CN103513511A - 一种纳米压印方法 - Google Patents

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王晶
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

本发明公开了一种纳米压印方法，包括如下步骤：（1）将单体溶液滴在要压印的衬底上；（2）将模板压到衬底上，使单体溶液分散开并填充模板中的空腔；（3）将步骤（2）所得的模板和衬底放入纳米压印机中，当衬底和模板光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，固化成型后，移去模板；（4）刻蚀残留层和进行图案转移。本发明提供的纳米压印方法操作步骤简单，使用方便、灵活，具有环保高效等优点，有利于推广应用。

Description

一种纳米压印方法
技术领域
本发明涉及微加工领域，具体涉及一种纳米压印方法。
背景技术
目前，纳米压印主要分为热压印和紫外光固化压印两种类型。传统的热压印需要在高温高压的条件下实现，而且即使在高温、高压的条件下，仍然可能导致聚合物不能完全填充印章腔体，这种方法不仅降低了工作效率而且得到的产品效果不稳定；传统的紫外光固化压印工艺较为繁琐且加工难度大，成本高，不利于推广应用。
发明内容
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供的纳米压印方法，简单易行、成本低，适于推广应用。
技术方案：为解决上述技术问题，本发明的采用的技术方案为：一种纳米压印方法，包括如下步骤：
（1）将单体溶液滴在要压印的衬底上；
（2）将模板压到衬底上，使单体溶液分散开并填充模板中的空腔；
（3）将步骤（2）所得的模板和衬底放入纳米压印机中，当衬底和模板光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，固化成型后，移去模板；
（4）刻蚀残留层和进行图案转移。
作为优选，所述步骤（2）中将模板压到衬底上的压力为1～80N。
作为优选，所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯中的一种或几种。
作为优选，所述的模板可由硅、二氧化硅、碳化硅、氮化硅中的一种制成。
有益效果：本发明提供的纳米压印方法只需要一个模板，通过循环加工，即可在整个圆片上得到图案，降低了制造成本；操作步骤简单，使用方便、灵活，具有环保高效等优点，有利于推广应用。
具体实施方式
实施例一：
一种纳米压印方法，包括如下步骤：
（1）将单体溶液滴在要压印的衬底上；
（2）将模板压到衬底上，使单体溶液分散开并填充模板中的空腔；
（3）将步骤（2）所得的模板和衬底放入纳米压印机中，当衬底和模板光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，固化成型后，移去模板；
（4）刻蚀残留层和进行图案转移。
所述步骤（2）中将模板压到衬底上的压力为40N。
所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯。
所述的模板由硅制成。
实施例二：
一种纳米压印方法，包括如下步骤：
（1）将单体溶液滴在要压印的衬底上；
（2）将模板压到衬底上，使单体溶液分散开并填充模板中的空腔；
（3）将步骤（2）所得的模板和衬底放入纳米压印机中，当衬底和模板光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，固化成型后，移去模板；
（4）刻蚀残留层和进行图案转移。
所述步骤（2）中将模板压到衬底上的压力为60N。
所述单体溶液为丙烯酸甲酯。
所述的模板由碳化硅制成。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种纳米压印方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将单体溶液滴在要压印的衬底上；
（2）将模板压到衬底上，使单体溶液分散开并填充模板中的空腔；
（3）将步骤（2）所得的模板和衬底放入纳米压印机中，当衬底和模板光学对准后，用紫外光透过模板照射压印区域，固化成型后，移去模板；
（4）刻蚀残留层和进行图案转移。
2.根据权利要求1所述的纳米压印方法，其特征在于：所述步骤（2）中将模板压到衬底上的压力为1～80N。
3.根据权利要求1所述的纳米压印方法，其特征在于：所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的纳米压印方法，其特征在于：所述的模板可由硅、二氧化硅、碳化硅、氮化硅中的一种制成。
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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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