CN103466927A - 对基板进行烤焙处理的装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种对基板进行烤焙处理的装置及方法，该装置包括：加热基板(1)；和用于支撑待加工基板(3)的支撑件(2)，所述支撑件(2)位于加热基板(1)和待加工基板(3)之间，且所述支撑件(2)相对于加热基板(1)可移动从而调整与待加工基板(3)的接触位置。该装置能使基板受热更均匀从而提高基板的合格率。

Description

对基板进行烤焙处理的装置及方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域，具体涉及一种对液晶显示器的玻璃基板进行烤焙处理的装置及方法，尤其是用于改善高温炉内玻璃基板受热不均的问题。
背景技术
液晶基板的生产制造过程中需要对玻璃基板上的PI（Polyimide，聚酰亚胺）液进行预烤焙（Prebake）。烤焙的方式一般是采用红外线辐射玻璃基板，将玻璃基板加热到一定温度，使PI液中的溶剂蒸发，提高PI的浓度。在上述烤焙的过程中，一般会使用顶针或支撑针来支撑玻璃基板，但是由于顶针或支撑针的材质不是完全绝热的，因此与玻璃基板上与顶针或支撑针接触的区域跟非接触区域（玻璃基板上没有与顶针或支撑针接触的区域）相比，存在导热速率的差别，从而使得玻璃基板受热不均，造成玻璃基板上出现斑点（Mura）缺陷，降低了玻璃基板的合格率。
如图4～图6所示，为一种现有技术的对基板进行烤焙处理的装置。参照图4和图5，现有技术的对玻璃基板进行烤焙处理的装置包括加热基板（Hot Plate）1’和顶针（Lift Pin）2’，加热基板1’上开有用于顶针2’穿出的孔，顶针2’经该孔穿过加热基板1’并支撑待加热的玻璃基板3’。该现有技术存在以下缺陷：参照图6，在加热时，热气流（Hot Air）经顶针穿出孔喷至显示区（Chip AA区）3.1’的背面，使得对应顶针穿出孔的显示区处（对应玻璃基板3’上的椭圆区域）与其它区域之间存在温差或受热不均匀。参照图5，从而造成玻璃基板3’的显示区3.1’上出现销斑点（Pin Mura）缺陷，所述销斑点（Pin Mura）缺陷与顶针2’在玻璃基板3’上的支撑位置相对应，影响了玻璃基板的质量和合格率。
发明内容
本发明所要解决的一个技术问题是，提供一种对玻璃基板进行烤焙处理的装置，该装置能使基板受热更均匀从而提高基板的合格率。
本发明的技术解决方案是，提供一种具有以下结构的对玻璃基板进行烤焙处理的装置，包括：加热基板；和用于支撑待加工基板的支撑件，所述支撑件位于加热基板和待加工基板之间，且所述支撑件相对于加热基板可移动从而调整与待加工基板的接触位置。
与现有技术相比，本发明的对基板进行烤焙处理的装置具有以下优点。由于本发明中用于支撑待加工基板（例如待加热的玻璃基板）支撑件可相对加热基板移动，从而可根据待加工基板或待加热工件（例如玻璃基板）的具体结构来调整支撑件与待加工基板的接触位置。尤其是将支撑件调节待加工基板的非显示区，如待加工基板的边沿区和/或显示区之间的间隔区，从而避免对所述工件的损坏以及避免由于支撑件顶在显示区而造成的受热不均匀的情况，达到改善现有技术中的待加工基板的显示区受热状况，减少或避免斑点缺陷。而且，由于不需要在加热基板上设置顶针通孔，使得基板受热更均匀，避免销斑点的形成，从而达到提高基板的合格率的目的。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的一种改进，所述支撑件包括多个长条状的基部，每个所述长条状的基部朝向加热基板的一面设有多个间隔排列的、用于支撑待加工基板的顶针。所述多个长条状的基部可相对待加工基板（如玻璃基板）前后左右移动，从而找到顶针与待加工基板（如玻璃基板）的最佳接触位置。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的一种优选，所述长条状的基部的宽度不大于待加工基板分割出的两排显示区之间的间隔区的宽度。长条状的基部不会阻挡加热基板对待加工基板（如玻璃基板）显示区的加热，从而使得待加工基板（如玻璃基板）受热更均匀。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的另一种优选，所述长条状的基部的长度大于待加工基板的长度。方便长条状的基部的移动。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的另一种改进，所述支撑件包括一整块板构成的基部，所述基部朝向加热基板的一面设有多个间隔排列、用于支撑待加工基板的顶针。一整块板构成的基部在移动时比较方便，从而通过移动基部来寻找到顶针与待加工基板（如玻璃基板）的最佳接触位置。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的还有一种优选，所述基部的长度和宽度均不小于加热基板的长度和宽度。所述一整块板构成的基部位于加热基板与对待加工基板（如玻璃基板）之间，当基部的长度和宽度均不小于加热基板的长度和宽度时，加热时待加工基板（如玻璃基板）受到基部的影响是均衡的，从而避免待加工基板（如玻璃基板）受热不均匀的状况出现。
本发明所要解决的另一个技术问题是，提供一种能使基板受热更均匀的对玻璃基板进行烤焙处理的方法。
针对该技术问题，本发明的技术解决方案是，提供一种对基板进行烤焙处理的方法，该方法采用本发明的对基板进行烤焙处理的装置，包括步骤：
将支撑件两端放置在用于烤焙待加工基板的烤炉内，并由烤炉两侧的支撑机构支撑；
将待加工基板固定在烤炉内；
移动支撑件使其支撑在待加工基板的非显示区；
通过加热基板对待加工基板进行加热。
该方法通过移动支撑件使其支撑在待加工基板的非显示区，从而避免在加热时因支撑件支撑在待加工基板（如玻璃基板）的显示区而造成显示区的受热不均匀现象，改善显示区的受热状况，使得待加工基板（如玻璃基板）尤其是显示区的受热更均匀。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的方法的一种优选，所述非显示区是指除显示区以外的待加工基板上的区域。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的方法的另一种优选，所述非显示区包括间隔区和/或边沿区。非显示区即顶针与待加工基板（如玻璃基板）的最佳接触位置，根据待加工基板（如玻璃基板）的不同形状选择最佳接触区域。
作为本发明的对基板进行烤焙处理的方法的还有一种优选，所述烤炉内的温度为120℃～240℃。根据不同材质或属性的待加工基板（如玻璃基板），选择合适的加热温度。
附图说明
图1所示是本发明的对基板进行烤焙处理的装置的结构示意图。
图2所示是图1中的一种实施例的俯视结构示意图。
图3所示是图1中的另一种实施例的俯视结构示意图。
图4所示是一种现有技术的对基板进行烤焙处理的装置的结构示意图。
图5所示是图4的一种实施例的俯视结构示意图。
图6所示是图4中的玻璃基板受热状况的示意图。
图1～图3中：1、加热基板，2、支撑件，2.1、基部，2.2、顶针，3、待加工基板，3.1、显示区，3.2、间隔区，3.3、边沿区。
图4～图6中：1’、加热基板，2’、顶针，3’、玻璃基板，3.1’、显示区。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示为本发明的对基板进行烤焙处理的装置的结构示意图。该装置包括：
加热基板1；和
用于支撑待加工基板3的支撑件2，所述支撑件2位于加热基板1和待加工基板3之间，且所述支撑件2相对于加热基板1可移动从而调整与待加工基板3的接触位置。
在本发明的的具体实施例中，所述待加工基板3为玻璃基板，但本发明不限于玻璃基板，待加工基板3包括所有可用于液晶显示器的待加工基板。
在图2和图3中，分别显示了两种具体实施例。
如图2所示，所述待加热的玻璃基板分为12个显示区3.1，所述12个显示区3.1分为四排和两列。所述支撑件2包括五个可前后左右移动的长条状的基部2.1，每个所述长条状的基部2.1朝向加热基板1的一面设有多个间隔排列的、用于支撑待加工基板3的顶针2.2。其中，两个带有顶针2.2的长条状基部2.1位于前后侧的边沿区3.3，另外的三个带有顶针2.2的长条状基部2.1顶在相邻排的显示区3.1之间的间隔区3.2。
如图3所示，所述玻璃基板分为6个显示区3.1，呈三排两列分布。可移动的支撑件包括四个长条状的基部2.1，每个长条状的基部2.1上均设有若干个顶针2.2，所述顶针2.2分别顶在玻璃基板的前后侧的边沿区3.3和相邻排的显示区3.1之间的间隔区3.2。
优选地，所述长条状的基部2.1的宽度不大于待加工基板3分割出的两排显示区3.1之间的间隔区3.2的宽度。也就是说，如图2和图3所示，优选为基部2.1的宽度小于相邻排的显示区3.1之间的间隔区3.2的宽度。在图2和图3中，所述宽度指图示的上下位置。所述的前后也指的是宽度方向。
优选地，所述长条状的基部2.1的长度大于待加工基板3的长度。
在一个未示出的实施例中，所述支撑件2包括一整块板构成的基部2.1，所述基部2.1朝向加热基板1的一面设有多个间隔排列、用于支撑待加工基板3的顶针2.2。
优选地，所述基部2.1的长度和宽度均不小于加热基板1的长度和宽度。
本发明还公开了一种对基板进行烤焙处理的方法，采用本发明的对基板进行烤焙处理的装置，包括步骤：
将支撑件2两端放置在用于烤焙待加工基板3的烤炉内，并由烤炉两侧的支撑机构支撑；
将待加工基板3固定在烤炉内；
移动支撑件2使其支撑在待加工基板3的非显示区；
通过加热基板1对待加工基板3进行加热。
所述非显示区是指除显示区3.1以外的待加工基板3上的区域。
所述非显示区包括间隔区3.2和/或边沿区3.3。
所述烤炉内的温度为120℃～240℃。
虽然已经结合具体实施例对本发明进行了描述，然而可以理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进或替换。尤其是，只要不存在结构上的冲突，各实施例中的特征均可相互结合起来，所形成的组合式特征仍属于本发明的范围内。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种对基板进行烤焙处理的装置，包括：
加热基板(1)；和
用于支撑待加工基板(3)的支撑件(2)，所述支撑件(2)位于加热基板(1)和待加工基板(3)之间，且所述支撑件(2)相对于加热基板(1)可移动从而调整与待加工基板(3)的接触位置。
2.根据权利要求1所述的对基板进行烤焙处理的装置，其特征在于，所述支撑件(2)包括多个长条状的基部(2.1)，每个所述长条状的基部(2.1)朝向加热基板(1)的一面设有多个间隔排列的、用于支撑待加工基板(3)的顶针(2.2)。
3.根据权利要求2所述的对基板进行烤焙处理的装置，其特征在于，所述长条状的基部(2.1)的宽度不大于待加工基板(3)分割出的两排显示区(3.1)之间的间隔区(3.2)的宽度。
4.根据权利要求3所述的对基板进行烤焙处理的装置，其特征在于，所述长条状的基部(2.1)的长度大于待加工基板(3)的长度。
5.根据权利要求1所述的对基板进行烤焙处理的装置，其特征在于，所述支撑件(2)包括一整块板构成的基部(2.1)，所述基部(2.1)朝向加热基板(1)的一面设有多个间隔排列、用于支撑待加工基板(3)的顶针(2.2)。
6.根据权利要求5所述的对基板进行烤焙处理的装置，其特征在于，所述基部(2.1)的长度和宽度均不小于加热基板(1)的长度和宽度。
7.一种对基板进行烤焙处理的方法，其特征在于，采用权利要求1～6中任一项所述的装置，包括步骤：
将支撑件(2)两端放置在用于烤焙待加工基板(3)的烤炉内，并由烤炉两侧的支撑机构支撑；
将待加工基板(3)固定在烤炉内；
移动支撑件(2)使其支撑在待加工基板(3)的非显示区；
通过加热基板(1)对待加工基板(3)进行加热。
8.根据权利要求7所述的对基板进行烤焙处理的方法，其特征在于，所述非显示区是指除显示区(3.1)以外的待加工基板(3)上的区域。
9.根据权利要求8所述的对基板进行烤焙处理的方法，其特征在于，所述非显示区包括间隔区(3.2)和/或边沿区(3.3)。
10.根据权利要求7所述的对基板进行烤焙处理的方法，其特征在于，所述烤炉内的温度为120℃～240℃。
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