CN103411613A - 基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及弹载侵彻姿态测量装置,具体为一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,解决了目前缺乏一种针对传统的战斗部侵彻过程的姿态解算的装置的问题。一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,包括电路体(1)和置于所述电路体(1)外围的缓冲防护装置;所述电路体(1)的信号线引出到所述缓冲防护装置外,电路体(1)包括地磁/微惯导测量组合单元、弹载姿态解算单元、弹载实时数据记录单元、供配电单元、启动模块;所述地磁/微惯导测量组合单元包括信号调理模块,所述信号调理模块的输入端分别连接有三轴陀螺传感器和三轴地磁传感器,信号调理模块的输出端连接有A/D转换模块。本发明设计合理、结构简单。

Description

基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置
技术领域
本发明涉及弹载侵彻姿态测量装置,具体为一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置。
背景技术
侵彻武器是一种携带侵彻战斗部,用于攻击机场跑道、地面加固目标、地下设施等目标的武器,是对坚硬目标及其掩体实施“外科手术”式打击的主力武器。对于结构和功能复杂的侵彻战斗部而言,需要在复杂的穿甲或侵彻过程中实时测量弹体运动参数,以精确控制侵彻战斗部的爆炸时机,获取最佳作战效果,提高侵彻武器对目标的毁伤能力,但由于侵彻过程中伴随有一级战斗部的爆炸,弹体处于高冲击、强振动、高温、高压的恶劣工作环境,且目标在侵彻打击下出现大量烟雾、强光及碎块等,恶劣的测试环境使得很难对侵彻战斗部姿态参数实施准确测量,因此侵彻过程中弹体动态参数的实时准确测量技术成为侵彻武器的研究的技术瓶颈。
传统的战斗部侵彻过程的姿态测试大多采用外测方法,但在侵彻武器进入到目标物内时则无法准确测量到其姿态与位置,不再适应对侵彻外弹道参数实时准确测量的要求。
基于此,有必要发明一种全新的弹载侵彻姿态测试装置,用于解决弹体侵彻过程中姿态参数的实时准确测量的难题,以便准确判定目标特征,增强侵彻战斗部对复杂目标的毁伤打击能力,为侵彻武器研制和测试阶段的武器性能评估和故障判断分析提供可靠的数据支撑。
发明内容
本发明为了解决目前缺乏一种针对传统的战斗部侵彻过程的姿态解算的装置的问题,提供了一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置。
本发明是采用如下技术方案实现的:
一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,包括电路体和置于所述电路体外围的缓冲防护装置;所述电路体的信号线引出到所述缓冲防护装置外,电路体包括地磁/微惯导测量组合单元、弹载姿态解算单元、弹载实时数据记录单元、供配电单元、启动模块;
所述地磁/微惯导测量组合单元包括信号调理模块,所述信号调理模块的输入端分别连接有三轴陀螺传感器和三轴地磁传感器,信号调理模块的输出端连接有A/D转换模块;
所述弹载姿态解算单元包括数据处理模块DSP,所述数据处理模块DSP串接有程序引导装载模块NOR存储器(flash);
所述弹载实时数据记录单元包括现场可编程门阵列FPGA,所述现场可编程门阵列FPGA串接有程序配置模块EPROM;
所述A/D转换模块的输出端与数据处理模块DSP的输入端连接,所述A/D转换模块和数据处理模块DSP分别与现场可编程门阵列FPGA连接;
所述供配电单元包括向电路体内各个单元供电的系统电源模块。
所述FPGA(Field-Programmable Gate Array),即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。 
所述EPROM(可擦除可规划式唯读记忆体)是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片,即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。 
本发明所述的整个弹载侵彻姿态解算装置主要由地磁/微(MEMS)惯导测量组合单元、弹载姿态解算单元、弹载实时数据记录单元、供配电单元、及缓冲防护装置组成。其中地磁/微惯导测量组合单元主要用于实时敏感战斗部爆炸过程中的三维角速率及姿态运动信息,弹载实时数据记录单元负责MEMS姿态参数及实时原始数据的记录存储,供电与配电单元完成系统的电源提供及管理,缓冲防护装置用于对电路体起到缓冲防护作用,具体结构如图1、2、4所示。
工作时,如图3所示,分别由三轴陀螺和三轴地磁传感器采集获得的信息依次经过信号调理模块和A/D转换模块后输入数据处理模块DSP,基于数据处理模块DSP(数字信号处理器)的姿态解算,其算法核心为地磁和微惯导组合高动态姿态解算算法。高动态姿态解算主要包括微惯导姿态解算、地磁信息姿态解算和地磁/微惯导组合姿态解算三部分;微惯导姿态解算算法首先对所采集到的三轴MEMS陀螺仪角速度测量数据进行误差补偿,包括三轴陀螺仪的零偏、灵敏度、不正交等静态误差等数据补偿,以提高测量结果的准确度,姿态矩阵的更新采用等效旋转矢量法,并结合强爆时刻的初始姿态完成侵彻过程中的弹体姿态解算;地磁姿态解算算法首先对所采集到的地磁三分量数据进行误差补偿,然后结合强爆时刻的地磁矢量数据完成侵彻过程中的弹体姿态解算;而地磁/微惯导组合姿态解算则完成两个子姿态系统的姿态数据融合,通过最优滤波技术完成侵彻过程中的弹体姿态最优估计,完成弹载侵彻的姿态解算任务。上述姿态解算方法本领域技术人员均可以自行设计。
具体工作时,所述的弹载侵彻姿态解算装置置于导弹的内部,在导弹打击过程中,根据其提供的准确信息,判断引爆导弹的最佳时机,完成精确打击任务。
本发明是基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置。微惯导器件准确测量弹体相对于惯性空间的角速度,用于弹体姿态解算,具有短时精度高的特点,但在侵彻过程中惯性器件因冲击出现短时饱和失效,使得姿态积分解算中断;地磁传感器属于全固态器件,测量不受冲击的影响。在侵彻冲击过程中仍可利用落点地磁矢量信息和弹载磁测矢量解算弹体姿态,以弥补惯性器件冲击过程中的器件失效的缺点,但其姿态测量精度低。因此地磁/微惯导组合姿态解算方案充分利用二者的优点,实现优势互补,确保侵彻过程中连续的姿态测试。
本发明设计合理、结构简单,解决了目前缺乏一种针对传统的战斗部侵彻过程的姿态解算的装置的问题。
附图说明
图1是电路体的结构示意图。
图2是电路体的具体结构示意图。
图3是弹载侵彻姿态解算算法方案。
图4是本发明中缓冲防护装置的结构示意图。
图中,1-电路体,2-电路体外壳,3-浮悬层,4-次外层保护壳,5-泡沫金属缓冲结构,6-最外层保护壳。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明。
如图1、2所示,一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,包括电路体1和置于所述电路体1外围的缓冲防护装置;所述电路体1的信号线引出到所述缓冲防护装置外,电路体1包括地磁/微惯导测量组合单元、弹载姿态解算单元、弹载实时数据记录单元、供配电单元、启动模块;
所述地磁/微惯导测量组合单元包括信号调理模块,所述信号调理模块的输入端分别连接有三轴陀螺传感器和三轴地磁传感器,信号调理模块的输出端连接有A/D转换模块;
所述弹载姿态解算单元包括数据处理模块DSP,所述数据处理模块DSP串接有程序引导装载模块NOR存储器;
所述弹载实时数据记录单元包括现场可编程门阵列FPGA,所述现场可编程门阵列FPGA串接有程序配置模块EPROM;
所述A/D转换模块的输出端与数据处理模块DSP的输入端连接,所述A/D转换模块和数据处理模块DSP分别与现场可编程门阵列FPGA连接;
所述供配电单元包括向电路体内各个单元供电的系统电源模块。
所述缓冲防护装置包括电路体外壳2,包裹电路体外壳2的具有弹性和硬度的浮悬层3,包裹所述浮悬层3的次外层保护壳4,包裹所述次外层保护壳4的、底部设有多层泡沫金属缓冲结构5的最外层保护壳6,所述次外层保护壳4置于所述多层泡沫金属缓冲结构5上。
具体实施时,所述悬浮层由聚酰胺材料构成。
具体工作时,现场可编程门阵列FPGA内编程有flash存储器、时序控制模块、若干FIFO模块等。所述FIFO(First Input First Output)是一种先进先出的数据缓存器,先进入的指令先完成并引退,跟着才执行第二条指令。

Claims (3)

1.一种基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,其特征在于:包括电路体(1)和置于所述电路体(1)外围的缓冲防护装置;所述电路体(1)的信号线引出到所述缓冲防护装置外,电路体(1)包括地磁/微惯导测量组合单元、弹载姿态解算单元、弹载实时数据记录单元、供配电单元、启动模块;
所述地磁/微惯导测量组合单元包括信号调理模块,所述信号调理模块的输入端分别连接有三轴陀螺传感器和三轴地磁传感器,信号调理模块的输出端连接有A/D转换模块;
所述弹载姿态解算单元包括数据处理模块DSP,所述数据处理模块DSP串接有程序引导装载模块NOR存储器;
所述弹载实时数据记录单元包括现场可编程门阵列FPGA,所述现场可编程门阵列FPGA串接有程序配置模块EPROM;
所述A/D转换模块的输出端与数据处理模块DSP的输入端连接,所述A/D转换模块和数据处理模块DSP分别与现场可编程门阵列FPGA连接;
所述供配电单元包括向电路体内各个单元供电的系统电源模块。
2.根据权利要求1所述的基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,其特征在于:所述缓冲防护装置包括电路体外壳(2),包裹电路体外壳(2)的具有弹性和硬度的浮悬层(3),包裹所述浮悬层(3)的次外层保护壳(4),包裹所述次外层保护壳(4)的、底部设有多层泡沫金属缓冲结构(5)的最外层保护壳(6),所述次外层保护壳(4)置于所述多层泡沫金属缓冲结构(5)上。
3.根据权利要求2所述的基于地磁/微惯导信息组合的弹载侵彻姿态解算装置,其特征在于:所述悬浮层(3)由聚酰胺材料构成。
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