CN103529325A - 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法 - Google Patents

一种基于gtem小室的辐射emi测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103529325A
CN103529325A CN201310504431.7A CN201310504431A CN103529325A CN 103529325 A CN103529325 A CN 103529325A CN 201310504431 A CN201310504431 A CN 201310504431A CN 103529325 A CN103529325 A CN 103529325A
Authority
CN
China
Prior art keywords
field intensity
standard
gtem cell
algorithm
tested product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310504431.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103529325B (zh
Inventor
赵阳
刘勇
颜伟
陈旸
夏欢
张杨
宋百通
丁锦辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Mainuo Mengte Electromagnetic Technology Co., Ltd.
Original Assignee
Nanjing Mai Nuomengte Electromagnetism Science And Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Mai Nuomengte Electromagnetism Science And Technology Ltd filed Critical Nanjing Mai Nuomengte Electromagnetism Science And Technology Ltd
Priority to CN201310504431.7A priority Critical patent/CN103529325B/zh
Publication of CN103529325A publication Critical patent/CN103529325A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103529325B publication Critical patent/CN103529325B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

本发明提供了一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，该方法先求出频点为f 0 的标准被测品在电波暗室中的水平辐射场强和垂直辐射场强，然后分别求得标准被测品在开阔场中总功率算法和Lee算法的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，根据公式求得频点f 0 所对应的相位补偿校准因子，将相位补偿校准因子和任意被测设备总功率算法和Lee算法的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强代入相应公式即可求得任意被测设备在开阔场中的测试结果。该测试方法在总功率算法基础上，以Lee算法进行相位补充，克服了总功率算法单独使用时未考虑相位因素和Lee算法单独使用时近似假设引入误差而导致测试结果准确度较低的问题。

