CN103741140B - 中心孔止通规修复工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种中心孔止通规的修复工艺,主要步骤是:首先对已经磨损失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除止通规工作表面的油垢、锈蚀和灰尘等;然后选择和配比能达到修复目的的合金粉末;接着根据激光器类型和工装条件确定修复工艺;按照制定的激光熔覆参数进行修复;对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能。通过选择合理的修复粉末和熔覆工艺,可修复磨损失效的中心孔止通规,延长其服役寿命。

Description

中心孔止通规修复工艺
技术领域
本发明涉及修复工艺,特别是一种材料为T8的中心孔止通规熔覆修复工艺。
背景技术
中心孔止通规是检测铝车轮中心孔尺寸是否合格的量规,铝车轮中心孔是非常重要的尺寸,需要使用止通规对每一件车轮进行检测。因此,止通规使用频率极高,加之外界腐蚀,每隔一定时间需要对中心孔止通规进行校验,发现不合格后立刻报废。
激光熔覆是通过在基材表面添加熔覆材料,利用高能量的激光束使熔覆材料与基材冶金结合在一起,达到表面强化和修复的目的。该技术在冶金强化、磨损修复等领域受到了广泛关注。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种既经济、又行之有效的激光熔覆修复T8材料的铝车轮中心孔止通规的工艺方法。
本发明的工艺步骤为,确定止通规的磨损程度,对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理;根据止通规磨损现状和材质特性,制定修复工艺,选择和配比修复合金粉末;根据激光器类型和工装条件确定熔覆工艺,包括送粉方式、激光功率、扫描速度、搭接率和基体预热温度等熔覆参数;对中心孔止通规通端和止端表面进行激光熔覆修复;对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能。
所述激光器为大功率半导体激光器,激光功率范围为2400W-2500W,扫描速度为350-400mm/min,搭接率为25%-30%,预热温度范围为190℃-200℃。
所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%-0.8%、铬(Cr):16%-17%、硅(Si):4%-4.5%、硼(B):3.2%-3.5%、碳化钨(WC):16%-18%、铁(Fe):0-5%,其余为镍(Ni)。
本专利创新的将激光熔覆工艺应用到铝车轮中心孔止通规的修复中,并得到了优化后的激光修复材料和参数,实现中心孔止通规的精度修复、强化再制造,实现资源的回收和循环利用,节约制造成本,延长中心孔止通规的使用寿命。本发明工艺简单且可控性强,熔覆修复后的工作表面具有更好的耐磨性和耐腐蚀性。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明做进一步的描述。
首先根据磨损的程度,对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除表面的锈蚀和油垢等,然后根据止通规母材的性能和工况要求,选择和配比合适的修复合金粉末;接着根据激光器类型和工装条件确定送粉方式,预置粉末或者同步送粉方式;然后根据激光器设备类型、中心孔止通规材质和修复粉末的性能,选定激光功率、扫描速度、搭接率和基体预热温度等主要熔覆参数;然后对中心孔止通规通端和止端表面进行激光熔覆修复;最后对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能。
实施例1:止通规母材为T8,首先对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除表面的锈蚀和油垢等,然后选择自行配置的修复合金粉末、大功率半导体激光器、同步送粉方式进行修复。主要参数为:激光功率2400W、扫描速度350mm/min、搭接率30%、基体预热温度为200℃;所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%、铬(Cr):16%、硅(Si):4%、硼(B):3.3%、碳化钨(WC):16%、铁(Fe):2%,其镍(Ni):58%。最后对修复完成的止通规工作表面进行磨削处理,使其达到工作要求的精度和性能。
实施例2:止通规母材为T8,首先对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除表面的锈蚀和油垢等,然后选择自行配置的修复合金粉末、大功率半导体激光器、同步送粉方式进行修复;主要参数为:激光功率2450W、扫描速度380mm/min、搭接率25%、基体预热温度为195℃;所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.8%、铬(Cr):17%、硅(Si):4.2%、硼(B):3.5%、碳化钨(WC):17%、铁(Fe):4%,镍(Ni):53.5%。最后对修复完成的止通规工作表面进行磨削处理,使其达到工作要求的精度和性能。
实施例3:止通规母材为T8,首先对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除表面的锈蚀和油垢等,然后选择自行配置的修复合金粉末、大功率半导体激光器、同步送粉方式进行修复;主要参数为:激光功率2500W、扫描速度400mm/min、搭接率30%、基体预热温度为190℃;所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%、铬(Cr):16%、硅(Si):4%、硼(B):3.3%、碳化钨(WC):16%、铁(Fe):2%,其镍(Ni):58%。最后对修复完成的止通规工作表面进行磨削处理,使其达到工作要求的精度和性能。

Claims (3)

1.中心孔止通规修复工艺,其工艺方法步骤包括:根据磨损的程度对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理;根据止通规母材的性能和工况要求,选择和配比合适的修复合金粉末;确定送粉方式;根据激光器类型,选定激光功率、扫描速度、搭接率和基体预热温度主要熔覆参数;对中心孔止通规通端和止端表面进行激光熔覆修复;对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能,激光器为大功率半导体激光器,激光功率范围为2400W-2500W,扫描速度为350-400mm/min,搭接率为25%-30%,预热温度范围为190℃-200℃,其特征在于:修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%-0.8%、铬(Cr):16%-17%、硅(Si):4%-4.5%、硼(B):3.2%-3.5%、碳化钨(WC):16%-18%、铁(Fe):0-5%,
其余为镍(Ni)。
2.按照权利要求1所述中心孔止通规修复工艺,其特征在于:所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%、铬(Cr):16%、硅(Si):4%、硼(B):3.3%、碳化钨(WC):16%、铁(Fe):2%,其镍(Ni):58%。
3.按照权利要求1所述中心孔止通规修复工艺,其特征在于:所述修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.8%、铬(Cr):17%、硅(Si):4.2%、硼(B):3.5%、碳化钨(WC):17%、铁(Fe):4%,镍(Ni):53.5%。
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US5387294A (en) * 1991-05-07 1995-02-07 Wall Comonoy Corporation Hard surfacing alloy with precipitated metal carbides and process
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