CN103297720A

CN103297720A - 光感测像素电路与影像感测器

Info

Publication number: CN103297720A
Application number: CN2012100421020A
Authority: CN
Inventors: 黄东海
Original assignee: Novatek Microelectronics Corp
Current assignee: Novatek Microelectronics Corp
Priority date: 2012-02-23
Filing date: 2012-02-23
Publication date: 2013-09-11
Also published as: CN108683867A

Abstract

本发明提供一种光感测像素电路与影像感测器，光感测像素电路，包括一光感测部位、一传输电晶体、多个调整电晶体以及一输出电路。光感测部位感测一光源，并产生一对应数量的电子。传输电晶体耦接至光感测部位，并具有一浮动节点。传输电晶体将光感测部位所产生的电子转换为一电压信号。调整电晶体具有一第一端及一第二端，第一端耦接至一电源，第二端经由传输电晶体的浮动节点耦接至传输电晶体。输出电路耦接至传输电晶体，根据电压信号输出一感测信号，其对应所感测的光源的亮度。调整电晶体包括至少两操作模式，在不同的操作模式下，调整电晶体被开启的数目不同。

Description

光感测像素电路与影像感测器

技术领域

本发明是有关于一种感测电路，且特别是有关于一种光感测像素电路以及一种影像感测器。

背景技术

一般而言，互补式金氧半导体影像感测器(CMOS image sensor)通常制作于硅、砷化镓、碳化硅或硅锗基板上。为了进行影像感测，CMOS影像感测器通常包括光感测部位、信号转换电路及输出电路(outputcircuit)。光感测部位用以感测光源，并将所感测到的光信号传递至传输电路。接着，光信号再由信号转换电路转换为电信号，并将其传递至输出电路。

在上述操作模式中，CMOS影像感测器的转换增益是由信号转换电路内部节点的一等效电容值来决定。若光感测部位的最大储存量(fullwell capacity，FWC)高于CMOS影像感测器的转换增益大，光感测部位所产生的电子经由信号转换电路转换为电信号后，可能导致电信号输入至输出电路的电压过低，进而导致CMOS影像感测器的电路整体无法操作。或者，过低的电信号电压可能导致光感测部位所产生的电子无法在信号转换电路内部顺利地传输，进而导致影像延迟(image lag)。

此种情况发生时，一般是采取调降光感测部位的最大储存量的措施来解决此一问题。然而，由于CMOS影像感测器的动态范围与最大储存量及读取噪音(read noise)有关，因此一旦调降光感测部位的最大储存量，在相同的读取噪音的条件下，为了得到信号转换电路内部信号的高灵敏度，势必需要牺牲动态范围。换句话说，习知高转换增益的CMOS影像感测器虽然具有高灵敏度的优点，但其信号范围过大时将限制后端电路的操作，除了无法得到大的动态范围以外，也容易造成影像延迟。

另一种解决方式是设计转换增益较低的CMOS影像感测器。此种方式虽可满足光感测部位较高的最大储存量的需求并取得高动态范围，但是信号转换电路内部信号的灵敏度较低。若CMOS影像感测器操作在低亮度的环境时，需要以较高的增益进行调整，容易使得后方的电路导入额外的噪音，进而降低信噪比(signal-to-noise ratio，SNR)。换句话说，习知低转换增益的CMOS影像感测器虽然具有高动态范围，但在低亮度操作时需要较大的后端增益，将导致电路的信噪比下降。

发明内容

本发明提供一种光感测像素电路，采用此光感测像素电路的影像感测器可兼顾高灵敏度与高动态范围。

根据一方面，本发明提供一种光感测像素电路，包括一光感测部位、一信号转换单元、一转换增益调整单元以及一输出电路(output circuit)。光感测部位感测一光源，并产生一对应数量的电子。信号转换单元耦接至光感测部位，具有一浮动节点(floating node)，根据一转换增益(conversion gain)将所产生的电子转换为一电压信号。转换增益调整单元经由浮动节点耦接至信号转换单元，并调整转换增益。输出电路耦接至信号转换单元，根据电压信号输出一感测信号，其对应所感测的光源的亮度。转换增益调整单元包括至少两操作模式，其中之一操作模式的转换增益大于其中的另一者。

