CN103531597A - 降低了侧壁引发的泄漏的背面照明图像传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括基板，该基板具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接。该图像传感器件包括多个辐射感测区域，位于基板中。每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射。该图像传感器件包括互连结构，该互连结构连接到基板的正面。该互连结构包括多个互连层，并且延展超过基板的侧壁。该图像传感器件包括接合焊盘，该接合焊盘与基板的侧壁间隔开。该接合焊盘电连接到互连结构中的一个互连层。

Description

降低了侧壁引发的泄漏的背面照明图像传感器

技术领域

本发明总体涉及传感器领域，更具体地，涉及降低了侧壁引发的泄漏的背面照明图像传感器。

背景技术

半导体图像传感器用于感测诸如光的辐射。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD)传感器广泛用于各种应用，比如数码相机或者手机摄像头的应用。这些器件利用了基板上的像素阵列(包含光电二极管和晶体管)，这些器件可以吸收发射到基板的辐射，并且将感测到的辐射转换为电信号。

背面照明(BSI)图像传感器件是一种图像传感器件。这些BSI图像传感器件能够从其背面检测到光。BSI图像传感器件在晶圆的器件区域和接合焊盘区域之间具有相对较大的台阶高度。当接合焊盘形成时，该台阶高度可能会导致产生蚀刻难度，该蚀刻难度可能在穿过晶圆侧壁的邻近接合焊盘之间产生泄漏。这种泄漏降低了BSI图像传感器件的性能，从而不符合要求。

因此，尽管现有的制造BSI图像传感器件的方法通常足以达到其预期目的，但是这些现有方法无法在各个方面都完全令人满意。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种图像传感器件，包括：基板，具有正表面、背表面、和侧壁，侧壁垂直于正表面和背表面；辐射检测器件，形成在基板中，辐射检测器件可操作用于检测穿过背表面进入基板的辐射波；互连结构，形成在基板的正表面上，互连结构延展超出基板的侧壁；以及导电焊盘，形成在互连结构上，导电焊盘邻近侧壁，但与侧壁间隔开。

其中，导电焊盘形成在互连结构的面向基板的一侧。

其中，导电焊盘形成在图像传感器件的接合焊盘区域中。

其中，在基板的侧壁和导电焊盘之间存在台阶高度。

其中，台阶高度大于大约1微米。

其中，侧壁的一部分包含导电材料，导电材料具有与导电焊盘相同的材料组分。

其中，导电焊盘与互连结构的金属层相电连接。

其中：互连结构包括层间介电ILD层，层间介电ILD层的一部分在朝向导电焊盘的方向上延展超出侧壁第一距离；以及导电焊盘的一部分形成为在ILD层的一部分的上方第二距离，第二距离小于第一距离。

其中：第一距离处于大约3微米到大约4微米的范围内；以及第二距离处于大约1微米到大约2微米的范围内。

此外，还提供了一种图像传感器件，包括：基板，具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接；多个辐射感测区域，设置在基板中，每个辐射感测区域均可操作用于感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射；互连结构，连接到基板的正面，互连结构包括多个互连层，并且延展超出基板的侧壁；以及接合焊盘，与基板的侧壁间隔开，接合焊盘电连接到互连结构中的多个互连层中的一层。

其中，接合焊盘形成在图像传感器件的接合焊盘区域中，并且与互连层物理接触，互连层邻近基板。

其中，基板的侧壁和接合焊盘之间的台阶高度为至少1微米。

该图像传感器件进一步包括：导电材料，设置在侧壁上，但与接合焊盘物理间隔开。

其中：互连结构的突出部分突出超过侧壁第一尺寸；以及接合焊盘与互连结构的突出部分相交叠的延展部分为第二尺寸，第二尺寸小于第一尺寸。

此外，还提供了一种制造图像传感器件的方法，包括：提供基板，基板具有正表面、背表面和侧壁，侧壁垂直于正表面和背表面；在基板中形成多个辐射感测区域，每个辐射感测区域均可操作用于感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射；在基板的正表面上方形成互连结构；移除基板的一部分，从而将互连结构的金属互连层暴露出来；以及在互连结构上形成接合焊盘，从而使得接合焊盘电连接到所暴露出的金属互连层，并且与基板的侧壁间隔开。

