CN103517497B

CN103517497B - 发光二极管的控制器、发光系统与控制方法

Info

Publication number: CN103517497B
Application number: CN201210210308.XA
Authority: CN
Inventors: 王俊棋
Original assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Current assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date: 2012-06-21
Filing date: 2012-06-21
Publication date: 2016-03-09
Anticipated expiration: 2032-06-21
Also published as: CN103517497A

Abstract

本发明涉及一种发光二极管控制器、发光二极管发光系统和发光二极管控制方法。该发光二极管发光系统提供不受交流电压的变化影响的平均发光强度。发光二极管分成多个电性串联并耦接于电压源与接地端间的发光二极管组。发光二极管控制器包括多个路径开关、管理中心、与线性波形传感器。当输入电压提升时，线性波形传感器用来降低电流的目标值。

Description

发光二极管的控制器、发光系统与控制方法

技术领域

本发明公开一种发光二极管控制器、包括所述发光二极管的发光二极管发光系统、以及相关的发光二极管控制方法。

背景技术

发光二极管具有许多的优点，举例来说，发光二极管的使用寿命可达到五万个小时，且其发光效率为白炽灯泡的十倍或荧光灯的两倍。

发光二极管是一种电流驱动的装置，会被设计为定电流源或可控电流源。如图1所示，其为美国专利案第6,989,807号所示的发光二极管发光系统10的示意图。发光二极管串14包括有多个串联的发光二极管15_a、15_b、15_c，且发光二极管串14耦接于桥式整流器12所提供的电压源，其中桥式整流器12连接于分支电路，且所述分支电路提供交流电压V_AC。发光二极管控制器16感测桥式整流器12所输出的输入电压V_IN，并据以控制电流源18_a、18_b、18_c。感测输入电压V_IN的动作主要目的在于决定发光二极管串14中有多少个发光二极管不会被驱动。因为电流源18_c被关闭，最下游(MostDownstream)的发光二极管15_c不会被驱动。图2与图3各自图标当分支电路提供200伏特的交流电压或100伏特的交流电压来驱动发光二极管发光系统10时的发光强度图表。如图2与图3所示，临界电压V_TH1、V_TH2、V_TH3各自为发光二极管串中仅需开启发光二极管15_a、仅需开启发光二极管15_a与15_b、或需开启发光二极管15_a、15_b、及15_c时的最小电压。当输入电压V_IN逐渐的增加并高于临界电压V_TH1、V_TH2、或V_TH3时，二极管15_a、15_b、及15_c会逐个被开启，相反亦同。图1所图示的每一发光二极管在发光时都会被定电流所驱动。图2与图3中所示阴影面积的上界代表发光二极管发光系统10的发光强度。

然而，由于图2所示的阴影面积较图3所示的阴影面积来的大的缘故，发光二极管发光系统10在图2的状况对应的发光强度相较于图3会来的更高。以发光二极管15_a举例来说，发光二极管15_a在图2的状况会比图3的状况更早被开启却更晚被关闭，且发光二极管15_b与15_c的状况亦如此。当输入电压V_IN的电位越高时，发光二极管串14包括的各发光二极管的开启时间会更长，且发光强度会更高。

发明内容

本发明的目的在于提供不受交流电压的变化影响的平均发光强度。为了达成上述目的，本发明公开了一种发光二极管控制器、发光二极管发光系统、与相关的控制方法。

本发明所公开的发光二极管控制器用来控制多个成串的发光二极管。所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群。所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间。所述发光二极管控制器包括多个路径开关、管理中心、及线性波形传感器。所述多个路径开关的每一路径开关用来将对应的发光二极管群耦接至所述接地端。所述管理中心用来控制所述多个路径开关。当关闭上游路径开关时，所述管理中心控制对应于下游发光二极管群的下游路径开关，以使流经所述上游路径开关的驱动电流实质上接近目标值。所述线性波形传感器耦接于所述电压源，以感测所述电压源的输入电压的波形。当所述输入电压增加时，所述线性波形传感器用来降低所述目标值。

本发明所公开的发光二极管发光系统包括多个成串的发光二极管及发光二极管控制器。所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群。所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间。所述发光二极管控制器包括多个路径开关、管理中心、线性波形传感器、及线性电压感应接脚。多个路径开关的每一路径开关用来将对应的发光二极管群耦接至所述接地端。所述管理中心用来控制所述多个路径开关。当关闭上游路径开关时，所述管理中心控制对应于下游发光二极管群的下游路径开关，以使流经所述上游路径开关的驱动电流实质上接近目标值。所述线性波形传感器耦接于所述电压源，以感测所述电压源的输入电压的波形。当所述输入电压增加时，所述线性波形传感器用来降低所述目标值。

本发明所公开的发光二极管控制方法用来控制多个成串的发光二极管。所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群。所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间。所述发光二极管控制方法包括提供可各自独立将所述多个发光二极管群耦接于所述接地端的多个路径开关；当流经下游路径开关的电流逐渐增加时，逐渐降低流经上游路径开关的电流，以使得流经上游发光二极管群的驱动电流得以实质接近目标值；感测所述电压源的输入电压的波形；及当所述输入电压增加时，降低所述目标值。

附图说明

图1为美国专利案第6,989,807号所示的发光系统的示意图。

图2与图3各自图标当分支电路提供二百伏特或一百伏特的交流电压来驱动图1所示的发光二极管发光系统时的发光强度图表。

图4、图9、图12、图13、图14、图16根据本发明的部分实施例来图示本发明公开的发光二极管发光系统。

图5与图6各自图标当分支电路提供二百伏特或一百伏特的交流电压来驱动图4所示发光二极管发光系统时的发光强度图表。

图7、图8、图10、图11为根据本发明的部分实施例所公开的二线性波型传感器的示意图。

图15图示当图14所示的发光二极管发光系统以提供二百伏特交流电压的分支电路来驱动时，所述发光二极管发光系统的发光强度示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、20、60、80、90、200发光二极管发光系统

12桥式整流器

14发光二极管串

15_a、15_b、15_c发光二极管

16、26、84、94发光二极管控制器

24、24_a凹槽

28、28_a、28_b、62_a、62_b、92线性波形传感器

30、66、85管理中心

32、64、82模式决定器

42、44、46电流镜

86电流传感器

R_X电阻

I_INS感应电流

I_TF1、I_TF2镜像电流

I_SET定电流

IB、IB_a、IB_b、IB_c抬升电流

C_a、C_b、C_c开关控制器

C_PF电容

Z齐纳二极管

V_REF-ORG电压

V_AC交流电压

V_IN输入电压

V_TH1、V_TH2、V_TH3临界电压

N_a、N_b、N_c、CPS接脚

S_a、S_b、S_c路径开关

V_SET电流设定电压

VCS、VCS_a、VCS_b、VCS_c电流感应电压

R_SENSE感应电阻

V_IN-REF参考电压

t₁、t₂时间点

具体实施方式

以下所公开本发明的各实施例足使熟习本发明所属领域的通常知识者得以实施本发明。对于本发明所公开的各实施例所做的各种简单组合与变化，仍应视为本发明的实施例。

在以下说明书中，将会公开本发明多个实施例的特例。然而，这些特例并非实施本发明的唯一方式，为了使本发明的说明书以简洁易懂的方式记载，部分熟习本发明所属领域的通常知识者得以简单转用而产生的实施例将不重复赘述。

图4为根据本发明的部分实施例来图示本发明公开的发光二极管发光系统20。与图1所示的发光二极管发光系统10类似，发光二极管发光系统20包括有发光二极管串14，其中发光二极管串14包括有彼此串联的多个发光二极管15_a、15_b、15_c。发光二极管串14所包括的每一发光二极管代表一个发光二极管群。在本发明的实施例中，所述发光二极管群仅包括有微发光二极管(MicroLED)，而在本发明的部分实施例中，所述发光二极管群包括有多个彼此串联或并联的微发光二极管。在本发明的各实施例中，发光二极管串所包括的发光二极管数目并不限于图4所示的三个。桥式整流器12连接于分支电路，所述分支电路提供交流电压V_AC，并产生输入电压V_IN，以作为发光二极管串14的输入电压源。

在本发明的部分实施例中，发光二极管控制器26可为具有多个接脚的集成电路。发光二极管控制器26的接脚CPS耦接于电阻R_SENSE以感测输入电压V_IN的波形，其中接脚CPS可为定电压感应接脚。接脚N_a、N_b、N_c各自连接于发光二极管15_a、15_b、15_c的阴极，以各自提供独立的传导路径来将电流导引至接地端。发光二极管控制器26另包括路径开关S_a、S_b、与S_c、线性波形传感器(LineWaveformSensor)28、以及管理中心(ManagementCenter)30。

路径开关S_a、S_b、S_c各自控制由接脚N_a、N_b、N_c至接地端的传导路径，并各自被管理中心30所控制。用于路径开关的控制电路彼此类似。以路径开关S_a举例来说，路径控制器C_a可操作于复数种模式的其中一个模式，其中开关控制器C_a在本实施例中可为运算放大器(OperationalAmplifier)，且所述复数种模式可包括但不限于完全开启模式、完全关闭模式、与定电流模式；开关控制器C_a的运作模式受到模式决定器32所发出的信号的控制。当开关控制器C_a被决定运作于定电流模式，开关控制器C_a控制路径开关S_a的阻抗，以使电流感应电压VCS_a逐渐接近电流设定电压V_SET的电位。电流感应电压VCS_a代表流经路径开关S_a的电流的感测结果。当开关控制器C_a被决定操作于完全开启模式时，无论电流感应电压VCS_a的电位高低，路径开关Sa会保持开启而形成短路。而当开关控制C_a被决定操作于完全关闭模式时，无论电流感应电压VCS_a的电位高低，路径开关S_a会保持关闭而形成开路。举例来说，当输入电压V_IN的电位高至足以仅使发光二极管15_a与15_b被开启时，根据电流设定电压V_SET，开关控制器C_a、C_b、C_c可各自操作于完全关闭模式、定电流模式、与完全开启模式，使得流经发光二极管15_a与15_b的电流强度相等，并使得流经发光二极管15_c的电流强度约为零。若稍后输入电压V_IN的电位下降，模式决定器32会发现电流感应电压VCS_b的电压无法增加至接近电流设定电压V_SET的程度，且模式决定器32会各自改变开关控制器C_a与C_b的操作模式为定电流模式与完全开启模式。如此一来，流经发光二极管15_a的电流会对应于电流设定电压V_SET而保持于原值，且流经发光二极管15_b与15_c的电流会为零。反过来说，若稍后输入电压V_IN上升，且电流感应电压VCS_a指示流经发光二极管15_c的电流再也不是零，开关控制器C_b与C_c会被各自切换至完全关闭模式与定电流模式。根据以上的公开，可推知当发光二极管发光时，电流设定电压V_SET实质决定流经所述发光二极管的电流的目标值。

线性波形传感器28用来通过感应电阻R_SENSE感测输入电压V_IN的波形，并根据感测结果提供电流设定电压V_SET。在本发明的实施例中，当输入电压V_IN的电位低于参考电压V_IN-REF时，电流设定电压V_SET约为定电压；且当输入电压V_IN的电位高于参考电压V_IN-REF时，随着输入电压V_IN的电位的增加，电流设定电压V_SET的电位会跟着降低。图5与图6各自图标当分支电路提供200伏特或100伏特的交流电压来驱动发光二极管发光系统20时的发光强度图表。图5与图6所示的临界电压V_TH1、V_TH2、V_TH3与图2与图3所示的状况具有相似的定义。在时间点t₁前，当图5所示的输入电压V_IN低于参考电压V_IN-REF时，在多出下游发光二极管被驱动的情形下，发光二极管发光系统20的发光强度会增加。在时间点t₁与t₂间，当输入电压V_IN超出参考电压V_IN-REF的幅度越大时，电流设定电压V_SET的电位会越低，并使得流经发光二极管15_a、15_b、15_c的目标电流值越低，而造成发光二极管发光系统20的瞬间发光强度越低。如此一来，由于输入电压V_IN在参考电压V_IN-REF上侧形成凸起，会使得图5所示的阴影面积的上界会形成上凹槽24。图6所示输入电压V_IN的波形并未高于参考电压V_IN-REF，因此电流设定电压V_SET不会产生变化，而使得图6所示的波形图与图3所示大致相同。与图2与图3所示相异线性电压会造成相异平均发光亮度(亦即阴影面积的大小)的情形相比，图5所示的凹槽24可使得图5与图6二者所示的阴影面积大小实质相等；换句话说，即使在相异的线性电压下，图5与图6所示的平均发光亮度仍然可以保持为定值。如此一来，当发光二极管串14被不同电位的交流电压V_AC所驱动时，发光二极管串14的消耗功率仍会保持定值。换句话说，发光二极管发光系统20不会受到交流电压在电位上的变化而影响其平均消耗功率的恒定。

图7与图8为根据本发明的部分实施例所公开的二线性波型传感器28_a与28_b的示意图，其中二线性波型传感器28_a与28_b皆可应用于图4所示的发光二极管发光系统20。在图7中，电流镜42约略将最高电压限制于接脚CPS，并将流经感应电阻R_SENSE的感应电流I_INS引导至接脚CPS，以提供镜像电流I_TF1。只有当感应电流I_INS大于定电流I_SET的电流强度时，电流镜44与46会共同运作以提供由输出缓冲器BF汲取而出的镜像电流I_TF2。镜像电流I_TF2亦会流经电阻R_X，且其电流强度由感应电流I_INS所决定，其中电阻R_X连接于输出缓冲器BF与电流镜46间。若输入电压V_IN的电位不足以使镜像电流I_TF1的电流强度高过定电流I_SET时，电流设定电压V_SET将会持续相等于输出缓冲器BF所输出的电压V_REF-ORG；若输入电压V_IN高于参考电压V_IN-REF而使得镜像电流I_TF1的电流强度高于定电流V_SET时，电流设定电压V_SET将会降低其电位。在图7中，参考电压V_IN-REF为决定是否触发电流设定电压V_SET的电位降低的基准，且参考电压V_IN-REF的值可根据感应电阻R_SENSE的电阻值、电流镜42的电流转换比(CurrentRatio)、与定电流I_SET的电流值所设定。在图7中，输入电压V_IN的压降量可通过选择感应电阻R_SENSE的电阻值、电流镜44与46的共同电流转换比、以及电阻R_X的电阻值来设定。在图8中，线性波型传感器28_b使用齐纳二极管(ZenorDiode)Z来实质决定参考电压V_IN-REF的电位，其中线性波型传感器28_b的功能与运作可为熟习本发明所属领域者通过图7的公开而得以轻易推知，故图8中涉及线性波型传感器28_b的功能与运作将不再重复赘述。

如图3、图5、与图6所示的实施例，电流设定电压V_SET根据输入电压V_IN而被调整，使得流经发光二极管15_a、15_b、15_c的电流的目标值可被调整、改变。请参阅图9，其图示根据本发明的实施例所公开的发光二极管发光系统60。发光二极管发光系统60类似于图4所示的发光二极管发光系统20，且包括有模式决定器64与管理中心66，然而发光二极管发光系统60所包括的线性波形传感器62用来感测输入电压V_IN以产生抬升电流(BoostCurrent)IB_a、IB_b、IB_c，其中每一抬升电流用来提高各自对应的电流感应电压，以使得流经路径开关的电流的目标值得以被调整。以路径开关S_b来举例，当输入电压V_IN的电位低于参考电压V_IN-REF时，抬升电流IB_b的电流强度会为零；当开关控制器C_b操作于定电流模式时，开关控制器C_b将会使流经路径开关S_b的电流强度接近电流设定电压V_SET所决定的目标值。当输入电压V_IN的电位高于参考电压V_IN-REF时，抬升电流IB_b将会开始被供应，且流经路径开关S_b的电流的目标值会被降低。图10与图11根据本发明的部分实施例各自图标线性波形传感器62_a与62_b，其中线性波形传感器62_a与62_b皆可被应用于图9所示的发光二极管发光系统60。由于线性波形传感器62_a与62_b的组成与运作方式皆近似于图7与图8所示的线性波形传感器28_a与28_b，故不另在此详加赘述。

