CN103500798A - 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 - Google Patents

基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103500798A
CN103500798A CN201310397762.5A CN201310397762A CN103500798A CN 103500798 A CN103500798 A CN 103500798A CN 201310397762 A CN201310397762 A CN 201310397762A CN 103500798 A CN103500798 A CN 103500798A
Authority
CN
China
Prior art keywords
basalis
gas sensor
effect transistor
sensor based
transistor structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310397762.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103500798B (zh
Inventor
王凤霞
潘革波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Original Assignee
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS filed Critical Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority to CN201310397762.5A priority Critical patent/CN103500798B/zh
Publication of CN103500798A publication Critical patent/CN103500798A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103500798B publication Critical patent/CN103500798B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes

Abstract

本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法。该气体传感器包括基底层、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有源层连接，栅绝缘层与有源层设置于基底层之间，栅电极、源电极和漏电极分别设置于基底层上，所述栅绝缘层由具有微结构的绝缘材料组成；所述具有微结构的绝缘材料为氧化物或绝缘聚合物。本发明通过在绝缘材料上构造微结构而制备栅绝缘层，当往上述微结构的栅绝缘层里通入气体时，栅绝缘层的电容发生变化，进而引起场效应晶体管性能的改变，从而达到气体检测的目的。本发明的气体传感器检测范围广，可实现多种气体的检测。得到的气体传感器的体积小，可以减小检测器件的体积和成本，有较好的应用前景。

Description

基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法
【技术领域】
本发明属于传感器制备技术领域，特别涉及一种基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法。该气体传感器可以通过场效应晶体管器件性能的变化，实现气体高灵敏、低成本和宽范围的检测。
【背景技术】
有机场效应晶体管（OFET）是有机半导体的重要研究内容之一，有机场效应晶体管主要的优点是：材料来源广、成膜技术多（如甩膜、滴膜、LB膜、分子自组装、电化学沉积或印刷等成膜技术）、低温加工、电学性质容易调制（通过引入侧链或取代）、可与柔性衬底兼容、器件尺寸小（可达分子尺度）、集成度高、适合大批量生产及低成本等。
有机场效应晶体管在结构上类似一个电容器，源漏电极和有机半导体薄膜的导电沟道相当于一个极板，栅极相当于另一个极板。当在栅源之间加上负电压VGS时，由于电容器效应，空穴将从源极注入有机半导体层，并在有机半导体与绝缘层的界面处累积起来。此时在源、漏电极之间再加上一个负电压VDS，就会在源漏电极之间产生电流(ID.sat)，电流的大小由栅源电压(VGS)和源漏电压VDS同时控制。因此，在晶体管其它结构确定的情况下，栅绝缘层的变化能够引起源漏电流的变化。
I D . sat = W 2 L C ox μ sat ( V G - V T ) 2
根据上述公式,在导电沟道参数长（L），宽(W),材料的饱和迁移率（μsat）,栅电压（VG）及（VT）不变的情况下，源漏电流起到对电容变化一个放大的作用。
随着环境污染问题的严重，如何实现高效、快速的环境污染物（如H2S、NH3和CO等）的检测是许多领域迫切需要解决的问题。目前常用气体传感器主要包括电学类气体传感器、非分光红外线技术及电化学类气体传感器等，这些传感器在某些领域得到了一定的应用，但是还存在一定的不足。如电学类气体传感器对气体选择性差、有效时间短；基于红外技术的传感器成本高、装置复杂、操作时间长，过程比较复杂，而基于电化学类的气体传感器容易受到外界的干扰，寿命比较短。因此，市场上的气体传感器很难满足低成本、高灵敏度、快速及时检测和简单便携等需求。
【发明内容】
本发明的首要目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于场效应晶体管结构的气体传感器。
本发明的另一目的在于提供所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现：一种基于场效应晶体管结构的气体传感器，包括基底层、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有源层连接，栅绝缘层与有源层设置于基底层之间，栅电极、源电极和漏电极分别设置于基底层上，所述栅绝缘层由具有微结构的绝缘材料组成；
所述具有微结构的绝缘材料优选为氧化物或绝缘聚合物。
所述氧化物优选为二氧化硅、三氧化二铝、氧化铪、氧化锆或二氧化钛中的至少一种。
所述绝缘聚合物优选为聚苯乙烯（Polystyrene,PS）、聚а-甲基苯乙烯（poly(а-methyl styrene)，PаMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl methacrylatePMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate,PC）、聚二甲基硅氧烷（Polydimethylsiloxane）或聚苯乙烯中的至少一种。
所述微结构优选为阵列的柱体或椎体。
所述柱体的高度优选为5～100微米，直径优选为5～100微米，柱体的间距优选为5～50微米；所述椎体的高度优选为5～100微米，椎体的小段直径优选为5～50微米，椎体的间距优选为5～50微米。
所述源电极和漏电极优选镜像对称地设置于同一基底层上，栅电极和源电极不在同一基底层上。
所述基底层包括基底层A和基底层B，所述栅绝缘层与有源层设置于基底层A和基底层B之间。
所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法，包括如下步骤：
（1）在基底层A上构造镜像对称的金属的源、漏电极；
（2）在基底层A及源、漏电极上构造有源层；
（3）在基底层B构造栅电极；
（4）在基底层B和栅电极上添加绝缘材料；
（5）在步骤（4）的绝缘材料上构造微结构，得到栅绝缘层；
（6）将步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层，反向转移、压紧在步骤（2）得到的有源层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
优选的，所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法，包括如下步骤：
（1）在基底层A上构造镜像对称的金属的源、漏电极；
（2）在基底层A及源、漏电极上构造有源层；
（3）在基底层B构造栅电极；
（4）在基底层B和栅电极上添加绝缘材料；
（5）在步骤（4）的绝缘材料上构造微结构，得到栅绝缘层；
（6）将步骤（2）得到的有源层，反向转移、压紧在步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
步骤（1）中所述构造优选采用喷墨打印、气溶胶喷印、溅射或蒸发的方法进行构造；
步骤（2）中所述构造的方法优选为旋凃、喷墨打印、丝网印刷或热蒸发；所述有源层为有机半导体材料有源层；
步骤（3）中所述构造的方法优选为溅射或蒸发；
步骤（4）中所述添加的方法优选为旋凃、溅射或打印；
步骤（5）中所述构造的方法优选为光刻或印刷。
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果：本发明通过在绝缘材料上构造微结构而制备栅绝缘层，通过具有微结构的栅绝缘层使不同气体电容发生变化，进而引起场效应晶体管性能的改变，从而达到气体检测的目的。本发明的气体传感器检测范围广，可实现多种气体的检测。所得到的基于场效应晶体管结构的气体传感器的体积小，可以减小检测器件的体积和成本，有较好的应用前景。
【附图说明】
图1为实施例1的基于顶栅-底接触型微结构栅绝缘层场效应晶体管气体传感器的结构示意图。
图2为基于底栅-顶接触型微结构栅绝缘层场效应晶体管气体传感器结构示意图。
图3是实施例1的硫化氢气体的检测结果图。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1
本实施例所得到的是基于顶栅-底接触型的气体传感器，其制备方法如下：
（1）在基底层A1上利用热蒸发制备一层厚度100nm金材质的、镜像对称的源电极2和漏电极3，源、漏电极的宽度均为200μm，长度均为200μm，两电极之间的距离为20μm；
（2）在基底层A1、源电极2和漏电极3上，利用热蒸发的方法蒸度80nm厚的酞菁铜作为有源层4；
（3）在基底层B7上用溅射的方法制备一层100nm厚的栅电极6，该栅电极由Si构成；其中，基底层的制作方法为将PEI作为基底，依次用丙酮、乙醇、纯净水超声40分钟，然后用N2气吹干，放入100℃真空烘箱中放置10分钟，得到基底层；
（4）在基底层B7和栅电极6上，利用旋凃的方法制备一层PMMA层；
（5）在步骤（4）中得到的PMMA层的表面，利用气溶胶喷印的方法制备PMMA的微结构，将PMMA层和PMMA的微结构层作为栅绝缘层5；PMMA的微结构为柱状结构，其直径为20微米，柱体的间距为50微米，柱高10微米；
（6）将步骤（5）中得到的栅绝缘层5连同基底层B7和栅电极6一起翻转，压紧在步骤（2）得到的有源层4表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
如图1所示，该气体传感器包括基底层、栅绝缘层5、有源层4、栅电极6、源电极2和漏电极3，所述栅绝缘层5与有源层4连接，栅绝缘层5与有源层4设置于基底层之间，栅电极6、源电极2和漏电极3分别设置于基底层上，所述栅绝缘层5由具有微结构的绝缘材料组成；
所述微结构为阵列的柱体。
所述源电极2和漏电极3镜像对称地设置于同一基底层上，栅电极6和源电极2不在同一基底层上；源电极2、漏电极3和栅电极6呈一正品字形；
所述基底层包括基底层A1和基底层B7，所述栅绝缘层5与有源层4设置于基底层A1和基底层B7之间。
运用该探测器对硫化氢气体进行检测，其结果如图3所示。从图3可以看出，本实施例所制备的气体传感器具有很好的灵敏性及较好的重复性。
实施例2
本实施例所制得的是基于顶栅-底接触型的气体传感器，其制备方法如下：
（1）在基底层A1上利用溅射的方法制备一层厚度100nm镜像对称的、金材质的源电极2和漏电极3，源、漏电极的宽度均为200μm，长度均为200μm，两电极之间的距离为20μm；
（2）利用转移的方法将并四苯的单晶，转移到层A1、源电极2和漏电极3上，作为有源层4；
（3）在基底层B7上用溅射的方法制备一层60nm厚的栅电极6，该栅电极由金构成；其中，基底层的制作方法为将硅作为基底，依次用丙酮、乙醇、纯净水超声40分钟，然后用N2气吹干，放入100℃真空烘箱中放置10分钟，得到基底层；
（4）在基底层B7和栅电极6上，利用溅射的方法制备一层厚为100微米厚的SiO2层；
（5）在步骤（4）的SiO2层表面，利用深硅刻蚀的方法制备出SiO2的微结构，将SiO2层及SiO2的微结构层作为栅绝缘层5；SiO2的微结构为柱状结构，其直径为5微米，柱体的间距为50微米，柱高5微米；
（6）将步骤（5）中得到的栅绝缘层5连同基底层B7和栅电极6一起翻转，压紧在步骤（2）得到的有源层4表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
运用该探测器对硫化氢气体进行检测，其结果与图3相似。
实施例3
本实施例所制得的是基于底栅-顶接触型的气体传感器，其制备方法如下：
（1）在基底层A1上利用喷墨印刷的方法，制备一层厚度300nm银材质的、镜像对称的源电极2和漏电极3；源、漏电极的宽度均为200μm，长度均为200μm，两电极之间的距离为50μm；
（2）在源电极2、漏电极3上，利用热蒸发的方法制备一层厚度为80纳米的酞菁氧钒作为有源层4；
（3）在基底层B7上用溅射的方法制备一层60nm厚的栅电极6，该栅电极由金构成；其中，基底层的制作方法为将硅作为基底，依次用丙酮、乙醇、纯净水超声40分钟，然后用N2气吹干，放入100℃真空烘箱中放置10分钟，得到基底层；
（4）在基底层B7和栅电极6上，利用旋凃的方法制备一层100nm PS层；
（5）在步骤（4）得到的PS层的表面，利用旋凃的方法旋凃一层PMMS，利用热压印的方法，制备出PMMS的微结构层，并以PS层和PMMS的微结构层作为栅绝缘层5；PMMS的微结构为柱状结构，其直径为40微米，柱体的间距为20微米，柱高60微米；
（6）将步骤（2）的有源层4连同基底层A1、源电极2及漏电极3一起翻转，压紧在步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
如图2所示，该气体传感器包括基底层、栅绝缘层5、有源层4、栅电极6、源电极2和漏电极3，所述栅绝缘层5与有源层4连接，栅绝缘层5与有源层4设置于基底层之间，栅电极6、源电极2和漏电极3分别设置于基底层上，所述栅绝缘层5由具有微结构的绝缘材料组成；
所述微结构为阵列的柱体。
所述源电极2和漏电极3镜像对称地设置于同一基底层上，栅电极6和源电极2不在同一基底层上，源电极2、漏电极3和栅电极6呈一倒品字形；
所述基底层包括基底层A1和基底层B7，所述栅绝缘层5与有源层4设置于基底层A1和基底层B7之间。
运用该探测器对硫化氢气体进行检测，其结果与图3相似。
实施例4
本实施例所制得的是基于底栅-顶接触型的气体传感器，其制备方法如下：
（3）在基底层B7上用溅射的方法制备一层60nm厚的栅电极6，该栅电极由Ti构成；其中，基底层的制作方法为将硅作为基底，依次用丙酮、乙醇、纯净水超声40分钟，然后用N2气吹干，放入100℃真空烘箱中放置10分钟，得到基底层；
（4）在基底层B7和栅电极6上，利用旋凃的方法制备一层PMMA层；
（5）在步骤（4）的PMMA层的表面，利用3-维印刷的方法制备出PMMA的微结构，并以PMMA层和PMMA的微结构层作为栅绝缘层5；PMMA的微结构为椎体结构，其锥体结构小段直径为20微米，大段直径为50微米，椎体的间距为50微米，椎体高度为50微米；
（1）在基底层A1上利用热蒸发的方法，制备一层厚度100nm金材质的、镜像对称的源电极2和漏电极3，源、漏电极的宽度均为200μm，长度均为200μm，两电极之间的距离为50μm；
（2）在源电极2、漏电极3上，利用热蒸发的方法制备一层厚度为80纳米的酞菁氧钛作为有源层4；
（6）将步骤（2）的有源层4连同基底层A1、源电极2及漏电极3一起翻转，压紧在步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
运用该探测器对硫化氢气体进行检测，其结果与图3相似。
以上所述本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种基于场效应晶体管结构的气体传感器，包括基底层、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有源层连接，栅绝缘层与有源层设置于基底层之间，栅电极、源电极和漏电极分别设置于基底层上，其特征在于，所述栅绝缘层由具有微结构的绝缘材料组成；
所述具有微结构的绝缘材料为氧化物或绝缘聚合物。
2.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述氧化物为二氧化硅、三氧化二铝、氧化铪、氧化锆或二氧化钛中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述绝缘聚合物为聚苯乙烯、聚а-甲基苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷,或聚苯乙烯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述微结构为阵列的柱体或椎体。
5.根据权利要求4所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述柱体的高度为5～100微米，直径为5～100微米，柱体的间距为5～50微米；所述椎体的高度为5～100微米，椎体的小段直径为5～50微米，锥体的间距为5～50微米。
6.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述源电极和漏电极镜像对称地设置于同一基底层上，栅电极和源电极不在同一基底层上。
7.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器，其特征在于，所述基底层包括基底层A和基底层B，所述栅绝缘层与有源层设置于基底层A和基底层B之间。
8.权利要求1～7任一项所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在基底层A上构造镜像对称的金属的源、漏电极；
（2）在基底层A及源、漏电极上构造有源层；
（3）在基底层B构造栅电极；
（4）在基底层B和栅电极上添加绝缘材料；
（5）在步骤（4）的绝缘材料上构造微结构，得到栅绝缘层；
（6）将步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层，反向转移、压紧在步骤（2）得到的有源层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
9.根据权利要求8所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在基底层A上构造镜像对称的、金属的源、漏电极；
（2）在基底层A及源、漏电极上构造有源层；
（3）在基底层B构造栅电极；
（4）在基底层B和栅电极上添加绝缘材料；
（5）在步骤（4）的绝缘材料上构造微结构，得到栅绝缘层；
（6）将步骤（2）得到的有源层，反向转移、压紧在步骤（5）得到的含有微结构的栅绝缘层表面，得到基于场效应晶体管结构的气体传感器。
10.根据权利要求8或9所述的基于场效应晶体管结构的气体传感器的制备方法，其特征在于，
步骤（1）中所述构造采用喷墨打印、气溶胶喷印、溅射或蒸发的方法进行构造；
步骤（2）中所述构造的方法为旋凃、喷墨打印、丝网印刷或热蒸发；所述有源层为有机半导体材料有源层；
步骤（3）中所述构造的方法为溅射或蒸发；
步骤（4）中所述添加的方法为旋凃、溅射或打印；
步骤（5）中所述构造的方法为光刻或印刷。
CN201310397762.5A 2013-09-04 2013-09-04 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 Active CN103500798B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310397762.5A CN103500798B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310397762.5A CN103500798B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103500798A true CN103500798A (zh) 2014-01-08
CN103500798B CN103500798B (zh) 2016-08-17

Family

ID=49865984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310397762.5A Active CN103500798B (zh) 2013-09-04 2013-09-04 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103500798B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104792849A (zh) * 2015-04-22 2015-07-22 电子科技大学 基于虫胶封装/调控的场效应管气体传感器及其制备方法
CN106525921A (zh) * 2015-09-09 2017-03-22 香港城市大学 一种电化学检测器及其制造方法和检测目标物质的方法
CN108267487A (zh) * 2017-12-08 2018-07-10 西安电子科技大学 一种硫化氢的检测装置及方法
CN108627543A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 张家港康得新光电材料有限公司 柔性气体传感器与其制作方法
CN108802152A (zh) * 2018-04-09 2018-11-13 长春工业大学 一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法
CN109142446A (zh) * 2018-08-20 2019-01-04 长春工业大学 一种聚合物薄膜孔状立体有机气体传感器制备方法
CN109411604A (zh) * 2017-08-15 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板、显示装置
CN113777147A (zh) * 2021-08-27 2021-12-10 同济大学 一种基于银纳米颗粒改性碳化钛的场效应晶体管气体传感器及其制备方法与应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0933467A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Denso Corp Ｍｏｓｆｅｔ型ガスセンサ
CN101142476A (zh) * 2005-03-18 2008-03-12 毫微-专卖股份有限公司 带栅极的气体传感器
US20120032692A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems gas sensor
CN102985813A (zh) * 2010-03-18 2013-03-20 沃尔夫冈·克诺尔 薄膜晶体管上的生物传感器
US20130187200A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 Ankit Jain Transistor-based particle detection systems and methods

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0933467A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Denso Corp Ｍｏｓｆｅｔ型ガスセンサ
CN101142476A (zh) * 2005-03-18 2008-03-12 毫微-专卖股份有限公司 带栅极的气体传感器
CN102985813A (zh) * 2010-03-18 2013-03-20 沃尔夫冈·克诺尔 薄膜晶体管上的生物传感器
US20120032692A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems gas sensor
US20130187200A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 Ankit Jain Transistor-based particle detection systems and methods

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104792849A (zh) * 2015-04-22 2015-07-22 电子科技大学 基于虫胶封装/调控的场效应管气体传感器及其制备方法
CN106525921A (zh) * 2015-09-09 2017-03-22 香港城市大学 一种电化学检测器及其制造方法和检测目标物质的方法
CN108627543A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 张家港康得新光电材料有限公司 柔性气体传感器与其制作方法
CN109411604A (zh) * 2017-08-15 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 传感器及其制备方法、阵列基板、显示面板、显示装置
US10804479B2 (en) 2017-08-15 2020-10-13 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus
CN108267487A (zh) * 2017-12-08 2018-07-10 西安电子科技大学 一种硫化氢的检测装置及方法
CN108802152A (zh) * 2018-04-09 2018-11-13 长春工业大学 一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法
CN109142446A (zh) * 2018-08-20 2019-01-04 长春工业大学 一种聚合物薄膜孔状立体有机气体传感器制备方法
CN113777147A (zh) * 2021-08-27 2021-12-10 同济大学 一种基于银纳米颗粒改性碳化钛的场效应晶体管气体传感器及其制备方法与应用
CN113777147B (zh) * 2021-08-27 2022-11-18 同济大学 一种基于银纳米颗粒改性碳化钛的场效应晶体管气体传感器及其制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103500798B (zh) 2016-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103500798A (zh) 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法
Tan et al. Broadband optoelectronic synaptic devices based on silicon nanocrystals for neuromorphic computing
Han et al. An overview of the development of flexible sensors
Yao et al. The effect of ambient humidity on the electrical properties of graphene oxide films
Fang et al. Light‐stimulated artificial synapses based on 2D organic field‐effect transistors
Ha et al. Highly uniform and stable n-type carbon nanotube transistors by using positively charged silicon nitride thin films
Bedner et al. Investigation of the dominant 1/f noise source in silicon nanowire sensors
Hu et al. Piezotronic effect enhanced Schottky-contact ZnO micro/nanowire humidity sensors
CN108414603B (zh) 一种基于双电层薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法
Huang et al. Polymer dielectric layer functionality in organic field-effect transistor based ammonia gas sensor
Jung et al. A low-power embedded poly-Si micro-heater for gas sensor platform based on a FET transducer and its application for NO2 sensing
CN105866215B (zh) 一种有机薄膜晶体管气体传感器及其制备方法
Cho et al. Ultra-high sensitivity pH-sensors using silicon nanowire channel dual-gate field-effect transistors fabricated by electrospun polyvinylpyrrolidone nanofibers pattern template transfer
Abnavi et al. Free-standing multilayer molybdenum disulfide memristor for brain-inspired neuromorphic applications
Yang et al. Wafer-level and highly controllable fabricated silicon nanowire transistor arrays on (111) silicon-on-insulator (SOI) wafers for highly sensitive detection in liquid and gaseous environments
Jo et al. Flexible metal oxide semiconductor devices made by solution methods
CN103490010A (zh) 基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法
Han et al. Poly (vinyl alcohol) as a gas accumulation layer for an organic field-effect transistor ammonia sensor
Chikkadi et al. Advances in NO2 sensing with individual single-walled carbon nanotube transistors
Song et al. Flexible thermal sensors based on organic field-effect transistors with polymeric channel/gate-insulating and light-blocking layers
Geng et al. Highly sensitive and selective H2S sensors with ultra-low power consumption based on flexible printed carbon-nanotube-thin-film-transistors
Zhao et al. Highly sensitive H2S sensors based on ultrathin organic single-crystal microplate transistors
Li et al. Printed carbon nanotube thin film transistors based on perhydropolysilazane-derived dielectrics for low power flexible electronics
Wu et al. A highly sensitive FET-type humidity sensor with inkjet-printed Pt-In 2 O 3 nanoparticles at room temperature
KR101767670B1 (ko) 재사용이 가능하고 민감도와 안정성이 우수한 생화학 센서 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant