逻辑框图，包括：充电模式检测电路21、延时电路22、充电电流检测电路23和信号检测电路24。

充电模式检测电路21，用于生成恒压充电模式指示信号STAT1_pre；

充电模式检测电路21的具体实现方式在上述实施例一中已经进行了详细描述，此处不再赘述。

延时电路22，接收充电模式检测电路21发送的恒压充电模式指示信号STAT1_pre，并进行延时处理，生成第一充电结束信号STAT1发送给信号检测电路24；

具体的，延时电路22可以为多级D触发器串联的电路，其具体的实现形式可以如图3所示。延时电路22由多个下降沿时钟信号触发的D触发器串联构成。qb为输出信号q的反相输出，R为复位端，为高电平复位。为了产生低电平复位，在复位输入端增加了反相器INV3。D触发器的级数和输入时钟的频率可以根据所需延时时间来设定，D触发器级数越多，产生的延时时间越长；采用的时钟输入信号CLK的频率越低，产生的延时时间越长。优选的，延时电路22中还包括另一个反相器，使恒压充电模式指示信号STAT1_pre由低电平变为高电平之后，延迟30分钟产生STAT1的低电平信号。

充电电流检测电路23，对恒压充电（CV）模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流进行检测，当恒压充电（CV）模式下电池的充电电流与恒流充电（CC）模式下电池的充电电流的比值小于第一阈值时，生成第二充电结束信号STAT2发送给信号检测电路24；

具体的，在充电进入恒压充电（CV）模式之后，充电电流会逐渐减小，当恒压充电（CV）模式下的充电电流小于恒流充电（CC）模式下的充电电流的一定数量百分比，通常为10%时，即可认为充电完成，此时，充电电流检测电路23产生一个低电平的第二充电结束信号STAT2。

信号检测电路24，根据所述第一充电结束信号STAT1或第二充电结束信号STAT2生成充电终止信号STAT，指示电池已经充满。

信号检测电路24为一定逻辑功能的电路，具体根据输入信号以及输出充电终止信号STAT的有效电平的设定来决定。

在本实施例中，第一充电结束信号STAT1和第二充电结束信号STAT2任一为低电平信号时，输出低电平的充电终止信号STAT，因此信号检测电路24为与运算逻辑电路。

在图4中，给出了上述情况下的充电管理装置各电路的输出逻辑的波形图。其中Ivbat为充电电流。

当充电时被充电设备工作在旁路（bypass）模式下，即被充电设备内部不通过电池供电的情况下，结合图4（a）所示。当充电进入CV模式，充电模式检测电路21产生STAT1_pre高电平信号，在充电电流减小为小于10%的CC模式充电电流时，充电电流检测电路23产生低电平的STAT2信号，此时，延时电路22还没有根据充电模式检测电路21输出的STAT1_pre高电平信号输出低电平的STAT1信号，信号检测电路24已经根据低电平的STAT2信号输出低电平的充电终止信号STAT，终止了对电池的充电。

当充电时被充电设备由VBAT供电的情况下，结合图4（b）所示。电池的充电电流始终大于10%的CC模式下的充电电流，则STAT2信号一直为高，当充电进入CV模式后，充电模式检测电路21产生STAT1_pre高电平信号，延时电路22经过一定时间的延时后，根据充电模式检测电路21输出的STAT1_pre高电平信号输出低电平的STAT1信号，信号检测电路24则根据低电平的STAT1信号输出低电平的充电终止信号STAT，指示电池已经充满。

此外，第一充电结束信号STAT1和第二充电结束信号STAT2还可以设定为高电平有效，只需稍微改变充电管理装置的电路逻辑，比如信号检测电路24改为或非运算逻辑电路即可。

在一个具体的例子中，充电管理装置可以如图5所示，其中，电源电压为VCHG，电池电压为VBAT，充电管理装置具体包括：环路补偿电路A1、A2，分压电阻串B，充电模式检测电路C1，主环路运放C2，晶体管T1、T2、T3，其中T1管与T2管匹配,晶体管数之比为1：N，为电流镜结构，Rs为控制恒流充电大小的电阻，其中VREF_CC1=4%×VREF_CC3，VREF_CC2=10%×VREF_CC3；VREF_CC1、VREF_CC2、VREF_CC3分别为三档基准电压，对应不同的充电电流。

在刚开始充电时VBAT电压很低，需要用涓流充电，此时C1中的CC运放工作使VFB_CC等于VREF_CC，VREF_CC连接较低电压VREF_CC1，此时充电电流为

为4%的CC电流；当VBAT达到1.8V时，VREF_CC连接VREF_CC2，此时充电电流变为10%的CC电流；当VBAT达到2.9V时，VREF_CC连接VREF_CC3，充电电流变为CC电流；当VBAT达到4.2V时，充电管理装置进入恒压CV充电模式，此时C1中的CC运放不工作，CV运放开始工作，后续过程如上述实施例所述，此处不再赘述。

本发明实施例提供的充电管理装置，能够对电池由恒流充电状态进入恒压充电状态的情况进行有效检测，通过检测产生恒压充电模式指示信号，指示电池已经充满，有效的避免了在VBAT供电模式下无法通过充电电流的变化检测电池是否充满，可能造成电池过充的情况。

相应的，本发明实施例还提供了一种充电管理系统。如图6所示，包括：电源61、充电电池62、充电设备63和充电管理装置64；

其中，充电设备63与电源61相接，从而向充电电池62提供充电电流和充电电压；

充电管理装置64，对充电设备63的充电电压和充电电流进行检测，判断是否完成对充电电池的充电，当充电管理装置64检测到已完成充电时，产生充电结束信号，通知充电设备63充电电池62已经处于充满状态。其具体过程已在上述实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种充电管理装置，其特征在于，所述装置包括：充电模式检测电路、延时电路、充电电流检测电路和信号检测电路；

充电模式检测电路，对恒流充电模式下电池的充电反馈电压和恒压充电模式下电池的充电反馈电压进行检测，生成恒压充电模式指示信号；

延时电路，接收所述恒压充电模式指示信号并进行延时处理，生成第一充电结束信号；

充电电流检测电路，对恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流进行检测，当恒压充电模式下电池的充电电流与恒流充电模式下电池的充电电流的比值小于第一阈值时，生成第二充电结束信号；

信号检测电路，根据所述第一充电结束信号或第二充电结束信号生成充电终止信号，终止对电池充电。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述充电模式检测电路包括：

第一运算放大器，包括第一共源放大单元和共栅放大单元，所述第一运算放大器用于根据恒流充电反馈电压和恒流充电参考电压确定恒流充电的工作电流；

第二运算放大器，包括第二共源放大单元和共栅放大单元，所述第二运算放大器用于根据恒压充电反馈电压和恒压充电参考电压确定恒压充电的输出电压；其中，所述第一运算放大器与所述第二运算放大器共用共栅放大单元；

恒压充电模式检测单元，包括第一P型金属-氧化物-半导体PMOS晶体管、第一N型金属-氧化物-半导体NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电容、第二电容和反相器；所述第一PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极、第二电容的第一端以及反相器的输入端相连接；第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管共栅连接到第二运算放大器内部的第一检测点，并与第一电容的第一端相连接，第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管、第三晶体管的漏极相连接；第一电容的第二端、第二电容的第二端、第二NMOS晶体管和第三晶体管的漏极共地连接，反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接；反相器输出恒压充电模式指示信号；

当电池处于恒流充电状态，恒压充电反馈电压低于恒压充电参考电压，所述第一检测点为低电平，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管截止，第一PMOS晶体管导通，反相器输入端为高电平，输出的恒压充电模式指示信号为低电平，指示电池的充电模式不在恒压充电状态；

当电池处于恒压充电状态，恒压充电反馈电压等于恒压充电参考电压，所述第一检测点为高电平，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管导通，反相器输入端为低电平，输出的恒压充电模式指示信号为高电平，指示电池的充电模式处于恒压充电状态。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二共源放大单元包括：第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述第二PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的源极相连接；所述第五PMOS晶体管的栅极连接恒压充电反馈电压；所述第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管共栅连接恒压充电参考电压；第三PMOS晶体管与第四NMOS晶体管共漏连接，漏极为所述第一检测点。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一共源放大单元包括：第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管和第五NMOS晶体管；

所述第六PMOS晶体管的源极接模拟电路电源电压AVDD，漏极与所述第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管的源极相连接；所述第七PMOS晶体管的栅极连接恒压充电反馈电压；所述第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管共栅连接恒流充电参考电压；第九PMOS晶体管与第五NMOS晶体管共漏连接。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述延时电路具体为多级D触发器串联的电路。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一充电结束信号和第二充电结束信号均为高电平信号有效，信号检测电路具体为或非运算逻辑电路。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一充电结束信号和第二充电结束信号均为低电平信号有效，信号检测电路具体为与运算逻辑电路。

8.一种充电管理系统，其特征在于，所述系统包括：电源、充电电池、充电设备和如上述权利要求1-7任一所述的充电管理装置；

所述充电设备与所述电源相连接，向所述充电电池提供充电电流和充电电压；

所述充电管理装置，对所述充电电压和充电电流进行检测，判断是否完成对充电电池的充电；当检测到已完成充电时，充电管理装置产生充电结束信号，指示所述充电设备对电池的充电已经完成。

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