CN103762219B - 串联升压太阳能电池单元及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于太阳能技术领域,为实现抑制SEE产生的电荷在芯片中的扩散,本发明采用的技术方案是,串联升压太阳能电池单元制备方法,包括如下步骤:1)在轻掺杂的P‑型硅衬底上制备浅沟槽隔离区;2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱;3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区;4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区;5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层;6)在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极;7)制作串联升压电池单元的阳极和阴极。本发明主要应用于太阳能电池的设计制造。
Description
技术领域
本发明属于太阳能技术领域,涉及一种与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的微型太阳能电池结构;涉及利用氧化、光刻、刻蚀、离子注入、金属化等一系列标准CMOS工艺技术实现此种器件的制备方法,具体讲,涉及串联升压太阳能电池单元及其制备方法。
背景技术
随着全球生态环境不断恶化,以及传统石化能源日益短缺,迫切需要一种清洁、无污染且供给丰富的新能源来推动人类文明和社会经济的持续发展,这已成为世界各国持续关注和不断探索的科学问题之一。
随着集成电路工艺节点的持续缩减,对于射频识别和无线传感网络节点等周期性工作的微系统而言,系统芯片的工作电压和功率消耗不断降低。因此,对于以上所述的微功耗系统芯片而言,利用外界环境能量实现系统能源的自供给成为可能。目前,学术界已报道了采用机械振动、温度梯度及太阳能等多种能量获取方式。与其他能量获取方式相比,以光作为能量来源的太阳电池转换效率高、技术成熟,无需交流-直流转换,是一种取之不尽、用之不竭的绿色环保能源。
尽管采用常规的分立太阳能电池单元可实现电子系统能源的自供给,但太阳能电池的常规制造工艺使得其无法与基于标准CMOS工艺的电子电路单片集成,因而整体系统的体积大、成本高,难以适应微型化的发展需求。
发明内容
为克服现有技术的不足,实现射频识别、无线传感网络节点等周期性工作的微功耗系统芯片的能量自动获取,本发明采用的技术方案是,串联升压太阳能电池单元制备方法,包括如下步骤:
1)在轻掺杂的P-型硅衬底上制备浅沟槽隔离区,其作用是实现太阳能电池间,以及太阳能电池和CMOS电子电路之间的电学隔离,避免相互影响;
2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱,该区域用作P+/N阱型太阳能电池D1的N型基底;
3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区,同时在衬底上制备一个衬底接触区,所述P+有源区与N型基底构成P+/N阱型太阳能电池D1;
4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区,同时在N型基底外侧的衬底上制备出重掺杂的N+有源区,所述N+有源区和P型衬底构成N+/P衬底型太阳能电池D2;
5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层,所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜,增加太阳光的入射效率;
6)利用光刻和金属化工艺步骤,在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极;
7)利用互连工艺将P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极短路连接,并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极引出,分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。
在<100>晶向的P-型硅衬底上依次淀积50nm的氧化硅和200nm氮化硅介质层,然后采用标准CMOS工艺中的光刻、刻蚀工艺步骤定义出浅沟槽隔离区,沟槽深度在0.5~1μm,沟槽宽度为0.5μm,采用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)淀积氧化物填充沟槽,氧化物的厚度略超过沟槽深度,最后用化学机械抛光工艺实施全局整平,用热磷酸去除表面氮化硅,制备出浅沟槽隔离区。
对制备出浅槽隔离区的衬底进行太阳能电池的N型基底光刻,N型基底的窗口面积为50×50μm2,利用标准CMOS工艺的N阱注入对所述窗口进行N型掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1017cm-3,深度约为1μm。
光刻太阳能电池的P+有源区窗口和衬底接触区窗口,利用标准CMOS工艺中PMOS晶体管的P+源/漏注入对所述P+有源区和衬底接触区进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深约为0.1~0.2μm。
光刻出太阳能电池的N阱接触区和N+有源区,利用标准CMOS工艺中NMOS晶体管的N+源/漏注入对所述N阱接触区和N+有源区进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深约为0.1~0.2μm。
用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)在表面淀积一层结构致密、厚度在80~140nm的氧化硅介质层,所述介质膜同时兼作太阳能电池的抗反射膜,用于增强400~800nm范围太阳光谱的入射效率;利用接触孔掩膜版进行光刻,并用反应离子刻蚀技术在介质层上刻蚀出数个P+有源区、N阱接触区、N+有源区和衬底接触区的接触孔,接触孔面积为0.5×0.5μm2。
利用溅射淀积技术在表面淀积50nm厚的硅化物金属,并进行快速热处理,形成硅化物,降低接触电阻。所述硅化物金属包括,但不限于Ti,Co,W及Ni;采用过氧化氢和硫酸混合液腐蚀未反应的Ti,Co,W或Ni等金属;淀积电极金属材料,并采用标准CMOS的金属化工艺制备P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和阴极电极,以及N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极和阴极电极,所述电极金属材料包括,但不限于Al,Cu,W,Pt,TaN及其组合或合金。
在轻掺杂的P-型硅衬底上制备有浅沟槽隔离区,在浅沟槽隔离区间的有源区内制备有中等掺杂的N阱,该区域用作P+/N阱型太阳能电池D1的N型基底;在N型基底中制备有大面积、重掺杂的P+有源区,同时在衬底上制备有衬底接触区,所述P+有源区与N型基底构成P+/N阱型太阳能电池D1;在所述P+有源区外侧的N型基底上制备有重掺杂的N+接触区,同时在N型基底外侧的衬底上制备有重掺杂的N+有源区,所述N+有源区和P型衬底构成N+/P衬底型太阳能电池D2;在表面淀积介质层,所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜,增加太阳光的入射效率;在表面部位制备有所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极;P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极短路连接,P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极引出,分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。
在表面淀积介质层为氧化硅介质层,介质层上刻蚀有数个P+有源区、N阱接触区、N+有源区和衬底接触区的接触孔,接触孔面积为0.5×0.5μm2。
本发明的技术特点及效果:
1、本发明提出的太阳能电池单元利用标准CMOS工艺的结构特点来设计和实现,在NMOS和PMOS器件制备过程中可实现P+/N阱、N+\P衬底及N阱/P衬底等多种结构的PN结型太阳能电池,无需额外增加制造工序。
2、所述太阳能电池制备工艺和CMOS电子电路工艺完全兼容,可在同一芯片上实现微型太阳能电池和电子电路的单片集成,降低系统体积和成本,提高集成度。
3、本发明提出的太阳能电池单元可实现串联升压,开路输出电压达0.9V以上,有望直接驱动低压电子电路,避免电荷泵等升压装置,简化供电系统。
附图说明
图1:本发明提出的串联升压单元的等效电路图。
图2:本发明的P+/N阱型和N+/P衬底型太阳能电池串联升压单元剖面图。
图3:本发明的P+/N阱型和N+/P衬底型太阳能电池串联升压单元顶视图。
具体实施方式
若采用与标准CMOS工艺兼容的微型太阳能电池与微功耗系统芯片单片集成,即可实现片上供电,降低系统体积和成本,又使系统的集成度和功能不断提高,实现真正意义的自供电系统芯片。
为克服常规太阳能电池体积大、成本高等不利因素,实现射频识别、无线传感网络节点等周期性工作的微功耗系统芯片的能量自动获取,本发明提出一种与标准CMOS工艺兼容的片上集成串联升压太阳能电池单元,该电池单元有望直接驱动射频识别、无线传感网络节点等低压、微功耗电子系统。
本发明提出的串联升压太阳能电池单元如图1所示,由P+/N阱型太阳能电池D1和N+/P衬底型太阳能电池D2串行连接,实现输出电压倍增。具体可通过如下技术方案予以实现:
1)在轻掺杂的P-型硅衬底上制备浅沟槽隔离区,其作用是实现太阳能电池间,以及太阳能电池和CMOS电子电路之间的电学隔离,避免相互影响。
2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱,该区域用作P+/N阱型太阳能电池D1的N型基底。
3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区,同时在衬底上制备一个衬底接触区,所述P+有源区与N型基底构成P+/N阱型太阳能电池D1。
4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区,同时在N型基底外侧的衬底上制备出重掺杂的N+有源区,所述N+有源区和P型衬底构成N+/P衬底型太阳能电池D2。
5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层,所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜,增加太阳光的入射效率。
6)利用光刻和金属化工艺步骤,在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极。
7)利用互连工艺将P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极短路连接,并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极引出,分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。
下面结合附图2和附图3,对P+/N阱型和N+/P衬底型太阳能电池串联升压单元的制备工艺进行详细阐述。
1、在<100>晶向的P-型硅衬底1上依次淀积50nm的氧化硅和200nm氮化硅介质层,然后采用标准CMOS工艺中的光刻、刻蚀等工艺步骤定义出浅沟槽隔离区2,沟槽深度在0.5~1μm,沟槽宽度为0.5μm,采用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)淀积氧化物填充沟槽,氧化物的厚度略超过沟槽深度,最后用化学机械抛光工艺实施全局整平,用热磷酸去除表面氮化硅,制备出浅沟槽隔离区2。
2、对制备出浅槽隔离区2的衬底1进行太阳能电池的N型基底光刻,N型基底3的窗口面积为50×50μm2,利用标准CMOS工艺的N阱注入对所述窗口进行N型掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1017cm-3,深度约为1μm。
3、光刻太阳能电池的P+有源区4窗口和衬底接触区7窗口,利用标准CMOS工艺中PMOS晶体管的P+源/漏注入对所述P+有源区4和衬底接触区7进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深约为0.1~0.2μm。
4、光刻出太阳能电池的N阱接触区5和N+有源区6,利用标准CMOS工艺中NMOS晶体管的N+源/漏注入对所述N阱接触区5和N+有源区6进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深约为0.1~0.2μm。
5、用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)在晶片表面淀积一层结构致密、厚度在80~140nm的氧化硅介质层8,所述介质膜8同时兼作太阳能电池的抗反射膜,用于增强400~800nm范围太阳光谱的入射效率;利用接触孔掩膜版进行光刻,并用反应离子刻蚀技术在介质层8上刻蚀出数个P+有源区4、N阱接触区5、N+有源区6和衬底接触区7的接触孔,接触孔面积为0.5×0.5μm2。
