CN103675883A - 一种基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,包括:探头、电子学箱;探头用于采集空间中的中能电子,得到电压脉冲信号;电子学箱对电压脉冲信号进行幅度分析,确定中能电子的能道;探头包括粒子准直仪、永磁偏转结构、一维的位置灵敏传感器、电荷灵敏前置放大器以及屏蔽机壳;外部入射的粒子群从粒子准直仪入射后被该粒子准直仪限定成一窄束,经过由永磁偏转结构所形成的磁场,粒子群中的中能电子发生明显的偏转,偏转后的中能电子入射到倾斜安装的一维的位置灵敏传感器上,中能电子在一维的位置灵敏传感器上产生能量沉积,形成电子-空穴对,在所加电场的作用下向两极漂移,由电荷灵敏前置放大器收集转化为电压脉冲信号。
Description
技术领域
本发明涉及空间粒子测量领域,特别涉及一种基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器。
背景技术
随着我国航天事业的发展,空间粒子辐射环境的测量也越来越重要。空间中的带电粒子理论上可分为高能、中能、低能三类。中能电子是指能量在几十keV-几百MeV的电子,介于高能和低能之间。
中能电子对于空间环境的扰动极为敏感,并且和很多空间物理现象关联,同时中能电子也是卫星表面高充电电位的主要诱因,因此对中能电子进行测量是空间物理科学研究和卫星工程保障的重要需求。
目前,国外已经在一些卫星上进行过中能电子的测量,但我国目前还没有在空间中进行过中能电子测量,我国急需在这一技术领域实现突破。
目前中能电子测量的技术难点是如何排除其它粒子的污染。以国外的测量方法为例,一般直接使用硅半导体传感器对中能电子进行测量,由于空间属于质子和电子的混合粒子辐射环境,在测量中能电子的同时,质子会不可避免的进入探头中对测量结果造成污染,尽管可以使用增加挡光层或者在硅传感器表面镀铝的方式对质子进行屏蔽,但由于屏蔽层同样会阻挡电子,因此其厚度不能加得太大,导致了仍然有相当多的质子穿透屏蔽对中能电子测量造成污染,尤其是MEO轨道,严重时质子污染可达到100%。为了排除质子污染,国外经常会额外增加一台质子探测器,利用质子探测器的数据,将电子数据中质子的污染通过“减法”排除,但该方法会增加额外的仪器,增加对卫星的资源需求。此外高能电子的能损涨落也是另一个干扰因素,高能电子可直接进入探测器中,受电子能损涨落的影响,其在探测器中的能量沉积将会是从低到高的分布,有可能产生与中能电子相同的能量沉积,由于探测器都是以粒子在探测器中的能量沉积作为能量测量的依据,因此高能电子不可避免的会对中能电子的测量造成污染。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中对中能电子的测量容易造成误差的缺陷,从而提供一种有效提高中能电子测量的准确度的探测器。
为了实现上述目的,本发明提供了一种基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,包括:探头、电子学箱;所述探头用于采集空间中的中能电子,得到关于所述中能电子的电压脉冲信号;所述电子学箱对所述电压脉冲信号进行幅度分析,确定所述中能电子的能道;所述探头包括粒子准直仪1、永磁偏转结构2、一维的位置灵敏传感器3、电荷灵敏前置放大器4以及屏蔽机壳5;其中,
外部入射的粒子群从所述粒子准直仪1入射后被该粒子准直仪1限定成一窄束,然后经过由所述永磁偏转结构2所形成的磁场,所述粒子群中的中能电子发生明显的偏转,偏转后的中能电子入射到倾斜安装的所述一维的位置灵敏传感器3上,所述中能电子在所述一维的位置灵敏传感器3上产生能量沉积,形成电子-空穴对,在所述一维的位置灵敏传感器3所加电场的作用下向两极漂移,由与所述一维的位置灵敏传感器3连接的电荷灵敏前置放大器4收集转化为电压脉冲信号;所述粒子准直仪1、永磁偏转结构2、一维的位置灵敏传感器3、电荷灵敏前置放大器4都位于所述屏蔽机壳5内。
上述技术方案中,所述电子学箱包括多路探测支路、一个A/D采集电路、一个FPGA处理芯片、输出接口电路;其中,用于采集电压脉冲信号的探测支路与探头中的电荷灵敏前置放大器4连接,每一路探测支路至少包括成形电路、主放大器、峰值保持器;所述成形电路对所采集的电压脉冲信号做成形输出,然后由主放大器对信号进行放大,放大后的信号通过峰值保持器后进行脉冲峰值保持;所述A/D采集电路对各个探测支路所采集的信号做模数转换,转换后的数字信号由所述FPGA处理芯片进行数据处理,所述数据处理包括对信号的幅度分析确定电子的能道,以及对分析后的数据进行打包,形成数据包;所述输出接口电路用于与卫星的通信,将探测数据结果以数据包的形式发送给卫星。
上述技术方案中,所述电子学箱还包括用于判断各探测支路的工作状态的噪声特性检测电路;该电路包括:在所述多路探测支路中的主放大器的输出端连接一个多路开关,该多路开关的输出端连接一个对传感器信号进行检测的传感器特性检测单元,所述传感器特性检测单元的输出端连接所述A/D采集电路的输入端。
上述技术方案中,所述粒子准直仪1为内部成锯齿台阶状的反散射结构,采用铝材料制成。
上述技术方案中,所述永磁偏转结构2包括多块小磁钢形成的圆环结构以及套在所述圆环外侧的纯铁环。
上述技术方案中,所述一维的位置灵敏传感器3包括多个灵敏区,每一灵敏区与一电荷灵敏前置放大器连接。
上述技术方案中,所述一维的位置灵敏传感器3倾斜放置在中能电子的偏转路径上。
上述技术方案中,所述屏蔽机壳5采用铝材料加钨材料实现。
本发明的优点在于:
(1)本发明的探测器能够去除90%以上的质子和高能电子污染,有效提高中能电子测量的准确度。
(2)在本发明中,由于入射的粒子束被磁铁偏转后,偏转路径各不相同,导致粒子束的辐射面积变大,会发生类似“散焦”的效果,使用大面积的传感器进行测量可降低传感器单位面积上的粒子辐照数量,提高传感器的使用寿命,尤其适合高辐照条件的MEO轨道应用。
附图说明
图1是本发明的中能电子探测器中的探头结构的示意图;
图2是本发明的中能电子探测器中的准直仪结构的示意图;
图3是本发明的中能电子探测器中的永久磁铁结构的示意图;
图4是本发明的中能电子探测器中的一维位置灵敏传感器结构的示意图;
图5是一个实施例中本发明的中能电子探测器的电路原理图;
图6是另一个实施例中本发明的中能电子探测器的电路原理图;
图7是本发明的中能电子探测器中的FPGA处理芯片的数据处理流程图。
附图标示
1 粒子准直仪 2 永磁偏转结构 3一维的位置灵敏传感器
4 电荷灵敏前置放大器 5屏蔽机壳
具体实施方式
现结合附图对本发明作进一步的描述。
本发明的基于磁偏转技术的中能电子探测器包括探头、电子学箱两个部分,下面对这两个部分的结构分别予以说明。
图1是一个实施例中的中能电子探测器探头的结构示意图。该探头包括:粒子准直仪1、永磁偏转结构2、一维的位置灵敏传感器3、电荷灵敏前置放大器4以及屏蔽机壳5;其中,外部入射的粒子群从粒子准直仪1入射后被该粒子准直仪1限定成直径为4mm的窄束,然后经过由永磁偏转结构2所形成的磁场,所述粒子群中的中能电子由于其偏转半径较质子或高能电子更小而发生明显的偏转,偏转后的中能电子入射到倾斜安装的所述一维的位置灵敏传感器3上,所述中能电子在所述一维的位置灵敏传感器3上产生能量沉积,形成电子-空穴对,在一维的位置灵敏传感器3所加电场的作用下向两极漂移,由与一维的位置灵敏传感器3连接的电荷灵敏前置放大器4收集转化为电压脉冲信号;所述粒子准直仪1、永磁偏转结构2、一维的位置灵敏传感器3、电荷灵敏前置放大器4都位于所述屏蔽机壳5内。
下面对探头中的各个部件做进一步说明。
参考图2,所述粒子准直仪1为内部成锯齿台阶状的反散射结构,能够有效防止电子在准直仪内部的弹性散射,降低由于弹性散射导致的粒子污染。所述粒子准直仪1采用铝材料制成。
参考图3,在本实施例中,所述永磁偏转结构2为由16块小磁钢组成的圆环结构,这些磁钢所形成的圆环的外侧使用2mm的纯铁进行屏蔽,减小磁钢侧面的漏磁。在其他实施例中,所述永磁偏转结构2所包含的磁钢的数目可发生变化。在本实施例中,所述永磁偏转结构2所提供的磁场强度为420Gs,在其他实施例中,也可以是其他值。
参考图4,在本实施例中,所述一维的位置灵敏传感器3的面积为15×32mm2,该传感器包括8个灵敏区,每个灵敏区的面积为15×4mm2;每个灵敏区分别与各自的电荷灵敏前置放大器连接。所述一维的位置灵敏传感器3使用多个灵敏区能够提高探测器在大计数率条件下的适应性。在其他实施例中,传感器3中的灵敏区的数目可根据实际需要变化。
所述电荷灵敏前置放大器4包括多个,一个电荷灵敏前置放大器与一个灵敏区连接。本实施例中,所述电荷灵敏前置放大器4可使用AMPTEK公司的A225高增益放大器实现。
所述屏蔽机壳5采用铝材料加钨材料实现,它能够屏蔽3MeV以下的电子和32MeV以下的质子。
参考图5,所述电子学箱包括多路探测支路、一个A/D采集电路、一个FPGA处理芯片、输出接口电路;其中,用于采集电压脉冲信号的探测支路与探头中的电荷灵敏前置放大器连接,每一路探测支路至少包括成形电路、主放大器、峰值保持器。所述成形电路对所采集的电压脉冲信号做成形输出,然后由主放大器对信号进行放大,放大后的信号通过峰值保持器后进行脉冲峰值保持;所述A/D采集电路对各个探测支路所采集的信号做模数转换,转换后的数字信号由FPGA处理芯片进行数据处理,所述数据处理包括对信号的幅度分析确定电子的能道,以及对分析后的数据进行打包,形成数据包;所述输出接口电路用于与卫星的通信,将探测数据结果以数据包的形式发送给卫星。
