CN103295587A - 集中式电子存储介质数据同步擦除方法 - Google Patents
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Abstract
集中式电子存储介质数据同步擦除方法,属于数据擦除技术领域,是为了解决现有数据擦除技术擦除速度不高、并发处理存储设备少、操作结果无法确定的问题,首先对电子存储介质进行识别,再对电子存储介质的磁盘基本信息进行检测,获得电子存储介质已使用时间和健康状态,当健康状态表示电子存储介质已损坏且无法进行擦除处理时,进行消磁处理;当健康状态表示存在HPA隐藏扇区时,进行是否对HPA隐藏扇区进行删除后,对电子存储介质进行数据擦除;当健康状态表示存在DCO隐藏扇区时,进行是否对DCO隐藏扇区进行删除后,对电子存储介质进行数据擦除;数据擦除采用多线程技术实现多路电子存储介质同步擦除;本发明主要用途是对电子存储介质进行数据擦除。
Description
技术领域
本发明属于数据擦除技术领域。
背景技术
我国每年大约有几百万个硬盘因损坏、过于陈旧等原因需要淘汰,更多的U盘需要销毁,如此庞大的销毁规模,如果不能够配合有效的管理手段和技术手段,势必造成难以想象的泄密后果。
诞生于21世纪初的数据销毁技术是涉密数据信息安全领域完整体系的形成标志,如果把“数据恢复技术”比作涉密数据信息安全领域的“矛”,那么“数据销毁技术”就是涉密数据信息安全领域的“盾”,而且“盾”的作用强于“矛”。
现阶段常见的数据销毁方式为数据覆写、消磁、盘体销毁三种方式分开进行,销毁不够彻底,且销毁速度较慢。
数据擦除是将非保密数据写入以前存有敏感数据的存储位置的过程。硬盘上的数据都是以二进制的“1”和"0"形式存储的。使用预先定义的无意义、无规律的信息覆盖硬盘上原先存储的数据,完全覆写后就无法知道原先的数据是0还是1,也就达到了清除数据的目的。采用不同类型的数据,对要删除的数据的存储位置进行多次覆写的方法,是数据销毁的有效途径,处理后的硬盘可以循环使用。
消磁操作通常借助消磁机来实现,消磁机的工作原理是对磁性存储介质(如硬盘、磁带)施加瞬间强磁场,使介质表面的磁性颗粒极性方向发生改变,失去表示数据的意义。消磁最突出的特点就是快捷高效,方便监控和审计,可在办公区操作。消磁后的硬盘不能直接使用,可用于保修服务或丢弃。
硬盘销毁通常采用物理破坏或化学腐蚀的方法把记录有涉密数据的物理载体完全破坏掉,从而从根本上解决数据泄露的问题。
以上三种方法中只有经过数据擦除后的硬盘才可以循环使用,因此数据擦除也成了数据销毁技术中最经济实用的技术。
现有国内外数据擦除技术普遍存在功能单一、擦除速度不高、并发操作数少、操作结果无法确定等问题。
发明内容
本发明为了解决现有数据擦除技术擦除速度不高、并发处理存储设备少、操作结果无法确定的问题,提出了一种集中式电子存储介质数据同步擦除方法。
集中式电子存储介质数据同步擦除方法,它包括下述步骤:
步骤一、对电子存储介质进行识别,再对电子存储介质的磁盘基本信息进行检测,获得电子存储介质已使用时间和健康状态;
步骤二、根据电子存储介质健康状态进行处理,具体过程为:
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质已损坏且无法进行擦除处理时,则执行步骤三,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在HPA隐藏扇区时,则执行步骤四,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在DCO隐藏扇区时,则执行步骤五,
步骤三、对电子存储介质进行消磁处理,消磁完成后,执行步骤七;
步骤四、当需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤九,当不需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤五、当需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤六,当不需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤六、删除DCO隐藏扇区,执行步骤十;
步骤七、生成报告清单,执行步骤八;
步骤八、完成擦除操作;
步骤九、删除HPA隐藏扇区,执行步骤十;
步骤十、对电子存储介质进行数据擦除后,执行步骤十一,所述的数据擦除采用多线程技术实现多路电子存储介质同步擦除;
步骤十一、对电子存储介质进行格式化后,执行步骤七。
步骤十中所述的多路电子存储介质是指大于2路少于29路。
所述的步骤十中数据擦除的方式包括快速擦除、BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除或DOD5220.22-M(8-306/E)擦除。
所述的步骤一中的电子存储介质为SATA硬盘、SAS硬盘、USB磁盘、IDE硬盘或SCSI硬盘。
所述的步骤一中电子存储介质的磁盘基本信息包括设备类型、磁盘容量和索引号。
所述的快速擦除是使用0x00擦除一次。
所述的BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除和DOD5220.22-M(8-306/E)擦除均是使用自定义字符进行擦除。
所述的自定义字符范围从0x00到0xFF。
所述的自定义字符进行擦除的擦除次数范围为大于0小于等于99。生成报告清单记录如下内容,擦除类型、擦除开始时间、擦除结束时间、擦除范围、擦除次数、擦除速度、擦除结果、是否正常结束等,并且具有快捷的报告浏览功能。
本发明带来的有益效果是,擦除速度可达到7.54G/min,可同时擦除28路存储设备,通过报告清单可知擦除结果。
附图说明
图1为本发明所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的原理示意图。
具体实施方式
具体实施方式一:参见图1说明本实施方式,本实施方式所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,它包括下述步骤:
步骤一、对电子存储介质进行识别,再对电子存储介质的磁盘基本信息进行检测,获得电子存储介质已使用时间和健康状态;
步骤二、根据电子存储介质健康状态进行处理,具体过程为:
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质已损坏且无法进行擦除处理时,则执行步骤三,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在HPA隐藏扇区时,则执行步骤四,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在DCO隐藏扇区时,则执行步骤五,
步骤三、对电子存储介质进行消磁处理,消磁完成后,执行步骤七;
步骤四、当需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤九,当不需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤五、当需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤六,当不需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤六、删除DCO隐藏扇区,执行步骤十;
步骤七、生成报告清单,执行步骤八;
步骤八、完成擦除操作;
步骤九、删除HPA隐藏扇区,执行步骤十;
步骤十、对电子存储介质进行数据擦除后,执行步骤十一,所述的数据擦除采用多线程技术实现多路电子存储介质同步擦除;
步骤十一、对电子存储介质进行格式化后,执行步骤七。
本实施方式中,生成报告清单记录如下内容,擦除类型、擦除开始时间、擦除结束时间、擦除范围、擦除次数、擦除速度、擦除结果、是否正常结束等,并且具有快捷的报告浏览功能。
具体实施方式二:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式一所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,步骤十中所述的多路电子存储介质是指大于2路少于29路。
具体实施方式三:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式一所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的步骤十中数据擦除的方式包括快速擦除、BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除或DOD5220.22-M(8-306/E)擦除。
具体实施方式四:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式一所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的步骤一中的电子存储介质为SATA硬盘、SAS硬盘、USB磁盘、IDE硬盘或SCSI硬盘。
具体实施方式五:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式一所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的步骤一中电子存储介质的磁盘基本信息包括设备类型、磁盘容量和索引号。
具体实施方式六:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式三所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的快速擦除是使用0x00擦除一次。
具体实施方式七:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式三所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除和DOD5220.22-M(8-306/E)擦除均是使用自定义字符进行擦除。
具体实施方式八:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式七所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的自定义字符范围从0x00到0xFF。
具体实施方式九:参见图1说明本实施方式,本实施方式与具体实施方式七所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法的区别在于,所述的自定义字符进行擦除的擦除次数范围为大于0小于等于99。
Claims (9)
1.集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,它包括下述步骤:
步骤一、对电子存储介质进行识别,再对电子存储介质的磁盘基本信息进行检测,获得电子存储介质已使用时间和健康状态;
步骤二、根据电子存储介质健康状态进行处理,具体过程为:
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质已损坏且无法进行擦除处理时,则执行步骤三,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在HPA隐藏扇区时,则执行步骤四,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在DCO隐藏扇区时,则执行步骤五,
步骤三、对电子存储介质进行消磁处理,消磁完成后,执行步骤七;
步骤四、当需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤九,当不需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤五、当需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤六,当不需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤六、删除DCO隐藏扇区,执行步骤十;
步骤七、生成报告清单,执行步骤八;
步骤八、完成擦除操作;
步骤九、删除HPA隐藏扇区,执行步骤十;
步骤十、对电子存储介质进行数据擦除后,执行步骤十一,所述的数据擦除采用多线程技术实现多路电子存储介质同步擦除;
步骤十一、对电子存储介质进行格式化后,执行步骤七。
2.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,步骤十中所述的多路电子存储介质是指大于2路少于29路。
3.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤十中数据擦除的方式包括快速擦除、BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除或DOD5220.22-M(8-306/E)擦除。
4.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤一中的电子存储介质为SATA硬盘、SAS硬盘、USB磁盘、IDE硬盘或SCSI硬盘。
5.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤一中电子存储介质的磁盘基本信息包括设备类型、磁盘容量和索引号。
6.根据权利要求3所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的快速擦除是使用0x00擦除一次。
7.根据权利要求3所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除和DOD5220.22-M(8-306/E)擦除均是使用自定义字符进行擦除。
8.根据权利要求7所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的自定义字符范围从0x00到0xFF。
9.根据权利要求7所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的自定义字符进行擦除的擦除次数范围为大于0小于等于99。
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