CN103346161A - 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法 - Google Patents

改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103346161A
CN103346161A CN2013102531710A CN201310253171A CN103346161A CN 103346161 A CN103346161 A CN 103346161A CN 2013102531710 A CN2013102531710 A CN 2013102531710A CN 201310253171 A CN201310253171 A CN 201310253171A CN 103346161 A CN103346161 A CN 103346161A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ion
region
district
implanted region
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013102531710A
Other languages
English (en)
Inventor
田志
金秋敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2013102531710A priority Critical patent/CN103346161A/zh
Publication of CN103346161A publication Critical patent/CN103346161A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明涉及CMOS图像传感器领域，具体涉及一种改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，通过两次或两次以上的离子注入工艺，在结合扩散区内形成两个掺杂浓度不同的离子注入区，且上方的离子注入区的离子掺杂浓度大于下层离子注入区的离子掺杂浓度，进而在结合扩散区形成从上层指向下层的电场，使得光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，进而提高图像成像质量。

Description

改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器领域，具体涉及一种改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法。
背景技术
CMOS图像传感器（CIS）由于其制造工艺和现有的集成电路制造工艺兼容，同时其性能上比原有的电荷耦合器件CCD相比有很多优点。CMOS图像传感器可以将驱动电路和像素集成在一起，简化了硬件设计，同时也降低了系统的功耗。CIS由于在采集光信号的同时就可以取出电信号，还能实时处理图像信息，速度比CCD图像传感器快。CMOS图像传感器还具有价格便宜，带宽较大，防模糊，访问的灵活性和较大的填充系数的优点。
传统的有源像素是运用光电二极管作为图像传感器件。通常的有源像素单元是由三个晶体管和一个N+/P-光电二极管构成，这种结构适合标准的CMOS制造工艺。在对于光电二极管的搀杂的空间分布设计中，我们还必须使空间电荷区避开晶体缺陷等复合中心集中的地区，以减小像素的暗电流。而现在像素的尺寸逐渐减小，光电二极管容纳电子的阱容量也随之变小，那么对光的捕获和光电信号有一定的影响。现在对于CMOS图像传感器有两种选择，一种是与标准CMOS工艺兼容的光电二极管和3个晶体管相结合，以此保证光电二极管的面积。另一种是不与标准CMOS工艺兼容的具有高阱容量的所谓钉扎光电二极管（包括N-层，在其上形成的P+连接层）与4个晶体管结合的具有较低暗电流的像素结构。
图1为现有技术中背照图像传感器后端的4T像素的示意图，P型外延层中定义的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，并在有源单元区中形成有光电二极管区，光电二极管区的顶部形成有一钉扎层，在该有源单元区中还形成有一P型的阱区107，及至少在P型阱区107的顶部形成有漂浮的第一N型区109和第二N型区108，和在第一N区109与钉扎层之间的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个转移晶体管110；以及在第一N区109和第二N区108之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个复位晶体管111，在有源单元区中还形成有一个放大晶体管和一个选择晶体管，所述第一N区109电性连接到放大晶体管的栅极，放大晶体管和选择晶体管串联，放大晶体管的一端连接电源电压VDD，另一端连接选择晶体管。第二N区108处于电源电压的电势。
在光照时，光电二极管产生电荷，这时转移晶体管110是关闭状态。然后转移晶体管110打开，将存储在光电二极管区中的电荷传输到漂浮节点，传输后，转移晶体管110关闭，并等待下一次光照的进入。在漂浮节点上的电荷信号随后用于调整放大晶体管。读出后，带有复位门的复位晶体管111将漂浮点复位到一个参考电压。
当入射光抵达感光二极管的空间电荷区以外的衬底区域，并通过光电效应产生的电子空穴对时，其电子也会在衬底内通过扩散到达空间电荷区边缘而被空间电荷区所吸收。然而，由于电子扩散的无规则性，其可能在衬底内与空穴复合，也可能在衬底游走一段距离后被扫入其他像素的空间电荷区，从而引起像素间一种新的互扰，称之为电学互扰。电学互扰同样会给像素引入一些不真实的信号，使图像传感器信噪比降低，图像质量变差。在强光的照射下，这种电学互扰会非常严重，此时不仅在感光二极管空间电荷区外产生的光生电子会在衬底扩散，而且被二极管空间电荷区已收集的电子也可能会重新扩散到衬底中，并在最终的图像中引入一些缺陷，如光晕。原因在于对像素而言，其所能容纳的电子个数有限，一旦P-N结收集足够的电子后脱离反偏态而进入平衡态，其多余的电子将溢出而扩散到衬底中，并有很大部分将被邻近的像素所吸收，使周边像素亮度增加，形成光晕。
中国专利（200980104585）用于背侧照明影像感测器的电路与光感测器重迭，提出一种像素电路区域和光电二极管区域相互重叠的分布方式，将光电二极管置于像素单元电路区下，而通过一个结合扩散区将光电二极管和钉扎层相连实现将电子通过转移管传到漂浮点的功能（如图2所示）。这种结构，使光电二极管的面积得到扩大，提升了像素单元的填充因数，而且大的光电二极管可以接受更多的光，提高了对倾斜光的吸收，增加了光电转换的效率。
但是由于其光电二极管是在下部，光电子必须通过一个结合扩散区来实现电子的转移，这样就会使光电二极管中电子较慢的到达浮动扩散点。由于增加的光电二极管区域，有更多的电子生成，由于结合扩散区的慢的电子转移速度，当图像信号读出后图像信号（电子）仍会滞留在光电二极管中，那么这些剩余的电子就在下一次的图像信号读出时被读出，成为下一个图像信号的信号，造成图像之间的拖曳，从而造成像素单元的成像质量下降。
发明内容
本发明根据现有技术中的不足提供了一种改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，通过两次离子注入在光电二极管区和钉扎层之间的结合扩散区形成两个离子注入区，且上方离子注入区的离子掺杂浓度大于下方离子注入区的离子掺杂浓度，从而在结合扩散区形成了浓度梯度，可使光电二极管区中的电子更快通过结合扩散区并到达至浮动扩散点，从而提高成像质量。
本发明采用的技术方案为：
一种改善图像信号质量的方法，应用于重叠背照式CMOS图像传感器的制备工艺中，其中，包括以下步骤：
提供一具有外延层的半导体衬底，且该外延层中设置有光电二极管区，所述光电二极管区与所述衬底之间形成有一结合扩散区；
采用两次离子注入工艺于所述结合扩散区自下而上依次形成第一离子注入区及第二离子注入区后，继续进行后续的制备工艺；
其中，所述第二离子注入区位于第一离子注入区的顶部，且第二离子注入区的离子掺杂浓度大于第一离子注入区的离子掺杂浓度，以在所述结合扩散区形成N型梯度，进而形成所述第二离子注入区指向第一离子注入区的电场，从而使光电二极管中的电子更快通过结合扩散区域进入像素电路区。
上述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用磷离子进行第一离子注入工艺形成第一离子注入区，
其中，进行第一离子注入工艺时，注入所述磷离子能量为200～1200K，剂量为3E12/～6E12/cm2。
上述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用一次或多次离子注入工艺进行第一离子注入工艺以形成第一离子注入区。
上述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用多次离子注入工艺时，每次离子注入工艺的离子能量和剂量递减。
上述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用比磷离子原子量大的砷离子进行第二离子注入工艺，
其中，进行所述第二离子注入工艺时，注入所述砷离子能量为100K～150K，剂量为3E12～6E12/cm2。
一种重叠背照式CMOS图像传感器，所述背照式CMOS图像传感器包括P型衬底，在P型衬底上定义的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，所述有源单元区中包含有像素电路区、结合扩散区、光电二极管区和一钉扎层，所述光电二极管区部分位于所述像素电路区的下方，且所述钉扎层通过所述结合扩散区与所述光电二极管区连接，以将所述光电二极管区中的电子通过所述结合扩散区转移至所述像素电路区，其中，
所述结合扩散区中设置有第一离子注入区及位于该第一离子注入区顶部的第二离子注入区；
其中，所述第二离子注入区的离子掺杂浓度大于第一离子注入区的离子掺杂浓度。
上述的CMOS图像传感器，其中，所述第一离子掺杂区的离子为磷离子，所述第二离子掺杂区的离子为磷离子和砷离子的混合掺杂区。
上述的CMOS图像传感器，其中，所述像素电路区包括一P型的阱区，P型阱区的顶部形成有漂浮的第一N型区和第二N型区；
在第一N区与N掺杂区之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个转移控制晶体管；
以及在第一N区和第二N区之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个复位晶体管；
在所述有源单元区中还形成有一个放大晶体管和一个选择晶体管，所述第一N区电性连接到放大晶体管的栅极，放大晶体管和选择晶体管串联，放大晶体管的一端连接电源电压，另一端连接选择晶体管；所述第二N区处于电源电压的电势。
上述的CMOS图像传感器，其中，所述结合扩散区自下而上顺序依次包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区的离子掺杂浓度大于下方第二离子注入区的离子掺杂浓度。
上述的CMOS图像传感器，其中，所述第一离子掺杂区的离子为磷离子，所述第二离子掺杂区的离子为砷离子。
由于本发明采用了以上技术方案，在光电二极管区和钉扎层之间的结合扩散区形成了两个离子注入区，且上方的离子注入区的离子掺杂浓度大于下方离子注入区的离子掺杂浓度，以在结合扩散区形成自上而下的电场，使得光电二极管区的电子更快通过结合扩散区到达浮动扩散点，进而防止因图像信号滞留在光电二极管中从而影响图像信号的质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为现有技术中4T有缘背照式CMOS图像传感器的示意图；
图2为现有技术中光电二极管与像素电路区形成交叠的CMOS图像传感器的示意图；
图3为本发明改善CMOS图像传感器图像信号质量的方法的流程图；
图4为通过本发明提供的方法制备出的CMOS图像传感器的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
图3为本发明改善CMOS图像传感器图像信号质量的方法的流程图，具体包括以下步骤：
步骤S1、提供一具有外延层的半导体衬底，且该外延层中设置有光电二极管区，该光电二极管区的部分上表面与外延层的上表面之间形成有一结合扩散区，由于之前的制备工艺采用现有技术所公知的技术方案，故本发明不再赘述；
采用磷离子进行第一离子注入工艺在结合扩散区域底部形成第一离子注入区，优选的，注入所述磷离子能量为200～1200K（如200K，400K，500K，800K，1000K，1200K等值），剂量为3E12/～6E12/cm2（如3E12/cm2，5E12/cm2，6E12/cm2等值）；
其中，在本发明的实施例中，还可采用一次或多次离子注入工艺进行第一离子注入工艺在结合扩散区形成第一离子注入区，且每次离子注入工艺的离子能量和剂量递减。