Description

一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法
技术领域
本发明涉及辐射EMI测试，尤其涉及一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，属于电磁兼容技术领域。 
背景技术
随着科技的高速进步和经济的快速发展，各种电子产品广泛应用于人们的生产和生活中。这些电子产品同时工作时产生的电磁干扰问题日趋严重。电磁干扰问题不仅会影响电子产品的正常工作，也会影响人们的健康，因此对电子产品进行电磁兼容性测试研究越来越受到重视。
电磁兼容是指设备或者系统在一定电磁环境中的运行情况符合要求，并且不对处于同一电磁环境中的任何其他设备产生超过一定限度电磁骚扰的能力。电磁兼容测试包括EMI电磁干扰测试和EMS电磁敏感性测试两部分。目前，国内外主要的电磁兼容测试试验场地有开阔场、电波暗室、屏蔽室以及GTEM小室。GTEM小室作为试验场地与其他试验场地相比，具有截止频率高、场均匀性好、占地空间小以及建造成本低等优点。但是，开阔场作为公认的进行EMI测试的标准场地，任何其他场地的测试结果都要等效到开阔测试场中。目前针对GTEM小室主要有以下三种等效的测试方法和算法：Wilson算法、Lee算法和总功率算法。Wilson算法通过在GTEM小室中测试ETU（被测设备）不同朝向和旋转角度的辐射发射值计算出ETU等效的电偶极矩和磁偶极矩，继而计算出偶极子模型在开阔场中的场强值。Lee算法与Wilson算法测试过程类似，只是考虑了偶极子的相位问题，需要多测几组，计算过程中不需要求出ETU的等效偶极子分量。Lee算法在推导过程中，做了以下两点近似：①OATS中测试距离远大于EUT高度；②测试距离远大于天线高度。Lee算法的近似假设引入误差导致测试结果准确度较低。
发明内容
本发明提供了一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，该测试方法在总功率算法基础上，以Lee算法进行相位补充，克服了总功率算法单独使用时未考虑相位因素和Lee算法单独使用时近似假设引入误差从而导致测试结果准确度较低的问题。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：
 一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，包括以下步骤：
第一步：将频点为f 0 的标准被测品放置于电波暗室中测得其水平辐射场强 
Figure 648491DEST_PATH_IMAGE001
和垂直辐射场强；
第二步：将频点为f 0 的标准被测品放置于GTEM小室内；
第三步：根据总功率算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室时GTEM小室输出端口的等效电压信号
Figure 393648DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 598364DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 734948DEST_PATH_IMAGE005
；根据总功率算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 586184DEST_PATH_IMAGE006
和垂直极化等效辐射场强
Figure 517231DEST_PATH_IMAGE007
；
第四步：根据Lee算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，逆时针转动转台的角度为00，450，900，1800和2700，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室、转台处于不同角度时GTEM小室输出端口的等效电压信号、
Figure 680676DEST_PATH_IMAGE008
、、
Figure 571589DEST_PATH_IMAGE010
、
Figure 547635DEST_PATH_IMAGE011
、
Figure 790135DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 902448DEST_PATH_IMAGE012
、
Figure 237614DEST_PATH_IMAGE013
、、
Figure 248613DEST_PATH_IMAGE015
、
Figure 215432DEST_PATH_IMAGE005
、
Figure 721499DEST_PATH_IMAGE016
、
Figure 672138DEST_PATH_IMAGE017
、
Figure 289064DEST_PATH_IMAGE018
、
Figure 110389DEST_PATH_IMAGE019
；根据Lee算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 521779DEST_PATH_IMAGE020
和垂直极化等效辐射场强
Figure 959714DEST_PATH_IMAGE021
；
 第五步：计算频点f 0 对应的水平极化相位补偿校准因子和垂直极化相位补偿校准因子：
Figure 347708DEST_PATH_IMAGE022
、
Figure 289119DEST_PATH_IMAGE023
；
第六步：将标准被测品换为任意被测设备放置于GTEM小室中，重复第三步、第四步，根据总功率算法得到对应的水平极化等效辐射场强
Figure 402568DEST_PATH_IMAGE024
和垂直极化等效辐射场强
Figure 531061DEST_PATH_IMAGE025
，根据Lee算法得到对应的水平极化等效辐射场强
Figure 489790DEST_PATH_IMAGE026
和垂直极化等效辐射场强
Figure 551287DEST_PATH_IMAGE027
，结合第五步中提取的相位补偿校准因子，将相应的计算结果带入公式
Figure 38900DEST_PATH_IMAGE028
、
Figure 920268DEST_PATH_IMAGE029
，
Figure 682688DEST_PATH_IMAGE030
和
Figure 333112DEST_PATH_IMAGE031
即为所要求得的测试结果。
可以采用频点f 0 为10MHz的梳状源作为标准被测品，以保证采用所得的相位补偿校准因子应用于不同被测设备的测试时，都能保证测试结果的有效性。
本发明提出的辐射EMI测试方法，在总功率算法为基础上，引入Lee算法测试结果进行相位补偿校准，得到的测试结果与在电波暗室的测试结果较为相近，极大的提高了基于GTEM小室测试辐射EMI的测试准确度，克服了总功率算法单独使用时未考虑相位因素和Lee算法单独使用时近似假设引入误差从而导致测试结果准确度较低的问题。另外，本发明的测试方法较为简单，频点为10MHz时的相位补偿校准因子具有通用性，用来测试其他频点的被测设备时也能得到有效的测试结果。
附图说明
图1 是GTEM小室的内部结构参数。
图2是模拟的等效开阔场测量布置图。
图3是GTEM小室进行辐射EMI测试过程中被测设备的极化位置。
图4 是GTEM小室的结构示意图。
图5是标准被测品在标准3m法电波暗室中与在GTEM小室中的总功率法和Lee算法测试结果。
图6是实验得到的水平极化相位补偿校准因子曲线。
图7是基于GTEM小室的改进辐射EMI测试方法的测试结果与标准3m法电波暗室的测试结果。
其中，在图3中，图a1为被测设备横向放置于GTEM小室、转台转动00，图a2为被测设备横向放置于GTEM小室、转台逆时针转动900，图a3为被测设备横向放置于GTEM小室、转台逆时针转动1800，图a4为被测设备横向放置于GTEM小室、转台逆时针转动2700；图b1为被测设备竖向放置于GTEM小室、转台转动00，图b2为被测设备竖向放置于GTEM小室、转台逆时针转动900，图b3为被测设备竖向放置于GTEM小室、转台逆时针转动1800，图b4为被测设备竖向放置于GTEM小室、转台逆时针转动2700；图c1为被测设备纵向放置于GTEM小室、转台转动00，图c2为被测设备纵向放置于GTEM小室、转台逆时针转动900，图c3为被测设备纵向放置于GTEM小室、转台逆时针转动1800，图c4为被测设备纵向放置于GTEM小室、转台逆时针转动2700；由于转台逆时针转动450的位置不容易在图中表示出来，故被测设备横向、竖向、纵向放置于GTEM小室时转台逆时针转动450的三个位置图省略；图4中401代表后盖，402代表分布电阻，403代表吸波材料，404代表转台，405代表屏蔽门，406代表芯板，407代表前后侧板，408代表上下盖板，409代表N型接头，410代表馈源头，411代表托板，a=750mm，b=1100mm，c=1150mm，d=45mm，e=3150mm，f=415mm；图5中曲线1代表标准3m法电波暗室测试结果，曲线2代表GTEM小室总功率算法测试结果，曲线3代表GTEM小室Lee算法测试结果；图7中实线代表标准3m法电波暗室测量结果，虚线代表本发明方法的测试结果。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步详细说明。
图1为GTEM小室的内部结构参数，其中表示小室的宽度，
Figure 891450DEST_PATH_IMAGE033
表示芯板高度，
Figure 159358DEST_PATH_IMAGE034
表示缝隙宽度，
Figure 461026DEST_PATH_IMAGE035
表示EUT 距离地板的高度。
图2是模拟的等效开阔场测量布置图，其中
Figure 556021DEST_PATH_IMAGE036
为EUT到接收天线的直线距离，
Figure 146402DEST_PATH_IMAGE037
为EUT的镜像到接收天线的直线距离，
Figure 250624DEST_PATH_IMAGE038
为EUT到接收天线的水平距离。
把频点f 0 为10MHz的标准被测品（以下简称EUT）放置于GTEM小室内，根据总功率算法测试要求，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室时输出端口的等效电压信号
Figure 875641DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 141537DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 484794DEST_PATH_IMAGE005
，根据以下公式求取标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 127128DEST_PATH_IMAGE006
和垂直极化等效辐射场强
Figure 606651DEST_PATH_IMAGE007
 ：
公式1：
Figure 541983DEST_PATH_IMAGE039
其中，
Figure 372536DEST_PATH_IMAGE040
=
Figure 552982DEST_PATH_IMAGE041
为波数，=
Figure 25868DEST_PATH_IMAGE043
=377Ω为自由空间波阻抗；
Figure 812559DEST_PATH_IMAGE044
=50Ω为TEM 波导特征阻抗，e0y为场强因子，即EUT位置上TEM模的归一化电场分量，计算公式如下：
Figure 796695DEST_PATH_IMAGE045
 （
Figure 985231DEST_PATH_IMAGE046
）
其中，
Figure 29410DEST_PATH_IMAGE032
表示小室的宽度，
Figure 834555DEST_PATH_IMAGE033
表示芯板高度，表示缝隙宽度，
Figure 429540DEST_PATH_IMAGE035
表示EUT 距离地板的高度，
Figure 644620DEST_PATH_IMAGE047
为求和的阶数。
公式2：
将公式1求得的
Figure 937061DEST_PATH_IMAGE048
代入以下公式即可求得总功率算法对应的垂直极化等效辐射场强
Figure 997421DEST_PATH_IMAGE007
：
Figure 426129DEST_PATH_IMAGE049
（
Figure 812111DEST_PATH_IMAGE050
）
其中，
Figure 60689DEST_PATH_IMAGE040
=
Figure 190319DEST_PATH_IMAGE041
为波数，
Figure 739112DEST_PATH_IMAGE042
=
Figure 30416DEST_PATH_IMAGE043
=377Ω为自由空间波阻抗，
Figure 530406DEST_PATH_IMAGE036
为EUT到接收天线的直线距离，
Figure 198147DEST_PATH_IMAGE037
为EUT的镜像到接收天线的直线距离。
公式3：
将公式1求得的
Figure 335868DEST_PATH_IMAGE048
代入以下公式即可求得总功率算法对应的水平极化等效辐射场强
Figure 63652DEST_PATH_IMAGE006
：
Figure 552402DEST_PATH_IMAGE051
（
Figure 758256DEST_PATH_IMAGE052
）
其中，=
Figure 914748DEST_PATH_IMAGE041
为波数，
Figure 625215DEST_PATH_IMAGE042
=
Figure 634759DEST_PATH_IMAGE043
=377Ω为自由空间波阻抗，
Figure 12651DEST_PATH_IMAGE036
为EUT到接收天线的直线距离，
Figure 315194DEST_PATH_IMAGE037
为EUT的镜像到接收天线的直线距离，为EUT到接收天线的水平距离。
  根据Lee算法测试要求，逆时针转台转动的角度为00,450,900,1800和2700，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室、转台处于不同角度时GTEM小室输出端口的等效电压信号、、、
Figure 15297DEST_PATH_IMAGE010
、
Figure 632223DEST_PATH_IMAGE011
、
Figure 719127DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 661676DEST_PATH_IMAGE012
、
Figure 834031DEST_PATH_IMAGE013
、、
Figure 930480DEST_PATH_IMAGE015
、
Figure 778350DEST_PATH_IMAGE005
、
Figure 417097DEST_PATH_IMAGE016
、
Figure 375826DEST_PATH_IMAGE017
、
Figure 171744DEST_PATH_IMAGE018
、
Figure 924936DEST_PATH_IMAGE019
，根据以下公式求取标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 71883DEST_PATH_IMAGE020
和垂直极化等效辐射场强
Figure 834303DEST_PATH_IMAGE021
。
公式1’：
根据下面的公式求得输出功率
Figure 484727DEST_PATH_IMAGE053
（
Figure 408821DEST_PATH_IMAGE054
；
Figure 777485DEST_PATH_IMAGE055
）：
Figure 812438DEST_PATH_IMAGE056
其中， =50Ω为TEM 波导特征阻抗，e0y为场强因子，即EUT位置上TEM模的归一化电场分量，计算公式如下：
Figure 209101DEST_PATH_IMAGE045
 （
Figure 298017DEST_PATH_IMAGE046
）
其中，
Figure 402240DEST_PATH_IMAGE032
表示小室的宽度，
Figure 27256DEST_PATH_IMAGE033
表示芯板高度，
Figure 558731DEST_PATH_IMAGE034
表示缝隙宽度，
Figure 636409DEST_PATH_IMAGE035
表示EUT 距离地板的高度，
Figure 544322DEST_PATH_IMAGE047
为求和的阶数。
公式2’：
根据下面的公式计算出标准被测品在远场的电偶极矩幅值
Figure 289424DEST_PATH_IMAGE057
、
Figure 991801DEST_PATH_IMAGE058
、
Figure 556774DEST_PATH_IMAGE059
，电偶极矩相位
Figure 737220DEST_PATH_IMAGE060
、
Figure 602408DEST_PATH_IMAGE061
、
Figure 210107DEST_PATH_IMAGE062
；标准被测品在远场的磁偶极矩幅值
Figure 760912DEST_PATH_IMAGE063
、
Figure 745048DEST_PATH_IMAGE064
、
Figure 199163DEST_PATH_IMAGE065
，磁偶极矩相位
Figure 243343DEST_PATH_IMAGE066
、
Figure 48487DEST_PATH_IMAGE067
、
Figure 570736DEST_PATH_IMAGE068
：
Figure 879357DEST_PATH_IMAGE069
Figure 94438DEST_PATH_IMAGE070
Figure 855721DEST_PATH_IMAGE071
Figure 875946DEST_PATH_IMAGE073
Figure 494884DEST_PATH_IMAGE074
Figure 9042DEST_PATH_IMAGE075
Figure 138672DEST_PATH_IMAGE076
Figure 156307DEST_PATH_IMAGE077
Figure 978769DEST_PATH_IMAGE078
Figure 382386DEST_PATH_IMAGE080
Figure 520106DEST_PATH_IMAGE081
Figure 513470DEST_PATH_IMAGE082
Figure 736641DEST_PATH_IMAGE083
其中，=为波数。
公式3’：
根据下面的公式求得Lee算法对应的水平极化等效辐射场强
Figure 128680DEST_PATH_IMAGE020
：
Figure 573567DEST_PATH_IMAGE084
Figure 848691DEST_PATH_IMAGE085
Figure 226583DEST_PATH_IMAGE086
Figure 765011DEST_PATH_IMAGE087
Figure 228354DEST_PATH_IMAGE088
 
公式4’：
根据下面的公式求得Lee算法对应的垂直极化等效辐射场强
Figure 41589DEST_PATH_IMAGE021
：
Figure 8408DEST_PATH_IMAGE089
Figure 248896DEST_PATH_IMAGE090
Figure 199535DEST_PATH_IMAGE091
Figure 136322DEST_PATH_IMAGE093
其中，
Figure 813291DEST_PATH_IMAGE094
、
Figure 985646DEST_PATH_IMAGE095
、
Figure 875105DEST_PATH_IMAGE096
为标准被测品在远场中的等效坐标值，
Figure 82095DEST_PATH_IMAGE040
=
Figure 664386DEST_PATH_IMAGE041
为波数，
Figure 324038DEST_PATH_IMAGE042
=
Figure 548346DEST_PATH_IMAGE043
=377Ω为自由空间波阻抗，
Figure 344263DEST_PATH_IMAGE036
为EUT到接收天线的直线距离，
Figure 363035DEST_PATH_IMAGE037
为EUT的镜像到接收天线的直线距离，
Figure 509982DEST_PATH_IMAGE057
、
Figure 741244DEST_PATH_IMAGE058
、
Figure 155782DEST_PATH_IMAGE059
电偶极矩幅值，
Figure 345455DEST_PATH_IMAGE060
、
Figure 979699DEST_PATH_IMAGE061
、
Figure 545809DEST_PATH_IMAGE062
是电偶极矩相位，
Figure 50740DEST_PATH_IMAGE063
、、
Figure 532854DEST_PATH_IMAGE065
是磁偶极矩幅值，
Figure 105918DEST_PATH_IMAGE066
、
Figure 262093DEST_PATH_IMAGE067
、
Figure 527989DEST_PATH_IMAGE068
是磁偶极矩相位，
Figure 136825DEST_PATH_IMAGE097
，
Figure 44738DEST_PATH_IMAGE098
，
Figure 524261DEST_PATH_IMAGE099
，
Figure 226637DEST_PATH_IMAGE100
，，
Figure 470592DEST_PATH_IMAGE102
，
Figure 335780DEST_PATH_IMAGE103
，
Figure 209058DEST_PATH_IMAGE104
，
Figure 526907DEST_PATH_IMAGE105
，
Figure 776622DEST_PATH_IMAGE106
，。
测得标准被测品在标准3m法电波暗室的水平辐射场强
Figure 274917DEST_PATH_IMAGE001
和垂直辐射场强
Figure 80062DEST_PATH_IMAGE002
。
根据以下公式计算频点f 0 对应的水平极化相位补偿校准因子和垂直极化相位补偿校准因子：
、
Figure 707669DEST_PATH_IMAGE023
； 
对于某一固定的GTEM小室，该相位补偿校准因子是固定不变的。
将标准被测品换为频点为
Figure 657171DEST_PATH_IMAGE108
的任意被测设备放置于GTEM小室中，按照以上公式计算总功率算法对应的水平极化等效辐射场强
Figure 684032DEST_PATH_IMAGE024
和垂直极化等效辐射场强，Lee算法对应的水平极化等效辐射场强
Figure 683354DEST_PATH_IMAGE026
和垂直极化等效辐射场强
Figure 69336DEST_PATH_IMAGE027
，将相应的计算结果带入公式
Figure 849073DEST_PATH_IMAGE028
、
Figure 713124DEST_PATH_IMAGE029
，
Figure 996337DEST_PATH_IMAGE030
和
Figure 818800DEST_PATH_IMAGE031
即为所要求得的测试结果。 
采用如图4所示的GTEM小室作为进行被测品的辐射EMI测试，接收机的型号可以是FSC3，测量频段为9KHz-3GHz。为了有效验证本发明测试方法的有效性，采用标准3m法电波暗室进行被测品和标准品的等效开阔场测试，接收机的型号可以是ESL3，测量频段为9KHz-3GHz。图5是采用传统GTEM测量方法与标准3m法电波暗室的辐射EMI水平对比测试结果；图6为通过本发明方法提取的频段为30MHz-1GHz的水平极化相位补偿校准因子的计算结果；图7为采用本发明提出的辐射EMI测试方法与标准3m法电波暗室的辐射EMI水平对比测量结果，其中实线为标准3m法电波暗室测量结果，虚线为采用本发明测试方法所得的测量结果，两条曲线基本吻合，有效说明了本发明提出的测试方法与标准测试结果的绝对误差较小，能够替代昂贵的标准3m法电波暗室进行小型电子产品的辐射EMI测试。