在本发明的一实施例中，上述的转换增益调整单元具有一第一端及一第二端。第一端耦接至一第一电源，第二端耦接至浮动节点。

在本发明的一实施例中，上述的转换增益调整单元包括多个调整电晶体。调整电晶体耦接在第一端及第二端之间。在不同的操作模式下，调整电晶体被开启的数目不同。信号转换单元的转换增益是根据调整电晶体被开启的数目来调整。

在本发明的一实施例中，上述的调整电晶体被开启的数目愈多，信号转换单元的转换增益愈低。

在本发明的一实施例中，上述的调整电晶体全部被开启时，第一电源重置浮动节点。

在本发明的一实施例中，上述的调整电晶体是串联耦接在第一端及第二端之间。

在本发明的一实施例中，上述的光感测像素电路还包括一控制单元。控制单元耦接输出电路，根据感测信号所对应的光源亮度来调整所述调整电晶体被开启的数目。

在本发明的一实施例中，上述的信号转换单元包括一传输电晶体(transfer transistor)以及一源极随耦器(source follower)。传输电晶体耦接至光感测部位，并传输光电流信号至浮动节点。源极随耦器耦接至浮动节点与一第二电源，并放大电压信号。

在本发明的一实施例中，上述的信号转换单元还包括一列控制电晶体(row select transistor)。列控制电晶体耦接至源极随耦器，并将放大后电压信号传输至输出电路。

在本发明的一实施例中，上述的感测信号所对应的光源的亮度愈高时，转换增益调整单元所调整的转换增益愈低。

在本发明的一实施例中，上述的感测信号所对应的光源的亮度愈低时，转换增益调整单元所调整的转换增益愈高。

在本发明的一实施例中，还提供一种影像感测器，包括复数个上述的光感测像素电路。

根据另一方面，本发明提供一种光感测像素电路，包括一光感测部位、一传输电晶体、多个调整电晶体以及一输出电路。光感测部位感测一光源，并产生一对应数量的电子。传输电晶体耦接至光感测部位，具有一浮动节点，将光感测部位所产生的电子转换为一电压信号。所述调整电晶体具有一第一端及一第二端。第一端耦接至一第一电源，第二端经由浮动节点耦接至传输电晶体。输出电路耦接至传输电晶体，根据电压信号输出一感测信号，其对应所感测的光源的亮度。所述调整电晶体包括至少两操作模式，在不同的操作模式下，所述调整电晶体被开启的数目不同。

在本发明的一实施例中，上述的光感测像素电路还包括一控制单元。控制单元耦接至输出电路，根据感测信号对应的光亮度来调整所述调整电晶体被开启的数目。

在本发明的一实施例中，上述的光感测像素电路还包括一源极随耦器。源极随耦器耦接至浮动节点、一第二电源与输出电路，并放大电压信号。输出电路经由源极随耦器耦接至传输电晶体。

在本发明的一实施例中，上述的光感测像素电路还包括一列控制电晶体。列控制电晶体耦接至源极随耦器与输出电路，并将放大后电压信号传输至输出电路。输出电路经由源极随耦器及列控制电晶体耦接至传输电晶体。

在本发明的一实施例中，上述的感测信号所对应的光源的亮度愈高时，所述调整电晶体被开启的数目愈多。

在本发明的一实施例中，上述的感测信号所对应的光源的亮度愈低时，所述调整电晶体被开启的数目愈少。

基于上述，在本发明的范例实施例中，光感测像素电路的转换增益调整单元具有可调变转换增益的功能，使采用此光感测像素电路的影像感测器可兼顾高灵敏度与高动态范围。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1绘示本发明一实施例的光感测像素电路的方块示意图；

图2绘示图1的实施例的光感测像素电路的各方块的内部电路示意图；

图3A绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第一操作模式时，调整电晶体的控制信号S1、S2的信号波形图；

图3B绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第一操作模式时，其信号转换单元的转换增益；

图4A绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第二操作模式时，调整电晶体的控制信号S1、S2的信号波形图；

图4B绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第二操作模式时，其信号转换单元的转换增益；

图5绘示本发明另一实施例的光感测像素电路的各方块的内部电路示意图；

图6A、图7A、图8A分别绘示图5的实施例的光感测像素电路操作在不同操作模式时，调整电晶体的控制信号S1’、S2’、S3’的信号波形图；

图6B、图7B、图8B分别绘示图5的实施例的光感测像素电路操作在不同操作模式时，其信号转换单元的转换增益；

图9为本发明一实施例的转换增益调整方法的步骤流程图。

【主要元件符号说明】

100、500：光感测像素电路；

110、510：光感测部位；

120、520：信号转换单元；

130、530：转换增益调整单元；

140、540：控制单元；

150、550：输出电路；

e-：光感测像素电路所产生的电子；

V_C：电压信号；

V_S：感测信号；

VDD1、VDD2：电源；

N_F：浮动节点；

Q_T：传输电晶体；

Q_S：源极随耦器；

Q1、Q2、Q1’、Q2’、Q3’：调整电晶体；

S1、S2、S1’、S2’、S3’：控制信号；

CG1、CG2、CG1’、CG2’、CG3’：控制信号；

t1：各操作模式的重置期间；

t2：各操作模式的转换读取期间；

S900、S902、S904、S906、S908：转换增益调整方法的步骤。

具体实施方式

在本发明的范例实施例中，影像感测器的光感测像素电路具有随光源亮度而可调变转换增益的功能。举例而言，当光感测像素电路侦测到高光源亮度时，其可操作在低转换增益模式，以提高动态范围；当光感测像素电路侦测到低光源亮度时，其可操作在高转换增益模式。因此，影像感测器可具备高灵敏度，并保持高信噪比。为更清楚地了解本发明，以下将配合图式，以至少一范例实施例来作详细说明。在本发明的范例实施例中，影像感测器是以CMOS影像感测器为例示说明，但本发明并不限于此。此外，以下实施例中所提到的连接用语，例如：耦接或连接等，仅是参考附加图式用以例示说明，并非用来限制实际上两个元件之间的连接关系是直接耦接或间接耦接。

图1绘示本发明一实施例的光感测像素电路的方块示意图。请参考图1，本实施例的光感测像素电路100包括一光感测部位110、一信号转换单元120、一转换增益调整单元130、控制单元140以及一输出电路150。光感测部位110用以感测一光源(未绘示)，并产生一对应数量的电子e-传输至信号转换单元120。信号转换单元120耦接至光感测部位110，并根据一转换增益将所产生的电子e-转换为一电压信号V_C，并将电压信号V_C传输至输出电路150。输出电路150耦接至信号转换单元120，并根据电压信号V_C输出一感测信号V_S，其对应所感测的光源的亮度。转换增益调整单元130经由信号转换单元120内部的一浮动节点耦接至信号转换单元120，并用以调整信号转换单元120的转换增益。控制单元140耦接至输出电路150，并根据输出电路所产生的感测信号V_S所对应的光亮度来调整转换增益调整单元130内部的调整电晶体被开启的数目。因此，转换增益调整单元130包括至少两操作模式，在不同的操作模式下，其调整电晶体被开启的数目不同，以让其中的一操作模式下的转换增益大于其中的另一者。

值得一提的是，本实施例的CMOS影像感测器包括多个如图1所示的光感测像素电路100，而控制单元140可依据实际设计需求，选择性地配置在各光感测像素电路中。也就是说，每一光感测像素电路包括一控制单元。或者，在其他实施例中，也可由多个光感测像素电路共用一个控制单元，本发明并不加以限制。另外，光感测部位110不限于并产生对应数量的电子，于其他实施例中，亦可产生空穴。

