CN103280177A

CN103280177A - 栅极驱动器及其检测方法

Info

Publication number: CN103280177A
Application number: CN2012105181502A
Authority: CN
Inventors: 曹兆铿
Original assignee: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2012-12-05
Filing date: 2012-12-05
Publication date: 2013-09-04
Anticipated expiration: 2032-12-05
Also published as: CN103280177B

Abstract

本发明提供了一种栅极驱动器及其检测方法，其中，所述栅极驱动器包括：测试线、测试连接线及移位寄存器，所述测试连接线与所述移位寄存器信号连接，所述测试连接线与所述测试线具有交叉点。在此，通过对不良移位寄存器的内部进行电性检测，从而发现不良移位寄存器的电性缺陷的具体位置，进而可对造成此种电性缺陷的工艺予以修正，防止后续移位寄存器产生此种电性缺陷，由此，便可提高移位寄存器及栅极驱动器的良率。

Description

栅极驱动器及其检测方法

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及一种栅极驱动器及其检测方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（thin-film transistor liquid crystal display，TFT-LCD）是一种平面显示装置，其主要包括阵列基板、彩膜基板及夹持于阵列基板、彩膜基板之间的液晶层。现有的薄膜晶体管液晶显示器工作时，其阵列基板上的栅极线及数据线均需要驱动电路进行驱动才能工作。

为了降低薄膜晶体管液晶显示器的制造成本，同时提高薄膜晶体管液晶显示器的有效显示面积，现有技术中，比较通用的一种做法是采用非晶硅栅极驱动器。所述非晶硅栅极驱动器常采用形成阵列基板上的开关元件相同的工艺，并直接形成于阵列基板上。

所述非晶硅栅极驱动器的核心部件为移位寄存器，具体的，请参考图1，其为现有的栅极驱动器的结构示意图。如图1所示，所述栅极驱动器20包括多个移位寄存器RH，该多个移位寄存器用以产生栅极信号G1、G2……Gm。所述栅极驱动器20与外部控制电路耦接，所述外部控制电路向所述栅极驱动器20提供时钟信号CK、时钟信号CKB等控制信号。

在所述栅极驱动器20中，移位寄存器RH是一核心器件，通过所述移位寄存器RH的工作能够产生栅极信号G1、G2……Gm，从而控制像素的点亮与否。通常的，移位寄存器RH包括多个晶体管，具体的，请参考图2，其为一典型的移位寄存器的结构示意图。如图2所示，所述移位寄存器RH包括七个晶体管M0~M6及两个二极管C0、C1。在这样一个较为复杂的电路结构中，其内部往往易于发生断路、短路等电缺陷。但是，对于这样的移位寄存器RH（对于其他电路结构的移位寄存器也是一样的）而言，尚无方法对其内部进行检测来找出移位寄存器RH产生不良的具体位置和原因，例如，若节点NET1或者节点NET2发生电缺陷，则尚无法通过对移位寄存器RH的电性检测予以检测出来是NET1或NET2发生了电缺陷，故无法确定移位寄存器RH产生不良的具体位置，后续也就无从下手来制定改善不良的方案。从而也降低了移位寄存器的良率（具体的，当移位寄存器出现电性缺陷时，难以检测出来并进一步加以修复，由此便导致了移位寄存器的可靠性及良率的降低），进而降低了栅极驱动器的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅极驱动器及其检测方法，以解决现有的栅极驱动器不良发生位置检测困难，从而导致栅极驱动器的制造过程中电性缺陷持续存在，进而导致栅极驱动器良率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种栅极驱动器，所述栅极驱动器包括：测试线、测试连接线及移位寄存器，其中，所述测试连接线与所述移位寄存器信号连接，所述测试连接线与所述测试线具有交叉点。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述移位寄存器的数量为多个，所述测试连接线的数量为多根，其中，每个移位寄存器与一根或者多根测试连接线信号连接。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述移位寄存器包括多个薄膜晶体管，所述测试连接线与其中一个或者数个薄膜晶体管的栅极、源极或者漏极连接。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试线为所述TFT-LCD阵列基板上的固定电位配线。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层形成。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试连接线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层形成。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层形成。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试连接线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层形成。

可选的，在所述的栅极驱动器中，所述测试线一端上具有一信号检测pad。

本发明还提供一种上述栅极驱动器的检测方法，当移位寄存器出现不良时，通过如下方法对不良的移位寄存器进行检测：

熔接所述测试连接线与所述测试线的交叉点；

检测所述测试线上的信号。

可选的，在所述的栅极驱动器的检测方法中，所述测试线一端上具有一信号检测pad，通过检测所述信号检测pad上的信号实现检测所述测试线上的信号。

可选的，在所述的栅极驱动器的检测方法中，当所述移位寄存器的数量为多个，且其中数个移位寄存器出现不良时，当检测完任一不良移位寄存器后，需要将其对应的测试连接线切割断开，再测试下一个不良移位寄存器。

在本发明提供的栅极驱动器及其检测方法中，通过对不良移位寄存器的内部进行电性检测，从而发现不良移位寄存器的电性缺陷的具体位置，进而可对造成此种电性缺陷的工艺予以修正，防止后续移位寄存器产生此种电性缺陷，由此，便可提高移位寄存器及栅极驱动器的良率。

附图说明

图1是现有的栅极驱动器的结构示意图；

图2是一典型的移位寄存器的结构示意图；

图3是本发明实施例的栅极驱动器的结构示意图；

图4是对栅极驱动器进行检测时的状态示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的栅极驱动器及其检测方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图3，其为本发明实施例的栅极驱动器的结构示意图。如图3所示，所述栅极驱动器30包括：测试线TH、测试连接线LH及移位寄存器RH，其中，所述测试连接线LH与所述移位寄存器RH信号连接，所述测试连接线LH与所述测试线TH具有交叉点。

在本实施例中，所述移位寄存器RH可以采用如图2所示的电路结构，也可以采用现有的其他电路结构的移位寄存器，本申请对此并不作限定。

在本实施例中，所述移位寄存器RH的数量为多个，所述测试连接线LH的数量为多根，其中，每个移位寄存器RH与一根测试连接线LH信号连接。具体的，所述栅极驱动器30包括m个移位寄存器，分别为移位寄存器RH1、移位寄存器RH2、移位寄存器RH3……移位寄存器RHm，在此，每个移位寄存器RH均与一根测试连接线LH信号连接，即移位寄存器RH1与测试连接线LH1信号连接、移位寄存器RH2与测试连接线LH2信号连接、移位寄存器RH3与测试连接线LH3信号连接……移位寄存器RHm与测试连接线LHm信号连接。其中，所述m个移位寄存器RH用以产生m个栅极信号，即产生栅极信号G1、栅极信号G2、栅极信号G3……栅极信号Gm。

此外，在本发明的其他实施例中，每个移位寄存器RH还可以与多根测试连接线LH信号连接，由此，可以测试每个移位寄存器RH内部多个节点的电性能情况。以图2所示的具体移位寄存器为例，每个移位寄存器RH可以与两根测试连接线LH信号连接，其中一根测试连接线LH连接至节点NET1，另一根测试连接线LH连接至节点NET2，由此，可以方便的测知移位寄存器RH内部节点NET1及节点NET2处的电性能情况。并据此进一步判断移位寄存器RH的性能，例如由此检测判断出移位寄存器RH的电缺陷。其中，关于根据检测到的节点NET1及节点NET2处的电性能情况，进而判断出移位寄存器RH各部分的性能，此为现有技术，本申请对此不再赘述。但是，对于现有技术而言，检测节点NET1及节点NET2处的电性能情况是一项十分困难的工作，而本申请的目的正是在于解决这一技术难题。

当然，根据不同电路结构的移位寄存器，还可以设置更多根测试连接线，具体的，每根测试连接线可以连接至移位寄存器内部关心的节点（即有利于判断移位寄存器性能的节点）。其中，对于移位寄存器而言，有利于判断移位寄存器性能的节点通常即为移位寄存器中的晶体管的栅极、源极或者漏极，因此，具体的，就是将每根测试连接线与移位寄存器中某一晶体管的栅极、源极或者漏极连接。例如，当通过两根测试连接线与图2所示的移位寄存器中的节点NET1及节点NET2连接时，也就是与晶体管M0的漏极及晶体管M3的源极连接。

在本实施例中，所述测试线TH设置于液晶显示面板上，具体的，设置于液晶显示面板中的阵列基板上。优选的，所述测试线TH为所述阵列基板上的固定电位配线，即所述测试线TH与固定电位连接，例如，所述测试线TH可以为阵列基板上的接地线，由此，可以保证所述测试线TH的可靠性，防止所述测试线TH对于阵列基板上的其他结构产生干扰。

在此，所述测试线TH与所述测试连接线LH位于不同的导电层，例如，所述测试线TH位于所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层，即所述测试线TH通过形成栅极、栅极线的第一金属层形成，而所述测试连接线LH位于所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层，即所述测试连接线LH通过形成源极、漏极、数据线的第二金属层形成；又例如，所述测试线TH位于所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层，即所述测试线TH通过形成源极、漏极、数据线的第二金属层形成，而所述测试连接线LH位于所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层，即所述测试连接线LH通过形成栅极、栅极线的第一金属层形成。此外，还可以所述测试线TH位于所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层，而所述测试连接线LH位于第三金属层、透明导电层等与测试线TH不同的导电层。

此时，所述测试连接线LH与所述移位寄存器中的测试节点的连接（即与移位寄存器中某一晶体管的栅极、源极或者漏极的连接）可以在测试连接线LH形成的过程中直接连接，即测试节点与测试连接线LH位于同一膜层；也可以通过接触孔予以连接，即测试节点与测试连接线LH位于不同膜层。此点可以根据现有工艺技术实现，本申请对此不再赘述。

在本实施例中，所述测试线TH的一端上具有一信号检测pad PH，其中，所述信号检测pad PH与所述测试线TH同时形成。当需要对移位寄存器/栅极驱动器进行检测时，测试仪器便可与所述信号检测pad PH连接，由此，便于测试仪器对于测试线TH上信号的接收，提高检测的可靠性。

对于上述的栅极驱动器30而言，能够对不良移位寄存器RH的内部进行电性检测，从而发现不良移位寄存器RH的电性缺陷，找出不良移位寄存器RH产生不良的具体位置，进而可对造成此种电性缺陷的工艺予以修正，防止后续移位寄存器RH产生此种电性缺陷，由此，便可提高移位寄存器RH及栅极驱动器30的良率。

接下去，本实施例将进一步介绍对于不良移位寄存器RH的检测。请参考图4，其为对栅极驱动器进行检测时的状态示意图。

如图4所示，图4中示出了栅极驱动器30出现了不良，具体的，移位寄存器RH2出现了不良。其中，关于移位寄存器RH2出现不良这一情况，通过现有技术能够很方便的获知，例如，根据其输出的栅极信号G2的不正常，便可得出移位寄存器RH2出现了不良。对于现有技术而言，难点在于，难以获取移位寄存器RH2产生不良的具体位置，即例如，具体是其内部哪个晶体管出现了不良等等。而难以获取移位寄存器RH2产生不良的具体位置的原因在于，难以获取移位寄存器RH2的内部电信号。因此，在本实施中，通过介绍获取移位寄存器RH2内部电信号的方法，便能够解决获取移位寄存器RH2产生不良的具体位置这一技术难题。

具体的，在本实施例中，所述检测方法包括：

熔接所述测试连接线LH2与所述测试线TH的交叉点；

接着，检测所述测试线TH上的信号。

当对所述测试连接线LH2与所述测试线TH的交叉点进行熔接时，所述测试连接线LH2与所述测试线TH便导通了，此时，再通过检测所述测试线TH上的信号便能够获取所述测试连接线LH2所连接的内部节点的电信号。以图2所示的移位寄存器为例，若所述测试连接线LH2与节点NET1相连，则通过上述步骤，便可检测到所述节点NET1的电信号，进而据此判断所述移位寄存器RH2的缺陷位置。后续的，便可根据检测到的缺陷位置对造成此种电性缺陷的工艺予以修正，防止后续移位寄存器产生此种电性缺陷，从而提高移位寄存器及栅极驱动器的良率。

具体的，外部测试仪器与所述测试线TH一端的信号检测pad PH连接，通过检测所述信号检测pad PH上的信号实现检测所述测试线TH上的信号，进而实现检测移位寄存器RH2的内部信号。

在本实施例中，示出了栅极驱动器30中一个移位寄存器RH出现不良的检测方法。而当所述栅极驱动器30中多个移位寄存器RH出现不良情况时，进一步通过如下方法进行检测：

首先，通过上述方法对其中一个移位寄存器RH进行检测；

当检测完任一不良移位寄存器RH后，需要将其对应的测试连接线LH切割断开，再测试下一个不良移位寄存器RH。

假设，除了移位寄存器RH2出现了不良之外，移位寄存器RH3也出现了不良，同时，通过上述方法已经完成了对于移位寄存器RH2的不良检测，则接着：

首先断开测试连接线LH2与测试线TH的连接，此点可通过对测试连接线LH2进行切割予以实现；

接着，再熔接所述测试连接线LH3与所述测试线TH的交叉点，并检测所述测试线TH上的信号，此时，便能够实现对于移位寄存器RH3不良的检测。

完成上述步骤之后，也便完成了对于栅极驱动器30的检测。而通过上述方法能够对不良移位寄存器的内部进行电性检测，从而发现不良移位寄存器的电性缺陷，进而可对造成此种电性缺陷的工艺予以修正，防止后续移位寄存器产生此种电性缺陷，由此，便可提高移位寄存器及栅极驱动器的良率。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims

1.一种栅极驱动器，用于TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：测试线、测试连接线及移位寄存器，其中，所述测试连接线与所述移位寄存器信号连接，所述测试连接线与所述测试线具有交叉点。

2.如权利要求1所述的栅极驱动器，其特征在于，所述移位寄存器的数量为多个，所述测试连接线的数量为多根，其中，每个移位寄存器与一根或者多根测试连接线信号连接。

3.如权利要求1所述的栅极驱动器，其特征在于，所述移位寄存器包括多个薄膜晶体管，所述测试连接线与其中一个或者数个薄膜晶体管的栅极、源极或者漏极连接。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试线为所述TFT-LCD阵列基板上的固定电位配线。

5.如权利要求1至3中的任一项所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层形成。

6.如权利要求5所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试连接线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层形成。

7.如权利要求1至3中的任一项所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第二金属层形成。

8.如权利要求7所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试连接线通过所述TFT-LCD阵列基板上的第一金属层形成。

9.如权利要求1至3中的任一项所述的栅极驱动器，其特征在于，所述测试线一端上具有一信号检测pad。

10.一种如权利要求1所述的栅极驱动器的检测方法，其特征在于，当移位寄存器出现不良时，通过如下方法对不良的移位寄存器进行检测：

熔接所述测试连接线与所述测试线的交叉点；

检测所述测试线上的信号。

11.如权利要求10所述的栅极驱动器的检测方法，其特征在于，所述测试线一端上具有一信号检测pad，通过检测所述信号检测pad上的信号实现检测所述测试线上的信号。

12.如权利要求11所述的栅极驱动器的检测方法，其特征在于，当所述移位寄存器的数量为多个，且其中数个移位寄存器出现不良时，当检测完任一不良移位寄存器后，需要将其对应的测试连接线切割断开，再测试下一个不良移位寄存器。