图12根据本发明的实施例图标了发光二极管发光系统80。与图4所示的发光二极管控制器26中每一路径开关皆被提供给独立电流传感器的情况不同，图12所示的发光二极管控制器84包括有管理中心85，但仅使川一个电流传感器86，以感测流经所有路径开关的电流的总和。模式决定器82用来决定开关控制器C_a、C_b、C_c的操作模式。在图12所示的实施例中，发光二极管15_b为发光二极管15_c的上游发光二极管(UpstreamLED)与发光二极管15_a的下游发光二极管(DownstreamLED)。在图12中，每一路径开关(亦即路径开关S_a、S_b、或S_c)耦接于对应的发光二极管(亦即发光二极管15_a、15_b、15_c)的阴极与对应的开关控制器(亦即开关控制器C_a、C_b、或C_c)，其中各开关控制器用来控制对应的上游路径开关。在本发明的实施例中，当开关控制器操作于定电流模式时，所述开关控制器所对应的所有上游开关控制器必须操作于完全关闭模式，且所述开关控制器所对应的所有下游开关控制器必须操作于完全开启模式。当输入电压V_IN高至足以仅使发光二极管15_a与15_b开启时，图12中的开关控制器C_a、C_b、C_c会各自操作于完全关闭模式、定电流模式、完全开启模式，以使得流经发光二极管15_a与15_b的电流将会逐渐接近电流设定电压V_SET所对应的目标值，并使得流经发光二极管15_c的电流会约为零。若流经路径开关S_c的电流逐渐增加，则流经路径开关S_b的电流会因为开关控制器C_b的运作而逐渐减少，以使得电流感应电压VCS的值保持接近电流设定电压V_SET的状态。若稍后输入电压V_IN降低其电位，且模式决定器82发现电流感应电压VCS无法增加至接近电流设定电压V_SET时，模式决定器82会将开关控制器C_a与C_b的运作模式各自更改为定电流模式与完全开启模式。反过来说，若稍后输入电压V_IN降低其电位，且模式决定器82发现电流感应电压VCS无法减少至接近电流设定电压V_SET时，开关控制器C_b与C_c会被模式决定器82各自更改其操作模式为完全关闭模式与定电流模式。在流经路径开关S_a、S_b、S_c的电流被电流传感器86所加总且电流感应电压VCS被控制以接近电流设定电压V_SET的前提下，管理中心85可控制流经路径开关S_a、S_b、S_c的电流总和至接近电流设定电压V_SET所对应的目标值的程度。

在图12中，线性波形传感器28可以图7所示的线性波形传感器28_a、图8所示的线性波形传感器28_b、或是其它具有相同功能的组件所替代。当输入电压V_IN高于参考电压V_IN-REF时，线性波形传感器28会调降电流设定电压V_SET，以减少流经每一路径开关的电流的目标值。如此一来，发光二极管发光系统80可持续的在定值平均发光强度下发光，而不受到交流电压变动的干扰。

请参阅图13，其为根据本发明的实施例所公开的发光二极管发光系统90的示意图。在图13中，当输入电压V_IN高于参考电压V_IN-REF时，发光二极管控制器94所包括的线性波形传感器92会提供抬升电流IB，以微幅调升电流感应电压VCS并调降流经每一路径开关的电流的目标值。线性波形传感器92的组成、功能、与运作方式皆可由上述说明而可推知，故不再另行赘述。

即便本发明所公开的发光二极管发光系统可以达成实质稳定的平均发光强度，降低流经路径开关的电流的目标值仍可能会使功率因子(PowerFactor)恶化。图5所示的输入电压V_IN在时间点t₁与t₂间有出现些许与流经路径开关的电流非同相(Outofphase)的现象。通过比较图2与图5可知，图5所川现的凹槽24代表图5的功率因子相较图2来的低的现象。为了减少功率因子带来的影响，根据本发明的实施例与图14所示，本发明公开的发光二极管发光系统100可再加入电容C_PF，其中电容C_PF耦接于接脚CPS与接地端间。即使在图14中，电容C_PF为包括发光二极管控制器26的集成电路的外接组件，然而在本发明的其它实施例中，电容C_PF亦可以与图14一样的方式设置于集成电路内而耦接于发光二极管控制器26，但电容C_PF可内嵌于所述集成电路。图15为图示当图14所示的发光二极管发光系统100以提供200伏特交流电压的分支电路来驱动时，发光二极管发光系统10的发光强度示意图。相较于图5所示的情形，图15中所示的凹槽24_a会被稍往右移而使得凹槽24_a的右缘边界降低，此现象是因使用了电容C_PF的缘故。图15所代表的功率因子可被证明相较于图5来的高。

在前述的各实施例中，感应电阻R_SENSE耦接于接脚CPS与桥式整流器12间，以感测输入电压V_IN的波形。然而，在本发明的其它实施例中，接脚CPS亦可耦接于图4中任何用于驱动发光二极管串14的节点，以感测输入电压V_IN的波形。图16根据本发明的实施例图标发光二极管发光系统200，其与图4所示的发光二极管发光系统20大致相同，但发光二极管发光系统200所包括的感应电阻R_SENSE是耦接于接脚N_a与接脚CPS间。图16所示的发光二极管控制器26间接的通过感应电阻R_SENSE与发光二极管15_a来感测输入电压V_IN。在本发明的其它实施例中，感测电阻R_SENSE可由接脚CPS耦接至接脚N_b或N_c。

根据本发明的部分实施例，线性波形传感器不限于感测流经感应电阻R_SENSE并流入接脚CPS的感应电流I_INS以感测输入电压V_IN的波形，而亦可感测接脚CPS上的电位来决定流经发光二极管串的电流的目标值。

请注意，将本发明上述所公开的各实施例加以进行简单组合与变化(例如数量上的变化)所衍生的各种实施例，仍应视为本发明的实施例。

根据本发明上列之叙述与本发明之部份实施例，本发明得以揭露一种发光二极管控制方法，用来控制多个成串的发光二极管。所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群，且所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间。在所述实施例中，所述发光二极管控制方法的特征至少包括提供可各自独立将所述多个发光二极管群耦接于所述接地端的多个路径开关；当流经下游路径开关的电流逐渐增加时，逐渐降低流经上游路径开关的电流，以使得流经上游发光二极管群的驱动电流得以实质接近目标值；感测所述电压源的输入电压的波形；及当所述输入电压增加时，降低所述目标值。

在本发明的部份实施例中，所述发光二极管控制方法的特征另包括产生感应电流，所述感应电流流经感应电阻，且所述感应电阻耦接于所述电压源；及根据所述感应电流，调整所述目标值。

在本发明的部份实施例中，所述发光二极管控制方法的特征另包括提供开关控制器，用来控制所述多个路径开关的每一路径开关，其中所述开关控制器包括二输入端，所述二输入端用来输入电流感应电压与电流设定电压；及根据所述输入电压，调整所述电流感应电压或所述电流设定电压，以调整所述目标值。

在本发明的部份实施例中，所述发光二极管控制方法的特征另包括将感应电阻耦接于所述电压源与线性波形传感器间，其中所述线性波形传感器用来控制所述目标值；及将电容耦接于所述感应电阻与所述接地端间。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种发光二极管控制器，用来控制多个成串的发光二极管，其中所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群，且所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间，其特征在于，包括：

多个路径开关，每一路径开关用来将对应的发光二极管群耦接至所述接地端；

管理中心，用来控制所述多个路径开关，其中当关闭上游路径开关时，所述管理中心控制对应于下游发光二极管群的下游路径开关，以使流经所述上游路径开关的驱动电流实质上接近目标值；

定电压感应接脚；

线性波形传感器，通过所述定电压感应接脚耦接于所述电压源，以感测流入所述定电压感应接脚的感应电流以感测所述电压源的输入电压的波形，以根据所述电压源的所述输入电压的波形决定所述目标值；及

参考电压源，用来提供参考电压；

其中所述发光二极管控制器通过感应电阻耦接于所述电压源，所述感应电流流经所述感应电阻，且当所述输入电压高于所述参考电压时，所述线性波形传感器用来降低所述目标值。

2.如权利要求1所述的发光二极管控制器，其特征在于：

所述管理中心感测流经所述多个路径开关的每一路径开关的电流，以控制所述每一路径开关。

3.如权利要求1所述的发光二极管控制器，其特征在于：

所述管理中心控制所述多个路径开关，以使得流经所述多个路径开关的电流的总和电流得以接近所述目标值。

4.如权利要求1所述的发光二极管控制器，其特征在于：

当上游路径开关被完全关闭且下游路径开关被完全开启时，路径开关被调整。

5.如权利要求1所述的发光二极管控制器，其特征在于：

所述发光二极管控制器位于集成电路内。

6.如权利要求1所述的发光二极管控制器，其特征在于：

所述发光二极管控制器位于集成电路内，所述集成电路包括有线性电压接脚，所述线性波形传感器通过所述线性电压直接或非直接地耦接于所述电压源，且所述线性波形传感器感测流入所述线性电压接脚的感应电流，以决定所述目标值。

7.一种发光二极管发光系统，其特征在于，包括：

多个成串的发光二极管，其中所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群，且所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间；

发光二极管控制器，包括：

参考电压源，用来提供参考电压；

线性波形传感器，耦接于所述电压源，以根据感测电流感测所述电压源的输入电压的波形，其中当所述输入电压高于所述参考电压时，所述线性波形传感器用来降低所述目标值；及

定电压感应接脚，耦接于所述线性波形传感器；及

感应电阻；

其中所述线性波形传感器通过所述定电压感应接脚及所述感应电阻耦接于所述电压源，所述感应电流流经所述感应电阻流入至所述定电压感应接脚。

8.如权利要求7所述的发光二极管发光系统，其特征在于：

9.如权利要求7所述的发光二极管发光系统，其特征在于：

10.如权利要求7所述的发光二极管发光系统，其特征在于：

所述发光二极管控制器另包括：

电流传感器，耦接于所述多个路径开关的路径开关与所述接地端间，用来提供电流感应电压，所述电流感应电压实质代表流经所述多个发光二极管群的至少一个发光二极管群的电流；

其中所述电流感应电压根据所述感应电流而被调整。

11.如权利要求7所述的发光二极管发光系统，其特征在于：

所述感应电阻耦接于所述定电压感应接脚与节点之间，且所述多个发光二极管群中至少一发光二极管群耦接于所述节点及所述电压源之间。

12.如权利要求11所述的发光二极管发光系统，其特征在于：

所述发光二极管发光系统另包括：

电容，耦接于所述定电压感应接脚与所述接地端间。

13.一种发光二极管控制方法，用来控制多个成串的发光二极管，其中所述多个成串的发光二极管分为多个发光二极管群，且所述多个发光二极管群彼此电性串联于电压源与接地端间，所述发光二极管控制方法其特征在于，包括：

提供可各自独立将所述多个发光二极管群耦接于所述接地端的多个路径开关；

当流经下游路径开关的电流逐渐增加时，逐渐降低流经上游路径开关的电流，以使得流经上游发光二极管群的驱动电流得以实质接近目标值；

根据流经耦接于所述电压源的感应电阻的感应电流感测所述电压源的输入电压的波形；及

当所述输入电压高于参考电压源提供的参考电压时，根据所述感应电流调整所述目标值以降低所述目标值。

14.如权利要求13所述的发光二极管控制方法，其特征在于，所述发光二极管控制方法另包括：

提供开关控制器，用来控制所述多个路径开关的每一路径开关，其中所述开关控制器包括二输入端，所述二输入端用来输入电流感应电压与电流设定电压；及

根据所述输入电压，调整所述电流感应电压或所述电流设定电压，以调整所述目标值。

15.如权利要求13所述的发光二极管控制方法，其特征在于，所述发光二极管控制方法另包括：

将电容耦接于所述感应电阻与所述接地端间；

其中所述感应电阻耦接于所述电压源及用以控制所述目标值的线性波形传感器。