其中，形成接合焊盘的步骤包括：在基板上方以及互连结构的所暴露出的金属互连层上方形成导电材料；以及蚀刻导电材料，以移除邻近侧壁的导电材料的一部分，从而形成接合焊盘，接合焊盘带有的导电材料的剩余部分与金属互连层相接触。

其中，蚀刻导电材料，从而使得在蚀刻之后，在侧壁上留有导电材料的残留物，其中，残留物与接合焊盘物理间隔开。

其中，形成接合焊盘，从而使得存在于基板的侧壁和接合焊盘之间的台阶高度大于大约1微米。

其中，形成接合焊盘，从而使得接合焊盘与最顶部的金属互连层相接触，最顶部的金属互连层位于邻近基板的位置上。

该方法进一步包括：在移除基板的一部分之前：将基板接合到载体基板；以及从背表面将基板薄化。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述可以最好地理解本发明。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种不同部件没有按比例绘制，并且只是用于图示的目的。实际上，为了使论述清晰，可以任意增加或减小各种部件的数量和尺寸。

图1是示出了根据本发明的各个方面的用于制造图像传感器件的方法的流程图。

图2-图7是根据本发明的各个方面的各个制造阶段的图像传感器件的概括片断横截面侧视图。

图8是根据本发明的各个方面的各个制造阶段的图像传感器件的概括俯视图。

具体实施方式

应该理解，以下公开内容提供了许多用于实施所公开的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和配置的具体实例以简化本发明。当然，这仅仅是实例，并不是用于限制本发明。此外，在以下的本发明中的将第一元件形成在第二元件之上、上方可以包括第一元件和第二元件形成为直接接触的实施例，还可以包括有附加元件置于第一元件和第二元件之间，从而使得元件不直接接触的实施例。为了简明和清晰，各个元件可以以不同比例任意绘制。

图1示出了根据本发明的各个方面的用于制造背面照明(BSI)图像传感器件的方法10的流程图。参考图1，方法10开始于框12，其中，提供了具有正表面、背表面以及侧壁的基板。侧壁垂直于正表面和背表面。方法10继续进行到框14，其中，在基板中形成多个辐射感测区域。每个辐射感测区域都能够感测到穿过背表面而发射到该辐射感测区域的辐射。方法10继续进行到框16，其中，在基板的正表面上方形成互连结构。方法10继续进行到框18，其中，将基板的一部分移除，从而暴露出互连结构的金属互连层。方法10继续进行到框20，其中，用一种方式在互连结构上形成接合焊盘，从而使得接合焊盘电连接到暴露出的金属互连层，并且该接合焊盘与基板的侧壁间隔开。

图2-图7是根据图1中的方法10的各个方面的各个制造阶段中的BSI图像传感器件30的器件的各个实施例的概括片断横截面侧视图。图像传感器件30包括用于感测和记录发射到图像传感器件30的背表面的辐射(比如光)强度的像素的阵列和网格。图像传感器件30可以包括电荷耦合器件(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、有源像素传感器(APS)、或者无源像素传感器。图像传感器30进一步包括附加电路和输入/输出端，该输入/输出端邻近像素网格，从而为像素提供运行环境，并且支持与像素的外部通信。可以理解，为了更好地理解本发明的发明概念，将图2到图8进行了简化，并且图2到图8可以不按比例绘制。

参考图2，图像传感器件30包括器件基板32。器件基板32是利用诸如硼的p型掺杂剂进行掺杂的硅基板(例如，p型基板)。可选地，器件基板32可以是其他适当半导体材料。例如，器件基板32可以是利用诸如磷或者砷的n型掺杂剂进行掺杂的硅基板(n型基板)。器件基板32可以包括其他元素半导体，比如锗或者金刚石。可选地，器件基板32可以包括化合物半导体和/或合金半导体。而且，器件基板32可以包括外延层(epi层)，可以为了改进性能而进行应变，并且可以包括绝缘体上硅(SOI)基板。再次参考图2，器件基板32具有正面(还称为正表面)34和背面(还称为背表面)36。器件基板32还具有初始厚度38，该初始厚度38处于大约100微米(μm)到大约3000μm的范围内。在本实施例中，初始厚度38为大约750μm。