Claims (2)

1.一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将频点为f 0 的标准被测品放置于电波暗室中测得其水平辐射场强 和垂直辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE002
；
（2）将频点为f 0 的标准被测品放置于GTEM小室内；
（3）根据总功率算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室时GTEM小室输出端口的等效电压信号
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE005
；根据总功率算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE006
和垂直极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE007
；
（4）根据Lee算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，逆时针转动转台的角度为00，450，900，1800和2700，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室、转台处于不同角度时GTEM小室输出端口的等效电压信号
Figure 159924DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE008
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE009
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE010
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE011
、、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE012
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE013
、、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE015
、
Figure 732168DEST_PATH_IMAGE005
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE016
、、、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE019
；根据Lee算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE020
和垂直极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE021
；
（5）计算频点f 0 对应的水平极化相位补偿校准因子和垂直极化相位补偿校准因子：
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE022
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE023
；
（6）将标准被测品换为任意被测设备放置于GTEM小室中，重复步骤（3）、（4），根据总功率算法得到对应的水平极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE024
和垂直极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE025
，根据Lee算法得到对应的水平极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE026
和垂直极化等效辐射场强
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE027
，结合第步骤（5）中提取的相位补偿校准因子，将相应的计算结果带入公式
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE028
、
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE029
，
Figure DEST_PATH_IMAGE030
和
Figure 2013105044317100001DEST_PATH_IMAGE031
即为所要求得的测试结果。
2.根据权利要求1所述一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，其特征是：标准被测品的频点f 0 为10MHz。
CN201310504431.7A 2013-10-24 2013-10-24 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法 Active CN103529325B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310504431.7A CN103529325B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310504431.7A CN103529325B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103529325A true CN103529325A (zh) 2014-01-22
CN103529325B CN103529325B (zh) 2016-01-13

