一种LED外延片倒置MOCVD反应炉
技术领域
本发明属于半导体外延生长设备领域,特别涉及到MOCVD反应炉的结构。
背景技术
近年来,LED生产技术不断进步,生产成本不断降低,亮度不断提高。以其能耗低、寿命长、无污染、体积小等优点得以迅猛发展。LED在室内外显示屏、交通灯、照明市场得到广泛的应用。人们对LED器件的可靠性提出了新的要求和挑战。主要表现为不能出现死灯、暗灯等一系列可靠性问题。此问题的根源在于外延生长过程中产生了颗粒缺陷外延片。
LED是一种将电能转化成光能的掺有杂质的半导体固体器件,它的结构主要是PN结芯片、电极和光学系统组成。LED的生产工艺比较复杂,一般要经过外延片制作、氮气封装、外延生长、芯片前工艺、研磨切割、点测分选、封装等主要步骤。其中外延生长决定了LED发光颜色、发光亮度以及可靠性,因此外延生长所使用的设备MOCVD是LED生产中的核心设备。然而,利用过去的MOCVD设备生长外延时,衬底的外延生长面均是朝上的。Ⅲ族源和Ⅴ族源在反应室内反应生成相应的化合物晶体,部分化合物晶体依附在炉盖下表面,并且逐渐长大。部分化合物晶体脱落,落在衬底的上表面,这样就形成外延生长过程中产生了颗粒缺陷外延片。
而市场主流MOCVD设备的反应炉的炉体、排气整流罩、加热器、冷却板、气体喷嘴等零部件都是相对固定的,取片、装片工作,完全由人工手动打开炉盖进行操作。以49片机换片为例,大致工序及耗时如下:反应腔室抽真空(5min)—腔室充入高纯氮气(5min)——腔室降温至50℃以下(15min)——开炉盖并人工手动取片(11min)——清扫颗粒(2min)——人工手动装片(12min)——清扫颗粒并关炉盖(3min)——腔室抽真空(5min),开始外延生长。共耗时58min,耗费能源及有效生产用时、降低生产效率。同时,在打开炉盖后,还存在反应腔室被污染的风险。
外延生长对气流场和热场的均匀性要求很高,主盘的旋转可以消除气流场的不均性和圆周方向的热场不均匀性。然而热场径向的不均匀性很难消除,这就导致径向方向的外延均匀性差。
发明内容
为了解决由上述原因导致的外延片颗粒缺陷问题、手动取片、装片费时耗力问题以及外延生长均匀性差的问题,本发明提出了一种LED外延片倒置、可自动更换基盘以及基盘和卫星盘同时旋转的MOCVD反应炉。
一种LED外延片倒置MOCVD反应炉,包括炉体1、固定在炉体顶部的炉盖2,其特征在于,在炉体侧壁上开有过渡口25,过渡口上固定有插板阀26,炉盖通过插销装置3固定圆环状的且截面形状为L形状的基盘承载部13,炉体内部旋转轴8通过磁流体7连接有基盘16,源料气体导入管21、石英板17、排气整流罩23固定在炉底18;
所述的基盘承载部13上依次安装有基盘滑轨环28、基盘16、固定式齿环14,基盘上依次安装有卫星盘滑轨环27、卫星盘15、均热板29,多个卫星盘15上端边缘为齿状结构,与固定式齿环14啮合,基盘滑轨环27、卫星盘滑轨环28是由上部的圆环状的且截面形状为凸字形状的滑轨、下部的圆环状的且截面形状为凹字形状的滑轨及中间的滚珠组成,外延衬底片12生长面向下放置在卫星盘15凹槽中后将均热板29盖上。
进一步,所述的基盘承载部13上依次安装有基盘滑轨环28、基盘16、固定式齿环14,基盘上依次安装有卫星盘滑轨环27、卫星盘15、均热板29,此部分整体由机械臂30托举,搬入、搬出反应炉腔室。
进一步,炉底18与炉体1由波纹管24相连,通过安装外置气缸控制炉底18整体升降。
实现上述有益效果的技术方案为,一种LED外延片倒置MOCVD反应炉,包括炉体、固定在炉体顶部的炉盖,在炉体侧壁上开有过渡口,过渡口上固定有插板阀。炉盖冷却水进口、炉盖冷却水出口、氢气进口、连接在炉盖上方,炉盖下方安装有插销装置,插销材质是电磁铁,通过改变线圈的电流方向控制插销的动作。加热器、隔热板连接在炉盖下方。旋转轴通过固定在炉盖上的磁流体连接伺服电机及基盘。炉盖的设计部分组成了反应炉的加热系统,以及基盘、卫星盘的旋转系统。炉底连接波纹管,并安装有石英板、炉底冷却水进口、炉底冷却水出口、排气整流罩、排气口以及源料气体导入管。排气整流罩上开有排气孔,通过控制排气量,可保证控制反应腔室内的压力平衡,整流罩和石英板在反应炉内隔离出外延生长空间,并且由炉盖氢气进口导入氢气,使外延生长空间与基盘上部加热空间压力保持一致,既保证了不会有颗粒进入生长空间,又可避免Ⅲ族源和Ⅴ族源制程气体进入其它空间凝结。
所述基盘放置在基盘承载部上方,卫星盘放置在基盘上,基盘与承载部之间、卫星盘与基盘之间安装有滑轨环,能够满足基盘和卫星盘平稳旋转。卫星盘上部边缘是锯齿状,能与固定在基盘承载部上的固定式齿环啮合,在基盘旋转时,卫星盘也随之自转并围绕基盘轴心公转。此设计消除了热场轴向的不均匀性。使外延生长的更加均匀。
在外延生长完成后,基盘承载部连同基盘、卫星盘可利用机械臂搬出反应炉,放置在氮气箱内,并由机械臂将备用基盘承载部连同基盘、卫星盘搬送至反应炉内,开始进行下一次外延生长。此工序及耗时如下:反应腔室抽真空(5min)—腔室充入高纯氮气(5min)——腔室降温至200℃以下(5min)——炉底、排气整流罩连同石英板下降(1min)——过渡口闸板阀打开、机械臂将基盘承载部连同基盘、卫星盘搬出反应炉放置在氮气箱内(3min)——机械臂将备用基盘承载部连同基盘、卫星盘搬送至反应炉,机械臂回位,闸板阀关闭(3min)——炉底、排气整流罩连同石英板下降(1min)——腔室抽真空(5min),开始外延生长。共耗时28min。在反应炉外延生长的同时,操作人员可在氮气箱内将均热板拿起,为了不破坏衬底生长面,可使用真空吸笔吸附衬底片背面,进行换片工作,更换完成之后,基盘承载部连同基盘、卫星盘放置在氮气箱内,作为下一次外延生长结束后的更换品。相比较不可更换基盘的反应炉,节省时间30min,更换操作时反应炉无需打开炉盖,反应炉内与搬送室内均充入高纯氮气并保持压力平衡,有效避免了炉内被污染风险,缩短了外延生长间隔时间,提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明的一种实施方式的结构示意图;
1.炉体 2.炉盖 3.插销装置 4.炉盖冷却水进口
5.氢气进口 6.伺服电机 7.磁流体 8.旋转轴
9.加热器 10.隔热板 11.炉盖冷却水出口 12.外延衬底片
13.基盘承载部 14.固定式齿环 15.卫星盘 16.基盘
17.石英板 18.炉底 19.排气口 20.炉底冷却水出口
21.源料气体导入管 22.炉底冷却水进口 23.排气整流罩 24.波纹管 25.过渡口 26.插板阀 27.卫星盘滑轨环28.基盘滑轨环
29.均热板 30.机械臂
图2为本发明基盘承载部整体搬送示意图;
图3为本发明基盘承载部、基盘、卫星盘等部件分解示意图。
图4为基盘、卫星盘分解示意图。
图5为本发明基盘承载部、基盘、卫星盘等部件分解图的截面示意图。
图6为基盘、卫星盘分解图的截面示意图。
图7为机械臂搬入、搬出反应炉腔室示意图。
图8为机械臂形状示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
结合图1、图2,本发明的一种实施方式。一种LED外延片倒置MOCVD反应炉,包括炉体1、固定在炉体顶部的炉盖2,在炉体侧壁上开有过渡口25,过渡口上固定有插板阀26。炉盖冷却水进口4、炉盖冷却水出口11、氢气进口5、连接在炉盖上方,插销装置3,加热器9、隔热板10连接在炉盖下方。旋转轴8通过固定在炉盖上的磁流体7连接伺服电机6及基盘16。炉体1下部连接波纹管24、炉底18,并安装有石英板17、炉底冷却水进口22、炉底冷却水出口20、排气整流罩23、排气口19以及源料气体导入管21。
本实施例中,所述基盘16放置在基盘承载部13,基盘与承载部之间安装有基盘滑轨环28,滑轨环是由上部凸状滑轨、下部凹状滑轨及滚珠组成,能够满足基盘平稳旋转。基盘16上放置卫星盘15,卫星盘上放置外延衬底片12及均热板29,卫星盘与基盘之间安装有卫星盘滑轨环27,使卫星盘能够在其上旋转。卫星盘15上部边缘是锯齿状,能与固定在基盘承载部13上的固定式齿环14啮合,在基盘旋转时,卫星盘也随之自转并围绕基盘轴心公转。
具体操作过程:在外延生长完成后,腔室内抽真空后再通入高纯氮气,当腔室内温度降到200℃时,炉底通过外置气缸牵引缓慢下降,这时波纹管逐展开,当石英板及排气整流罩下降至过渡口下端边缘以下时停止下降,插板阀打开,机械臂伸入反应炉内并与基盘承载部下端接合,这时,炉盖上插销装置收缩,基盘承载部连同基盘、卫星盘由机械臂托举缓慢下降,当基盘承载部可完全通过过渡口时停止下降,机械臂收回至搬运室,并将基盘连同承载部放置在氮气箱内,然后将备用基盘、承载部搬送至反应炉内,机械臂升起,承载部上端插入炉盖凹槽内后,插销装置伸长,将其牢牢固定,机械臂收回搬送室,插板阀关闭,炉底在外置气缸动作下上升至原位置,腔室内抽真空,下一次外应生长开始。
以上所述,为本发明的一般实施案例,并非对本发明作任何限制,凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本发明技术方案的保护范围内。