CN103647546A - 单极性pwm控制的自举驱动电路及应用该电路的逆变器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单极性PWM控制的自举驱动电路及应用该电路的逆变器，单极性PWM控制的自举驱动电路，包括控制芯片以及与控制芯片电连接的自举电容和开关管，其特征在于：所述控制芯片内安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，通过控制芯片驱动开关管对自举电容进行充电。由于控制芯片内安装有自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，通过控制芯片驱动开关管对自举电容进行充电，在既能保证单极性PWM的高效率情况下，又能完美的完成驱动。
Description
技术领域
本发明涉及一种自举驱动电路，具体是一种单极性PWM控制的自举驱动电路及应用该电路的逆变器。
背景技术
国家知识产权局于2010年5月5日公开了CN201450501U，专利名称为一种自举驱动电路的实用新型专利，该专利包括有控制芯片，在控制芯片的高端开关驱动输出供电端与电源连接有自举二极管，在控制芯片的高端开关驱动输出电路供电端与低端开关驱动输出电路供电端之间连接有自举电容，在控制芯片的高端开关脉冲输出端、低端开关脉冲输出端上分别连接有高端开关MOS管、低端开关MOS管，高端开关MOS管的漏极与低端开关MOS管的源极连接后作为驱动输出端，该驱动输出端与低端开关驱动输出电路供电端连接，在高端开关MOS管的源极与所述两个开关驱动输出电路供电端之间连接有附加供电电路。该实用新型目的在于一种使高端开关MOS管具有足够驱动电压、可靠性高的自举驱动电路。
国家知识产权局于2012年10月24日公开了公开号为CN102751977A，申请人为惠州三华工业有限公司，专利名称为一种自举驱动电路的发明专利，该专利包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。本发明充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。
自举驱动电源大大的简化了驱动电源设计的同时，也遭遇自举电容充电问题的困扰。比如在对H桥的驱动中，需使用双极性的PWM控制，方可完成对H桥的正确驱动；若使用单极性的驱动方式，首个半波将出现缺失的情况。如何在既能保证单极性PWM的高效率情况下，又能完美的完成驱动，是我们必须要解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种给自举电容预先充电以解决首个半波将出现缺失的情况的单极性PWM控制的自举驱动电路。
本发明的另一目的是提供一种应用了上述单极性PWM控制的自举驱动电路的并离网一体化逆变器。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：
单极性PWM控制的自举驱动电路，包括控制芯片以及与控制芯片电连接的自举电容和开关管，其特征在于：所述控制芯片内安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，通过控制芯片驱动开关管对自举电容进行充电。
并离网一体化逆变器，包括控制芯片U1，控制芯片U2，由开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、开关管Q4构成的H桥，与控制芯片U1电连接的自举电容C9，与控制芯片U2电连接的自举电容C10，所述控制芯片U1和控制芯片U2内分别安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，利用控制芯片U1驱动开关管Q3对自举电容C9进行充电，利用控制芯片U2驱动开关管Q2对自举电容C10进行充电。
所述自举电容C10和自举电容C9采用22uF的电容。
所述控制芯片U1和控制芯片U2都采用IR2113S芯片。
本发明的有益效果：由于控制芯片内安装有自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，通过控制芯片驱动开关管对自举电容进行充电，在既能保证单极性PWM的高效率情况下，又能完美的完成驱动。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
图1为并离网一体化逆变器的电原理图。
具体实施方式
如图1所示，单极性PWM控制的自举驱动电路在并离网一体化逆变器中的应用，并离网一体化逆变器，包括控制芯片U1，控制芯片U2，由开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、开关管Q4构成的H桥，与控制芯片U1电连接的自举电容C9，与控制芯片U2电连接的自举电容C10，所述控制芯片U1和控制芯片U2内分别安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，利用控制芯片U1驱动开关管Q3对自举电容C9进行充电，利用控制芯片U2驱动开关管Q2对自举电容C10进行充电。所述自举电容C10和自举电容C9采用22uF的电容；所述控制芯片U1和控制芯片U2都采用IR2113S芯片。
完成预充后按照正常的控制方法进行即可。
以上所述是本发明的优选实施方式而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的保护范围。
Claims (4)
1.一种单极性PWM控制的自举驱动电路，包括控制芯片以及与控制芯片电连接的自举电容和开关管，其特征在于：所述控制芯片内安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，通过控制芯片驱动开关管对自举电容进行充电。
2.一种并离网一体化逆变器，包括控制芯片U1，控制芯片U2，由开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、开关管Q4构成的H桥，与控制芯片U1电连接的自举电容C9，与控制芯片U2电连接的自举电容C10，其特征在于：所述控制芯片U1和控制芯片U2内分别安装有自举电容预充电程序模块，所述自举电容预充电程序模块，在自举驱动电路首次驱动之前，利用控制芯片U1驱动开关管Q3对自举电容C9进行充电，利用控制芯片U2驱动开关管Q2对自举电容C10进行充电。
3.根据权利要求2所述的并离网一体化逆变器，其特征在于：所述自举电容C10和自举电容C9采用22uF的电容。
4.根据权利要求2所述的并离网一体化逆变器，其特征在于：所述控制芯片U1和控制芯片U2都采用IR2113S芯片。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105186936A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-12-23 | 周海波 | 一种无刷电机自举电容智能充电装置及方法 |
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| JP2002150784A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 電圧スイッチ回路およびそれを用いた高電圧デコーダ回路、並びに、不揮発性半導体記憶装置 |
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2013
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