6、利用溅射淀积技术在晶片上表面淀积50nm厚的硅化物金属,并进行快速热处理,形成硅化物,降低接触电阻。所述硅化物金属包括,但不限于Ti,Co,W及Ni。
7、采用过氧化氢和硫酸混合液腐蚀未反应的Ti,Co,W或Ni等金属。
8、淀积电极金属材料,并采用标准CMOS的金属化工艺制备P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极9和阴极电极10,以及N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极11和阴极电极12。所述电极金属材料包括,但不限于Al,Cu,W,Pt,TaN及其组合或合金。
9、采用标准CMOS工艺的互连工艺实现P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极10和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极11短路连接,并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极9和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极12引出,分别作为串联升压电池单元的阳极14和阴极15。
所述互连金属材料包括,但不限于Al,Cu,W,Pt,TaN及其组合或合金。
溅射淀积的硅化物金属在有氧化物介质层的地方位于氧化物层上,在接触窗口处,硅化物金属位于硅表面。随后的退火热处理过程中,金属和硅形成硅化物,减小接触电阻,而氧化物上的金属不与氧化物反应,随后被化学溶液腐蚀掉。
Claims (7)
1.一种串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,包括如下步骤:
1)在轻掺杂的P-型硅衬底上制备浅沟槽隔离区,其作用是实现太阳能电池间,以及太阳能电池和CMOS电子电路之间的电学隔离,避免相互影响;
2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱,该N阱区域用作P+/N阱型太阳能电池D1的N型基底;
3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P+有源区,同时在衬底上制备一个衬底接触区,所述P+有源区与N型基底构成P+/N阱型太阳能电池D1;
4)利用离子注入工艺在所述P+有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N+接触区,同时在N型基底外侧的衬底上制备出重掺杂的N+有源区,所述N+有源区和P型衬底构成N+/P衬底型太阳能电池D2;
5)在晶片表面淀积厚度在80~140nm的介质层,所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜,增加太阳光的入射效率;
6)利用光刻和金属化工艺步骤,在器件上表面制备出太阳能电池的阳极电极和阴极电极;
7)利用互连工艺将P+/N阱型太阳能电池D1的阴极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极短路连接,并将P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和N+/P衬底型太阳能电池D2的阴极电极引出,分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。
2.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,在<100>晶向的P-型硅衬底上依次淀积50nm的氧化硅和200nm氮化硅介质层,然后采用标准CMOS工艺中的光刻、刻蚀工艺步骤定义出浅沟槽隔离区,沟槽深度在0.5~1μm,沟槽宽度为0.5μm,采用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)淀积氧化物填充沟槽,氧化物的厚度略超过沟槽深度,最后用化学机械抛光工艺实施全局整平,用热磷酸去除表面氮化硅,制备出浅沟槽隔离区。
3.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,对制备出浅槽隔离区的衬底进行太阳能电池的N型基底光刻,N型基底的窗口面积为50×50μm2,利用标准CMOS工艺的N阱注入对所述窗口进行N型掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1017cm-3,深度为1μm。
4.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,光刻太阳能电池的P+有源区窗口和衬底接触区窗口,利用标准CMOS工艺中PMOS晶体管的P+源/漏注入对所述P+有源区和衬底接触区进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深为0.1~0.2μm。
5.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,光刻出太阳能电池的N阱接触区和N+有源区,利用标准CMOS工艺中NMOS晶体管的N+源/漏注入对所述N阱接触区和N+有源区进行掺杂和退火热处理,所述区域的平均掺杂浓度为1×1019cm-3,结深为0.1~0.2μm。
6.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,用高密度等离子体化学气相淀积技术(HDP CVD)在表面淀积一层结构致密氧化硅介质层,所述结构致密氧化硅介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜,用于增强400~800nm范围太阳光谱的入射效率;利用接触孔掩膜版进行光刻,并用反应离子刻蚀技术在介质层上刻蚀出数个P+有源区、N阱接触区、N+有源区和衬底接触区的接触孔,接触孔面积为0.5×0.5μm2。
7.如权利要求1所述的串联升压太阳能电池单元制备方法,其特征是,利用溅射淀积技术在表面淀积50nm厚的硅化物金属,并进行快速热处理,形成硅化物,降低接触电阻;所述硅化物金属包括,但不限于Ti,Co,W及Ni;采用过氧化氢和硫酸混合液腐蚀未反应的Ti,Co,W或Ni等金属;淀积电极金属材料,并采用标准CMOS的金属化工艺制备P+/N阱型太阳能电池D1的阳极电极和阴极电极,以及N+/P衬底型太阳能电池D2的阳极电极和阴极电极,所述电极金属材料包括,但不限于Al,Cu,W,Pt,TaN及其组合或合金。
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