图2绘示图1的实施例的光感测像素电路的各方块的内部电路示意图。请参考图1及图2，在本实施例中，信号转换单元120包括一传输电晶体Q_T以及一源极随耦器Q_S。传输电晶体Q_T耦接至光感测部位110，将光感测部位产生的电子e-传输至浮动节点N_F。在此，传输电晶体Q_T以开闭的方式来控制光感测部位110所产生的电子e-是否传输至浮动节点N_F，而浮动节点N_F用来将电子e-转换为电压信号V_C。当电子e-通过传输电晶体Q_T时，会在浮动节点N_F转换为电压信号V_C。因此，信号转换单元120的转换增益是由浮动节点N_F处的等效电容C来决定。一般而言，转换增益定义为等效电容C值的倒数，即1/C。源极随耦器Q_S的三个端点分别耦接至浮动节点N_F、电源VDD2与输出电路150，并用以放大电压信号V_C。在本实施例中，源极随耦器Q_S是以一电晶体为例示说明，本发明并不限于此。源极随耦器Q_S的闸极为电压信号V_C的输入端。一般而言，源极随耦器Q_S在硅制程中通常透过金属或多晶硅(poly silicon)与浮动节点N_F连接。

因此，本实施例的信号转换单元120是以浮动节点电压调变的方式来使输出电路150根据电压信号V_C输出感测信号V_S。在其他实施例中，信号转换单元120可还包括控制电晶体(未绘示)，其耦接至源极随耦器Q_S，并将放大后电压信号V_C传输至输出电路150。列控制电晶体以开闭的方式来控制电压信号V_C是否传输至输出电路150。换句话说，列控制电晶体并非必需，在本实施例中，信号转换单元120是省略列控制电晶体，而改以浮动节点电压调变的方式取代。

另一方面，在本实施例中，转换增益调整单元130具有一第一端及一第二端。第一端耦接至一电源VDD1，第二端耦接至浮动节点N_F。此外，转换增益调整单元130包括多个调整电晶体Q1、Q2。在此，调整电晶体Q1、Q2是串联耦接在转换增益调整单元130的第一端及第二端之间。在不同的操作模式下，调整电晶体Q1、Q2被开启的数目不同。由于调整电晶体的导通数量可影响浮动节点N_F的等效电容，而等效电容大则增益小(V＝Q/C)，故调整电晶体Q1、Q2被开启的数目可用来调整信号转换单元120的转换增益。

具体而言，图3A绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第一操作模式时，调整电晶体的控制信号S1、S2的信号波形图。图3B绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第一操作模式时，其信号转换单元的转换增益。请参考图2、图3A及图3B，本实施例的控制单元140分别利用控制信号S1、S2来控制调整电晶体Q1、Q2的导通状态，以调整浮动节点N_F处的等效电容C的值。

在本实施例中，第一操作模式是指在低亮度环境时，光感测像素电路100具高灵敏度的操作模式。在第一操作模式的t1期间，控制信号S1、S2均为高准位，调整电晶体Q1、Q2均被开启。此时，浮动节点N_F被电源VDD1重置(reset)。接着，在第一操作模式的t2期间，控制信号S1、S2均为低准位，调整电晶体Q1、Q2均被关闭。此时，浮动节点N_F处的等效电容C值是由传输电晶体Q_T、调整电晶体Q2、源极随耦器Q_S以及浮动节点N_F处的电容共同来决定。因此，该等电容共同决定的等效电容C，其所对应的转换增益CG1如图3B所示。其中，图3B的横轴代表光感测单元的所产生的电子数量；纵轴代表浮动节点N_F处于电子传输时的造成的电压值变化，因此两者的斜率即代表转换增益CG1。

另一方面，图4A绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第二操作模式时，调整电晶体的控制信号S1、S2的信号波形图。图4B绘示图1的实施例的光感测像素电路操作在第二操作模式时，其信号转换单元的转换增益。

请参考图2、图4A及图4B，在本实施例中，第二操作模式是指在高亮度环境时，光感测像素电路100具高动态范围的操作模式。类似地，在第二操作模式的t1期间，控制信号S1、S2均为高准位，调整电晶体Q1、Q2均被开启，此时电源VDD1重置浮动节点N_F。与第一操作模式不同的是，在第二操作模式的t2期间，控制信号S1为低准位，控制信号S2为高准位，因此调整电晶体Q1、Q2分别被关闭及开启。此时，浮动节点N_F处的等效电容C值是由传输电晶体Q_T、调整电晶体Q1、Q2、源极随耦器Q_S以及浮动节点N_F处的电容共同来决定。因此，该等电容共同决定的等效电容C，其所对应的转换增益CG2如图4B所示。

相较于第一操作模式，在第二操作模式中，决定浮动节点N_F处的等效电容C值还包括调整电晶体Q1。此际，由于等效电容C值变大，因此转换增益CG2被调降。也就是说，在本实施例中，调整电晶体Q1、Q2被开启的数目愈多，信号转换单元120的转换增益愈低。在此，第一操作模式的转换增益CG1大于第二操作模式的转换增益CG2。此外，本实施例的第一及第二操作模式分别适用于低亮度及高亮度的环境。因此，当输出电路的感测信号V_S对应的光亮度愈高时，转换增益调整单元130所调整的转换增益愈低。相反地，当输出电路的感测信号V_S对应的光亮度愈低时，转换增益调整单元130所调整的转换增益愈高。

图5绘示本发明另一实施例的光感测像素电路的各方块的内部电路示意图。请参考图5，本实施例的光感测像素电路500类似于图2的光感测像素电路100，但两者之间主要的差异例如在于转换增益调整单元530内部的调整电晶体的数目。

具体而言，本实施例的转换增益调整单元530包括三个串联耦接在电源VDD1与浮动节点N_F之间的调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’。控制单元540分别利用控制信号S1’、S2’、S3’来控制调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’的导通状态，以调整浮动节点N_F处的等效电容C的值。

图6A、图7A、图8A分别绘示图5的实施例的光感测像素电路操作在不同操作模式时，调整电晶体的控制信号S1’、S2’、S3’的信号波形图。图6B、图7B、图8B分别绘示图5的实施例的光感测像素电路操作在不同操作模式时，其信号转换单元的转换增益。请参考图5至图8B，在本实施例中，无论是在第一、第二或第三操作模式，调整电晶体在t1期间均因控制信号S1’、S2’、S3’处于高准位而全部被开启。此时，电源VDD1重置信号转换单元520的浮动节点N_F。接着，在第一、第二及第三操作模式的t2期间，调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’的导通状态分别是：在第一操作模式中，调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’全部被控制信号S1’、S2’、S3’关闭，如图6A所示；在第二操作模式中，调整电晶体Q3’被控制信号S3’开启，调整电晶体Q2’、Q3’被控制信号S1’、S2’关闭，如图7A所示；在第三操作模式中，调整电晶体Q2’、Q3’被控制信号S2’、S3’开启，调整电晶体Q1’被控制信号S1’关闭，如图8A所示。

因此，根据上述第一、第二及第三操作模式的调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’的导通状态，信号转换单元520的转换增益在第一、第二及第三操作模式的大小关系依序是CG1’＞CG2’＞CG3’，其中CG1’代表第一操作模式时，信号转换单元520的转换增益，如图6B所示；CG2’代表第二操作模式时，信号转换单元520的转换增益，如图7B所示；CG3’代表第三操作模式时，信号转换单元520的转换增益，如图8B所示。也就是说，调整电晶体被开启的数目愈多，信号转换单元520的转换增益愈低。

换句话说，本实施例的光感测像素电路500，其信号转换单元520的转换增益可随光感测像素电路500所感测到的光源亮度进行适应性的调整。当光感测像素电路500侦测到高光源亮度时，其可操作在低转换增益模式，以提高动态范围；当光感测像素电路500侦测到低光源亮度时，其可操作在高转换增益模式，以具备高灵敏度，并保持高信噪比。

值得一提的是，在不同的操作模式中，本发明的范例实施例对调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’被开启的顺序并不加以限制。举例而言，只要在各操作模式的t1期间保持调整电晶体Q1’、Q2’、Q3’为开启，让电源VDD 1可重置信号转换单元520的浮动节点N_F即可。或者，在各操作模式的t2期间，当输出电路550在读取浮动节点N_F的电压信号V_C时，保持调整电晶体Q1’为关闭，让电源VDD1无法重置信号转换单元520的浮动节点N_F即可。简言之，上述调整电晶体的导通或关闭的组合仅作范例，实际可以有不同的组合，只要能改变浮动节点所看到的等效电容值，均可加以采用。

此外，在本发明的范例实施例中，各控制单元是以高准位的控制信号来开启各调整电晶体，以低准位的控制信号来关闭各调整电晶体，但本发明并不加以限制。在其他实施例中，根据调整电晶体的种类不同，其导通状态时的控制信号的准位可作适应性地调整。

另外，在本发明的范例实施例中，转换增益调整单元的各调整电晶体是以串联耦接为实施态样作为例示说明，但本发明并不加以限制。在其他实施例中，只要能根据输出电路的感测信号所对应的光亮度来调整或改变浮动节点处的等效电容，其电路布局皆为本发明所欲保护的范畴。

图9为本发明一实施例的转换增益调整方法的步骤流程图。请同时参照图2及图9，本实施例的转换增益调整方法例如适用于图2的光感测像素电路，其包括如下步骤。首先，在步骤S900中，接收光感测像素电路100的光感测部位110所产生的电子e-。接着，在步骤S902中，在一重置期间，以电源VDD1重置信号转换单元120的浮动节点N_F。其中，重置期间例如是各操作模式的t1期间。之后，在步骤S904中，在一转换读取期间，根据输出电路150的感测信号V_S所对应的光源亮度来决定转换增益调整单元130中，调整电晶体开启的数目，以调整信号转换单元120的转换增益。其中，输出电路150的感测信号V_S的大小代表所感测的光源的亮暗程度，而转换读取期间例如是各操作模式的t2期间。在本实施例中，输出电路150的感测信号V_S所对应的光源的亮度愈高时，所调整的转换增益愈低，调整调整电晶体被开启的数目愈多；输出电路150的感测信号V_S所对应的光源的亮度愈低时，所调整的转换增益愈高，调整电晶体被开启的数目愈少。继之，在步骤S906中，根据调整后的转换增益，将光感测部位所产生的电子e-转换为电压信号V_C。接着，在步骤S908中，读取转换所得的电压信号V_C来产生感测信号V_S。

另外，本发明的实施例的转换增益调整方法可以由图1至图8B实施例的叙述中获致足够的教示、建议与实施说明，因此不再赘述。

综上所述，在本发明的上述范例实施例中，影像感测器的光感测像素电路具有可调变转换增益的功能。当光感测像素电路侦测到高光源亮度时，其可操作在低转换增益模式，以提高动态范围；当光感测像素电路侦测到低光源亮度时，其可操作在高转换增益模式，以具备高灵敏度，并保持高信噪比。因此，影像感测器采用本发明的范例实施例的光感测像素电路，可兼顾高灵敏度与高动态范围。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种光感测像素电路，包括：

一光感测部位，感测一光源，并产生一对应数量的电子；

一信号转换单元，耦接至该光感测部位，具有一浮动节点，根据一转换增益将所产生的该些电子转换为一电压信号；

一转换增益调整单元，经由该浮动节点耦接至该信号转换单元，并调整该转换增益；以及

一输出电路，耦接至该信号转换单元，根据该电压信号输出一感测信号，其对应所感测的光源的亮度，

其中该转换增益调整单元包括至少两操作模式，该至少两操作模式其中之一的转换增益大于其中的另一者。

2.根据权利要求1所述的光感测像素电路，其中该转换增益调整单元具有一第一端及一第二端，该第一端耦接至一第一电源，该第二端耦接至该浮动节点。

3.根据权利要求2所述的光感测像素电路，其中该转换增益调整单元包括：

多个调整电晶体，耦接在该第一端及该第二端之间，其中在不同的操作模式下，该些调整电晶体被开启的数目不同，该信号转换单元的转换增益是根据该些调整电晶体被开启的数目来调整。

4.根据权利要求3所述的光感测像素电路，其中该些调整电晶体被开启的数目愈多，该信号转换单元的转换增益愈低。

5.根据权利要求3所述的光感测像素电路，其中该些调整电晶体全部被开启时，该第一电源重置该浮动节点。

6.根据权利要求3所述的光感测像素电路，其中该些调整电晶体是串联耦接在该第一端及该第二端之间。

7.根据权利要求3所述的光感测像素电路，还包括：

一控制单元，耦接该输出电路，根据该感测信号所对应的光源亮度来调整该些调整电晶体被开启的数目。

8.根据权利要求1所述的光感测像素电路，其中该信号转换单元包括：

一传输电晶体，耦接至该光感测部位，并传输该光电流信号至该浮动节点；以及

一源极随耦器，耦接至该浮动节点与一第二电源，并放大该电压信号。

9.根据权利要求8所述的光感测像素电路，其中该信号转换单元还包括：

一列控制电晶体，耦接至该源极随耦器，并将放大后该电压信号传输至该输出电路。

10.根据权利要求1所述的光感测像素电路，其中该感测信号所对应的该光源的亮度愈高时，该转换增益调整单元所调整的该转换增益愈低。

11.根据权利要求1所述的光感测像素电路，其中该感测信号所对应的该光源的亮度愈低时，该转换增益调整单元所调整的该转换增益愈高。

12.一种光感测像素电路，包括：

一光感测部位，感测一光源，并产生一对应数量的电子；

一传输电晶体，耦接至该光感测部位，具有一浮动节点，将该光感测部位所产生的该些电子转换为一电压信号；

多个调整电晶体，具有一第一端及一第二端，该第一端耦接至一第一电源，该第二端经由该浮动节点耦接至该传输电晶体；以及

一输出电路，耦接至该传输电晶体，根据该电压信号输出一感测信号，其对应所感测的光源的亮度，

其中该些调整电晶体包括至少两操作模式，在不同的操作模式下，该些调整电晶体被开启的数目不同。

13.根据权利要求12所述的光感测像素电路，其中该些调整电晶体全部被开启时，该第一电源重置该浮动节点。

14.根据权利要求12所述的光感测像素电路，其中该些调整电晶体是串联耦接在该第一端及该第二端之间。

15.根据权利要求12所述的光感测像素电路，还包括：

一控制单元，耦接至输出电路，根据该感测信号对应的光亮度来调整该些调整电晶体被开启的数目。

16.根据权利要求12所述的光感测像素电路，还包括：

一源极随耦器，耦接至该浮动节点、一第二电源与该输出电路，并放大该电压信号，其中该输出电路经由该源极随耦器耦接至该传输电晶体。

17.根据权利要求16所述的光感测像素电路，还包括：

一列控制电晶体，耦接至该源极随耦器源与该输出电路，并将放大后该电压信号传输至该输出电路，其中该输出电路经由该源极随耦器及该列控制电晶体耦接至该传输电晶体。

18.根据权利要求12所述的光感测像素电路，其中该感测信号所对应的该光源的亮度愈高时，该些调整电晶体被开启的数目愈多。

19.根据权利要求12所述的光感测像素电路，其中该感测信号所对应的该光源的亮度愈低时，该些调整电晶体被开启的数目愈少。

20.一种影像感测器，包括复数个如权利要求1所述的光感测像素电路。

21.一种影像感测器，包括复数个如权利要求12所述的光感测像素电路。