CN103515926A - 反时限型过电压保护装置 - Google Patents

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CN103515926A
CN103515926A CN201310495194.2A CN201310495194A CN103515926A CN 103515926 A CN103515926 A CN 103515926A CN 201310495194 A CN201310495194 A CN 201310495194A CN 103515926 A CN103515926 A CN 103515926A
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朱荣惠
徐荣灿
张松建
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Abstract

本发明涉及一种过电压保护装置，尤其是涉及反时限型过电压保护装置，包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分，MCU控制部分，对电压采样部分输入的直流电压进行采样，并判断是否过压，如果过压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短，然后输出高电平；本发明提供的反时限型过电压保护装置，利用MCU控制部分进行AD采样，通过AD值判断电路是否过压，对于过压的情况算出电源电压，通过判断过电压的值，来确定延时时间的长短软件控制，实现了不同过电压情况下的开关动作延时的不同，电压越高，开关动作时间越短。

Description

反时限型过电压保护装置
技术领域
本发明涉及一种过电压保护装置，尤其是涉及反时限型过电压保护装置。 
背景技术
目前市场上过电压保护装置功能比较单一，设定在一个电压情况下进行过压保护，开关动作延时相同，现有少部分反时限型过压保护装置，为了实现多种延时，对每一个过压值设置一路延时电路，电路复杂成本高。 
发明内容
针对上述的问题，本发明提供一种电路简单并具有反时限功能的过电压保护装置，具体的技术方案为: 
反时限型过电压保护装置，包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分，其中：
整流部分，将被保护电路的交流电变成直流电压；
电源部分，将整流部分输入的直流电压减压成5V直流电平，为MCU控制部分提供工作电压；
电压采样部分，将整流部分输入的直流电压进行分压产生稳定的直流电压供MCU控制部分采样；
MCU控制部分，对电压采样部分输入的直流电压进行采样，并判断是否过压，如果过压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短，然后输出高电平；
可控硅开关部分，MCU控制部分输出高电平，使可控硅导通，触发开关断电。
优化设计为，所述的MCU控制部分，对电压采样部分输入的直流电压进行采样，并通过AD转换，将直流电压转换成数AD值，根据AD值判断是否过压，如果过压，通过AD值计算出被保护电路的电源电压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短，然后输出高电平。 
所述的电压采样部分依次包括降压电阻、调整电阻及其稳压电容。 
本发明提供的反时限型过电压保护装置，利用MCU控制部分进行AD采样，通过AD值判断电路是否过压，对于过压的情况算出电源电压，通过判断过电压的值，来确定延时时间的长短软件控制，实现了不同过电压情况下的开关动作延时的不同，电压越高，开关动作时间越短。 
附图说明
图1为本发明的电路原理图； 
图2为本发明MCU控制部分判断流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。 
如图1所示，包括整流部分100、电源部分200、电压采样部分300、MCU控制部分400和可控硅开关部分500； 
整流部分100接入被保护电路电源的输入端L和N端，交流电压经整流桥DB1整流后，得到直流电压；
电源部分200，将整流部分100输入的直流电压依次经过R1、R2、R3、R4、R5、R6降压电阻、5.1V稳压管ZD1及与ZD1并联的滤波电容C1，得到稳定的5V直流电平VCC，该电压VCC给MCU控制部分400提供工作电压；
电压采样部分300，将整流部分100输入的直流电压经过降压电阻R7、R8进行分压产生0-1.1V之间的电压，经过整电阻R9后，由稳压电容C2对电压滤波产生稳定的0-1.1V的直流电压供MCU控制部分400采样；
MCU控制部分400，MCU控制部分400使用了ATTINY13A单片机，内部集成了10位AD转换单元，及1.1V参考电压，如图2所示，ATTINY13A单片机对电压采样部分300输入的0-1.1V的直流电压进行采样，并通过AD转换，将直流电压转换成数AD值，根据AD值判断是否过压，如果过压，通过AD值计算出被保护电路的电源电压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短；具体的，MCU控制部分400根据AD值查表得到延时值，具体见下表1，然后输出高电平；
表1
电源电压 275V 300V 350V 400V
AD值 688 750 875 1000
延时值 9S 3S 0.5S 0.14S
可控硅开关部分500，当MCU控制部分400输出高电平，高电平经过限流电阻R10到达可控硅Q1控制极，使可控硅Q1导通，电磁铁DCT得电吸合，撞针击发脱扣装置使开关跳闸。

Claims (3)

1.反时限型过电压保护装置，其特征在于：包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分，其中，
整流部分，将被保护电路的交流电变成直流电压；
电源部分，将整流部分输入的直流电压减压成5V直流电平，为MCU控制部分提供工作电压；
电压采样部分，将整流部分输入的直流电压进行分压产生稳定的直流电压供MCU控制部分采样；
MCU控制部分，对电压采样部分输入的直流电压进行采样，并判断是否过压，如果过压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短，然后输出高电平；
可控硅开关部分，MCU控制部分输出高电平，使可控硅导通，触发开关断电。
2.根据权利要求1所述的反时限型过电压保护装置，其特征在于：所述的MCU控制部分，对电压采样部分输入的直流电压进行采样，并通过AD转换，将直流电压转换成数AD值，根据AD值判断是否过压，如果过压，通过AD值计算出被保护电路的电源电压，再根据过压值的过压范围，确定延时时间，电压越高，延时越短，然后输出高电平。
3.根据权利要求1或2所述的反时限型过电压保护装置，其特征在于：所述的电压采样部分依次包括降压电阻、调整电阻及其稳压电容。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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