CN103552099A - 一种高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法。一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、将陶瓷切割片加工去除表面硬壳和表面封闭气孔，使气孔成贯穿状；第二步、将低熔点金属溶解，然后在真空状态下，将经过第二步加工的陶瓷切割片放入溶化的金属液中，使金属液渗入陶瓷切割片中；第三步、将经过第二步处理的陶瓷切割片取出，加工去除表面多余金属并加工到尺寸要求，即得到高强度陶瓷超薄切割片。本发明的高强度陶瓷超薄切割片，在普通陶瓷切割片的基础上加入金属元素，使生产的陶瓷超薄切割片的强度大大提高，达到≧50000转/分，不解体，且锋利，大幅度提高了成品率。

Description

一种高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种超波切割片及其制备方法，尤其是一种高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法。

背景技术

超薄切割片在电子电路及电路板加工方面有广泛的应用。金属切割片因为加工效率低，锋利度不好，在加工过程中容易产生毛刺和拉伸现象，导致加工出来的产品质量不稳定；树脂切割片在加工过程中产生的高温下，使树脂发生碳化产生碳粉，粘附在被加工表面，容易产生短路等情况，从而影响产品质量；陶瓷切割片具有耐高温，高温稳定性好，加工效率高，加工质量好等优点，其在电子电路加工方面，具有良好的应用前景，但由于陶瓷产品自身的特点，其组织具有一定数量的气孔，其强度相对较低，从而限制了它的应用。

加工电子电路的超薄切割片的规格要求：D60*38*0.15mm，达到30000转/分，然而常规工艺做出的产品无法满足这么高的强度，一般在15000转/分，一下就解体了，无法满足使用要求。因此研究一种适合于加工电子电路的超薄陶瓷切割片是很有意义的事情。

发明内容

本发明提供了一种高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法，解决了现有陶瓷切割片强度低，无法满足切割电子电路板的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种高强度陶瓷超薄切割片，按照重量百分比计，包括5-8%的低熔点金属。

进一步，本发明的一种优选方案为：所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、铝合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。

进一步，本发明的一种优选方案为：按照重量百分比计，包括5%的低熔点金属。

一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，包括以下步骤：

第一步、将陶瓷切割片加工去除表面硬壳和表面封闭气孔，使气孔成贯穿状；

第二步、将低熔点金属溶解，然后在真空状态下，将经过第一步加工的陶瓷切割片放入溶化的金属液中，使金属液渗入陶瓷切割片中；

第三步、将经过第二步处理的陶瓷切割片取出，加工去除表面多余金属并加工到尺寸要求，即得到高强度陶瓷超薄切割片。

进一步，所述的陶瓷切割片的制备方法，包括以下步骤：

将陶瓷结合剂和磨料混合均匀，压制成型，烧制，加工到尺寸要求，得到陶瓷切割片，按照体积比计，所述的陶瓷切割片包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，余量为气孔。

进一步，本发明的一种优选方案为：所述的磨料为：金刚石、CBN和SG中的一种。

进一步，本发明的一种优选方案为：所述的第二步中的真空状态为：真空度为10^-4-10^-5个大气压。

进一步，本发明的一种优选方案为：所述的低熔点金属溶解的溶解温度为600-700℃。

本发明的有益效果：

本发明的高强度陶瓷超薄切割片，在普通陶瓷切割片的基础上加入金属元素，使生产的陶瓷超薄切割片的强度大大提高，达到≧50000转/分，不解体，且锋利，达到客户使用要求，客户的产品质量得到了提高，大幅度提高了成品率。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、将市面上销售的规格为D65*40*1.5mm的陶瓷切割片，利用双端面磨床磨去切割片两端面壳层，去除表面硬壳和表面封闭气孔，使气孔成贯穿状；

第二步、将低熔点金属在650℃下溶解，然后在真空状态下，真空度为10^-4-10^-5个大气压，将经过第一步加工的的陶瓷切割片放入溶化的金属液中，使金属液渗入陶瓷切割片中；

第三步、将经过第二步处理的陶瓷切割片取出，加工去除表面多余金属并加工到D65*40*1.5mm，即得到高强度陶瓷超薄切割片。具体加入的低熔点金属的种类，低熔点金属含量（检测所得，按照重量百分比计）及制备的高强度陶瓷超薄切割片的转速见表1。

表1不同低熔点金属加入量和高强度陶瓷超薄切割片的转速

由表1可知，所制成的高强度陶瓷超薄切割片强度大大提高，转速达到50000转/分，不解体，且锋利，电子电路及电路板加工切割的电子产品没有产生毛刺和拉伸现象等现象，加工出来的产品质量优良。

实施例2

一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、将陶瓷结合剂和磨料混合均匀，压制成型，烧制，加工到尺寸要求，得到陶瓷切割片，按照体积比计，所述的陶瓷切割片包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，余量为气孔；

第二步、将第一步所制备的陶瓷切割片，利用双端面磨床磨去切割片两端面壳层，去除表面硬壳和表面封闭气孔，使气孔成贯穿状；

第三步、将低熔点金属在650℃下溶解，然后在真空状态下，真空度为10^-4-10^-5个大气压，将经过第二步加工的的陶瓷切割片放入溶化的金属液中，使金属液渗入陶瓷切割片中；

第四步、将经过第三步处理的陶瓷切割片取出，加工去除表面多余金属并加工到D65*40*1.5mm，即得到高强度陶瓷超薄切割片。

本实施例中的陶瓷结合剂可以为已经公开的任何陶瓷结合剂，本实施例中的陶瓷结合剂，按照重量百分比计，具体：

SiO₂60%，Al₂O₃13.5%，B₂O₃8.5%，K₂O15%,氧化钡3%。

具体的陶瓷结合剂、磨料、低熔点金属含量（检测所得，按照重量百分比计）及制备的高强度陶瓷超薄切割片的转速见表2。

表2不同低熔点金属加入量和高强度陶瓷超薄切割片的转速

由表2可知，所制成的高强度陶瓷超薄切割片强度大大提高，转速达到50000转/分，不解体，且锋利，电子电路及电路板加工切割的电子产品没有产生毛刺和拉伸现象等现象，加工出来的产品质量优良。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于：按照重量百分比计，包括5-8%的低熔点金属。

2.根据权利要求1所述的一种高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于：

所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、铝合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。

3.根据权利要求1或2所述的一种高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于：

按照重量百分比计，包括5%的低熔点金属。

4.一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、将陶瓷切割片加工去除表面硬壳和表面封闭气孔，使气孔成贯穿状；

第二步、将低熔点金属溶解，然后在真空状态下，将经过第一步加工的陶瓷切割片放入溶化的金属液中，使金属液渗入陶瓷切割片中；

第三步、将经过第二步处理的陶瓷切割片取出，加工去除表面多余金属并加工到尺寸要求，即得到高强度陶瓷超薄切割片。

5.根据权利要求4所述的一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于：

将陶瓷结合剂和磨料混合均匀，压制成型，烧制，加工到尺寸要求，得到陶瓷切割片，按照体积比计，所述的陶瓷切割片包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，余量为气孔。

6.根据权利要求5所述的一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于：

所述的磨料为：金刚石、CBN和SG中的一种。

7.根据权利要求5所述的一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于：

所述的第二步中的真空状态为：真空度为10^-4-10^-5个大气压。

8.根据权利要求5所述的一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于：

所述的低熔点金属溶解的溶解温度为600-700℃。

9.根据权利要求5所述的一种高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于：

所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、铝合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。