CN103743438B - 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法 - Google Patents

复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103743438B
CN103743438B CN201310756693.2A CN201310756693A CN103743438B CN 103743438 B CN103743438 B CN 103743438B CN 201310756693 A CN201310756693 A CN 201310756693A CN 103743438 B CN103743438 B CN 103743438B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensitive layer
copper foil
layer
dimethyl silicone
silicone polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201310756693.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103743438A (zh
Inventor
王璐珩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northeastern University China
Original Assignee
Northeastern University China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northeastern University China filed Critical Northeastern University China
Priority to CN201310756693.2A priority Critical patent/CN103743438B/zh
Publication of CN103743438A publication Critical patent/CN103743438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103743438B publication Critical patent/CN103743438B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及一种复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法,属于测量技术领域。该敏感元件包括位移敏感层、压力敏感层和绝缘封装层。位移敏感层由覆合在聚酰亚胺薄膜上的铜箔线圈构成;压力敏感层由嵌入在聚二甲基硅氧烷内部的导电高分子复合材料构成;封装层由硫化在位移敏感层和压力敏感层外部的柔性高分子材料构成。通过检测铜箔线圈的阻抗变化来获取压力与位移信息。本发明研制的复合型柔软压力位移敏感元件具有压力测量和非接触式位移测量的双重功能,可应用于多敏感功能电子皮肤研制或智能制造全流程中整机及成套装备的狭小曲面层间压力测量和非接触式位移测量等领域。

Description

复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法
技术领域
本发明属于测量技术领域,特别涉及到柔软压力与位移传感器的研制。
背景技术
随着现代科学技术的发展,智能制造全流程中整机及成套装备的很多关键核心部件和关键基础零部件的形状越来越复杂,其装配和定位精度的要求也越来越高。为了提高重大设备的装配速度、获得最佳装配状态以及保证产品储备安全性,需要测量回转曲面之间的压力与位移,但是受到现场空间结构尺寸和被测环境、介质等特殊条件的限制,很难安装传统的刚性传感器。因此,迫切需要一种纤薄柔软的传感器,可以柔顺地贴附在零部件的曲面上完成层间压力与位移的测量任务。导电高分子复合材料是一种新型功能材料,不但具有柔韧性,而且其电阻随压力呈规律性变化。因此,这种复合材料可作为柔性压力传感器的敏感材料,但是这种方法无法完成非接触式位移测量。另一方面,利用平面线圈的电涡流效应可实现非接触式位移测量,但这种方法无法实现压力测量。目前,国内外的科研机构一般采用上述两套传感系统来完成压力测量与非接触式位移测量,因此需两种传感探头和两套信号处理系统,故而限制了其在狭小曲面层间压力位移测量等方面的应用。
发明内容
本发明的目的是为克服已有技术的不足之处,提出一种复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法。所述的复合型柔软压力位移敏感元件包括位移敏感层、压力敏感层和绝缘封装层,位移敏感层由覆合在聚酰亚胺薄膜上的铜箔线圈构成,压力敏感层由嵌入在聚二甲基硅氧烷内部的导电高分子复合材料薄片构成,绝缘封装层由硫化在位移敏感层和压力敏感层外部的高分子材料构成,通过获取所述铜箔线圈的阻抗变化来实现压力测量与非接触式位移测量。
本发明所述的复合型柔软压力位移敏感元件的研制方法,技术方案如下:
在聚酰亚胺薄膜上开过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线,进而完成位移敏感层的制备;将纳米导电粉末、液态高分子材料按一定比例混合,并将其加入到有机溶剂中形成纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液,对所述的纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,有机溶剂挥发后,将纳米导电粉末和液态高分子材料二者混合物滴在以一定的转速转动的匀胶台的转盘上,形成所需厚度的导电高分子复合材料薄片,并将其裁剪为所需尺寸备用,在聚二甲基硅氧烷中加入交联剂,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的导电高分子复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的导电高分子复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、导电高分子复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为所需厚度的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在液态高分子材料中加入交联剂,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保导电高分子复合材料薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由高分子材料、压力敏感层、位移敏感层和高分子材料四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为所需厚度的薄膜,待高分子材料硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
采用本发明所提出的方法研制的复合型柔软压力位移敏感元件的工作方式及原理说明如下:
导电粉末在高分子基体中形成导电网络,因而由导电高分子复合材料构成的压力敏感层相当于一个导电目标物。当对铜箔线圈通以交变电流I1时,在其周围产生交变的磁场H1,使由导电高分子复合材料构成的压力敏感层中产生感应电流I2,进而产生新的交变磁场H2;同时,在金属目标物中产生感应电流I3,进而产生新的交变磁场H3。这将导致铜箔线圈的等效阻抗发生变化。铜箔线圈的等效阻抗与以下因素有关:压力敏感层和金属目标物的材质、铜箔线圈和目标物的尺寸、激励信号频率和提离(金属目标物与复合型柔软压力位移敏感元件之间的距离)。如果只改变提离,保持其他参数不变,则铜箔线圈的等效阻抗就只与提离有关,通过检测铜箔线圈等效阻抗的变化,就可得到提离,进而完成非接触式位移测量。当金属目标物与复合型柔软压力位移敏感元件发生挤压时,压力敏感层发生形变,导致导电高分子复合材料内部的导电网络发生变化,进而使I2和H2等关键参数发生变化,最终导致铜箔线圈的等效阻抗也发生变化,也就是说,压力与铜箔线圈的等效阻抗之间存在着对应关系。因此,通过检测铜箔线圈的等效阻抗,可获知压力信息。
本发明的特点及效果:
本发明研制的复合型柔软压力位移敏感元件的压力敏感层中的导电高分子复合材料薄片与位移敏感层中的铜箔线圈不发生直接接触,通过获取所述铜箔线圈的阻抗变化来实现压力测量与非接触式位移测量。因此,仅由一套传感探头及其信号处理系统即可完成压力测量与非接触式位移测量,故而节省了安装空间;又由于该复合型柔软压力位移敏感元件的厚度薄、柔性高,因此该复合型柔软压力位移敏感元件可柔顺地贴敷在狭小曲面层间完成测量任务。
附图说明
图1为复合型柔软压力位移敏感元件的结构示意图。
图2为铜箔线圈的俯视示意图。
图1中,1代表聚酰亚胺薄膜,2代表聚酰亚胺薄膜上的过孔,3代表铜箔线圈,4代表边缘引线,5代表中心引线,6代表导电高分子复合材料薄片,7代表聚二甲基硅氧烷,8代表由高分子材料构成的绝缘封装层。
具体实施方式
以下结合实施例说明本发明提出的复合型柔软压力位移敏感元件的研制方法:
在聚酰亚胺薄膜1上开过孔2,在聚酰亚胺薄膜1的正反表面及过孔上覆合铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈3,在铜箔线圈3的端侧形成边缘引线4,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈3的形状可根据实际应用要求设计为圆形或方形等形状,如图2所示;将纳米导电粉末、液态高分子材料按一定比例混合,并将其加入到有机溶剂中形成纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液,对所述的纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,有机溶剂挥发后,将纳米导电粉末和液态高分子材料二者混合物滴在以一定的转速转动的匀胶台的转盘上,形成所需厚度的导电高分子复合材料薄片6,并将其裁剪为所需尺寸备用,在聚二甲基硅氧烷中加入交联剂,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的导电高分子复合材料薄片6置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的导电高分子复合材料薄片6之上,形成由聚二甲基硅氧烷7、导电高分子复合材料薄片6和聚二甲基硅氧烷7三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为所需厚度的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在液态高分子材料中加入交联剂,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保导电高分子复合材料薄片6的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由高分子材料、压力敏感层、位移敏感层和高分子材料四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为所需厚度的薄膜,待高分子材料硫化成型后形成绝缘封装层8,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
实施例1
在厚度为12.5微米的聚酰亚胺薄膜上开孔径为300微米的过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合厚度为10微米的铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈的形状为圆形,圈数为50、线宽为0.15微米、线距为0.3微米,将长径比为100的碳纳米管粉末、聚二甲基硅氧烷按0.04∶1的质量比混合,并将其加入到正己烷中形成碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液,对所述的碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,正己烷挥发后,将碳纳米管和聚二甲基硅氧烷二者混合物滴在以300rpm转动的匀胶台的转盘上,形成所厚度为60微米的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片,并将其长与宽分别裁剪为3毫米和5毫米,在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为100微米的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由聚二甲基硅氧烷、压力敏感层、位移敏感层和聚二甲基硅氧烷四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为厚度为200微米的薄膜,待聚二甲基硅氧烷硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
实施例2
在厚度为12.5微米的聚酰亚胺薄膜上开孔径为300微米的过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合厚度为10微米的铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈的形状为圆形,圈数为80、线宽为0.3微米、线距为0.3微米,将比表面积为50平方米/克的石墨烯粉末、聚乙烯按0.04∶1的质量比混合,并将其加入到正己烷中形成石墨烯和聚乙烯以及正己烷三者混合溶液,对所述的石墨烯和聚乙烯以及正己烷三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,正己烷挥发后,将石墨烯和聚乙烯二者混合物滴在以400rpm转动的匀胶台的转盘上,形成所厚度为50微米的石墨烯填充聚乙烯复合材料薄片,并将其长与宽分别裁剪为5毫米和5毫米,在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的石墨烯填充聚乙烯复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的石墨烯填充聚乙烯复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、石墨烯填充聚乙烯复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为所80微米厚的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保石墨烯填充聚乙烯复合材料薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由聚二甲基硅氧烷、压力敏感层、位移敏感层和聚二甲基硅氧烷四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为厚度为150微米的薄膜,待聚二甲基硅氧烷硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
实施例3
在厚度为12.5微米的聚酰亚胺薄膜上开孔径为300微米的过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合厚度为10微米的铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈的形状为圆形,圈数为60、线宽为0.15微米、线距为0.15微米,将比表面积为780平方米/克的炭黑粉末、树脂按0.06∶1的质量比混合,并将其加入到正己烷中形成炭黑和树脂以及正己烷三者混合溶液,对所述的炭黑和树脂以及正己烷三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,正己烷挥发后,将炭黑和树脂二者混合物滴在以200rpm转动的匀胶台的转盘上,形成所厚度为70微米的炭黑填充树脂复合材料薄片,并将其长与宽分别裁剪为3毫米和3毫米,在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的炭黑填充树脂复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的炭黑填充树脂复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、炭黑填充树脂复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为所120微米厚的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保炭黑填充树脂复合材料薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由聚二甲基硅氧烷、压力敏感层、位移敏感层和聚二甲基硅氧烷四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为厚度为250微米的薄膜,待聚二甲基硅氧烷硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
实施例4
在厚度为12.5微米的聚酰亚胺薄膜上开孔径为300微米的过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合厚度为10微米的铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈的形状为圆形,圈数为90、线宽为0.15微米、线距为0.15微米,将长径比为330的碳纳米管粉末、聚二甲基硅氧烷按0.03∶1的质量比混合,并将其加入到正己烷中形成碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液,对所述的碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,正己烷挥发后,将碳纳米管和聚二甲基硅氧烷二者混合物滴在以400rpm转动的匀胶台的转盘上,形成所厚度为40微米的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片,并将其长与宽分别裁剪为3毫米和3毫米,在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为90微米的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由聚二甲基硅氧烷、压力敏感层、位移敏感层和聚二甲基硅氧烷四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为厚度为140微米的薄膜,待聚二甲基硅氧烷硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
实施例5
在厚度为12.5微米的聚酰亚胺薄膜上开孔径为300微米的过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合厚度为10微米的铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线5,进而完成位移敏感层的制备,铜箔线圈的形状为圆形,圈数为120、线宽为0.3微米、线距为0.3微米,将长径比为100的碳纳米管粉末、聚二甲基硅氧烷按0.04∶1的质量比混合,并将其加入到正己烷中形成碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液,对所述的碳纳米管和聚二甲基硅氧烷以及正己烷三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,正己烷挥发后,将碳纳米管和聚二甲基硅氧烷二者混合物滴在以300rpm转动的匀胶台的转盘上,形成所厚度为50微米的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片,并将其长与宽分别裁剪为5毫米和5毫米,在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为100微米的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在聚二甲基硅氧烷中加入正硅酸乙酯,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由聚二甲基硅氧烷、压力敏感层、位移敏感层和聚二甲基硅氧烷四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为厚度为180微米的薄膜,待聚二甲基硅氧烷硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。

Claims (1)

1.一种复合型柔软压力位移敏感元件的研制方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
在聚酰亚胺薄膜上开过孔,在聚酰亚胺薄膜的正反表面及过孔上覆合铜箔,对正面铜箔进行光刻,形成以所述过孔为中心的铜箔线圈,在铜箔线圈的端侧形成边缘引线,对反面铜箔进行光刻,形成中心引线,进而完成位移敏感层的制备;将纳米导电粉末、液态高分子材料按一定比例混合,并将其加入到有机溶剂中形成纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液,对所述的纳米导电粉末和液态高分子材料以及有机溶剂三者混合溶液进行大功率机械搅拌,同时辅以超声振荡,使纳米导电粉末在混合溶液中分散,有机溶剂挥发后,将纳米导电粉末和液态高分子材料二者混合物滴在以一定的转速转动的匀胶台的转盘上,形成所需厚度的导电高分子复合材料薄片,并将其裁剪为所需尺寸备用,在聚二甲基硅氧烷中加入交联剂,搅拌后形成粘稠物,将部分粘稠物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的导电高分子复合材料薄片置于这层粘稠物之上,再将剩余的粘稠物涂覆在所述的导电高分子复合材料薄片之上,形成由聚二甲基硅氧烷、导电高分子复合材料薄片和聚二甲基硅氧烷三者构成的三明治结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的三明治结构挤压为所需厚度的薄膜,硫化成型后即完成压力敏感层的制备;在液态高分子材料中加入交联剂,搅拌后形成胶状物,将部分胶状物涂覆在微机控制升降台的下平台之上,并将所述的位移敏感层置于这层胶状物之上,再将压力敏感层置于位移敏感层之上,并确保导电高分子复合材料薄片的中心轴线与铜箔线圈的中心轴线相重合,然后将剩余的胶状物涂覆在压力敏感层之上,形成由高分子材料、压力敏感层、位移敏感层和高分子材料四者构成的多层结构,通过微机控制使升降台的上平台的向下移动,将所述的多层结构挤压为所需厚度的薄膜,待高分子材料硫化成型后形成绝缘封装层,进而完成复合型柔软压力位移敏感元件的制备。
CN201310756693.2A 2013-12-31 2013-12-31 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法 Expired - Fee Related CN103743438B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310756693.2A CN103743438B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310756693.2A CN103743438B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103743438A CN103743438A (zh) 2014-04-23
CN103743438B true CN103743438B (zh) 2016-01-20

Family

ID=50500480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310756693.2A Expired - Fee Related CN103743438B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103743438B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104257367B (zh) * 2014-09-16 2016-04-06 苏州能斯达电子科技有限公司 一种可贴附柔性压力传感器及其制备方法
EP3226946B1 (en) * 2014-12-02 2023-08-30 Agency For Science, Technology And Research Sensor patch and sensing device having the same
JP6533004B2 (ja) * 2015-07-08 2019-06-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 測定システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および測定方法
CN106289035A (zh) * 2016-08-03 2017-01-04 中国矿业大学 一种高温差阻式石墨烯位移、压力一体化传感器
CN106225659A (zh) * 2016-08-27 2016-12-14 中南大学 一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法
CN106568539A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 上海交通大学 基于聚合物衬底的单片集成温湿压柔性传感器及制备方法
CN106706180B (zh) * 2017-01-12 2019-03-12 中南大学 同面共享电极型差动压力传感探头及其研制方法
CN106768446B (zh) * 2017-01-13 2019-03-05 中南大学 一种抑制柔性温度传感器压扰的方法
CN109599270B (zh) * 2017-09-30 2020-08-11 清华大学 一种光电自储能器件的制备方法
CN109341728A (zh) * 2018-11-06 2019-02-15 中南大学 一种判断柔性压敏线圈受载阶段的方法
CN110333013B (zh) * 2019-07-15 2021-01-08 承德石油高等专科学校 一种嵌入式应力传感器
CN112595444A (zh) * 2020-11-25 2021-04-02 北京石墨烯研究院 柔性位移-压力传感器
CN114486006A (zh) * 2022-02-18 2022-05-13 重庆师范大学 一种适用于机器人手的触觉柔性传感器及其制备方法
CN116147668B (zh) * 2022-12-28 2024-04-02 中南大学 内置本征柔性导电芯的本征柔性螺旋式器件及其研制方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000205974A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Cosmo Dengensha:Kk 検出素子の製造方法
CN101186715A (zh) * 2007-11-23 2008-05-28 清华大学 超薄柔顺导电高分子敏感膜及其制备方法
CN101201277A (zh) * 2007-11-23 2008-06-18 清华大学 阵列式超薄柔顺力传感器及其制备方法
CN101464126A (zh) * 2009-01-09 2009-06-24 清华大学 一种测量曲面间隙和力的集成化柔顺式传感器的制备方法
CN101885463A (zh) * 2010-06-21 2010-11-17 东北大学 基于碳纳米管填充高分子复合材料的柔性压敏元件研制方法
CN101975544A (zh) * 2010-10-19 2011-02-16 东北大学 基于复合型导电高分子压敏材料电阻蠕变的位移测量方法
CN102023064A (zh) * 2010-10-19 2011-04-20 东北大学 用于研制柔性传感器敏感单元的挤压式极间硫化成型封装法
CN102141451A (zh) * 2011-04-06 2011-08-03 东北大学 电极旁置式柔软压敏探头研制方法
CN103003679A (zh) * 2010-06-22 2013-03-27 独立行政法人科学技术振兴机构 物理量传感器及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5309898B2 (ja) * 2008-10-31 2013-10-09 セイコーエプソン株式会社 圧力センサ装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000205974A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Cosmo Dengensha:Kk 検出素子の製造方法
CN101186715A (zh) * 2007-11-23 2008-05-28 清华大学 超薄柔顺导电高分子敏感膜及其制备方法
CN101201277A (zh) * 2007-11-23 2008-06-18 清华大学 阵列式超薄柔顺力传感器及其制备方法
CN101464126A (zh) * 2009-01-09 2009-06-24 清华大学 一种测量曲面间隙和力的集成化柔顺式传感器的制备方法
CN101885463A (zh) * 2010-06-21 2010-11-17 东北大学 基于碳纳米管填充高分子复合材料的柔性压敏元件研制方法
CN103003679A (zh) * 2010-06-22 2013-03-27 独立行政法人科学技术振兴机构 物理量传感器及其制造方法
CN101975544A (zh) * 2010-10-19 2011-02-16 东北大学 基于复合型导电高分子压敏材料电阻蠕变的位移测量方法
CN102023064A (zh) * 2010-10-19 2011-04-20 东北大学 用于研制柔性传感器敏感单元的挤压式极间硫化成型封装法
CN102141451A (zh) * 2011-04-06 2011-08-03 东北大学 电极旁置式柔软压敏探头研制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103743438A (zh) 2014-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103743438B (zh) 复合型柔软压力位移敏感元件及其研制方法
Gao et al. Microchannel‐confined MXene based flexible piezoresistive multifunctional micro‐force sensor
CN101464126B (zh) 一种测量曲面间隙和力的集成化柔顺式传感器的制备方法
CN103515045B (zh) 一种柔软压敏电涡流线圈的研制方法
Wang et al. Self‐powered high‐resolution and pressure‐sensitive triboelectric sensor matrix for real‐time tactile mapping
CN103743504A (zh) 兼具压力与非接触式间隙测量功能的一体型柔软传感元件
Yang et al. Design and fabrication of a flexible dielectric sensor system for in situ and real-time production monitoring of glass fibre reinforced composites
CN208350249U (zh) 一种高灵敏度柔性压力传感器
CN107894293A (zh) 一种高灵敏度的柔性无源无线压力传感器
CN102604387B (zh) 各向异性导电橡胶及其制备方法
CN103033770A (zh) 巨磁阻抗效应二维磁场传感器
CN103698002B (zh) 一种振动探测器和探测方法
Shi et al. Fabrication of wireless sensors on flexible film using screen printing and via filling
CN109738097A (zh) 一种多功能电子皮肤及其制作方法、平面外力检测方法
CN112781757A (zh) 一种基于石墨烯的柔性电容式压力传感器及其制备方法
CN104913718A (zh) 一种模量匹配的应变测试传感元件及其制作方法
CN111307204A (zh) 一种柔性多功能传感器
CN206499551U (zh) 一种电子仿生皮肤系统
Wu et al. Normal-direction graded hemispheres for ionic flexible sensors with a record-high linearity in a wide working range
Liao et al. A Review of Flexible Acceleration Sensors Based on Piezoelectric Materials: Performance Characterization, Parametric Analysis, Frontier Technologies, and Applications
CN109399556A (zh) 一种基于印刷方式的柔性微纳压力传感器的制备方法
CN103528721A (zh) 横向电极式导电高分子复合材料压敏元件及其研制方法
Yu et al. Flexible capacitive pressure sensors fabricated by 3D printed mould
Lu et al. Patterned Magnetofluids via Magnetic Printing and Photopolymerization for Multifunctional Flexible Electronic Sensors
CN107997853A (zh) 一种电子仿生皮肤系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Wang Luhang

Document name: Notification to Pay the Fees

DD01 Delivery of document by public notice
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160120

Termination date: 20191231

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee