CN103324441A - 一种信息处理方法及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种信息处理方法及电子设备,该方法包括:该方法应用于电子设备,所述电子设备至少具有第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,所述方法包括:检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。本发明公开的方法和装置能够提高非易失性存储单元读写操作的响应速率。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种信息处理方法及电子设备。
背景技术
当用户下载数G大小的电影或者频繁的向硬盘中读写文件的时候,同步IO的机制严重拖垮了CPU的性能,虽然异步IO解决了这个问题,但是其复杂性,导致其难以融入大型项目中。
当前硬盘的读写操作中,寻道时间是影响读写反应速度的一个重要指标。寻道时间是指某一款磁盘产品从得到读写命令到找到数据的时间。传统机械硬盘由于复杂的机械结构,从得到指令以后,需要驱动磁头臂,盘片旋转等则需要耗费大量的时间,所以平均寻道时间几乎都在11ms以上,万转以上的服务器SAS硬盘最快也只能达到5ms左右,过长的寻道时间会严重影响磁盘的执行效率。
发明内容
本发明提供一种,本发明所提供的方法和装置解决了现有技术中非易失性存储单元寻道时间长,从而影响读写响应速率的问题。
一种信息处理方法,应用于电子设备,所述电子设备至少具有第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;、当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,所述方法包括:
检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。
所述数据交互端为电子设备中的任一应用程序。
分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元,该方法进一步包括:
当检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
所述分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元包括:
在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
并向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息之后,该方法进一步包括:
检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
该电子设备包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元与电子设备中的多个应用程序一一对应。
根据上述方法本发明还提供一种电子设备,该电子设备至少包括第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,该电子设备还包括:
数据请求截取单元,用于检测数据写入端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
读写控制单元,用于若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
读写确认单元,用于向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息。
当所述数据写入端口为电子设备中的任一应用程序,该装置还包括:
分析单元,用于分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
写入控制单元,用于当检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
优化的实施方案,所述分析单元包括:
转存模块,用于在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
存储关系建立模块,用于建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
所述读写控制单元还用于检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
该电子设备包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元与多个应用程序一一对应。
上述技术方案中的一个或两个,至少具有如下技术效果:
本申请实施例中,针对上述问题提出的方案为:截取对非易失性存储单元进行读写操作的读写请求,将需要读写的数据存储到另一存储单元中,所述另一存储单元的读写速度大于所述非易失性存储单元。对于写入数据时,只要第二存储单元接收到写入请求,则直接向写入数据端返回写入成功响应,从而能够明显提高写入操作的反应速率。
附图说明
图1为本发明实施例信息处理方法的流程示意图;
图2为应用本发明实施例提供的方法实现任一应用程序运行时的数据读写操作的流程图;
图3为本发明实施例中读取任一应用程序运行时静态依赖的内容数据的方法流程图;
图4为本发明实施例一种电子设备的结构示意图;
图5为本发明实施例中分析单元的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种信息处理方法,应用于电子设备,所述电子设备至少具有第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,所述方法包括:检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。
在现有技术中,如果向非易失性存储单元(如磁盘、机械硬盘等存储单元)中读出和写入数据时,首选需要进行寻道操作。而且现有非易失性存储单元的读写操作都需要将待处理数据块成功读出或写入之后才能进行下一步的操作,所以会影响整个应用程序的运行速度。
本申请实施例中,针对上述问题提出的方案为:截取对非易失性存储单元进行读写操作的读写请求,将需要读写的数据存储到另一存储单元(即第二存储单元)中,所述另一存储单元的读写速度大于所述非易失性存储单元。对于写入数据时,只要第二存储单元接收到写入请求,则直接向写入数据端返回写入成功响应,从而能够明显提高写入操作的反应速率。
另外,因为硬盘等非易失性存储单元在进行读写操作时的特性为:一次写入多个数据和一次写入一个数据的操作时间相似。所以为了提高读写操作的效率,则最优的读写操作方式为:在硬盘的可操作范围内在一次读写操作中写入和读出多个数据。所以本实施例所提供的方案则可以将多次写入第二存储单元的数据进行批量操作的写入所述非易失性存储单元,从而能够减少对非易失性存储单元的交互操作,进一步提高非易失性存储单元的读写操作效率。下面结合说明书附图对本发明实施例的方法做进一步的说明。
如图1所示,本发明实施例提供一种信息处理方法,下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式进行详细说明:
本发明实施例所提供的方法应用于电子设备,所述电子设备至少具有第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,所述方法包括:
步骤101,检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
在具体的一个用中读写操作都可以通过第二存储单元处理,因为在具体的应用中如果从第一存储单元中读出一个数据了,则没有必要再通过第二存储单元。所以本发明实施例中提到的读写操作是针对不同的时间,其中主要针对在写入数据的过程中,将待写入数据缓存到第二存储单元中,正常情况下,因为写入的数据即使不在第一时间写入第一存储单元也不会影响数据写入端的操作。
在发明实施例中,所述数据写入端可以是电子设备中的应用程序。该应用程序在运行时,一般会与第一存储单元存在大量的数据交互。并且该应用程序本身文件数据较多、处理比较复杂,比如:办公软件,图像处理软件,游戏软件等。
步骤102,若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
在本发明实施例中,检测到第一数据写入请求后,截取数据写入端向第一存储单元发送的第一数据。
如果数据写入端是应用程序,一般情况下所述第一数据为所述应用程序运行时候产生的操作数据。
步骤103,向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。
现有技术中向第一存储单元中写入数据时,需要将整个数据都写入成功之后,再向数据输入端发送数据写入成功响应。本发明实施例所提供的方案是只要第二存储单元接收到第一数据之后,则直接向数据写入端发送数据写入成功的响应消息。通过该方式能够明显的提高读写操作的响应速率。
另外,因为硬盘等非易失性存储单元在进行读写操作时的特性为:一次写入多个数据和一次写入一个数据的操作时间相似。所以为了提高读写操作的效率,则最优的读写操作方式为:在硬盘的可操作范围内在一次读写操作中写入和读出多个数据。所以本实施例所提供的方案则可以将多次写入第二存储单元的数据进行批量操作的写入所述非易失性存储单元,从而能够减少对非易失性存储单元的交互操作,进一步提高非易失性存储单元的读写操作效率。本发明实施例所提供的方法,向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息之后,该方法进一步包括:
步骤104,检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
在本法发明实施例中,设置所述第一阈值时,需要参考第一存储单元的读写性能,以及所述第二存储单元存储能力。所述第一阈值所到的效果最优数值可达到的效果是能在第一存储单元最大的读写利用率的情况下使第二存储单元不会出现数据溢出的情况。
上述实施例是以电子设备包括一个应用程序进行说明的,在实际的应用中当包括多个应用程序时,所对应的第二存储单元也可以是包括多个,而且第二存储单元与应用程序之间的关系可以是:
该电子设备包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元与电子设备中的多个应用程序一一对应。
如图2所示,应用本发明实施例所提供的方法,对任一应用程序进行数据缓存时候该方法包括:
步骤201,当用户运行某一应用程序之前(检测到开启任一应用程序的请求),检测用户是否输入读写加速请求,如果没有,则将正常的处理流程处理所述应用程序的读写请求;否则,转入步骤202;
在发明实施例中,可以预先设置多个相对复杂的应用程序需要读写加速处理。当用户从多个相对复杂的应用程序中选择一个运行时,则会对应的提示是否需要进行读写加速处理,接收用户输入的确认信息执行对应的读写处理。
本发明实施例中,对应的提示是否需要进行读写加速处理,接收用户输入的确认信息执行对应的读写处理的方式包括多种。最优化的实施方式可以是:
在用户点击应用程序的图标后,则显示相应的提示框,提示用户选择是否执行读写加速,并提供输入框或者选择框接收用户输入的确认信息。
步骤202,分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
在本发明实例中,所述静态依赖的内容数据包括运行程序(EXE)自身所包含的数据文件,运行应用程序所依赖的DLL,安装目录下的数据文件等。
如图3所示,步骤202分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元的具体实现方式可以通过以下方式实现:
步骤301,在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
步骤302,建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
为了保证数据一致性,将所述静态依赖的内容数据从第一存储单元搬移到第二存储单元后,需要建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
当程序运行时,检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
因为在接收到第二数据读出请求时,则获取第二数据在第一存储单元中的存储位置,并根据存储的所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系,确定第二数据在第二存储单元中的存储位置。
步骤203,当程序运行时,检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
如果本发明实施例应用于通关游戏应用程序,该处的第一数据则可是用户在运行游戏程序的过程中,所产生的分数、图像、累计值等信息。需要写入到第一存储单元中,因为游戏应用程序适时产生交互数据频率高,所以需要频繁地与第一存储单元进行交互。但是写入的数据的及时性要求并不高,所以可以将多次写入的数据累计缓存到第二存储单元中。然后在第二存储单元缓存的数据量达到一定的值之后批量的搬移到第一存储单元中。
步骤204,若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
在本发明实施例中,检测到第一数据写入请求后,截取数据写入端向第一存储单元发送的第一数据。
如果数据写入端是应用程序,一般情况下所述第一数据为所述应用程序运行时候产生的操作数据。
步骤205,向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。
现有技术中向第一存储单元中写入数据时,需要将整个数据都写入成功之后,再向数据输入端发送数据写入成功响应。本发明实施例所提供的方案是只要第二存储单元接收到第一数据之后,则直接向数据写入端发送数据写入成功的响应消息。通过该方式能够明显的提高读写操作的响应速率。
另外,因为硬盘等非易失性存储单元在进行读写操作时的特性为:一次写入多个数据和一次写入一个数据的操作时间相似。所以为了提高读写操作的效率,则最优的读写操作方式为:在硬盘的可操作范围内在一次读写操作中写入和读出多个数据。所以本实施例所提供的方案则可以将多次写入第二存储单元的数据进行批量操作的写入所述非易失性存储单元,从而能够减少对非易失性存储单元的交互操作,进一步提高非易失性存储单元的读写操作效率。本发明实施例所提供的方法,向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息之后,该方法进一步包括:
步骤206,检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
在本法发明实施例中,设置所述第一阈值时,需要参考第一存储单元的读写性能,以及所述第二存储单元存储能力。所述第一阈值所到的效果最优数值可达到的效果是能在第一存储单元最大的读写利用率的情况下使第二存储单元不会出现数据溢出的情况。另外也可以是间隔一定的时间周期则将第二存储单元中的第一数据搬移到第二存储单元中。
如果应用到通关的游戏应用程序中,实现一次性将第二存储单元中的多个数据写入第一存储单元的方案也可以是,将通关游戏应用程序中每个关卡中所生成的多个数据一次性的写入第一存储单元中。
如图4所示,本发明实施例还提供一种电子设备,该电子设备至少包括第一存储单元401和第二存储单元402;所述第一存储单元401为非易失性存储单元,所述第二存储单元402的读写速度大于第一存储单元401;当任一数据交互端与第一存储单元401进行数据交互时,该电子设备还包括:
数据请求截取单元403,用于检测数据写入端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
读写控制单元404,用于若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
所述读写控制单元404还用于检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
读写确认单元405,用于向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息。
当确定系统当前的运行环境中,某一应用程序的读写操作比较频繁,为了加快读写的速度,则可以预先将所述应用程序需要的数据在程序运行前加载到第二存储单元中。即当所述数据写入端口为电子设备中的任一应用程序,该装置还包括:
分析单元406,用于分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
写入控制单元407,用于当检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
如图5所示,因为硬盘等非易失性存储单元在进行读写操作时的特性为:一次写入多个数据和一次写入一个数据的操作时间相似。所以为了提高读写操作的效率,则最优的读写操作方式为:在硬盘的可操作范围内在一次读写操作中写入和读出多个数据。所以本实施例所提供的方案则可以将多次写入第二存储单元的数据进行批量操作的写入所述非易失性存储单元,从而能够减少对非易失性存储单元的交互操作,进一步提高非易失性存储单元的读写操作效率。本发明实施例所提供的方法,向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息之后,所述分析单元406还包括:
转存模块501,用于在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
存储关系建立模块502,用于建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
上述实施例是以电子设备包括一个应用程序进行说明的,在实际的应用中当包括多个应用程序时,所对应的第二存储单元也可以是包括多个,而且第二存储单元与应用程序之间的关系可以是:
该电子设备包括多个第二存储单元402,所述多个第二存储单元与多个应用程序一一对应。
本申请实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下的技术效果:
本申请实施例所提供的方案截取对非易失性存储单元进行读写操作的读写请求,将需要读写的数据存储到另一存储单元(即第二存储单元)中,所述另一存储单元的读写速度大于所述非易失性存储单元。对于写入数据时,只要第二存储单元接收到写入请求,则直接向写入数据端返回写入成功响应,从而能够明显提高写入操作的反应速率。
另外,因为硬盘等非易失性存储单元在进行读写操作时的特性为:一次写入多个数据和一次写入一个数据的操作时间相似。所以为了提高读写操作的效率,则最优的读写操作方式为:在硬盘的可操作范围内在一次读写操作中写入和读出多个数据。所以本实施例所提供的方案则可以将多次写入第二存储单元的数据进行批量操作的写入所述非易失性存储单元,从而能够减少对非易失性存储单元的交互操作,进一步提高非易失性存储单元的读写操作效率。
本发明所述的方法并不限于具体实施方式中所述的实施例,本领域技术人员根据本发明的技术方案得出其它的实施方式,同样属于本发明的技术创新范围。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种信息处理方法,应用于电子设备,所述电子设备至少具有第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;其特征在于,当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,所述方法包括:
检测数据交互端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
向所述数据交互端返回第一数据写入成功的响应消息。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述数据交互端为电子设备中的任一应用程序。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元,该方法进一步包括:
当检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元包括:
在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,并向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息之后,该方法进一步包括:
检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该电子设备包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元与电子设备中的多个应用程序一一对应。
7.一种电子设备,该电子设备至少包括第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元为非易失性存储单元,所述第二存储单元的读写速度大于第一存储单元;其特征在于,当任一数据交互端与第一存储单元进行数据交互时,该电子设备还包括:
数据请求截取单元,用于检测数据写入端是否有将第一数据写入所述第一存储单元的第一数据写入请求;
读写控制单元,用于若检测到第一数据写入请求,则将所述第一数据缓存到所述第二存储单元;
读写确认单元,用于向所述数据写入端返回第一数据写入成功的响应消息。
8.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于,当所述数据写入端口为电子设备中的任一应用程序,该装置还包括:
分析单元,用于分析所述任一应用程序运行时静态依赖的内容数据,并所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
写入控制单元,用于当检测到所述任一应用程序有从所述第一存储单元读取所述静态依赖的内容数据的第二数据读出请求,从第二存储单元中读取第二数据读出请求对应的第二数据。
9.如权利要求8所述的电子设备,其特征在于,所述分析单元包括:
转存模块,用于在任一应用程序运行之前,分析所述静态依赖的内容数据对应的第一存储单元位置,并读取所述静态依赖的内容数据存储到所述第二存储单元;
存储关系建立模块,用于建立所述静态依赖的内容数据在第一存储单元和第二存储单元中的存储位置的对应关系。
10.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述读写控制单元还用于检测第二存储单元中第一数据的总数据量,如果所述总数据量大于第一阈值,则将多个第一数据写入第一存储单元中。
11.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于,该电子设备包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元与多个应用程序一一对应。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130925 |