Family

ID=49931490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310504431.7A Active CN103529325B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103529325B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749451A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 深圳市计量质量检测研究院 电波暗室及其使用方法
CN105116241A (zh) * 2015-07-16 2015-12-02 中国人民解放军国防科学技术大学 一种新型现场等效暗室测量方法
CN108776154A (zh) * 2018-08-07 2018-11-09 中国人民解放军陆军工程大学 测量材料相变性能的串联微带线测试方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6289290B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-11 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for estimating radiated emission level from an EUT at an arbitrary position on the turn table at OATS
KR20030056277A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 한국전자통신연구원 Ｇｔｅｍ 셀을 이용한 자유 공간에서의 전자파 복사 패턴측정 방법 및 그 시스템
CN1493882A (zh) * 2002-10-30 2004-05-05 中国科学院电子学研究所 用giem室做辐射emi测试的线性法
CN103048574A (zh) * 2013-01-04 2013-04-17 南京师范大学 一种基于辐射源特征的gtem小室辐射emi测试方法
CN103197183A (zh) * 2013-01-11 2013-07-10 北京航空航天大学 一种修正电磁干扰分离中独立分量分析法不确定度的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6289290B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-11 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for estimating radiated emission level from an EUT at an arbitrary position on the turn table at OATS
KR20030056277A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 한국전자통신연구원 Ｇｔｅｍ 셀을 이용한 자유 공간에서의 전자파 복사 패턴측정 방법 및 그 시스템
CN1493882A (zh) * 2002-10-30 2004-05-05 中国科学院电子学研究所 用giem室做辐射emi测试的线性法
CN103048574A (zh) * 2013-01-04 2013-04-17 南京师范大学 一种基于辐射源特征的gtem小室辐射emi测试方法
CN103197183A (zh) * 2013-01-11 2013-07-10 北京航空航天大学 一种修正电磁干扰分离中独立分量分析法不确定度的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张宇环 等: "基于电磁干扰源特征的GTEM辐射干扰测量方法", 《中国电机工程学报》 *
赵阳 等: "提高GTEM小室测量EMI噪声精度的研究", 《中国电机工程学报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104749451A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 深圳市计量质量检测研究院 电波暗室及其使用方法
CN105116241A (zh) * 2015-07-16 2015-12-02 中国人民解放军国防科学技术大学 一种新型现场等效暗室测量方法
CN108776154A (zh) * 2018-08-07 2018-11-09 中国人民解放军陆军工程大学 测量材料相变性能的串联微带线测试方法
CN108776154B (zh) * 2018-08-07 2020-06-23 中国人民解放军陆军工程大学 测量材料相变性能的串联微带线测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103529325B (zh) 2016-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102981086B (zh) 一种电压驱动型辐射源电磁辐射分析测量方法
US9335359B2 (en) Far electromagnetic field estimation method and apparatus, and near electromagnetic field measurement apparatus
CN103529325A (zh) 一种基于gtem小室的辐射emi测试方法
CN101458283B (zh) 诊断辐射emi机理的实验台及辐射emi机理的简易诊断方法
CN105044494A (zh) 一种用于电磁兼容性试验的表面电流注入测量法
CN103063939B (zh) 一种地面级联系统外部射频电磁环境的试验方法
CN104849552A (zh) 一种基于自适应陷波滤波器的谐波提取方法
Zanjani et al. Investigating partial discharge UHF electromagnetic waves propagation in transformers using FDTD technique and 3D simulation
Hong et al. Optimization of stirrer with various parameters in reverberation chamber
CN109657277A (zh) 一种舱室结构下复合材料电磁参数提取方法
CN103048574B (zh) 一种基于辐射源特征的gtem小室辐射emi测试方法
CN104778293B (zh) 非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法
CN114355270B (zh) 一种特高频电磁脉冲传感器特性标定方法及系统
Wiid et al. Towards electromagnetic characterization of MeerKAT Telescope
Li et al. Study on propagation characteristics of partial discharge-induced UHF signal in GIS with L shaped structure
Skrzypczynski Dual vibrating intrinsic reverberation chamber used for shielding effectiveness measurements
Greco et al. Shielding performances of ITO transparent windows: Theoretical and experimental characterization
Murano et al. Susceptibility characterization of a cavity with an aperture by using slowly rotating EM fields: FDTD analysis and measurements
CN115372741A (zh) 导电平面的设置方法和装置
Xia et al. Shielding effectiveness and coupling characteristic of metallic enclosures with apertures under EMP
Raizer et al. Using a GTEM cell in an interlaboratory comparison of radiated emission
CN105092993B (zh) 检测电源适配器的方法以及测量系统
Machacek et al. Measurements and elimination of the electromagnetic interference in industry environments
Wong et al. Improved mid-field calibration technology for linear array
Johnson et al. Modeling of general 1-D periodic leaky-wave antennas in layered media using EIGER™

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20151204

Address after: 4, building 160, block B, Guanghua Road, Qinhuai District, Jiangsu, Nanjing 210000, China

Applicant after: Nanjing Mainuo Mengte Electromagnetic Technology Co., Ltd.

Address before: Yong Zhi Road, Guanghua Road, Baixia District, Nanjing city of Jiangsu province 210014 No. 1 Baixia High-tech Park No. 6

Applicant before: Nanjing Mai Nuomengte electromagnetism Science and Technology Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant