CN103515479A - 用于处理半导体组件的方法 - Google Patents

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Abstract

呈现用于处理半导体组件的方法。该方法包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。该半导体组件包括设置在支撑物上的半导体层，并且该半导体层包括镉和硫。

Description

用于处理半导体组件的方法
技术领域
本发明大体上涉及处理半导体组件的方法。更特定地，本发明涉及处理包括镉和硫的半导体层的方法。
背景技术
薄膜太阳能电池或光伏器件典型地包括多个设置在透明衬底上的半导体层，其中一层充当窗口层，并且第二层充当吸收体层。该窗口层允许太阳辐射穿透到该吸收体层，其中光能被转换成可用的电能。窗口层结合吸收体层进一步起到形成异质结（p-n结）的作用。窗口层可取地足够薄并且具有足够宽的带隙（2.4eV或以上）使最大可用光透射直至吸收体层。基于碲化镉/硫化镉（CdTe/CdS）和硒化铜铟镓/硫化镉（CIGS/CdS）异质结的光伏电池是薄膜太阳能电池的示例，其中CdS起到窗口层的作用。
然而，薄膜光伏器件可由于窗口层中光子的损失和/或p-n结处差的电荷收集而遭受性能降低。从而，通过提高窗口层质量来增加窗口层的光透射和/或提高结性能，这可是可取的。
发明内容
包括本发明的实施例来满足这些和其他需要。一个实施例是方法。该方法包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。该半导体器件包括设置在支撑物上的半导体层，并且该半导体层包括镉和硫。
一个实施例是方法。该方法包括通过物理气相沉积在支撑物上设置透明层来形成半导体组件，其中该半导体层包括镉和硫。该方法进一步包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。
一个实施例是方法。该方法包括将透明层设置在支撑物上并且通过溅射将半导体层设置在该透明层上来形成半导体组件，其中该半导体层包括镉和硫。该方法进一步包括在约500摄氏度至约700摄氏度的范围内的温度并且在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。该方法进一步包括将吸收体层设置在半导体层上，以及将背接触层设置在吸收体层上。 
根据本公开的实施例，提供一种方法，包括：在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件，其中所述半导体组件包括设置在支撑物上的半导体层，并且其中所述半导体层包括镉和硫。
根据一个示例，在大于大约100托的压强进行所述热处理。
根据一个示例，在大约50托至大约10Atm的范围内的压强进行所述热处理。
根据一个示例，热处理所述半导体组件包括在大约500摄氏度至大约700摄氏度的范围内的温度加热所述半导体组件。
根据一个示例，持续大约2分钟至大约40分钟的范围内的时段进行所述热处理。
根据一个示例，所述非氧化气氛包括惰性气体。
根据一个示例，所述非氧化气氛包括氮气、氩气或其组合。
根据一个示例，用包括镉、硫或其组合的过压气相进行所述热处理。
根据一个示例，方法进一步包括通过物理气相沉积将所述半导体层设置在所述支撑物上来形成所述半导体组件。
根据一个示例，方法进一步包括通过溅射将所述半导体层设置在所述支撑物上来形成所述半导体组件。
根据一个示例，所述半导体层包括硫化镉、含氧硫化镉或其组合。
根据一个示例，所述半导体层包括含氧硫化镉，其具有在大约1重量百分比至大约15重量百分比的范围内的氧含量。
根据一个示例，所述半导体组件进一步包括插入所述支撑物与所述半导体层之间的透明层。
根据一个示例，所述透明层包括氧化镉锡、氧化铟锡、氧化锌锡、掺氟氧化锡、掺铟氧化镉、掺铝氧化锌、氧化铟锌或其组合。
根据一个示例，方法进一步包括设置在所述透明层上的缓冲层。
根据一个示例，所述缓冲层包括二氧化锡、氧化锌锡、氧化锌、氧化铟、锡酸锌、氧化镉镁、氧化镓或其组合。
根据一个示例，所述半导体组件进一步包括设置在所述支撑物上的背接触层，和插入所述背接触层与所述半导体层之间的吸收体层。
根据一个示例，所述吸收体层包括碲化镉、碲化镉锌、碲化镉硫、碲化镉锰、碲化镉镁、硫化铜铟、硒化铜铟镓、硫化铜铟镓或其组合。
根据本公开另一实施例，提供一种方法，包括：通过物理气相沉积在支撑物上设置半导体层来形成半导体组件，其中所述半导体层包括镉和硫；以及在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理所述半导体组件。
根据本公开另一实施例，提供一种方法，包括：将透明层设置在支撑物上；通过溅射将半导体层设置在所述透明层上来形成半导体组件，其中所述半导体层包括镉和硫；在大约500摄氏度至大约700摄氏度范围内的温度并且在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理所述半导体组件；将吸收体层设置在所述半导体层上；以及将背接触层设置在所述吸收体层上。
附图说明
当参考附图阅读下列详细说明时，本发明的这些和其他特征、方面和优势将变得更好理解，其中：
图1是根据本发明的一个实施例的半导体组件的示意图。
图2是根据本发明的一个实施例的半导体组件的示意图。
图3是根据本发明的一个实施例的半导体组件的示意图。
图4是根据本发明的一个实施例的光伏器件的示意图。
图5是根据本发明的一个实施例的光伏器件的示意图。
图6A是使用经历退火步骤或不退火的CdS的光伏器件的归一化电池效率的盒形图。
图6B是使用经历退火步骤或不退火的CdS的光伏器件的归一化开路电压VOC的盒形图。
图6C是使用经历退火步骤或不退火的CdS的光伏器件的归一化短路电流JSC的盒形图。
图6D是使用经历退火步骤或不退火的CdS的光伏器件的归一化填充因子FF的盒形图。
图7A是使用在不同的压强经历退火的CdS的光伏器件的归一化电池效率的盒形图。
图7B是使用在不同的压强经历退火的CdS的光伏器件的归一化开路电压VOC的盒形图。
图7C是使用在不同的压强经历退火的CdS的光伏器件的归一化短路电流JSC的盒形图。
图7D是使用在不同的压强经历退火的CdS的光伏器件的归一化填充因子FF的盒形图。
Figure 528652DEST_PATH_IMAGE001
具体实施方式
如在下文详细论述的，本发明的实施例中的一些涉及用于处理包括半导体层的半导体组件的方法。更特定地，本发明的实施例中的一些涉及用于处理基于硫化镉（CdS）的半导体层（用作薄膜光伏器件中的窗口层）的方法。
在下列说明书和权利要求书中，单数形式“一”和“该”包括复数个指代物，除非上下文清楚地另外指出。如本文使用的，术语“或”并不意味着排他性的，而是指存在引用部件（例如，层）中的至少一个并且包括其中可存在引用部件的组合的实例，除非上下文清楚地另外指出。
如在本文中在整个说明书和权利要求书中使用的近似语言可应用于修饰任何定量表示，其可以获准地改变而不引起它与之有关的基本功能中的变化。因此，由例如“大约”和“大致上”等术语修饰的值不限于规定的精确值。在一些实例中，该近似语言可对应于用于测量该值的仪器的精确度。在这里并且在整个说明书和权利要求中，范围极限可以组合和/或互换，这样的范围被识别并且包括其中所包含的所有子范围，除非上下文或语言另外指出。
如本文使用的术语“透明区域”和“透明层”指允许入射电磁辐射平均透射至少70%的区域或层，该电磁辐射具有在大约350nm至大约850nm的范围中的波长。
如本文使用的，术语“设置在…上”指层直接互相接触地设置或通过在其之间具有插入层而间接设置，除非另外具体指出。如本文使用的术语“相邻”意指接邻地设置两个层并且它们互相直接接触。
在本公开中，当层描述为在另一层或衬底“上”时，要理解这些层可以互相直接接触或在这些层之间具有一个（或多个）层或特征。此外，术语“在…上”描述这些层相对于彼此的位置并且不一定意指“在…顶部”，这是因为上面或下面的相对位置取决于器件对于观看者的取向。此外，使用“顶部”、“底部”、“上面”、“下面”和这些术语的变化形式是为了方便，并且不需要部件的任何特定取向，除非另外规定。
如在下文详细论述的，本发明的一些实施例针对处理半导体组件100的方法。参考图1-5描述该方法。在一些实施例中，该方法包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件100。
如本文使用的术语“半导体组件”指设置在支撑物上的一个或多个层的组件，其中这些层中的至少一个包括半导体层。如指出的，例如在图1中，半导体组件100包括设置在支撑物110上的半导体层120。在一些实施例中，如指出的，例如在图2和3中，一个或多个中间层（112，114，150或130）可进一步插入支撑物110与半导体层120之间。如本文使用的术语“半导体层”指包括半导体材料的层。
在一些实施例中，半导体层120包括镉和硫。在一些实施例中，半导体层120包括硫化镉、含氧硫化镉或其组合。在一些实施例中，半导体层120包括含氧硫化镉，其具有在大约1（重量百分）比至大约25（重量百分比）的范围内的氧含量。在特定的实施例中，半导体层120包括含氧硫化镉，其具有在大约1（重量百分比）至大约15（重量百分比）的范围内的氧含量。在特定的实施例中，半导体层120包括含氧硫化镉，其具有在大约1（重量百分比）至大约10（重量百分比）的范围内的氧含量。
在一些实施例中，可预制半导体组件。在一些其他实施例中，方法可进一步包括将半导体层120设置在支撑物110上的步骤。在一些实施例中，方法包括通过例如物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）、化学浴沉积（CBD）、电化学沉积（ECD）、化学气相沉积（CVD）和近空间升华（CSS）等适合的沉积技术将半导体层120设置在支撑物110上的步骤。在特定的实施例中，方法包括通过物理气相沉积将半导体层120设置在支撑物110上的步骤。在特定的实施例中，方法包括通过溅射将半导体层120设置在支撑物110上的步骤。
如之前指出的，方法进一步包括在非氧化气氛中热处理半导体组件100的步骤。在一些实施例中，组件100的热处理包括在压强条件下在处理温度并且持续足够时段加热组件100来允许形成具有期望的电和光特性的半导体层。
如本文使用的术语“非氧化气氛”指大致上没有氧化剂的热处理的气氛。氧化剂的非限制性示例包括氧气、水蒸气和氧化亚氮。如本文使用的术语“大致上没有”意指退火气氛典型地可包括氧化剂的杂质水平（小于大约百万分之100），并且不包括任何故意添加的氧化剂。在一些实施例中，非氧化气氛大致上没有氧。在一些实施例中，非氧化气氛中的氧分压小于大约0.1托。在一些实施例中，非氧化气氛中的氧分压小于大约0.01托。如本文使用的术语“分压”指如果气体混合物中气体（例如，氧气）独自占据由混合物占据的整个体积则它将施加的压强。
在一些实施例中，非氧化气氛包括惰性气体。如本文使用的术语“惰性气体”指在一组给定条件（例如，热处理条件）下不经历与半导体材料的化学反应的气体。在特定实施例中，非氧化气氛包括氮气、氩气或其组合。
在一些实施例中，在使得半导体层120的一个或多个组成的升华在热处理步骤期间被最小化的压强进行热处理。在一些实施例中，在大于大约10托的压强进行热处理。在一些实施例中，在大于大约100托的压强进行热处理。在一些实施例中，在大约50托至大约10Atm的范围内的压强进行热处理。在特定实施例中，在大约100托至大约2Atm的范围内的压强进行热处理。
在一些实施例中，方法可进一步包括应用半导体层120的一个或多个组成材料的过压的步骤。如本文使用的术语“过压”指大于在给定条件热力学限定的平衡压强的压强。应该注意，非氧化气氛可包括因热过程期间的升华引起的少量气相半导体层组成材料。本文描述的术语“过压”指除了因升华的组成材料产生的气相压强外的气相压强。
在一些实施例中，用包括镉、硫或者组合的气相过压进行热处理。在这样的实施例中，方法可进一步包括向非氧化气氛提供气相镉、硫或其组合的步骤。在特定的实施例中，非氧化气氛进一步包括过压气相硫。
在一些实施例中，热处理半导体组件100包括在大约500摄氏度至大约750摄氏度的范围内的温度加热半导体组件100。在一些实施例中，热处理半导体组件100包括在大约500摄氏度至大约700摄氏度的范围内的温度加热半导体组件100。在一些实施例中，热处理半导体组件100包括在大约550摄氏度至大约700摄氏度的范围内的温度加热半导体组件100。
在一些实施例中，持续大约2分钟至大约40分钟范围内的时段进行热处理。在一些实施例中，持续大约5分钟至大约20分钟范围内的时段进行热处理。
在一些实施例中，本文描述的方法可有利地提供半导体层的退火来使半导体层再结晶同时使在热处理步骤期间组成材料的升华最小化。在不受任何理论束缚的情况下，认为方法可有利地提供具有起到光伏器件中的窗口层作用的期望光和电特性的结晶半导体层。如本文使用的术语“窗口层”指大致上透明并且能够形成与吸收体层的异质结的半导体层。
在一个实施例中，方法包括通过物理气相沉积将半导体层120设置在支撑物110上来形成半导体组件110，其中该半导体层120包括镉和硫。方法进一步包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件100。
如在下文详细描述的，本发明的一些实施例针对制造光伏器件200或其部件的方法。参考图2-5，在一些实施例中，半导体组件100包括设置在支撑物110与半导体层120之间的一个或多个中间层（例如，112、114、130、150）。在一些实施例中，方法包括在设置半导体层120的步骤之前将一个或多个中间层设置在支撑物110与半导体层120之间。
在一些实施例中，半导体组件100适合于“顶衬”配置层的光伏器件。在这样的实施例中，半导体组件100进一步包括插入支撑物110与半导体层120之间的透明层112。如在图4中进一步图示的，在这样的实施例中，太阳辐射10从支撑物110进入并且之后经过透明层112以及半导体层（在本领域内有时称为窗口层）120，可进入吸收体层130，其中发生入射光（例如，太阳光）的电磁能转换成电子-空穴对（即，自由电荷）的转换。
在一些实施例中，半导体层120直接设置在透明层112上。在备选实施例中，额外的缓冲层114插入透明层112与半导体层120之间，如在图2和4中指示的。
在一些实施例中，支撑物110在期望透射通过支撑物110的波长范围内是透明的。在一些实施例中，支撑物110可对于具有在大约400nm至1000nm的范围内的波长的可见光是透明的。在一些实施例中，支撑物110包括能够承受大于大约600℃的热处理温度的材料，例如硅石或硼硅酸盐玻璃。在一些其他实施例中，支撑物110包括具有低于600℃的软化温度的材料，例如钠钙玻璃或聚酰亚胺。在一些实施例中，某些其他层可设置在透明层112与支撑物110之间，例如抗反射层或阻挡层（未示出）。
在一些实施例中，透明层112包括透明传导氧化物（TCO）。透明传导氧化物的非限制性示例包括氧化镉锡（CTO）、氧化铟锡（ITO）、掺氟氧化锡（SnO：F或FTO）、掺铟氧化镉、锡酸镉（Cd2SnO4或CTO）、掺杂氧化锌（ZnO）（例如掺铝氧化锌（ZnO：Al或AZO））、氧化铟锌（IZO）以及氧化锌锡（ZnSnOx）、氧化镉镁、氧化镓或其组合。对于缓冲层114的适合材料的非限制性示例包括二氧化锡（SnO2）、氧化锌锡（ZTO）、掺锌的氧化锡（SnO2:Zn）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）或其组合。
再次参考图2和4，在一些实施例中，方法可进一步包括通过例如溅射、化学气相沉积、旋涂、喷涂或浸涂等任何适合的技术将透明层112设置在支撑物110上。参考图2，在一些实施例中，可选的缓冲层114可使用溅射沉积在透明层112上。半导体层120然后可使用如之前描述的适合技术、接着是热处理步骤而沉积在透明层112上。
在一个实施例中，方法进一步包括在热处理步骤后将吸收体层130设置在半导体层120上的步骤，如在图4中指示的。如本文使用的术语“吸收体层”指其中吸收太阳辐射的半导体层。在一个实施例中，光伏材料用于形成吸收体层130。适合的光敏材料包括碲化镉（CdTe）、碲化镉锌（CdZnTe）、碲化镉镁（CdMgTe）、碲化镉锰（CdMnTe）、碲化镉硫（CdSTe），碲化锌（ZnTe）、二硫化铜铟（CIS）、二硒化铜铟（CISe）、硫化铜铟镓（CIGS）、二硒化铜铟镓（CIGSe）、铜铟镓硫硒（CIGSSe）、铜铟镓铝硫硒（Cu(In,Ga,Al)(S,Se)2）、硫化铜锌锡（CZTS）或其组合。上文提到的光敏半导体材料可独自或组合使用。此外，这些材料可在超过一个层中存在，每个层具有不同类型的光敏材料或具有分开的层中的材料的组合。在某些实施例中，吸收体层130包括碲化镉（CdTe）。
在一些实施例中，吸收体层130可使用例如近空间升华（CSS）、气相传输沉积（VTD）、离子辅助物理气相沉积（IAPVD）、大气等离子体化学气相沉积（APCVD）射频或脉冲磁控溅射（RFS或PMS）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或电化学沉积（ECD）等适合的方法而沉积。
在一些实施例中，半导体（窗口）层120和吸收体层130可用p型掺杂剂或n型掺杂剂掺杂来形成异质结。在一些实施例中，半导体（窗口）层120包括n型半导体材料。在这样的实施例中，吸收体层130可掺杂为p型来形成“n-p”异质结。在一些实施例中，半导体（窗口）层120可掺杂为n型并且吸收体层130可掺杂成使得它使用吸收体层130的背侧上的p+半导体层而有效地形成n-i-p配置。
在一些实施例中，如在图4中指示的，方法进一步包括将p+型半导体层140设置在吸收体层130上。在一些实施例中，方法进一步包括将背接触层150设置在吸收体层130上。如本文使用的术语“p+型半导体层”指与吸收体层130中的p型电荷载流子或空穴密度相比具有过多的移动p型载流子或空穴密度的半导体层。在一些实施例中，p+型半导体层具有在大于大约每立方厘米1x1016的范围内的p型载流子密度。在一些实施例中，p+型半导体层140可用作吸收体层130与背接触层150之间的界面。 
在一些实施例中，p+型半导体层140包括重掺杂的p型材料，其包括非晶Si:H、非晶SiC:H、结晶Si、微晶Si:H、微晶SiGe:H、非晶SiGe:H、非晶Ge、微晶Ge、GaAs、BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS、LaCuOSe、LaCuOTe、LaSrCuOS、LaCuOSe0.6Te0.4、BiCuOSe、BiCaCuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、Sr2Cu2ZnO2S2、Sr2CuGaO3S、(Zn,Co,Ni)Ox或其组合。在另一个实施例中，p+型半导体层140包括重掺杂p+掺杂材料，其包括碲化锌、碲化镁、碲化锰、碲化铍、碲化汞、碲化砷、碲化锑、碲化铜或其组合。在一些实施例中，p+掺杂材料进一步包括掺杂剂，其包括铜、金、氮、磷、锑、砷、银、铋、硫、钠或其组合。
在一些实施例中，背接触层150直接设置在吸收体层130（未示出）上。在一些其他实施例中，背接触层150设置在p+型半导体层140（其设置在吸收体层130上）上，如在图4中指示的。在一个实施例中，背接触层150包括金、铂、钼、钨、钽、钯、铝、铬、镍或银。在某些实施例中，例如铝的另一个金属层（没有示出）可设置在该金属层150上来提供到外部电路的横向传导。
再次参考图4，在一个实施例中，p+型半导体层140可通过使用任何适合的技术（例如PECVD）来沉积p+型材料而进一步设置在吸收体层130上。在备选实施例中，p+型半导体层140可通过化学处理吸收体层130来增加吸收体层130的背侧（与金属层接触并且与窗口层相对的侧）上的载流子密度而设置在吸收体层130上。在一些实施例中，光伏器件200可通过将背接触层（例如，金属层150）沉积在p+型半导体层140上而完成。吸收体层130、背接触层150或p+型层14（可选）中的一个或多个可在沉积后进一步被加热或接着处理（例如，退火）来制造光伏器件100。
在一个示范性实施例中，方法包括通过溅射将透明层112设置在支撑物110上并且将半导体层120设置在透明层112上来形成半导体组件100，其中半导体层120包括镉和硫。方法进一步包括在大约500摄氏度至大约700摄氏度的范围内的温度并且在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件100。方法进一步包括将吸收体层130设置在半导体层120上，并且将背接触层150设置在吸收体层130上。
在备选实施例（如在图3和5中图示的）中，呈现适合于光伏器件200（其包括“顶衬”配置）的处理半导体组件100的方法。 在这样的实施例（如在图3和5中图示的）中，半导体组件100包括设置在支撑物160上的背接触层150。吸收体层130进一步插入背接触层150与半导体层120之间。在这样的实施例中，方法可进一步包括热处理半导体组件100，接着是将透明层112设置在半导体层120上的步骤，如在图5中指示的。
如在图5中图示的，在这样的实施例中，太阳辐射10从透明层112进入并且之后经过半导体层120，进入吸收体层130，其中发生入射光（例如，太阳光）的电磁能转换成电子-空穴对（例如，自由电荷）。
在一些实施例中，在图3和5中图示的层（例如，支撑物110、透明层112、半导体层110、吸收体层130和背接触层150）的组成和沉积方法可具有与对于顶衬配置在上文在图2和4中描述的相同的组成和沉积方法。
 
示例
示例1  CdS/ZnO/FTO/玻璃样品的制备
包括含氧CdS（CdS:O（5%O））的多层样品（样品1）通过将氧化镉锡（CTO）沉积在玻璃支撑物上、接着将氧化锌锡（ZTO）层沉积在CTO上来制备。然后通过DC溅射将硫化镉（在CdS层中5摩尔%氧）沉积在ZTO层上。
 
示例2  CdS/ZnO/FTO/玻璃样品的退火
在示例1中制备的多层样品（半导体组件100）在630℃持续10分钟地以100托在氮气（N2）气氛中经历退火步骤（样品2a）。在示例1中制备的多层样品（其未经历退火步骤）还用作比较样品（样品2b）。通过沉积碲化镉（CdTe）层并且在退火CdS:O层上形成背接触来完成光伏电池。
图6A示出具有在大约100托压强退火的CdS膜的电池（样品2a）的电池效率，其超过具有未退火的CdS的电池（样品2b）的效率（增加3%以上）。相似地，图6B、6C和6D示出高压（>10托）退火对具有退火CdS的电池的开路电压VOC、短路电流JSC和填充因子FF的正面影响（相对于具有未退火CdS的电池）。
 
示例3  在不同压强的CdS/ZnO/FTO/玻璃样品的退火
在示例1中制备的多层样品（半导体组件100）在三个不同压强在氮气（N2）气氛中在630℃持续10分钟地经历退火步骤：10托（样品3a）、100托（样品3b）和400托（样品3c）。通过沉积碲化镉（CdTe）层并且在退火CdS:O层上形成背接触来完成光伏电池。
图7A示出退火压强对电池的电池效率的影响。相似地，相图7B、7C和7D示出高压（>10托）退火对具有退火CdS的电池的开路电压VOC、短路电流JSC和填充因子FF的正面影响（相对于在10托压强退火的电池）。
在不受任何理论束缚的情况下，认为通过在高压（>10托）热处理半导体组件100，半导体材料（例如，CdS）的蒸汽压可维持在半导体层120的表面附近，并且从而半导体材料的升华可减少。从而，上文的高压热处理便于在高压处理半导体层120。这些相对高温热退火可更好地使半导体层120再结晶。在不受特定理论束缚的情况下，认为上文描述的热处理可修改半导体层120的微结构和光透射，以及改善半导体层120与吸收体层（例如，CdTe）130之间的界面。如在上文参考图6A论述的，热处理的半导体层120与未退火的半导体层相比可导致相对高效率的电池。
附上的权利要求意在如它已经设想的那样宽泛地要求保护本发明并且本文呈现的示例说明从所有可能实施例的集合中选择的实施例。因此，申请者的意图是附上的权利要求不受到用于说明本发明的特征的示例选择的限制。如在权利要求中使用的，词“包括”和它在逻辑上的语法变化形式还针对并且包括变化和不同程度的短语，例如但不限于“基本上包括”和“由…构成”。在必要的地方，已经提供范围；那些范围包括其间的所有子范围。预期这些范围中变化形式将为本领域内普通技术从业者所想到，并且在还未致力于公众的情况下，如可能的话那些变化形式应该解释为由附上的权利要求涵盖。还预期科学和技术的进步将使由于语言的不精确而现在未预想的等同物和替代成为可能，并且如可能，这些变化形式还应该解释为由附上的权利要求涵盖。

Claims (10)

1.一种方法，包括：
在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件，
其中所述半导体组件包括设置在支撑物上的半导体层，并且其中所述半导体层包括镉和硫。
2.如权利要求1所述的方法，其中在大于大约100托的压强进行所述热处理。
3.如权利要求1所述的方法，其中在大约50托至大约10Atm的范围内的压强进行所述热处理。
4.如权利要求1所述的方法，其中热处理所述半导体组件包括在大约500摄氏度至大约700摄氏度的范围内的温度加热所述半导体组件。
5.如权利要求1所述的方法，其中持续大约2分钟至大约40分钟的范围内的时段进行所述热处理。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述非氧化气氛包括惰性气体。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述非氧化气氛包括氮气、氩气或其组合。
8.如权利要求1所述的方法，其中用包括镉、硫或其组合的过压气相进行所述热处理。
9.如权利要求1所述的方法，其进一步包括通过物理气相沉积将所述半导体层设置在所述支撑物上来形成所述半导体组件。
10.如权利要求1所述的方法，其进一步包括通过溅射将所述半导体层设置在所述支撑物上来形成所述半导体组件。
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