步骤S2、继续进行第二离子注入工艺在第一离子注入区的顶部形成第二离子注入区，优选的，采用比磷离子原子量大的砷离子进行第二离子注入工艺，其中，注入所述砷离子能量为100K～150K（如100K，120K，130K，150K等值），剂量为3E12～6E12/cm2（如3E12/cm2，5E12/cm2，6E12/cm2等值）。
步骤S3、继续进行后续的CMOS图像传感器制备工艺，同样的，后续的CMOS图像传感器制备工艺为现有技术中所采用的技术方案，在此本发明不予赘述。
由于通过采用多次两次注入工艺在结合扩散区形成了两个离子注入区，且位于上方的第二离子注入区的砷离子掺杂浓度大于第一离子注入区的磷离子掺杂浓度，可在结合扩散区内形成从上层指向下层的电场，有利于光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，从而抑制了电子在光电二极管中的滞留，防止了两次图像信号的影响，提高了图像信号的质量。
图4为通过本发明提供的方法制备出的CMOS图像传感器的示意图，如图所示，该背照式CMOS图像传感器包括P型外延层，在P型外延层的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，有源单元区中包含有像素电路区和光电二极管区，部分光电二极管正上方位于P型外延层的顶部形成有一钉扎层，且该光电二极管区其余部分位于像素电路区的正下方；
像素电路区包括一P型的阱区107，P型阱区107的顶部形成有漂浮的第一N型区109和第二N型区108；在第一N区109与钉扎层之间的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个转移控制晶体管110；以及在第一N区109和第二N区108之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个复位晶体管111；有源单元区中还形成有一个放大晶体管和一个选择晶体管，第一N区109电性连接到放大晶体管的栅极，放大晶体管和选择晶体管串联，放大晶体管的一端连接电源电压VDD，另一端连接选择晶体管；
其中，光电二极管区与钉扎层之间形成有一结合扩散区，该结合扩散区自下而上顺序依次包括有第一离子注入区120和第二离子注入区130，上方第二离子注入区130的离子掺杂浓度大于下方第二离子注入区120的离子掺杂浓度，以在扩散结合区形成形成从第二离子注入区130指向第一离子注入区120的电场并形成梯度，有利于光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，进而提高图像成像质量。
综上所述，由于本发明采用了以上技术方案，通过两次或两次以上的离子注入工艺，在结合扩散区内形成两个不同浓度的离子掺杂区，且上方的离子注入区的离子掺杂浓度大于下层离子注入区的离子掺杂浓度，从而形成从上层指向下层的电场，使得光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，进而提高图像成像质量。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种改善图像信号质量的方法，应用于重叠背照式CMOS图像传感器的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
提供一具有外延层的半导体衬底，且该外延层中设置有光电二极管区，所述光电二极管区与所述衬底之间形成有一结合扩散区；
采用两次离子注入工艺于所述结合扩散区自下而上依次形成第一离子注入区及第二离子注入区后，继续进行后续的制备工艺；
其中，所述第二离子注入区位于第一离子注入区的顶部，且第二离子注入区的离子掺杂浓度大于第一离子注入区的离子掺杂浓度，以在所述结合扩散区形成N型梯度，进而形成所述第二离子注入区指向第一离子注入区的电场，从而使光电二极管中的电子更快通过结合扩散区域进入像素电路区。
2.根据权利要求1所述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用磷离子进行第一离子注入工艺形成第一离子注入区，
其中，进行第一离子注入工艺时，注入所述磷离子能量为200～1200K，剂量为3E12/～6E12/cm2。
3.根据权利要求2所述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用一次或多次离子注入工艺进行第一离子注入工艺以形成第一离子注入区。
4.根据权利要求3所述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用多次离子注入工艺时，每次离子注入工艺的离子能量和剂量递减。
5.根据权利要求1或2所述的改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，采用比磷离子原子量大的砷离子进行第二离子注入工艺，
其中，进行所述第二离子注入工艺时，注入所述砷离子能量为100K～150K，剂量为3E12～6E12/cm2。
6.一种重叠背照式CMOS图像传感器，所述背照式CMOS图像传感器包括P型衬底，在P型衬底上定义的有源单元区周围设置有浅隔离沟槽结构，所述有源单元区中包含有像素电路区、结合扩散区、光电二极管区和一钉扎层，所述光电二极管区部分位于所述像素电路区的下方，且所述钉扎层通过所述结合扩散区与所述光电二极管区连接，以将所述光电二极管区中的电子通过所述结合扩散区转移至所述像素电路区，其特征在于，
所述结合扩散区中设置有第一离子注入区及位于该第一离子注入区顶部的第二离子注入区；
其中，所述第二离子注入区的离子掺杂浓度大于第一离子注入区的离子掺杂浓度。
7.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一离子掺杂区的离子为磷离子，所述第二离子掺杂区的离子为磷离子和砷离子的混合掺杂区。
8.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素电路区包括一P型的阱区，P型阱区的顶部形成有漂浮的第一N型区和第二N型区；
在第一N区与N掺杂区之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个转移控制晶体管；
以及在第一N区和第二N区之间的P阱区的上方形成有栅氧化物层和栅氧化物层之上的栅极，以形成一个复位晶体管；
在所述有源单元区中还形成有一个放大晶体管和一个选择晶体管，所述第一N区电性连接到放大晶体管的栅极，放大晶体管和选择晶体管串联，放大晶体管的一端连接电源电压，另一端连接选择晶体管；所述第二N区处于电源电压的电势。
9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述结合扩散区自下而上顺序依次包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区的离子掺杂浓度大于下方第二离子注入区的离子掺杂浓度。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一离子掺杂区的离子为磷离子，所述第二离子掺杂区的离子为砷离子。
CN2013102531710A 2013-06-24 2013-06-24 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法 Pending CN103346161A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013102531710A CN103346161A (zh) 2013-06-24 2013-06-24 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013102531710A CN103346161A (zh) 2013-06-24 2013-06-24 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103346161A true CN103346161A (zh) 2013-10-09

Family

ID=49280946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013102531710A Pending CN103346161A (zh) 2013-06-24 2013-06-24 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103346161A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103500750A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 上海华力微电子有限公司 一种cmos图像传感器有源像素的结构及其制造方法
CN103943644A (zh) * 2014-04-28 2014-07-23 上海华力微电子有限公司 一种传输晶体管结构
CN104201182A (zh) * 2014-09-04 2014-12-10 北京思比科微电子技术股份有限公司 一种背照式图像传感器像素及其制作方法
CN105405918A (zh) * 2014-09-10 2016-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光电二极管制备方法
CN107546118A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN107546236A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN109979955A (zh) * 2019-04-03 2019-07-05 上海华力微电子有限公司 一种半导体结构及其制造方法
CN111446269A (zh) * 2020-04-26 2020-07-24 上海集成电路研发中心有限公司 一种cmos图像传感器结构及制造方法
CN112397532A (zh) * 2019-08-15 2021-02-23 天津大学青岛海洋技术研究院 一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090242741A1 (en) * 2007-08-06 2009-10-01 Takefumi Konishi Solid-state image capturing apparatus, manufacturing method for the solid-state image capturing apparatus, and electronic information device
CN101840927A (zh) * 2009-03-17 2010-09-22 夏普株式会社 固态图像捕捉元件和电子信息设备
US20100259658A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Takefumi Konishi Solid-state image capturing element and driving method for the same, method for manufacturing solid-state image capturing element, and electronic information device
CN101939841A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 美商豪威科技股份有限公司 用于背侧照明影像感测器的电路与光感测器重迭
CN102169883A (zh) * 2010-01-27 2011-08-31 索尼公司 固态成像装置及其制造方法、电子设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090242741A1 (en) * 2007-08-06 2009-10-01 Takefumi Konishi Solid-state image capturing apparatus, manufacturing method for the solid-state image capturing apparatus, and electronic information device
CN101939841A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 美商豪威科技股份有限公司 用于背侧照明影像感测器的电路与光感测器重迭
CN101840927A (zh) * 2009-03-17 2010-09-22 夏普株式会社 固态图像捕捉元件和电子信息设备
US20100259658A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Takefumi Konishi Solid-state image capturing element and driving method for the same, method for manufacturing solid-state image capturing element, and electronic information device
CN102169883A (zh) * 2010-01-27 2011-08-31 索尼公司 固态成像装置及其制造方法、电子设备

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103500750A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 上海华力微电子有限公司 一种cmos图像传感器有源像素的结构及其制造方法
CN103500750B (zh) * 2013-10-21 2016-06-15 上海华力微电子有限公司 一种cmos图像传感器有源像素的结构及其制造方法
CN103943644A (zh) * 2014-04-28 2014-07-23 上海华力微电子有限公司 一种传输晶体管结构
CN103943644B (zh) * 2014-04-28 2016-09-07 上海华力微电子有限公司 一种传输晶体管结构
CN104201182A (zh) * 2014-09-04 2014-12-10 北京思比科微电子技术股份有限公司 一种背照式图像传感器像素及其制作方法
CN104201182B (zh) * 2014-09-04 2017-08-08 北京思比科微电子技术股份有限公司 一种背照式图像传感器像素及其制作方法
CN105405918A (zh) * 2014-09-10 2016-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光电二极管制备方法
CN105405918B (zh) * 2014-09-10 2017-06-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光电二极管制备方法
CN107546118A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN107546236A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN107546118B (zh) * 2016-06-29 2020-05-22 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN107546236B (zh) * 2016-06-29 2020-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cmos图像传感器及其制备方法和电子装置
CN109979955A (zh) * 2019-04-03 2019-07-05 上海华力微电子有限公司 一种半导体结构及其制造方法
CN109979955B (zh) * 2019-04-03 2021-06-18 上海华力微电子有限公司 一种半导体结构及其制造方法
CN112397532A (zh) * 2019-08-15 2021-02-23 天津大学青岛海洋技术研究院 一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法
CN111446269A (zh) * 2020-04-26 2020-07-24 上海集成电路研发中心有限公司 一种cmos图像传感器结构及制造方法
CN111446269B (zh) * 2020-04-26 2023-04-07 上海集成电路研发中心有限公司 一种cmos图像传感器结构及制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103346161A (zh) 改善重叠背照式cmos图像传感器图像信号质量的方法
CN108336101B (zh) 飞行时间探测像素
KR102492010B1 (ko) 다수 전류에 의해 보조되는 방사선 검출기 장치
CN103227183B (zh) 一种抑制背照式cmos图像传感器电学互扰的方法
TWI225304B (en) Solid-state image sensing device and camera system using the same
US8330195B2 (en) Multilayer image sensor pixel structure for reducing crosstalk
CN103930993B (zh) 图像传感器的单位像素及其光电探测器
CN103579264B (zh) 用于制造3d图像传感器结构的系统和方法
TW200402146A (en) Photodetector circuits
CN103500750B (zh) 一种cmos图像传感器有源像素的结构及其制造方法
CN104112782B (zh) 一种抗串扰倒u 型埋层光电二极管及生成方法
CN104916655A (zh) 图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法
CN102820313B (zh) Cmos图像传感器
CN103139497B (zh) Cmos图像传感器的有源像素及cmos图像传感器
CN109979955A (zh) 一种半导体结构及其制造方法
CN105810703B (zh) 蓝增强图像传感器
CN102332458B (zh) 图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法
CN101567337A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN104992954B (zh) 一种降低图像传感器暗电流的方法
CN109638025A (zh) Cmos图像传感器及其制备方法
CN104269419B (zh) 图像传感器及其形成方法
CN102522416A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN108933149B (zh) 成像传感器像素及系统
CN102427079B (zh) Cmos图像传感器
CN114078889A (zh) 全局快门cmos图像传感器及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20131009

RJ01 Rejection of invention patent application after publication