CN103576909A - 光学位移侦测装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种光学位移侦测装置及光学位移侦测方法。光学位移侦测装置,包含:光源,投射探照光至待测表面;影像撷取单元,其根据从待测表面反射的光线,以产生影像讯号;以及处理单元,根据影像讯号,产生曝光状态值与影像特征值,并根据初始曝光范围、曝光状态值与影像特征值,以决定曝光范围。

Description

光学位移侦测装置及方法
技术领域
本发明涉及一种光学位移侦测装置及光学位移侦测方法;特别是指一种适应性选择曝光范围的光学位移侦测装置及光学位移侦测方法。
背景技术
光学位移侦测装置有各种应用方式,其中最常见的应用方式就是光学鼠标。在光学鼠标中,光源发出的光线被导引至桌面或其它表面,反射后为鼠标内部的感测芯片所接收,感测芯片将光学讯号转换为电子讯号输出,再由后级处理器针对电子讯号加以运算,以决定鼠标的位移。
详言之,就一般光学鼠标而言,当待测表面具有局部偏暗的现象时,也就是有暗角产生时,即使对曝光状态的侦测结果落于自动曝光(autoexposure,AE)范围内,此时若光学鼠标所追踪待测表面上的图案进入暗角,感测芯片对待测表面的图案纹理差异,敏感度便会降低,而不易萃取出正确的特征图案。由于特征不够显著,后续的位移计算也就容易产生错误。
有鉴于此,本发明即针对上述现有技术的不足,提出一种光学位移侦测装置及光学位移侦测方法,通过适应性选择曝光范围,使得光学位移侦测装置追踪图案时可以避免计算错误,提高位移侦测的精确度。
发明内容
本发明目的之一在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种光学位移侦测装置。
本发明另一目的在于,提出一种光学位移侦测方法。
为达上述目的,就其中一个观点言,本发明提供了一种光学位移侦测装置,包含:一光源,投射一探照光至一待测表面;一影像撷取单元,其根据从该待测表面反射的光线,以产生一影像讯号;以及一处理单元,根据该影像讯号,产生一曝光状态值与一影像特征值,并根据一初始曝光范围、该曝光状态值与该影像特征值,以决定一曝光范围。
就另一观点言,本发明也提供了一种光学位移侦测方法,包含:投射一探照光至一待测表面;根据从该待测表面反射的光线,以产生一影像讯号;根据该影像讯号,产生一曝光状态值与一影像特征值;以及根据一初始曝光范围、该曝光状态值与该影像特征值,以决定一曝光范围。
在其中一种实施型态中,该处理单元宜根据以下情况,决定该曝光范围:(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;(3)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;(4)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
在另一种实施型态中,该处理单元宜根据以下情况,决定该曝光范围:(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,该处理单元根据以下情况(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
在又一种实施型态中,该处理单元宜根据以下情况,决定该曝光范围:(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
在又另一种实施型态中,该处理单元宜根据以下情况,决定该曝光范围:(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
上述所有实施型态中,该处理单元可根据该曝光范围,以调整该影像讯号,进而决定该光学位移侦测装置的位移。
下面通过具体实施例详加说明,当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1显示本发明的第一个实施例;
图2显示第一个实施例的控制示意图;
图3显示本发明的第二个实施例;
图4显示本发明的第三个实施例;
图5显示本发明的第四个实施例;
图6显示本发明的第五个实施例;
图7显示本发明的第六个实施例。
图中符号说明
10 待测表面
11,21 光源
13,23 感测芯片
15,25 处理控制电路
27 记忆单元
29 传输接口单元
100 光学鼠标
200 光学位移侦测装置
具体实施方式
本发明中的图式均属示意,主要意在表示各装置以及各元件之间的功能作用关系,至于形状、厚度与宽度则并未依照比例绘制。
请参阅图1,显示本发明的光学位移侦测装置的第一个实施例。光学位移侦测装置在本实施例中的应用为光学鼠标100,包含光源11、影像撷取单元13、处理单元15。其中,光源11例如但不限于为发光二极管(light emitting diode,LED)元件或激光二极管(laser diode,LD)元件,投射探照光至待测表面10,例如但不限于桌面或其它表面,使得影像撷取单元13通过接收自待测表面10上反射的光线,撷取待测表面10上的图案或粗糙度,转换后产生影像讯号以输入处理单元15。影像撷取单元13例如但不限于为感测表面影像的影像传感器或感测表面粗糙度的粗糙度传感器,其为此领域的技术人员所熟知,在此不予赘述。处理单元15接收影像讯号,进而计算出曝光状态值与影像特征值。
需说明的是,曝光状态值是指影像撷取单元13所撷取的一帧影像中,相关于曝光状态的指标值,例如可为该帧影像中,所有或某特取范围的像素的亮度平均值,或是其经某种加权运算后的结果。曝光状态值较高表示整帧影像的曝光亮度较高,反之则较低。此外,影像特征值是指相关于该帧影像的一种或数种影像质量的指针值,例如有关影像清晰度、噪声、对比、失真等,可以有各种计算的方式,例如,可根据相邻像素间的亮度差异来计算。影像特征值较高表示整帧影像的质量较高,反之则较低。
图2显示本实施例的控制示意图,如前所述,处理单元15控制光源11投射探照光至待测表面10,影像撷取单元13接收自待测表面10上反射的光线,产生影像讯号输入处理单元15。处理单元15根据影像讯号,计算出曝光状态值与影像特征值,并根据初始曝光范围、曝光状态值与影像特征值,以决定曝光范围,并且可更根据曝光范围,以调整影像讯号,进而决定光学鼠标100的位移。
需说明的是,曝光范围为光学鼠标100可控制的参数,例如但不限于包含以下之一、或其组合:光源11发光强度、光源11的发光时间、影像撷取单元13的取像(曝光)时间等,或是将上各参数经过运算后,产生一个综合的参数设定。另外,初始曝光范围例如但不限于可为一开机默认值、或为光学鼠标100对环境侦测后由处理单元15所决定,或是根据先前最后一次曝光范围的储存值来决定。
图3显示本发明的第二个实施例。本实施例意在举例说明本发明的光学位移侦测装置200,除了光源21、影像撷取单元23、与处理单元25之外,可更包含记忆单元27与传输接口单元29。其中,记忆单元27用以作为储存装置,以储存处理单元25运算中数据与运算后结果;而传输接口单元29用以将运算后结果输出与接受外部讯号的接口。
图4显示本发明的第三个实施例。显示本发明决定曝光范围的一种实施方式的流程图。如图所示,首先,通过光源发射探照光至待测表面(S11);接着,由影像撷取单元感测待测表面影像(S12);再由处理单元计算表面影像的曝光状态值(S13);判断初始曝光范围是否为高曝光范围(S14);并根据以下情况决定曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时(S15),该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围(S16);
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时(S15),该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围(S18);
(3)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值(S17),该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围(S18);
(4)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值(S17),该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围(S16)。
图5显示本发明的第四个实施例。显示本发明决定曝光范围的另一种实施方式的流程图。如图所示,首先,通过光源发射探照光至待测表面(S21);接着,由影像撷取单元感测待测表面影像(S22);再由处理单元计算表面影像的曝光状态值以决定初始曝光范围(S23);判断初始曝光范围是否为高曝光范围(S24);并根据以下情况决定曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时(S25),该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围(S26);
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时(S25),该处理单元根据以下情况(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值时(S27),该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围(S28);
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值时(S27),该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围(S26)。
图6显示本发明的第五个实施例。显示本发明决定曝光范围的又一种实施方式的流程图。如图所示,首先,通过光源发射探照光至待测表面(S31);接着,由影像撷取单元感测待测表面影像(S32);再由处理单元计算表面影像的曝光状态值以决定初始曝光范围(S33);判断初始曝光范围是否为高曝光范围(S34);并根据以下情况决定曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时(S35),该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围(S36);
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时(S35),该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时(S37),该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围(S38);
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时(S37),该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围(S36)。
图7显示本发明的第六个实施例。显示本发明决定曝光范围的又另一种实施方式的流程图。如图所示,首先,通过光源发射探照光至待测表面(S41);接着,由影像撷取单元感测待测表面影像(S42);再由处理单元计算表面影像的曝光状态值以决定初始曝光范围(S43);判断初始曝光范围是否为高曝光范围(S44);并根据以下情况决定曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时(S45),该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围(S46);
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时(S45),该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时(S47),该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围(S48);
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时(S47),该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围(S46)。
需注意的是,上述实施例中,初始曝光范围可以为一开机默认值、或为对环境侦测后所决定,或是根据先前最后一次曝光范围的储存值来决定,皆属本发明的范围。状态默认值、第一状态默认值、第二状态默认值皆为曝光状态值的门坎值,其中,例如但不限于第一状态默认值大于或等于第二状态默认值。特征默认值、第一特征默认值、第二特征默认值皆为影像特征值的门坎值,其中,例如但不限于第一特征默认值小于或等于第二特征默认值。另外,目前光学鼠标的应用中,曝光范围的设定值一般在0-255,而实际上的选定多设定于中位数100-150。应用本发明,例如但不限于设定低曝光范围为100-150,高曝光范围为151-190,或是,将低曝光范围与高曝光范围于0-255间,不相重叠的两个范围,例如但不限于设定低曝光范围为90-140,高曝光范围为161-200。当然,低曝光范围与高曝光范围亦可以为重叠或相邻的两个范围。此外,根据本发明,决定曝光范围为高曝光范围或低曝光范围,不限于固定的两个曝光范围,亦可以根据实际应用的需要,动态调整高曝光范围与低曝光范围的设定;例如,将所决定的曝光范围作为初始曝光范围后,经过上述实施例的判断,再次选择的高曝光范围或低曝光范围,可依据需要调整其范围。
以上已针对较佳实施例来说明本发明,只是以上所述,仅为使本领域技术人员易于了解本发明的内容,并非用来限定本发明的权利范围。在本发明的相同精神下,本领域技术人员可以思及各种等效变化。例如,实施例中图标直接连接的两电路或元件间,可插置不影响主要功能的其它电路或元件;又如,各结构部份的形状不限于实施例所示而可以改变等等。因此,本发明的范围应涵盖上述及其它所有等效变化。

Claims (12)

1.一种光学位移侦测装置,其特征在于,包含:
一光源,投射一探照光至一待测表面;
一影像撷取单元,其根据从该待测表面反射的光线,以产生一影像讯号;以及
一处理单元,根据该影像讯号,产生一曝光状态值与一影像特征值,并根据一初始曝光范围、该曝光状态值与该影像特征值,以决定一曝光范围。
2.如权利要求1所述的光学位移侦测装置,其中,该处理单元根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(3)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
3.如权利要求1所述的光学位移侦测装置,其中,该处理单元根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,该处理单元根据以下情况(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
4.如权利要求1所述的光学位移侦测装置,其中,该处理单元根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
5.如权利要求1所述的光学位移侦测装置,其中,该处理单元根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
6.如权利要求1所述的光学位移侦测装置,其中,该处理单元根据该曝光范围,以调整该影像讯号,进而决定该光学位移侦测装置的位移。
7.一种光学位移侦测方法,其特征在于,包含:
投射一探照光至一待测表面;
根据从该待测表面反射的光线,以产生一影像讯号;
根据该影像讯号,产生一曝光状态值与一影像特征值;以及
根据一初始曝光范围、该曝光状态值与该影像特征值,以决定一曝光范围。
8.如权利要求7所述的光学位移侦测方法,其中,该决定该曝光范围的步骤包括:根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,决定该曝光范围为该高曝光范围;
(3)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值,决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值,决定该曝光范围为该低曝光范围。
9.如权利要求7所述的光学位移侦测方法,其中,该决定该曝光范围的步骤包括:根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该特征默认值时,该处理单元根据以下情况(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
10.如权利要求7所述的光学位移侦测方法,其中,该决定该曝光范围的步骤包括:根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于该状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
11.如权利要求7所述的光学位移侦测方法,其中,该决定该曝光范围的步骤包括:根据以下情况,决定该曝光范围:
(1)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值低于一第二状态默认值或该影像特征值高于一第二特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为一低曝光范围;
(2)当该初始曝光范围为高曝光范围,且该曝光状态值不低于该第二状态默认值且该影像特征值不高于该第二特征默认值时,该处理单元根据以下(3)或(4)的情况,决定该曝光范围;
(3)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值高于一第一状态默认值且该影像特征值低于一第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该高曝光范围;
(4)当前述情况(2)发生,或该初始曝光范围为低曝光范围,且该曝光状态值不高于该第一状态默认值或该影像特征值不低于该第一特征默认值时,该处理单元决定该曝光范围为该低曝光范围。
12.如权利要求7所述的光学位移侦测方法,其中,还包括:根据该曝光范围,以调整该影像讯号,进而决定该光学位移侦测装置的位移。
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