辐射感测区域(例如，像素40和42)形成在器件基板32中。像素40和42能够感测到辐射，比如发射到器件基板32的背面36的入射光43。在本实施例中，像素40和42都包括光电二极管。在其他实施例中，像素40和42可以包括固定层(pinned layer)光电二极管、光电门传感器、复位晶体管、源极跟随晶体管(source follower transistor)、以及传输晶体管。像素40和42还可以称为辐射检测仪。

像素40和42可以互不相同，从而具有不同的结深度、厚度、宽度等等。为了简明，在图2中只示出了两个像素40和42，但是可以理解，可以在器件基板32中实现任意数量的辐射感测区域。在所示实施例中，通过以下方式形成像素40和42：从正面34向器件基板32上实施注入工艺46。注入工艺46包括利用诸如硼的p型掺杂剂来掺杂器件基板32。在可选实施例中，注入工艺46可以包括利用诸如磷或者砷的n型掺杂剂来掺杂器件基板32。在其他实施例中，还可以通过扩散工艺形成像素40和42。

再次参考图2，器件基板32包括隔离结构(例如，隔离结构47和49)，该隔离结构在像素40和42之间提供电隔离和光隔离。隔离结构47和49包括浅沟槽隔离(STI)结构，该浅沟槽隔离(STI)结构由诸如氧化硅和氮化硅的介电材料形成。通过以下方式形成STI结构：从正面34在基板32中蚀刻出开口，然后用介电材料填充该开口。在其他实施例中，隔离结构47和49可以包括经过掺杂的隔离元件，比如重掺杂n型区域和重掺杂p型区域。可以理解，在像素40和42形成之前形成隔离结构47和49。另外，为了简明，在图2中只示出了两个隔离结构47和49，但是可以理解，可以在器件基板32中实现任意数量的隔离结构，从而可以将诸如像素40和42的辐射感测区域适当隔离。

仍参考图2，像素40和42以及隔离结构47和49形成在图像传感器件30的一个区域中，该区域称为像素区域52。图像传感器30还包括周边区域54、接合焊盘区域56(还称为接合焊盘区域)、以及划片槽区域59。图2中的虚线表示区域52、54、56、和59之间的大致边界。周边区域54包括器件60和61，该器件60和61需要保持暗光。例如，在本实施例中，器件60可以是数字器件，比如特定用途集成电路(ASIC)器件或者片上系统(SOC)器件。器件61可以是参考像素，该参考像素用于形成图像传感器件30的光强度的基准线。

再次参考图2，接合焊盘区域56包括了一个区域，在该区域中，图像传感器件30的一个或者多个接合焊盘(未示出)将在之后的工艺阶段中形成，从而可以在图像传感器件30和外部器件之间形成电连接。划片槽区域59包括了一个区域，该区域将一个半导体管芯(例如，包含接合焊盘区域56、周边区域54、以及像素区域52的半导体管芯)与邻近的半导体管芯(未示出)间隔开。在之后的制造工艺中，将划片槽区域59切割开，从而将邻近管芯间隔开，然后将管芯封装并且作为集成电路芯片售出。划片槽区域59的切割方式不会损坏每个管芯中的半导体器件。还可以理解，这些区域52-59垂直延伸到器件基板32的上方和下方。

现在参考图3，将互连结构65形成在器件基板32的正面34上方。互连结构65包括多个经过图案化的介电层和导电层，该导电层在图像传感器件30的各个掺杂元件、电路、和输入/输出端之间提供互连(例如，导线)。互连结构65包括层间介电(ILD)和多层互连(MLI)结构。MLI结构包括触点、通孔和金属线。为了示出的目的，图3中示出了多条导线66和多个通孔/触点68，可以理解，这些导线66和通孔/触点68仅仅示例性地示出，而导线66和通孔/触点68的实际位置和配制可以基于设计需要而变化。

MLI结构可以包含诸如铝、铝\硅\铜合金、钛、氮化钛、钨、多晶硅、金属硅化物、或者上述的组合的导电材料，称为铝互连件。铝互连件可以通过包括物理汽相沉积(PVD)(或者溅射)、化学汽相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、或者上述的组合形成。用于形成铝互连件的其他制造技术可以包括光刻工艺和蚀刻，从而将导电材料图案化，进而形成垂直连接(例如，通孔/触点68)和水平连接(例如，导线66)。可选地，铜多层互连件可以用于形成金属图案。铜互连结构可以包含铜、铜合金、钛、氮化钛、钨、多晶硅、金属硅化物、或者上述的组合。可以通过包括CVD、溅射、电镀、或者其他适当工艺的技术形成铜互连结构。

仍参考图3，在互连结构65上形成缓冲层70。在本实施例中，缓冲层70包括诸如氧化硅的介电材料。可选地，缓冲层70包含氮化硅。通过CVD、PVD、或者其他适当技术形成缓冲层70。通过化学机械抛光(CMP)工艺将缓冲层70平坦化，从而形成平滑表面。

然后，通过缓冲层70将载体基板75与器件基板32相接合，从而可以对器件基板32的背面36实施处理。在本实施例中，载体基板75类似于基板32，并且包含硅材料。可选地，载体基板75可以包括玻璃基板或者其他适当材料。载体基板75可以通过分子力(众所周知的直接接合或者光学熔接接合技术)、或者本领域所公知的其他接合技术(比如金属扩散或者阳极接合)接合到器件基板32。

再次参考图3，缓冲层70在器件基板32和载体基板75之间提供电隔离。载体基板75为形成在器件基板32的正面34上的各种元件(比如像素40和42)提供保护。如下所述，载体基板75还为处理器件基板32的背面36提供了机械强度和机械支撑。可选地，在接合之后，器件基板32和载体基板75可以进行退火，从而增强接合强度。

再次参考图3，然后，可以实施薄化工艺80，从而将来自背面36的器件基板32薄化。薄化工艺80可以包括机械打磨工艺和化学薄化工艺。在机械打磨工艺期间，可以首先从器件基板32移除大量基板材料。然后，化学薄化工艺可以将蚀刻化学物质施加到器件基板32的背面36，从而进一步将器件基板32薄化到厚度85。在本实施例中，厚度85小于大约5μm，例如大约2-3μm。在实施例中，厚度85大于至少大约1μm。还可以理解，本发明所公开的特定厚度仅仅是示例，可以基于图像传感器件30的应用类型和设计需要而实现其他厚度。

现在参考图4，可以通过蚀刻工艺100移除接合焊盘区域56和划片槽区域59中的器件基板32的部分。因此，将接合焊盘区域56中的互连结构65的ILD层110暴露出来。蚀刻工艺100还导致产生了器件基板32的侧壁120。侧壁120延展的方向垂直于正面34或者背面36延展的方向。在所示实施例中，侧壁120在垂直方向上延展，而正面34和背面36在水平(横向)方向上延展。侧壁120基本上与之后形成的内部密封环处于同一平面。

现在参考图5，在接合焊盘区域56中，在器件基板32的背面36上方和ILD层110的暴露表面上方形成氧化物层130。然后，蚀刻接合焊盘区域的部分，从而将金属-1层中的最顶部的导线66的部分暴露出来。将在金属-1层中的暴露出的导线66上形成接合焊盘。在该制造阶段中，ILD层110的部分延伸超出侧壁120，该ILD层110具有横向尺寸140。换言之，ILD层110在水平方向上突出到侧壁120外一段距离140。在实施例中，横向尺寸/距离处于从大约3μm到大约4μm的范围内。还可以理解，底部抗反射(BARC)层可以形成在氧化物层130上方，附加氧化物层可以形成在BARC层上方。然而，为了简明，本文中没有示出BARC层和附加氧化物层。

现在参考图6，导电层150从背面36形成在氧化物层130上方以及接合焊盘区域56中的导线66上方。在实施例中，导电层150包含金属材料或者金属合金材料，例如，铝(Al)或者铝铜合金(AlCu)。导电层150的部分与互连结构65中的金属-1层中的最顶部的导线66物理接触。随后，导电层150的该部分将图案化到接合焊盘中。

