CN103346110A - 一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 - Google Patents
一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103346110A CN103346110A CN201310268837XA CN201310268837A CN103346110A CN 103346110 A CN103346110 A CN 103346110A CN 201310268837X A CN201310268837X A CN 201310268837XA CN 201310268837 A CN201310268837 A CN 201310268837A CN 103346110 A CN103346110 A CN 103346110A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circular recess
- quartzy
- carrier
- quartzy carrier
- etched wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于刻蚀晶片的石英承载盘。该石英承载盘的上表面具有设定数目的用于放置晶片的第一圆形槽，所述石英承载盘的下表面与所述第一圆形槽对应的位置具有第二圆形槽，所述第二圆形槽中填充有导电导热物质。本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘，提高了石英承载盘的使用寿命，提高了刻蚀速率和散热性能。
Description
技术领域
本发明涉及光电领域，尤其涉及一种用于刻蚀晶片的石英承载盘。
背景技术
在LED（Light Emitting Diode，发光二极管）等相关微电子行业，ICP（Inductively Coupled Plasma，感应耦合等离子体）刻蚀的试用比较普遍，试用最多的承载盘就是导热性能优异的SiC（碳化硅）盘和石墨盘：SiC材质较硬、使用周期长、化学稳定性好，石墨盘便宜、制作容易，但此两种材质的盘都有不可忽视的缺点：SiC盘制作困难，成本极高；石墨材质软，刻蚀使用寿命短，且不适合用于高能量的ICP刻蚀。石英材质尽管化学稳定性好，硬度高，但散热性能不佳，导致其使用范围受到局限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于刻蚀晶片的石英承载盘，提高石英承载盘的使用寿命，提高刻蚀速率。
为解决上述技术问题，本发明提出了一种用于刻蚀晶片的石英承载盘，所述石英承载盘的上表面具有设定数目的用于放置晶片的第一圆形槽，所述石英承载盘的下表面与所述第一圆形槽对应的位置具有第二圆形槽，所述第二圆形槽中填充有导电导热物质。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽的面积大于或等于所述第一圆形槽的面积。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第一圆形槽的槽深为0.6毫米。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间隔有石英层。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间的石英厚度为1至2毫米。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间隔有石英层，所述导电导热物质为金属块、碳化硅块或导电陶瓷。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述金属块为铝块或不锈钢块。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽相连通。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽相连通，所述导电导热物质为惰性导电陶瓷。
进一步地，上述用于刻蚀晶片的石英承载盘还可具有以下特点，所述石英承载盘的底部具有金属背盘。
本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘，提高了石英承载盘的使用寿命，提高了刻蚀速率和散热性能。
附图说明
图1为本发明实施例中用于刻蚀晶片的石英承载盘的正面图；
图2为本发明实施例中第一圆形槽和第二圆形槽不连通时石英承载盘的侧面剖视图；
图3为本发明实施例中第一圆形槽和第二圆形槽连通时石英承载盘的侧面剖视图；
图4为本发明实施例中石英承载盘的下表面具有金属背盘时石英承载盘的侧面剖视图；
图5为本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘的等离子体放电方向示意图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、第一圆形槽，2、石英层，3、第二圆形槽，4、导电导热块，5、金属背盘。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
图1为本发明实施例中用于刻蚀晶片的石英承载盘的正面图。该承载盘的材质为石英。如图1所示，石英承载盘的上表面具有设定数目的第一圆形槽1。第一圆形槽1用于放置晶片。
图2为本发明实施例中第一圆形槽和第二圆形槽不连通时石英承载盘的侧面剖视图。如图2所示，石英承载盘的下表面与第一圆形槽1对应的位置具有第二圆形槽2，第二圆形槽中填充有导电导热块4。导电导热块4可以为金属块、碳化硅块或导电陶瓷。金属块可以为铝块或不锈钢块。
图2所示的实施例中，第一圆形槽1和第二圆形槽3不连通，第一圆形槽1和第二圆形槽3之间隔着石英层3。
图3为本发明实施例中第一圆形槽和第二圆形槽连通时石英承载盘的侧面剖视图。如图3所示，本实施例中，第一圆形槽1和第二圆形槽3连通，第一圆形槽1和第二圆形槽3之间不再隔有石英层3，放在第一圆形槽1的晶片将直接与导电导热块4接触。此时，导电导热块4只能为惰性的导电陶瓷。
图4为本发明实施例中石英承载盘的下表面具有金属背盘时石英承载盘的侧面剖视图。如图4所示，本实施例中，第一圆形槽1和第二圆形槽3不连通，第一圆形槽1和第二圆形槽3之间隔着石英层3，并且在石英承载盘的底部设有金属背盘5。在石英承载盘很薄的情况下，石英承载盘容易损坏，而有了金属背盘5的支撑，即使石英承载盘很薄，也不容易损坏。因此，金属背盘5对于石英承载盘具有加固作用，解决了在石英承载盘很薄的情况下容易损坏的问题。
刻蚀的时候，由于放晶片的第一圆形槽1的背面填充了导电材料，相对于未填充区域，此区域相对未填充区域更薄，从电解质放点原理看，等离子体在薄的区域容易放电（本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘的等离子体放电方向如图5所示，图5中，箭头所指的方向为放电方向），能量集中，从而使得在ICP刻蚀过程中射频源能量会集中在晶片上面，能量利用率更高，刻蚀速率更加快，使承载盘的寿命更加长。并且，由于该石英承载盘下表面的第二圆形槽填充有导电导热材料，使得散热更加容易，也即提高了石英承载盘的散热性能。
在本发明实施例中，第二圆形槽的面积可以大于或等于第一圆形槽1的面积。
在本发明优选实施例中，第一圆形槽1的槽深可以为0.6毫米。
在本发明优选实施例中，第二圆形槽与第一圆形槽1之间的石英厚度可以为1至2毫米。
本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘，提高了石英承载盘的使用寿命，提高了刻蚀速率和散热性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述石英承载盘的上表面具有设定数目的用于放置晶片的第一圆形槽，所述石英承载盘的下表面与所述第一圆形槽对应的位置具有第二圆形槽，所述第二圆形槽中填充有导电导热物质。
2.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽的面积大于或等于所述第一圆形槽的面积。
3.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第一圆形槽的槽深为0.6毫米。
4.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间隔有石英层。
5.根据权利要求4所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间的石英厚度为1至2毫米。
6.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽之间隔有石英层，所述导电导热物质为金属块、碳化硅块或导电陶瓷。
7.根据权利要求6所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述金属块为铝块或不锈钢块。
8.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽相连通。
9.根据权利要求1所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述第二圆形槽与所述第一圆形槽相连通，所述导电导热物质为惰性导电陶瓷。
10.根据权利要求4所述的用于刻蚀晶片的石英承载盘，其特征在于，所述石英承载盘的底部具有金属背盘。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310268837XA CN103346110A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310268837XA CN103346110A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103346110A true CN103346110A (zh) | 2013-10-09 |
Family
ID=49280898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310268837XA Pending CN103346110A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103346110A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104051316A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 可调控局域温场的石墨承载盘 |
| CN104973794A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-14 | 同济大学 | 一种激光薄膜元件用光学基板的离子束刻蚀装置及方法 |
| CN107052947A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-08-18 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于压电陶瓷驱动器的变形抛光盘 |
| CN110190020A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-08-30 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种刻蚀方法及系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080149590A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Kenji Maeda | Substrate-Holder, Etching Method of the Substrate, and the Fabrication Method of a Magnetic Recording Media |
| CN201985084U (zh) * | 2010-12-30 | 2011-09-21 | 聚昌科技股份有限公司 | 一种半导体材料承载装置 |
| CN103094166A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备 |
-
2013
- 2013-06-28 CN CN201310268837XA patent/CN103346110A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080149590A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Kenji Maeda | Substrate-Holder, Etching Method of the Substrate, and the Fabrication Method of a Magnetic Recording Media |
| CN201985084U (zh) * | 2010-12-30 | 2011-09-21 | 聚昌科技股份有限公司 | 一种半导体材料承载装置 |
| CN103094166A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104051316A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-09-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 可调控局域温场的石墨承载盘 |
| CN104051316B (zh) * | 2014-06-23 | 2018-03-23 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 可调控局域温场的石墨承载盘 |
| CN104973794A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-14 | 同济大学 | 一种激光薄膜元件用光学基板的离子束刻蚀装置及方法 |
| CN107052947A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-08-18 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于压电陶瓷驱动器的变形抛光盘 |
| CN107052947B (zh) * | 2017-03-14 | 2024-03-22 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于压电陶瓷驱动器的变形抛光盘 |
| CN110190020A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-08-30 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种刻蚀方法及系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103346110A (zh) | 一种用于刻蚀晶片的石英承载盘 | |
| US9362465B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
| KR100986570B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN104878363B (zh) | 机械卡盘及等离子体加工设备 | |
| US20220293558A1 (en) | Method for forming semiconductor devices using a glass structure attached to a wide band-gap semiconductor wafer | |
| JP2017092156A (ja) | 高密度のプラズマ及び高温の半導体製造プロセスに用いられる窒化アルミニウムの静電チャンク | |
| KR20100055283A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN109727900A (zh) | 基板传送机械手终端受动器 | |
| TW200605985A (en) | Chemical mechanical polishing pad, manufacturing process thereof and chemical mechanical polishing method for semiconductor wafers | |
| KR20100094246A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| TW201131760A (en) | Device and method for forming the same | |
| CN108198933B (zh) | 一种led芯片、制备方法及led晶片 | |
| EP2751831A2 (en) | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods | |
| KR20230118195A (ko) | 열 절연 전기 접촉 프로브 및 가열형 플래튼 어셈블리 | |
| CN110079790B (zh) | 石墨基座 | |
| KR101682776B1 (ko) | 포켓 교체형 서셉터 | |
| CN106653673B (zh) | 承载装置及半导体加工设备 | |
| US9018643B2 (en) | GaN LEDs with improved area and method for making the same | |
| CN104752129A (zh) | 托盘组件和刻蚀设备 | |
| US9099612B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof | |
| CN105575874A (zh) | 夹具组件 | |
| CN204577403U (zh) | 一种晶片键合治具 | |
| CN102194966A (zh) | 具有高效率散热效果的发光二极管结构及其制作方法 | |
| CN106653663B (zh) | 承载装置及半导体加工设备 | |
| CN116344433A (zh) | 一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131009 |