作为一种优选实现方式,参考图6,在另一个实施例中,本发明的装置还包括噪声特性检测电路,该电路与主放大器的输出端连接,该电路用于判断各探测支路的工作状态,从而及时判断探测装置中的故障,避免影响到探测结果的可靠性。所述的仪器特性检测单元电路为:8个主放大器电路的输出端连接一个多路开关,该多路开关的输出端连接一个传感器特性检测单元,该检测单元对传感器信号进行检测。检测单元的输出端连接A/D采集电路输入端,所述的A/D采集电路输出端与FPGA输入端相连,用于及时了解到各探测支路的工作状况。
图7是中能电子探测器FPGA处理芯片内部的数据处理程序,该系统工作流程如下:
步骤S6-1,任何时候有复位信号到来则重新初始化程序流程;
步骤S6-2,格式化内存RAM;控制ADC采集电路进行数据采集和ADC通道的切换,读出采集后的数据,将数据进行幅度分析;将分析完的数据进行打包,打包完成后写入工程参数,包括时间码和包计数;
步骤S6-3,有校时命令时,进行时间码校对;
步骤S6-4,判断是否有过数据请求命令,有则发送已经完成的数据包;当没有数据包完成时,等待完成当前数据包后发送。发送完成后格式化内存RAM并开始新的打包过程。
最后所应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,都不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (8)
1.一种基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,包括:探头、电子学箱;所述探头用于采集空间中的中能电子,得到关于所述中能电子的电压脉冲信号;所述电子学箱对所述电压脉冲信号进行幅度分析,确定所述中能电子的能道;所述探头包括粒子准直仪(1)、永磁偏转结构(2)、一维的位置灵敏传感器(3)、电荷灵敏前置放大器(4)以及屏蔽机壳(5);其中,
外部入射的粒子群从所述粒子准直仪(1)入射后被该粒子准直仪(1)限定成一窄束,然后经过由所述永磁偏转结构(2)所形成的磁场,所述粒子群中的中能电子发生明显的偏转,偏转后的中能电子入射到倾斜安装的所述一维的位置灵敏传感器(3)上,所述中能电子在所述一维的位置灵敏传感器3(上)产生能量沉积,形成电子-空穴对,在所述一维的位置灵敏传感器(3)所加电场的作用下向两极漂移,由与所述一维的位置灵敏传感器(3)连接的电荷灵敏前置放大器(4)收集转化为电压脉冲信号;所述粒子准直仪(1)、永磁偏转结构(2)、一维的位置灵敏传感器(3)、电荷灵敏前置放大器(4)都位于所述屏蔽机壳(5)内。
2.根据权利要求1所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述电子学箱包括多路探测支路、一个A/D采集电路、一个FPGA处理芯片、输出接口电路;其中,用于采集电压脉冲信号的探测支路与探头中的电荷灵敏前置放大器(4)连接,每一路探测支路至少包括成形电路、主放大器、峰值保持器;所述成形电路对所采集的电压脉冲信号做成形输出,然后由主放大器对信号进行放大,放大后的信号通过峰值保持器后进行脉冲峰值保持;所述A/D采集电路对各个探测支路所采集的信号做模数转换,转换后的数字信号由所述FPGA处理芯片进行数据处理,所述数据处理包括对信号的幅度分析确定电子的能道,以及对分析后的数据进行打包,形成数据包;所述输出接口电路用于与卫星的通信,将探测数据结果以数据包的形式发送给卫星。
3.根据权利要求2所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述电子学箱还包括用于判断各探测支路的工作状态的噪声特性检测电路;该电路包括:在所述多路探测支路中的主放大器的输出端连接一个多路开关,该多路开关的输出端连接一个对传感器信号进行检测的传感器特性检测单元,所述传感器特性检测单元的输出端连接所述A/D采集电路的输入端。
4.根据权利要求1或2或3所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述粒子准直仪(1)为内部成锯齿台阶状的反散射结构,采用铝材料制成。
5.根据权利要求1或2或3所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述永磁偏转结构(2)包括多块小磁钢形成的圆环结构以及套在所述圆环外侧的纯铁环。
6.根据权利要求1或2或3所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述一维的位置灵敏传感器(3)包括多个灵敏区,每一灵敏区与一电荷灵敏前置放大器连接。
7.根据权利要求1或2或3所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述一维的位置灵敏传感器(3)倾斜放置在中能电子的偏转路径上。
8.根据权利要求1或2或3所述的基于磁偏转技术的低污染空间中能电子探测器,其特征在于,所述屏蔽机壳(5)采用铝材料加钨材料实现。
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