现在参考图7，实施蚀刻工艺160，从而将导电层150覆盖像素区域52的部分移除，进而使得假设将要通过像素40和42检测出的辐射将不会被导电层150(可能不是透明的)阻碍。蚀刻工艺160还以一种方式移除接合焊盘区域56中的导电层150的一部分，从而使得接合焊盘区域56中的导电层150的保留下来的部分形成导电接合焊盘170。接合焊盘170与器件基板32的侧壁120物理间隔开。接合焊盘170与金属-1层的导线66相接触(从而相电连接)。因此，通过接合焊盘170，可以在图像传感器件20和外部器件之间形成电连接。接合焊盘170的横向尺寸或者宽度处于大约50μm到大约200μm的范围内，例如大约80μm。换言之，如图7所示，接合焊盘170的横向尺寸基本上大于尺寸140。因此，应该再次强调，图7中的各个元件和各个部件没有按比例绘制。

接合焊盘150的一部分(可以视为接合焊盘170的延展部分)覆盖了ILD层110的一部分。接合焊盘170的该部分的横向尺寸180小于横向尺寸140。换言之，这种配置(尺寸140大于尺寸180)确保了接合焊盘170与侧壁120以及由于对蚀刻工艺160的限制而留在侧壁120上的导电层150的所有残留物150A物理间隔开。由于器件基板32的背面36和接合焊盘170之间的台阶高度200相对较大，因此，可能存在有残留物150A。台阶高度200大约等于器件基板32的减小了的厚度85，在一个实施例中，该厚度85为大约2-3μm。由于台阶高度200较大，因此，对于蚀刻工艺来说，难以完全除去侧壁120上的全部导电层150。因此，很可能有残留物150A存在于在侧壁120的一部分上。如果残留物150A没有完全与接合焊盘170断开，则接合焊盘170将与邻近的接合焊盘短路。如下所述，这种短路将通过俯视图更清晰地示出。

参考图8，示出了图像传感器件30的一部分的简化俯视图。在接合焊盘区域56中，以垂直对准的方式示出了两个邻近的接合焊盘170A和170B。接合焊盘170A垂直间隔开，在邻近的接合焊盘170A和170B之间可以存在有虚拟图案210。残留物150A垂直跨越了器件基板32的侧壁。现在，可以看出，接合焊盘170A和170B没有与器件基板32的侧壁物理间隔开，然后，残留物150A可能会在接合焊盘170A和170B之间形成导电路径，从而将两个接合焊盘短路。由于接合焊盘170A-170B的短路导致产生了焊盘-焊盘泄漏，因此不希望出现这种短路。因为随着台阶高度的增加，对于器件基板32的侧壁来说，更加难以去除导电层150的残留物，所以相对较高的台阶高度200(图7中所示)加重了这种短路问题。这意味着，台阶高度越大，对于现有的器件来说越可能在邻近的接合焊盘之间存在短路。

在这里，通过蚀刻工艺160确保了接合焊盘170A-170B与侧壁(以及形成在侧壁上的所有可能出现的残留物150A)分离，防止了潜在的短路问题的产生。因此，形成在侧壁上的所有残留物150A将不会产生问题，接合焊盘170A和170B仍旧相互电隔离。这是本文所公开的实施例所提供的优点之一，然而，可以理解，其他实施例还可以提供其他优点，没有哪个特定的优点是所有实施例都必须具备的。另一优点是，本文所公开的方法和结构易于实施并且不需要附加工艺。而且，由于导电的残留物留在侧壁上不再成为一个问题，因此，用于限定接合焊盘的蚀刻工艺的工作量(load)减小。换言之，这种蚀刻工艺不再需要将侧壁上的所有导电材料移除。

再次参考图7，尽管没有示出，但是实施了附加工艺来完成图像传感器件30的制造。例如，可以在图像传感器件30的周围形成钝化层来提供保护(例如，防尘或者防湿)。可以在像素区域52中形成滤色镜。可以将滤色镜放置在使得入射光从滤色镜上方入射，并且穿过该滤色镜的位置上。滤色镜可以包括基于染料(或者基于颜料)的聚合体或者树脂，从而将入射光的特定波段过滤，该入射光的特定波段对应于色谱(例如，红、绿、和蓝)。然后，在滤色镜上方形成微透镜，从而将入射光定向和聚焦到器件基板32中的特定辐射感测区域，比如像素40和42。基于用作微透镜的材料的折射率和与传感器表面的距离，可以以各种布置方式放置微透镜，该微透镜具有各种形状。可以理解，在形成滤色镜或者微透镜之前，器件基板32还可以经历可选的激光退火工艺。

本发明的广泛形式之一涉及一种图像传感器件，包括：基板，具有正表面、背表面、和侧壁，侧壁垂直于正表面和背表面；辐射检测器件，形成在基板中，辐射检测器件能够检测穿过背表面进入基板的辐射波；互连结构，形成在基板的正表面上，互连结构延展超出基板的侧壁；以及导电焊盘，形成在互连结构上，导电焊盘邻近侧壁，但是与侧壁间隔开。

本发明的另一广泛形式涉及一种图像传感器件，包括：基板，具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接；多个辐射感测区域，位于基板中，每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射；互连结构，连接到基板的正面，互连结构包括多个互连层，并且延展超过基板的侧壁；以及接合焊盘，与基板的侧壁间隔开，接合焊盘电连接到互连结构中的一个互连层。

本发明的又一广泛形式涉及一种制造图像传感器件的方法，该方法包括：提供基板，基板具有正表面、背表面和侧壁，侧壁垂直于正表面和背表面；在基板中形成多个辐射感测区域，每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射；在基板的正表面上方形成互连结构；移除基板的部分，从而将互连结构的金属互连层暴露出来；以及以一种方式在互连结构上形成接合焊盘，从而使得接合焊盘电连接到暴露出的金属互连层，并且与基板的侧壁间隔开。

上面论述了多个实施例的部件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或修改其他用于执行与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员还应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。

Claims (10)

1.一种图像传感器件，包括：

基板，具有正表面、背表面、和侧壁，所述侧壁垂直于所述正表面和所述背表面；

辐射检测器件，形成在所述基板中，所述辐射检测器件可操作用于检测穿过所述背表面进入所述基板的辐射波；

互连结构，形成在所述基板的正表面上，所述互连结构延展超出所述基板的侧壁；以及

导电焊盘，形成在所述互连结构上，所述导电焊盘邻近所述侧壁，但与所述侧壁间隔开。

2.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述导电焊盘形成在所述互连结构的面向所述基板的一侧。

3.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述导电焊盘形成在所述图像传感器件的接合焊盘区域中。

4.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，在所述基板的侧壁和所述导电焊盘之间存在台阶高度。

5.根据权利要求4所述的图像传感器件，其中，所述台阶高度大于大约1微米。

6.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述侧壁的一部分包含导电材料，所述导电材料具有与所述导电焊盘相同的材料组分。

7.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述导电焊盘与所述互连结构的金属层相电连接。

8.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中：

所述互连结构包括层间介电ILD层，所述层间介电ILD层的一部分在朝向所述导电焊盘的方向上延展超出所述侧壁第一距离；以及

所述导电焊盘的一部分形成为在所述ILD层的一部分的上方第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。

9.一种图像传感器件，包括：

基板，具有正面、背面、以及侧壁，所述侧壁与所述正面和所述背面相连接；

多个辐射感测区域，设置在所述基板中，每个所述辐射感测区域均可操作用于感测穿过所述背面发射到所述辐射感测区域的辐射；

互连结构，连接到所述基板的正面，所述互连结构包括多个互连层，并且延展超出所述基板的侧壁；以及

接合焊盘，与所述基板的侧壁间隔开，所述接合焊盘电连接到所述互连结构中的所述多个互连层中的一层。

10.一种制造图像传感器件的方法，包括：

提供基板，所述基板具有正表面、背表面和侧壁，所述侧壁垂直于所述正表面和所述背表面；

在所述基板中形成多个辐射感测区域，每个所述辐射感测区域均可操作用于感测穿过所述背面发射到所述辐射感测区域的辐射；

在所述基板的正表面上方形成互连结构；

移除所述基板的一部分，从而将所述互连结构的金属互连层暴露出来；以及

在所述互连结构上形成接合焊盘，从而使得所述接合焊盘电连接到所暴露出的金属互连层，并且与所述基板的侧壁间隔开。

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