CN103390533B - 一种具有强迫液冷双窗口阳极的x光管 - Google Patents

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本发明公开了一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,包括管壳、阳极部件和阴极部件,所述阳极部件包括靶材和包围靶材的阳极外壁,所述阳极外壁开有电子入射口和X射线逸出口,所述X射线逸出口上具有透X光隔离窗。采用本发明所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,既保证了阴极发射的电子能够顺利通过隔离窗到达钨靶、又能使高能电子轰击钨靶后产生的X射线顺利透过隔离窗输出,同时通过对阳极的强迫液冷,从而有效使得防止了钨靶蒸发的材料到达管壳内壁和其他绝缘体上引起的X光有效输出减低或高压打火,达到了延长器件寿命的目的。

Description

一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管
技术领域
本发明属于物理电子领域,涉及一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管。
背景技术
在医疗、医学诊断、工业检测、安全技术等涉及的各种X光设备,需要高性能的X光管。作为X光成像设备的核心器件之一,X光管具备成像质量好、工作稳定可靠、使用寿命长等特点。
X光管的基本原理是:从阴极逸出的电子在电场高压下向阳极做加速运动,以较高动能轰击在阳极上,致使阳极材料被激发出 X 射线。
高速度的电子不仅会把其能量转化为X射线,还会有很大几率把其能量转化为热能。持续的轰击将导致阳极材料温度持续升高,甚至可能导致阳极材料的熔化和溅射。
现有的X光管主要存在以下问题:1,当高功率密度的电子束轰击阳极时,由于阳极不能在瞬间实现良好散热,导致阳极材料蒸发,蒸发的材料到达管壳冷凝在管壳上,导致X光管的绝缘强度下降,使X光管报废,据统计,由于阳极材料蒸发导致报废的X光管占使用产品的1/3以上。
发明内容
为克服传统技术的X光管由于阳极受热蒸发,蒸发后的材料凝聚在管壳导致X光管绝缘强度下降的技术缺陷,本发明提供一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管。
本发明所述具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,包括管壳、阳极部件和阴极部件,所述阳极部件包括靶材和包围靶材的阳极外壁,所述阳极外壁开有电子入射口和X射线逸出口,其特征在于,所述X射线逸出口上具有透X光隔离窗。
由于X射线逸出口正对管壳,从X射线逸出口逸出的钨原子很容易在管壳凝结,增加透X光隔离窗后使蒸发物质被透X光隔离窗阻挡而不能逸出,从而减少了阳极材料在管壳内壁的凝结
具体的,所述透X光隔离窗材料为铍。
优选的,所述电子入射口上具有透电子束隔离窗,且所述阳极外壁上还开有阳极排气孔,所述阳极排气孔的位置位于靶材的后方,位于靶材与透电子束隔离窗之间。
透电子束隔离窗进一步减少了靶材蒸发后在管壳内壁的凝结。在靶材后方开设阳极排气孔,方便对阳极内部整体抽真空。
具体的,所述透电子束隔离窗材料为铍、钛、硅酸锌中的一种。
优选的,所述阳极部件还包括液冷回路,所述液冷回路由进流管和包围进流管的回流管组成,所述进流管和回流管走向与X光管轴向重合,且都与位于靶材背面的换热区连接。
进一步的,所述阳极外壁与靶材焊接的部分厚度为0.5-1.5毫米,有利于冷却液与靶材进行热交换。
优选的,所述阴极部件的阴极材料由二元六硼化物或多元六硼化物中任意一种的多晶或单晶材料制成。阴极材料使用二元六硼化物或多元六硼化物,电子逸出功低,发射电流密度大,电子发射的发射度小,且由于平面发射均匀,束流品质好,大大提高了X光管的有效X光输出剂量。
具体的,所述阴极部件包括栅极、基座以及位于基座内的阴极、阴极支架、绝缘陶瓷和紧固螺钉;所述栅极位于阴极上方,所述栅极上开有正对阴极的电子出射孔,所述阴极固定在阴极支架上,所述阴极支架固定在绝缘陶瓷上,绝缘陶瓷通过紧固螺钉固定连接在基座上,所述阴极部件上还有与栅极电连接的栅极引线孔。
进一步的,栅极的电子出射孔横截面积从阴极到阳极逐渐增大。
栅极采用上述结构,约束电子运动方向,使发射电子收敛,电子束被聚焦后达到阳极形成需要大小的斑点,降低了电子的散射,减少了无效X光的剂量;采用独立的栅控结构,能够快速方便的调节X光管的工作电流和X光输出剂量。
采用本发明所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,既保证了阴极发射的电子能够顺利通过隔离窗到达钨靶、又能使高能电子轰击钨靶后产生的X射线顺利透过隔离窗输出,防止钨靶蒸发的材料到达管壳内壁和其他绝缘体上,达到了提高整管性能、延长器件寿命的目的。
附图说明
图1为本发明一种具有强迫液冷双窗口的X光管的结构示意图;
图中附图标记名称为:1-阳极外壁 2-靶材 3-透电子束隔离窗 4-透X光隔离窗 5-阳极引线螺孔 6-阳极排气孔 7-栅极8-阴极 9-阴极支架 10-基座 11-绝缘陶瓷 12-紧固螺钉 13-管壳 14-芯柱 15-进流管 16-回流管,图中的白色箭头表示冷却液的流动方向。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
X光管的工作原理为在电极之间增加强电场后,从阴极逸出的电子在高压下向阳极做加速运动,以较高动能轰击在阳极上,致使阳极材料激发出 X 射线。传统的阳极部件为开放式结构,这种结构的缺陷在于,由于阳极受电子轰击后部分钨原子溅射出来凝结在管壳上,导致管壳的绝缘能力下降或X光透过率降低,从而缩短了X光管的使用寿命。
X光管的工作原理为在电极之间增加强电场后,从阴极逸出的电子在高压下向阳极做加速运动,从电子入射口进入以较高动能轰击在阳极上,致使阳极材料中被激发出 X 射线,X射线逸出口可以收集到X射线。
X光管管壳内为真空,为便于整体抽真空,传统的阳极部件为开放式结构,即上述的电子入射口和X射线逸出口都是开放的,使阳极内部与管壳内部连为一体。这种结构的缺陷在于,由于阳极受电子轰击后受热,即使采用钨这样的高熔点材料,仍然有少量钨原子在高温下蒸发,从电子入射口和X射线逸出口逸出,由于X射线逸出口正对管壳,相对阳极温度和钨的熔点,管壳温度较低,从X射线逸出口逸出的钨原子很容易在管壳凝结,导致管壳的绝缘能力下降,降低X光管寿命。
在X射线逸出口增加透X光隔离窗,使仅X射线可以从透X光隔离窗输出,而蒸发成气态的钨原子被透X光隔离窗4阻挡而不能逸出,从而减少了阳极材料在管壳内壁的凝结。
其中透X光隔离窗材料可以选择常用的铍。
为进一步减少阳极材料蒸发后在管壳的凝结,本发明优选的在电子入射口上设置有透电子束隔离窗3,在保证电子束入射到阳极的同时,从电子入射口逸出的阳极材料也被阻挡在阳极部件内部,进一步减少了阳极材料蒸发后在管壳的凝结。透电子束隔离窗的材料可以选择铍、钛、硅酸锌中的一种。
采用具有双窗结构的阳极后,钨靶溅射的物质隔离窗阻挡,从而减少了阳极材料在管壳内壁的凝结。其中透X光隔离窗材料可以选择常用的铍,透电子束隔离窗的材料可以选择铍、钛、硅酸锌中的一种。
在将上述的电子入射口和X射线逸出口采用隔离窗隔离后,为方便对阳极部件抽真空,在阳极部件的阳极外壁需要开设阳极排气孔。
在将上述的电子入射口和X射线逸出口采用隔离窗隔离后,为方便对阳极部件抽真空,在阳极部件的阳极外壁需要开设阳极排气孔。现有技术中的X光管的靶材一般并非垂直于电子入射方向,而是倾斜一定角度,如图1所示,靶材表面与电子入射口并非绝对垂直,而是部分倾斜于朝向X射线逸出口的角度,夹角一般为7-20度,阳极倾角大则实际焦点面积大,有效焦点面积大,负荷功率大。采用该设计方式为了在收集入射电子和X射线都取得较好效果,如果设计成绝对垂直,则难以从位于侧面的X射线逸出口得到X射线。
为避免从阳极排气孔逸出靶材材料蒸发的蒸汽,阳极排气孔的位置设置在位于靶材2的后方,位于靶材2与透电子束隔离窗3之间,阳极排气孔连接电子入射口和阳极外壁外的空间,在对X光管抽真空时,使阳极部件内部一并被抽真空。由于靶材蒸汽蒸发时的重金属原子运动方向通常为直线,因此靶材倾斜一定角度,并且阳极排气孔位于靶材后方,因此很难通过阳极排气孔逸出,几乎不会造成前述的靶材蒸发原子在管壳上的凝结。
本发明优选的对阳极采用液冷方式进行冷却,阳极部件还包括液冷回路,所述液冷回路由进流管和包围进流管的回流管组成,所述进流管15和回流管16走向与X光管轴向重合,且都与位于靶材背面的换热区连接。如图1所示,冷却液从进流管输入,到达靶材背面的换热区。靶材背部通常焊接在其背面的阳极外壁上,由于靶材温度高于冷却液,冷却液在换热区完成热交换,并从回流管回流带走热量。冷却液可以是纯水,乙二醇或绝缘油等物质。为加强上述液冷方式的冷却效果,可以将与靶材焊接的阳极外壁处的厚度减薄,厚度为 0.5-1.5毫米范围内。
 传统X光管阴极采用钨作为阴极材料,钨的电子逸出功高,为4.5EV(电子伏)左右,因此钨能激发出电子的工作温度高,钨制阴极容易蒸发影响整管的使用寿命;钨的电子发射的散度大,带来较大的无效辐射剂量。本发明优选的对阴极材料选用二元六硼化物或多元六硼化物的多晶或单晶材料制成。二元六硼化物为形式如MB6的化合物,M为稀土元素,如六硼化镧、六硼化铈等;多元六硼化物为形式如 M1-xNxB6的六硼化物,其中M、N表示不同的稀土元素。由于二元或多元六硼化物的电子逸出功比钨的电子逸出功低,发射电流密度大,在同样的发射电流密度下,工作温度比钨低800℃以上,阴极的蒸发率低于钨数个数量级,延长了X光管的使用寿命。
 当阴极电子被激发时,电子出射方向具有一定的随机性,发射面宽,导致只有部分电子被吸引到阳极。为增大阴极电子到达阳极的几率,优选的,在本发明的阴极部件中,在阴极外部设置有栅极,栅极位于阴极和阳极之间,靠近阴极上方的位置,栅极上开有电子出射孔,电子出射孔位于阴极和阳极之间,且轴线重合。
 使用时,通过栅极引线给栅极通一定负电压,使被激发电子的发射面被收敛,电子从电子出射孔出射的概率增大,到达阳极的电子数量增加。
 上述栅极可以采用V形的电子出射孔形状,即电子出射孔横截面积随高度从低到高逐渐增大,靠近阴极的部分孔径较小,靠近阳极的部分孔径较大,能达到更好的约束电子运动方向指向阳极的效果。
 如图1示出本发明一个具体实施方式,阳极结构包括阳极外壁1,阳极外壁内的靶材2为钨靶,先将钨靶焊接在阳极外壁1上,再将透电子束隔离窗3焊接在阳极外壁的下端的电子入射口上,并与钨靶保持一定间隔。将透X光隔离窗4焊接在阳极外壁的X光出射口上,形成阳极部件。
由于透电子束隔离窗和透X光隔离窗均为不透气薄膜,为在制造中对X光管整体抽真空,因此在阳极外壁上设有阳极排气孔6。
 阳极结构内钨靶后方还设置有液冷回路,液冷回路包括进流管15和回流管16,图1中,进流管和回流管的开口都开在阳极结构的最上方,进流管周围是回流管,进流管和回流管的交汇处位于钨靶背面的换热区,冷却液从进流管输入,到达钨靶背面的换热区,与钨靶进行热交换后,从回流管15回流并带走热量。阳极结构上方除开有进流管的进流口,回流管的回流口外,还开有阳极引线螺孔5,阳极引线螺孔5用于引出阳极引线。
 位于X光管下方的为阴极部件,所述阴极部件包括栅极7、基座10以及位于基座内的阴极8、阴极支架9、绝缘陶瓷11和紧固螺钉12;所述栅极7位于阴极上方,所述栅极7上开有正对阴极的电子出射孔,所述阴极8固定在阴极支架9上,所述阴极支架9固定在绝缘陶瓷11上,绝缘陶瓷通过紧固螺钉12固定连接在基座10上,所述阴极部件上还有与栅极电连接的栅极引线孔。
X光管还包括管壳13和芯柱14,芯柱由与管壳匹配的封接有金属引线柱玻璃制成;管壳由对X光具有高透过率的玻璃制成。在制造时,先将阴极部件与芯柱焊接在一起。通过专用玻璃加工设备,将玻璃加工成管壳的结构。通过常规的X光管玻璃封接方法,将阳极部件与管壳上端熔封在一起,退火消除应力备用;再将芯柱与管壳下端熔封在一起,退火消除应力。最后通过常规的X光管制作流程完成器件制作。
对上述实施例进行测试,得到的测试结果如下表,灯丝是用于对X光管阴极加热的部件。
可见阴极温度仅为1380℃时,本发明的有效电子束流就可以达到6毫安。实测X光管的焦斑尺寸小于0.7×0.7平方毫米。
本发明提供了一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其具有如下的技术效果
1、阳极部件采用具有双隔离窗的复合阳极结构,隔离窗采用高能电子和X射线透过率高的材料,这种阳极结构既保证了阴极发射的电子能够顺利通过隔离窗到达钨靶、又能使高能电子轰击钨靶后产生的X射线顺利透过隔离窗输出,有效防止了钨靶蒸发的材料到达管壳内壁和其他绝缘体上,达到延长器件寿命的目的。
 2、阳极结构采用了液冷结构,即摆脱了阳极的热容量受整管尺寸的限制,又有效的降低了阳极的蒸发大大延长了X光管的使用寿命,提高了整管的工作稳定性,靶材背面的阳极外壁采用减薄处理,增强了热交换效果。
3、阴极材料使用二元六硼化物或多元六硼化物,电子逸出功低,降低了工作温度和阴极蒸发率,延长了X光管的使用寿命。
前文所述的为本发明的各个优选实施例,各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提,各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用,所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述发明人的发明验证过程,并非用以限制本发明的专利保护范围,本发明的专利保护范围仍然以其权利要求书为准,凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化,同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,包括管壳(13)、阳极部件和阴极部件,所述阳极部件包括靶材(2)和包围靶材的阳极外壁(1),所述阳极外壁开有电子入射口和X射线逸出口,其特征在于,所述X射线逸出口上具有透X光隔离窗(4);
所述电子入射口上具有透电子束隔离窗(3),且所述阳极外壁上还开有阳极排气孔(6),所述阳极排气孔的位置位于靶材(2)的后方,位于靶材(2)与透电子束隔离窗(3)之间。
2.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述透X光隔离窗材料为铍。
3.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述透电子束隔离窗材料为铍、钛、硅酸锌中的一种。
4.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述阳极部件还包括液冷回路,所述液冷回路由进流管(16)和包围进流管的回流管(16)组成,所述进流管(16)和回流管(16)走向与X光管轴向重合,且都与位于靶材(2)背面的换热区连接。
5.如权利要求4所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述液冷回路使用的冷却液是纯水、乙二醇、绝缘油中的一种。
6.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述阳极外壁与靶材焊接的部分厚度为0.5-1.5毫米。
7.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述阴极部件的阴极材料由二元六硼化物或多元六硼化物中任意一种的多晶或单晶材料制成。
8.如权利要求1所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,所述阴极部件包括栅极(7)、基座(10)以及位于基座内的阴极(8)、阴极支架(9)、绝缘陶瓷(11)和紧固螺钉(12);所述栅极(7)位于阴极上方,所述栅极(7)上开有正对阴极的电子出射孔,所述阴极(8)固定在阴极支架(9)上,所述阴极支架(9)固定在绝缘陶瓷(11)上,绝缘陶瓷通过紧固螺钉(12)固定连接在基座(10)上,所述阴极部件上还有与栅极电连接的栅极引线孔。
9.如权利要求8所述的具有强迫液冷双窗口阳极的X光管,其特征在于,栅极的电子出射孔横截面积从阴极到阳极逐渐增大。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103731966B (zh) * 2014-01-03 2015-12-30 中国原子能科学研究院 一体化荧光发生装置
JP6498535B2 (ja) 2015-06-10 2019-04-10 キヤノン電子管デバイス株式会社 X線管
JP6543378B1 (ja) * 2018-04-12 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 X線発生装置
CN109817499A (zh) * 2019-02-01 2019-05-28 中国科学院电子学研究所 高功率密度水冷阳极
CN110957200B (zh) * 2019-12-12 2022-11-08 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种反射式x光管
CN111081512A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 陈庆春 一种反射式x光管冷却机构

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2047751B2 (de) * 1970-09-29 1978-06-29 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Röntgenröhre mit Berylliumfenster
GB2089109A (en) * 1980-12-03 1982-06-16 Machlett Lab Inc X-ray targets and tubes
JPS58100345A (ja) * 1981-12-11 1983-06-15 Hitachi Ltd X線管
JPH06162974A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Toshiba Corp X線管
CN2746516Y (zh) * 2004-10-26 2005-12-14 王建军 耐固环保型固定阳极x线管
CN101521135A (zh) * 2009-03-26 2009-09-02 公安部第一研究所 栅控碳纳米阴极场发射x射线管
CN101834108A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 公安部第一研究所 碳纳米阴极场发射x射线管

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2047751B2 (de) * 1970-09-29 1978-06-29 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Röntgenröhre mit Berylliumfenster
GB2089109A (en) * 1980-12-03 1982-06-16 Machlett Lab Inc X-ray targets and tubes
JPS58100345A (ja) * 1981-12-11 1983-06-15 Hitachi Ltd X線管
JPH06162974A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Toshiba Corp X線管
CN2746516Y (zh) * 2004-10-26 2005-12-14 王建军 耐固环保型固定阳极x线管
CN101834108A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 公安部第一研究所 碳纳米阴极场发射x射线管
CN101521135A (zh) * 2009-03-26 2009-09-02 公安部第一研究所 栅控碳纳米阴极场发射x射线管

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