CN103364471B - 电子装置 - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSHLPUIIJIOBOQ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Co++].[Ni++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Co++].[Ni++] KSHLPUIIJIOBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/048—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance for determining moisture content of the material
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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Abstract
本发明是有关于一种电子装置，包括显示面板以及处理单元。显示面板具有显示区以及周边区。显示面板包括主动元件阵列基板、相对于主动元件阵列基板的对向基板以及位于主动元件阵列基板与对向基板之间的显示介质。主动元件阵列基板具有位于显示区的多个主动元件以及位于周边区的湿度感测元件。湿度感测元件为有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管。处理单元与湿度感测元件电性连接。处理单元根据来自湿度感测元件的感测电流计算出湿度值。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有湿度感测功能的电子装置。
背景技术
湿度卡常用来判断环境湿度是否超过标准值，其是一种常见的简易型指标计。然而，湿度卡需要使用者去观察，方可得知环境湿度是否超标。因此，环境湿度往往超标一段时间后，才被使用者发现。此时，受此湿度卡监控的物品可能已遭受损坏。另外，湿度卡含有多种具有污染性的化学成分，而不符合欧盟的环保规定，进而使得湿度卡的应用范围受限。
US4638346揭露了一种场效晶体管湿度感测器。US20100071460揭露了场效晶体管的通道层的特性会受环境湿度影响。US20100307238揭露了一种场效晶体管湿度感测器、其可对应湿度的变化而改变其电容参数，进而达到侦测湿度的目的。US4464647揭露了一种金属氧化物半导体湿度感测器。US7571637揭露了一种即时侦测湿度的电路。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种新型结构的电子装置，所要解决的技术问题是使其以具有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管做为湿度感测元件感测湿度，非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。为达到上述目的，依据本发明的电子装置，包括显示面板以及处理单元。显示面板具有显示区以及与显示区连接的周边区。显示面板包括主动元件阵列基板、相对于主动元件阵列基板的对向基板以及位于主动元件阵列基板与对向基板之间的显示介质。主动元件阵列基板具有位于显示区的多个主动元件以及位于周边区的湿度感测元件。湿度感测元件为有第一金属氧化物半导体层的薄膜晶体管。处理单元与湿度感测元件电性连接。处理单元根据来自湿度感测元件的感测电流计算出湿度值。
在本发明的一实施例中，前述的主动元件阵列基板还具有位于周边区的温度感测元件。温度感测元件与处理单元电性连接。处理单元根据温度感测元件的特性计算出主动元件阵列基板的温度。
在本发明的一实施例中，前述的温度感测元件为环绕显示区的金属线，而处理单元根据金属线的阻值计算出主动元件阵列基板的温度。
在本发明的一实施例中，前述的每一主动元件具有第二栅极、与第二栅极重叠的第二金属氧化物半导体层、位于第二金属氧化物半导体层相对二端且与第二金属氧化物半导体层连接的第二源极及第二漏极。前述的金属线与第二栅极或第二源极属于同一膜层。
在本发明的一实施例中，前述的湿度感测元件还具有与第一金属氧化物半导体层重叠的第一栅极、位于第一金属氧化物半导体层相对二端且与第一金属氧化物半导体层连接的第一源极及第一漏极。
在本发明的一实施例中，前述的处理单元根据主动元件阵列基板的温度分别对湿度感测元件的第一栅极以及第一源极提供第一栅极电压及第一源极电压。处理单元根据通过第一金属氧化物半导体层传递至第一漏极的感测电流、第一栅极电压、第一源极电压以及主动元件阵列基板的温度计算出湿度值。
在本发明的一实施例中，前述的第一栅极与第二栅极属于同一膜层。第一金属氧化物半导体层与第二金属氧化物半导体层属于同一膜层。第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极属于同一膜层。
在本发明的一实施例中，前述的主动元件阵列基板还具有保护层。保护层覆盖主动元件并曝露出湿度感测元件的第一金属氧化物半导体层。
在本发明的一实施例中，前述的电子装置还包括与湿度感测元件电性连接的警示器。警示器根据来自湿度感测元件的感测电流值做出对应的反应。
在本发明的一实施例中，前述的警示器包括指示灯或蜂鸣器。
在本发明的一实施例中，前述的电子装置还包括与湿度感测元件电性连接的防护系统。防护系统根据来自湿度感测元件的感测电流的值启动或关闭。
在本发明的一实施例中，前述的防护系统为抽气机。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明电子装置至少具有下列优点及有益效果：本发明的电子装置以具有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管做为湿度感测元件，从而使本发明的电子装置兼具显示及感测环境湿度的功能。
综上所述，本发明是有关于一种电子装置，包括显示面板以及处理单元。显示面板具有显示区以及周边区。显示面板包括主动元件阵列基板、相对于主动元件阵列基板的对向基板以及位于主动元件阵列基板与对向基板之间的显示介质。主动元件阵列基板具有位于显示区的多个主动元件以及位于周边区的湿度感测元件。湿度感测元件为有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管。处理单元与湿度感测元件电性连接。处理单元根据来自湿度感测元件的感测电流计算出湿度值。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明一实施例的电子装置的示意图。
图2是图1的局部区域R的剖面图。
图3是在不同湿度下图1的湿度感测元件的第一栅极电压与感测电流之间的关系的示意图。
图4是本发明另一实施例的电子装置的示意图。
1000、1000A：电子装置100：显示面板
110：主动元件阵列基板112：保护层
114：温度感测元件114a、114b：金属线的一端
120：对向基板130：显示介质
200：处理单元300：警示器
400：防护系统AA：显示区
B：周边区CH1：第一金属氧化物半导体层
CH2：第二金属氧化物半导体层D1：第一漏极
D2：第二漏极DL：数据线
G1：第一栅极G2：第二栅极
GI：绝缘层I：感测电流
O：欧姆接触层PE：像素电极
S1：第一源极S2：第二源极
SL：扫描线S100、S200：曲线
T1：湿度感测元件T2：主动元件
Vg：第一栅极电压Vs：第一源极电压
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的电子装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图1是本发明一实施例的电子装置的示意图。需说明的是，为清楚表示起见，图1中省略对向基板及显示介质的绘示。图2是图1的局部区域R的剖面图。请参阅图1及图2所示，本实施例的电子装置1000包括显示面板100及处理单元200(绘于图1)。显示面板100具有显示区AA及与显示区AA连接的周边区B。显示区AA是指显示面板100中具有显示功能的区域，而周边区B是指显示面板100中不具有显示功能的区域。在本实施例中，显示区AA例如为矩形区域，而周边区B例如为环绕显示区AA的口字形区域。然而，本发明不以此为限，显示区AA及周边区B的外形皆可视实际的需求做适当设计。
如图2所示，本实施例的显示面板100包括主动元件阵列基板110、对向基板120以及位于主动元件阵列基板110与对向基板120之间的显示介质130。在本实施例中，显示介质130例如为液晶(liquidcrystal)，而对向基板120例如为彩色滤光片(colorfilter)基板。然而，本发明不以此为限，在其他实施例中，显示介质130也可为具有电泳粒子的微胶囊(Microcapsule)或有机激发光层(OrganicLight-Emittinglayer)，而对向基板120可为透光基板。对向基板120的材质包括玻璃、石英、有机聚合物、或是其它可适用的材料。
如图1及图2所示，本实施例的主动元件阵列基板110具有位于显示区AA的多个主动元件T2以及位于周边区B的湿度感测元件T1。特别是，湿度感测元件T1为具有第一金属氧化物半导体层CH1(Metaloxidesemiconductorlayer)的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)。主动元件阵列基板110还具有与多个主动元件T2电性连接的像素电极PE。主动元件T2与像素电极PE是用以驱动显示介质130之用，而湿度感测元件T1是用以监控环境湿度。
在本实施例中，湿度感测元件T1的工艺可与主动元件T2的工艺整合。换言之，湿度感测元件T1的各个膜层与主动元件T2中对应膜层的材质可相同。以下搭配图2详细说明。如图2所示，本实施例的湿度感测元件T1除了具有第一金属氧化物半导体层CH1之外，还具有与第一金属氧化物半导体层CH1重叠的第一栅极G1、位于第一金属氧化物半导体层CH1相对二端且与第一金属氧化物半导体层CH1连接的第一源极S1及第一漏极D1。每一主动元件T2具有第二栅极G2、与第二栅极G2重叠的第二金属氧化物半导体层CH2、位于第二金属氧化物半导体层CH2相对二端且与第二金属氧化物半导体层CH2连接的第二源极S2及第二漏极D2。第二源极S2可与数据线DL(绘于图1)电性连接，而第二漏极D2可与扫描线SL(绘于图1)电性连接。
在本实施例中，第一栅极G1、第二栅极G2与扫描线SL可一起制作。换言之，第一栅极G1、第二栅极G2与扫描线SL可属于同一膜层且材质可相同。第一栅极G1、第二栅极G2与扫描线SL的材质一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第一栅极G1、第二栅极G2与扫描线SL也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
在本实施例中，第一金属氧化物半导体层CH1与第二金属氧化物半导体层CH2可一起制作。换言之，第一金属氧化物半导体层CH1与第二金属氧化物半导体层CH2可属于同一膜层且材质可相同。第一金属氧化物半导体层CH1及第二金属氧化物半导体层CH2的材质是可选自于：氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锡(ZnO)、氧化镉、氧化锗(2CdO·GeO2)、氧化镍钴(NiCo2O4)及其组合。此外，如图2所示，第一金属氧化物半导体层CH1(或第二金属氧化物半导体层CH2)与第一栅极G1(第二栅极G2)之间可配置绝缘层GI。绝缘层GI的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。
在本实施例中，第一源极S1、第一漏极D1、第二源极S2、第二漏极D2以及数据线DL可一起制作。换言之，第一源极S1、第一漏极D1、第二源极S2、第二漏极D2以及数据线DL可属于同一膜层且材质可相同。第一源极S1、第一漏极D1、第二源极S2、第二漏极D2以及数据线DL适用的材质与第一栅极G1类似，在此便不再重述。此外，第一源极S1与第一漏极D1(或第二源极S2与第二漏极D2)可通过欧姆接触层O与第一金属氧化物半导体层CH1(或第二金属氧化物半导体层CH2)连接，以使湿度感测元件T1(或主动元件T2)的效能更佳。
需说明的是，图2中所绘示的湿度感测元件T1与主动元件T2是以底部栅极型薄膜晶体管(bottomgateTFT)为示例。然而，本发明并不限定湿度感测元件T1与主动元件T2的形式，在其他实施例中，主动元件T2(或湿度感测元件T1)也可采用顶部栅极型薄膜晶体管(topgateTFT)或其他适当的形式。
另外，如图2所示，本实施例的主动元件阵列基板110可选择性地包括保护层(passivationlayer)112。保护层112可覆盖主动元件T2及湿度感测元件T1。然而，为达到较佳的湿度感测效果，保护层112可至少曝露湿度感测元件T1的第一金属氧化物半导体层CH1，而使第一金属氧化物半导体层CH1可与环境介质接触，进而使湿度感测元件T1感测湿度的灵敏度更佳。
如图1所示，本实施例的主动元件阵列基板110可进一步具有位于周边区B的温度感测元件114。温度感测元件114与处理单元200电性连接。处理单元200可根据温度感测元件114的特性计算出主动元件阵列基板100的温度。具体而言，在本实施例中，温度感测元件114可为环绕显示区114的金属线。此金属线的二端114a、114b可分别与处理单元200电性连接。处理单元200可根据此金属线的阻值计算出主动元件阵列基板110的温度。值得一提的是，金属线也可与位于显示区AA的主动元件T2一起制作。具体而言，金属线可与主动元件T2的第二栅极G2、或第二源极S2及第二漏极D2一起制作。换言之，金属线的材质可与主动元件T2的第二栅极G2或第二源极S2及第二漏极D2相同。
如图1所示，本实施例的处理单元200与湿度感测元件T1电性连接。处理单元200根据来自湿度感测元件T1的感测电流I计算出湿度值。此湿度值可用以代表本实施例的电子装置1000所处环境的湿度。更进一步地说，在本实施例中，处理单元200可先根据主动元件阵列基板110的温度分别对湿度感测元件T1的第一栅极G1以及第一源极S1提供第一栅极电压及第一源极电压。然后，处理单元200可接收到通过第一金属氧化物半导体层CH1传递至第一漏极D1的感测电流I。接着，处理单元200再根据感测电流I的值、第一栅极电压、第一源极电压以及主动元件阵列基板的温度计算出湿度值。详言之，处理单元200中可内建真值表(lookuptable)。处理单元200可通过此真值表并根据感测电流I的值、第一栅极电压、第一源极电压以及主动元件阵列基板的温度找出对应的湿度值。
请再参阅图2所示，本实施例的电子装置1000可进一步包括警示器300。警示器300可与湿度感测元件T1电性连接。警示器300可根据来自湿度感测元件T1的感测电流I的值做出对应的反应。以下配合图2及图3详细说明。图3是在不同湿度下图1的湿度感测元件的第一栅极电压与感测电流之间的关系的示意图。请先参阅图2所示，详言之，湿度感测元件T1的第一栅极G1与第一源极S1可被分别施予第一栅极电压Vg与第一源极电压Vs。请参阅图3所示，在低湿度(例如25％，25C)下，第一栅极电压与感测电流之间的关系如图3的曲线S100所示。此时，感测电流I(I1)接近零，而警示器300不会启动。在高湿度(例如60％，25C)下，第一栅极电压与感测电流之间的关系如图3的曲线S200所示。曲线S200相比较于曲线S100其会往低的第一栅极电压的方向偏移。此时，在第一栅极G1仍被施予固定的第一栅极电压Vg的情况下，感测电流I(I2)可远大于零，而警示器300可启动。在本实施例中，警示器300例如为指示灯。当电子装置1000所处的环境湿度值大于预设值时，指示灯可亮起，以主动地通知使用者做出适当的处理。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，警示器300也可为蜂鸣器。当电子装置1000所处的环境湿度值大于预设值时，蜂鸣器可响起，以主动地通知使用者做出适当的处理。
图4是本发明另一实施例的电子装置的示意图。请参阅图4所示，此实施例的电子装置1000A与图1的电子装置1000类似，因此相同的元件以相同的标号标示。电子装置1000A与电子装置1000的差异在于：电子装置1000A还包括与湿度感测元件T1电性连接的防护系统400。防护系统400可根据来自湿度感测元件T1的感测电流I的值启动或关闭。在本实施例中，防护系统400可为抽气机。与上段所述类似地，在低湿度(例如25％，25℃)下，来自第一漏极D1的感测电流I可接近零，此时抽气机可呈关闭状态。在高湿度(例如60％，25C)下，来自第一漏极D1的感测电流I可远大于零，而抽气机可启动以降低环境湿度，进而保护电子装置1000A。
综上所述，本发明一实施例的电子装置以具有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管做为湿度感测元件，而使本发明一实施例的电子装置兼具显示及感测环境湿度的功能。此外，湿度感测元件与位于显示区的主动元件的工艺可整合在一起，而使得此电子装置的工艺简单。
此外，本发明一实施例的电子装置可进一步包括与湿度感测元件电性连接的警示器或防护系统，以主动地通知使用者或直接做出使环境湿度降低的动作。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (11)
1.一种电子装置，其特征在于其包括：
显示面板，具有显示区以及与所述显示区连接的周边区，所述显示面板包括：
主动元件阵列基板，具有位于所述显示区的多个主动元件以及位于所述周边区的湿度感测元件，其中所述湿度感测元件为具有第一金属氧化物半导体层的薄膜晶体管，所述主动元件阵列基板还具有保护层，所述保护层覆盖所述主动元件并至少曝露出所述湿度感测元件的所述第一金属氧化物半导体层；
对向基板，相对于所述主动元件阵列基板；及
显示介质，位于所述主动元件阵列基板与所述对向基板之间；以及
处理单元，与所述湿度感测元件电性连接，且所述处理单元根据来自所述湿度感测元件的感测电流计算出湿度值。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述主动元件阵列基板还具有：位于所述周边区的温度感测元件，所述温度感测元件与所述处理单元电性连接，而所述处理单元根据所述温度感测元件的特性计算出所述主动元件阵列基板的温度。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于其中所述温度感测元件为环绕所述显示区的金属线，而所述处理单元根据所述金属线的阻值计算出所述主动元件阵列基板的温度。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于其中每一所述主动元件具有第二栅极、与所述第二栅极重叠的第二金属氧化物半导体层、位于所述第二金属氧化物半导体层相对二端且与所述第二金属氧化物半导体层连接的第二源极及第二漏极，其中所述金属线与所述第二栅极或所述第二源极属于同一膜层。
5.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于其中所述湿度感测元件还具有：与所述第一金属氧化物半导体层重叠的第一栅极、位于所述第一金属氧化物半导体层相对二端且与所述第一金属氧化物半导体层连接的第一源极及第一漏极。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于其中所述处理单元根据所述主动元件阵列基板的温度分别对所述湿度感测元件的所述第一栅极以及所述湿度感测元件的所述第一源极提供第一栅极电压及第一源极电压，且所述处理单元根据通过所述第一金属氧化物半导体层传递至所述第一漏极的所述感测电流、所述第一栅极电压、所述第一源极电压以及所述主动元件阵列基板的温度计算出所述湿度值。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述湿度感测元件还具有与所述第一金属氧化物半导体层重叠的第一栅极、位于所述第一金属氧化物半导体层相对二端且与所述第一金属氧化物半导体层连接的第一源极及第一漏极，而每一所述主动元件具有第二栅极、与所述第二栅极重叠的第二金属氧化物半导体层、位于所述第二金属氧化物半导体层相对二端且与所述第二金属氧化物半导体层连接的第二源极及第二漏极，其中所述第一栅极与所述第二栅极属于同一膜层，所述第一金属氧化物半导体层与所述第二金属氧化物半导体层属于同一膜层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极属于同一膜层。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其还包括：警示器，与所述湿度感测元件电性连接，且所述警示器根据来自所述湿度感测元件的所述感测电流的值做出对应的反应。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于其中所述警示器包括：指示灯或蜂鸣器。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其还包括：防护系统，与所述湿度感测元件电性连接，且所述防护系统根据来自所述湿度感测元件的所述感测电流的值启动或关闭。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于其中所述防护系统为抽气机。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101112642 | 2012-04-10 | ||
| TW101112642A TWI477848B (zh) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 電子裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103364471A CN103364471A (zh) | 2013-10-23 |
| CN103364471B true CN103364471B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=49291859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310024490.4A Active CN103364471B (zh) | 2012-04-10 | 2013-01-15 | 电子装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9000932B2 (zh) |
| CN (1) | CN103364471B (zh) |
| TW (1) | TWI477848B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6357922B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-07-18 | カシオ計算機株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
| CN105588856A (zh) * | 2014-10-19 | 2016-05-18 | 吴振武 | 柔性印刷粪尿传感器 |
| TWI596793B (zh) * | 2015-11-17 | 2017-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 光感測裝置及其製造方法 |
| CN109212800B (zh) * | 2017-07-03 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN108445654B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置、温度检测方法及装置 |
| TWI687751B (zh) | 2018-05-25 | 2020-03-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
| TWI743824B (zh) * | 2020-06-09 | 2021-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其主動元件陣列基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638346A (en) * | 1984-08-29 | 1987-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Field effect transistor-type moisture sensor |
| CN1103974A (zh) * | 1993-08-25 | 1995-06-21 | 卡西欧计算机公司 | 图象显示装置 |
| CN2754116Y (zh) * | 2004-12-10 | 2006-01-25 | 广东科龙电器股份有限公司 | 智能显示装置 |
| CN201927325U (zh) * | 2010-12-28 | 2011-08-10 | 浙江万国电子科技有限公司 | 一种led显示屏监控系统 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4464647A (en) | 1981-02-12 | 1984-08-07 | Marcon Electronics Co. Ltd. | Humidity sensor made of metal oxide |
| US9130651B2 (en) * | 2010-08-07 | 2015-09-08 | Joseph Akwo Tabe | Mega communication and media apparatus configured to provide faster data transmission speed and to generate electrical energy |
| JP3608614B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| US7571637B2 (en) * | 2007-10-29 | 2009-08-11 | International Business Machines Corporation | Design structure for an on-chip real-time moisture sensor for and method of detecting moisture ingress in an integrated circuit chip |
| JP5298507B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2013-09-25 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置及び画像表示方法 |
| US20090278121A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images and fabrication method thereof |
| US8284218B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device controlling luminance |
| DE102008048715B4 (de) | 2008-09-24 | 2019-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verbesserung der Signalqualität von Feldeffekttransistoren aufweisenden Feuchtesensoren oder Gassensoren |
| TWI552123B (zh) * | 2009-01-28 | 2016-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CA2705653A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-05 | The Governors Of The University Of Alberta | Humidity sensor and method of manufacturing the same |
| CN102725784B (zh) * | 2009-12-18 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法 |
| US8638307B2 (en) * | 2010-09-27 | 2014-01-28 | Blackberry Limited | Electronic device and touch-sensitive input device |
-
2012
- 2012-04-10 TW TW101112642A patent/TWI477848B/zh active
-
2013
- 2013-01-15 CN CN201310024490.4A patent/CN103364471B/zh active Active
- 2013-01-16 US US13/742,374 patent/US9000932B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638346A (en) * | 1984-08-29 | 1987-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Field effect transistor-type moisture sensor |
| CN1103974A (zh) * | 1993-08-25 | 1995-06-21 | 卡西欧计算机公司 | 图象显示装置 |
| CN2754116Y (zh) * | 2004-12-10 | 2006-01-25 | 广东科龙电器股份有限公司 | 智能显示装置 |
| CN201927325U (zh) * | 2010-12-28 | 2011-08-10 | 浙江万国电子科技有限公司 | 一种led显示屏监控系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103364471A (zh) | 2013-10-23 |
| TW201341891A (zh) | 2013-10-16 |
| US20130265166A1 (en) | 2013-10-10 |
| US9000932B2 (en) | 2015-04-07 |
| TWI477848B (zh) | 2015-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |