CN103602957A - 一种用于制备α_SiH膜的设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，基片设置在所述基片安装座上，在所述真空室上连接有Si2H6进气管，在所述的真空室上设有石英管，在所述的石英管上设有微波源，在所述石英管一端上设有H2进气管，在所述的真空室上设有真空泵连接管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，用于制备α_SiH膜的设备。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于制备α_SiH膜的设备。
背景技术
现有的用于制备α_SiH膜的设备其结构相对比较复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的用于制备α_SiH膜的设备，以满足需求。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，用于制备α_SiH膜的设备。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，基片设置在所述基片安装座上，在所述真空室上连接有Si2H6进气管，在所述的真空室上设有石英管，在所述的石英管上设有微波源，在所述石英管一端上设有H2进气管，在所述的真空室上设有真空泵连接管。
如上所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的真空室上连接有真空计。
如上所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于所述基片安装座设置在与所述石英管正对的位置上。
如上所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于所述的Si2H6进气管伸入所述真空室。
如上所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述基片安装座内设有加热器。
综上所述，本发明相对于现有技术其有益效果是：
本发明产品结构简单，生产成本相对较低。
附图说明
图1为本发明的示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步描述：
如图1所示的一种用于制备α_SiH膜的设备，包括有真空室1，在所述真空室1内设有基片安装座2，基片3设置在所述基片安装座2上，在所述真空室1上连接有Si2H6进气管4，在所述的真空室1上设有石英管5，在所述的石英管5上设有微波源6，在所述石英管5一端上设有H2进气管7，在所述的真空室1上设有真空泵连接管8。
本发明中在所述的真空室1上连接有真空计9。所述基片安装座2设置在与所述石英管5正对的位置上。所述的Si2H6进气管4伸入所述真空室1。在所述基片安装座2内设有加热器10。
本发明装置利用紫外线引起的Si2H6光致分解制备高质量α_SiH膜。在这个装置中由微波源激发引起的H2放电用着真空紫外线源，用He稀释的Si2H6作为反应气体源引入到靠近基片的真空室处，Si2H6/He和He流量分别保持在45sccm和138sccm。沉积过程中反应室的总气压为270Pa，将Si片在30～300度之间沉积持续了6小时。
本发明装置真空紫外线可以在没有任何吸收损失的条件下被直接引向窗口；在窗口处可避免薄膜沉积；没有光线直接到达基片。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室（1），在所述真空室（1）内设有基片安装座（2），基片（3）设置在所述基片安装座（2）上，在所述真空室（1）上连接有Si2H6进气管（4），在所述的真空室（1）上设有石英管（5），在所述的石英管（5）上设有微波源（6），在所述石英管（5）一端上设有H2进气管（7），在所述的真空室（1）上设有真空泵连接管（8），所述基片安装座（2）设置在与所述石英管（5）正对的位置上。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的真空室（1）上连接有真空计（9）。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于所述的Si2H6进气管（4）伸入所述真空室（1）。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述基片安装座（2）内设有加热器（10）。
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| CN201310552746.9A CN103602957A (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 一种用于制备α_SiH膜的设备 |
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Publications (1)
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| CN103602957A true CN103602957A (zh) | 2014-02-26 |
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| CN201310552746.9A Pending CN103602957A (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 一种用于制备α_SiH膜的设备 |
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| CN (1) | CN103602957A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-11-07 CN CN201310552746.9A patent/CN103602957A/zh active Pending
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