CN103421981A - 高阻尼形状记忆合金 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高阻尼形状记忆合金,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列主要成分:Cu:80%-83%,Al:10%-12%,Mn:5%-8%,还包括按质量百分比组成的下列微量元素:Ni:0.15%-0.25%,Ti:0.2%-0.3%,Co:0.05%-0.1%按质量百分比组成的下列稀土元素:Ce:0.05%-0.1%,Gd:0.02%-0.05%,Y:0.05%-0.1%。通过上述方式,本发明能够细化组织,提高材料的强度、稳定性、耐腐蚀性和耐疲劳性等力学性能,同时提高材料的形状记忆效应和超弹性,增强塑性。
Description
技术领域
本发明涉及金属材料领域,特别是涉及一种高阻尼形状记忆合金。
背景技术
形状记忆合金是近些年发展起来的一种特殊功能材料。形状记忆是指具有初始形状的制品,在一次变形后,通过加热等手段进行处理,又能回复初始形状的现象。形状记忆材料可通过热、电、磁、光、化学或机械等外加刺激,触发其做出响应,从而改变材料的某些参数,如形状位置、应变、频率、摩擦和动态或静态特征等。由于形状记忆材料具有形状记忆效应、高回复形变良好的抗震性和适应性,以及易与其它材料结合形成复合材料等优异的性能,使其发展越来越受到人们的重视。
形状记忆合金还具有极高的阻尼特性,其具有很大的内耗值,能通过内耗把振动能转化为其他形式的能量消耗。因此,被广泛应用于航空航天、电子通讯、机械制造、医疗卫生、军事、民用、日常用品等领域。
现有的高阻尼形状记忆合金,主要为Cu-Al-Be系合金,这类合金材料的强度较低,稳定性及耐疲劳性能差,在轧制时易产生脆性而开裂。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种高阻尼形状记忆合金,能够细化组织,提高材料的强度、稳定性、耐腐蚀性和耐疲劳性等力学性能,同时提高材料的形状记忆效应和超弹性,增强塑性。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种高阻尼形状记忆合金,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列主要成分:Cu:80%-83%,Al:10%-12%,Mn:5%-8%,还包括按质量百分比组成的下列微量元素:Ni:0.15%-0.25%,Ti:0.2%-0.3%,Co:0.05%-0.1%按质量百分比组成的下列稀土元素:Ce:0.05%-0.1%,Gd:0.02%-0.05%,Y:0.05%-0.1%。
在本发明一个较佳实施例中,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:82.37%,Al:11.62%,Mn:5.33%,Ni:0.23%,Ti:0.24%,Co:0.08%,Ce:0.05%,Gd:0.03%,Y:0.05%。
在本发明一个较佳实施例中,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:81.6%,Al:10.87%,Mn:6.88%,Ni:0.19%,Ti:0.25%,Co:0.06%,Ce:0.05%,Gd:0.05%,Y:0.05%。
本发明的有益效果是:各元素通过合理优化匹配,以及稀土元素的选配和适量添加,能够细化组织,提高材料的强度、耐腐蚀性等力学性能,同时提高材料的形状记忆效应和超弹性,增强塑性。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
一种高阻尼形状记忆合金,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列主要成分:Cu:80%-83%,Al:10%-12%,Mn:5%-8%,还包括按质量百分比组成的下列微量元素:Ni:0.15%-0.25%,Ti:0.2%-0.3%,Co:0.05%-0.1%按质量百分比组成的下列稀土元素:Ce:0.05%-0.1%,Gd:0.02%-0.05%,Y:0.05%-0.1%。
实施例一:
一种高阻尼形状记忆合金,包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:82.37%,Al:11.62%,Mn:5.33%,Ni:0.23%,Ti:0.24%,Co:0.08%,Ce:0.05%,Gd:0.03%,Y:0.05%。
实施例二:
一种高阻尼形状记忆合金,包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:81.6%,Al:10.87%,Mn:6.88%,Ni:0.19%,Ti:0.25%,Co:0.06%,Ce:0.05%,Gd:0.05%,Y:0.05%。
本发明揭示了一种高阻尼形状记忆合金,通过各元素的合理优化匹配,以及稀土元素的选配和适量添加,能够细化组织,提高材料的强度、稳定性、耐腐蚀性和耐疲劳性等力学性能,同时提高材料的形状记忆效应和超弹性,增强塑性。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种高阻尼形状记忆合金,其特征在于,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列主要成分:Cu:80%-83%,Al:10%-12%,Mn:5%-8%,还包括按质量百分比组成的下列微量元素:Ni:0.15%-0.25%,Ti:0.2%-0.3%,Co:0.05%-0.1%按质量百分比组成的下列稀土元素:Ce:0.05%-0.1%,Gd:0.02%-0.05%,Y:0.05%-0.1%。
2.根据权利要求1所述的高阻尼形状记忆合金,其特征在于,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:82.37%,Al:11.62%,Mn:5.33%,Ni:0.23%,Ti:0.24%,Co:0.08%,Ce:0.05%,Gd:0.03%,Y:0.05%。
3.根据权利要求1所述的高阻尼形状记忆合金,其特征在于,所述高阻尼形状记忆合金包括按质量百分比组成的下列成分:Cu:81.6%,Al:10.87%,Mn:6.88%,Ni:0.19%,Ti:0.25%,Co:0.06%,Ce:0.05%,Gd:0.05%,Y:0.05%。
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- 2013-08-08 CN CN2013103423272A patent/CN103421981A/zh active Pending
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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Application publication date: 20131204 |