CN103238457A - 一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，包括鳞茎处理、鳞片切割、鳞片催芽处理、鳞片膨大处理等步骤；利用此方法培育水仙，可以节约资源，利用较少的水仙种球就可以培育出较多的水仙仔球。在分化出来的小鳞片上涂抹GA3或乙烯利促使鳞片的分化，大大缩短了鳞片培育水仙仔球的时间，比传统的方法可以节约一个月左右的时间，从而降低了人力和财力，既经济有实惠。
Description
技术领域
本发明涉及一种水仙仔球的培育方法，具体涉及到利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法。
背景技术
水仙，属石蒜科水仙属多年生草本植物，原产中国，在中国已有一千多年栽培历史，为中国传统名花之一。此属植物全世界共有800多种，其中的10多种如喇叭水仙、围裙水仙等具有极高的观赏价值。
水仙的培育方法主要有侧球养殖、侧芽养殖、双鳞片养殖、组织培养法繁殖；其中以采用侧球繁殖为主，繁殖系数低，多的每鳞茎球每年可获得5个子球，有些种只能得2球。国内20世纪80年代开始进行中国水仙组培繁殖，近年可在瓶内培养成较大鳞茎。水仙组培繁殖所需的时间较长，从接种到鳞芽移植成功至少半年以上，成本也较高；而利用鳞片进行繁殖成活率相对较高，时间较短，是一种比较经济实惠的方法。
一般的水仙鳞片繁殖方法是需要将经过低温处理的水仙球经过切片处理后，再经过2-3个月才能长成水仙仔球，繁殖时间相对较长。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种既经济又实惠的繁育水仙的方法，能够在短期内繁育出水仙仔球。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：
一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A: 鳞茎处理：选择当年无斑点、无霉烂斑点的新鲜水仙球，首先进行打破休眠处理，处理方法是在低温5-8℃处理5-8周或者用1.0%的硝酸钾、0.10%硫脲、550mg/L GA3、500 mg/L的乙烯利处理；然后剥去鳞茎最外层干皱的鳞片和基部残余老根，流水冲洗30 min后放入清水中浸泡15min，再用50％多菌灵500倍液浸泡20-30 min或者用50％福美双粉500倍液浸泡10-15min，最后用无菌水冲洗3-5次。
B:鳞片切割：将处理完的水仙鳞茎纵向切成8块切块，然后将每块切块再纵切成带有1-3个鳞片和鳞茎盘的小块。
C: 鳞片催芽处理：首先把基质（草木灰：泥炭：蛭石：细沙：园土=1：1：3：1：2）进行混合，然后将培养基质利用蒸汽进行消毒，先将基质晒干后，装入高压锅内，让蒸汽通过基质1小时；或者选用福尔马林稀释60倍，喷洒基质(每立方分米喷洒500mL，边喷，边翻动基质)，喷后用较厚的塑料薄膜密封半月，之后启封摊散、翻动，让药味挥发10-20天后即可使用；在此阶段要控制基质水份含量为10-50％；再将基质把鳞片切片进行包埋，于20-25℃且黑暗条件下催芽20-30天，期间保持基质水份含量在10-50％，控制CO2气体含量在900-950PPm，在水仙鳞片上分化出小鳞片；
D:鳞片膨大处理：在分化出来的小鳞片上涂抹300-400mg/L GA3或400-500 mg/L的乙烯利促使鳞片的分化，当分化出来的小鳞片达到90%以上后，继续在温度为15-20℃的黑暗环境中，进行鳞片膨大处理20-40天，期间保持基质水分含量为20-40％，控制CO2气体900-950PPm， 逐渐形成水仙仔球。
本发明的有益效果是：
（1）利用鳞片繁殖方法培育水仙，可以节约资源，利用较少的水仙种球就可以培育出较多的水仙仔球。
（2）在分化出来的小鳞片上涂抹GA3或乙烯利促使鳞片的分化，大大缩短了鳞片培育水仙仔球的时间，比传统的方法可以节约一个月左右的时间，从而降低了人力和财力，既经济有实惠。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1
一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A: 鳞茎处理：选择当年无斑点、无霉烂斑点的新鲜水仙球，首先进行打破休眠处理，处理方法是在低温5℃处理8周或者用1.0%的硝酸钾、0.10%硫脲、550mg/L GA3、500 mg/L的乙烯利处理；然后剥去鳞茎最外层干皱的鳞片和基部残余老根，流水冲洗30 min后放入清水中浸泡15min，再用50％多菌灵500倍液浸泡20 min或者用50％福美双粉500倍液浸泡10min，最后用无菌水冲洗3次。
B:鳞片切割：将处理完的水仙鳞茎纵向切成8块切块，然后将每块切块再纵切成带有1个鳞片和鳞茎盘的小块。
C: 鳞片催芽处理：首先把基质（草木灰：泥炭：蛭石：细沙：园土=1：1：3：1：2）进行混合，然后将培养基质利用蒸汽进行消毒，先将基质晒干后，装入高压锅内，让蒸汽通过基质1小时；或者选用福尔马林稀释60倍，喷洒基质(每立方分米喷洒500mL，边喷，边翻动基质)，喷后用较厚的塑料薄膜密封半月，之后启封摊散、翻动，让药味挥发10天后即可使用；在此阶段要控制基质水份含量为10％；再将基质把鳞片切片进行包埋，于20℃且黑暗条件下催芽30天，期间保持基质水份含量在10％，控制CO2气体含量在900PPm，在水仙鳞片上分化出小鳞片；
D:鳞片膨大处理：在分化出来的小鳞片上涂抹300mg/L GA3或400 mg/L的乙烯利促使鳞片的分化，当分化出来的小鳞片达到90%以上后，继续在温度为15℃的黑暗环境中，进行鳞片膨大处理40天，期间保持基质水分含量为20％，控制CO2气体900PPm， 逐渐形成水仙仔球。
实施例2
一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A: 鳞茎处理：选择当年无斑点、无霉烂斑点的新鲜水仙球，首先进行打破休眠处理，处理方法是在低温6℃处理7周或者用1.0%的硝酸钾、0.10%硫脲、550mg/L GA3、500 mg/L的乙烯利处理；然后剥去鳞茎最外层干皱的鳞片和基部残余老根，流水冲洗30 min后放入清水中浸泡15min，再用50％多菌灵500倍液浸泡25 min或者用50％福美双粉500倍液浸泡12min，最后用无菌水冲洗4次。
B:鳞片切割：将处理完的水仙鳞茎纵向切成8块切块，然后将每块切块再纵切成带有2个鳞片和鳞茎盘的小块。
C: 鳞片催芽处理：首先把基质（草木灰：泥炭：蛭石：细沙：园土=1：1：3：1：2）进行混合，然后将培养基质利用蒸汽进行消毒，先将基质晒干后，装入高压锅内，让蒸汽通过基质1小时；或者选用福尔马林稀释60倍，喷洒基质(每立方分米喷洒500mL，边喷，边翻动基质)，喷后用较厚的塑料薄膜密封半月，之后启封摊散、翻动，让药味挥发15天后即可使用；在此阶段要控制基质水份含量为35％；再将基质把鳞片切片进行包埋，于22℃且黑暗条件下催芽25天，期间保持基质水份含量在35％，控制CO2气体含量在925PPm，在水仙鳞片上分化出小鳞片；
D:鳞片膨大处理：在分化出来的小鳞片上涂抹350mg/L GA3或450 mg/L的乙烯利促使鳞片的分化，当分化出来的小鳞片达到90%以上后，继续在温度为18℃的黑暗环境中，进行鳞片膨大处理30天，期间保持基质水分含量为30％，控制CO2气体925PPm， 逐渐形成水仙仔球。
实施例3
一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A: 鳞茎处理：选择当年无斑点、无霉烂斑点的新鲜水仙球，首先进行打破休眠处理，处理方法是在低温8℃处理5周或者用1.0%的硝酸钾、0.10%硫脲、550mg/L GA3、500 mg/L的乙烯利处理；然后剥去鳞茎最外层干皱的鳞片和基部残余老根，流水冲洗30 min后放入清水中浸泡15min，再用50％多菌灵500倍液浸泡30 min或者用50％福美双粉500倍液浸泡15min，最后用无菌水冲洗5次。
B:鳞片切割：将处理完的水仙鳞茎纵向切成8块切块，然后将每块切块再纵切成带有3个鳞片和鳞茎盘的小块。
C: 鳞片催芽处理：首先把基质（草木灰：泥炭：蛭石：细沙：园土=1：1：3：1：2）进行混合，然后将培养基质利用蒸汽进行消毒，先将基质晒干后，装入高压锅内，让蒸汽通过基质1小时；或者选用福尔马林稀释60倍，喷洒基质(每立方分米喷洒500mL，边喷，边翻动基质)，喷后用较厚的塑料薄膜密封半月，之后启封摊散、翻动，让药味挥发20天后即可使用；在此阶段要控制基质水份含量为50％；再将基质把鳞片切片进行包埋，于25℃且黑暗条件下催芽30天，期间保持基质水份含量在50％，控制CO2气体含量在950PPm，在水仙鳞片上分化出小鳞片；
D:鳞片膨大处理：在分化出来的小鳞片上涂抹400mg/L GA3或500 mg/L的乙烯利促使鳞片的分化，当分化出来的小鳞片达到90%以上后，继续在温度为20℃的黑暗环境中，进行鳞片膨大处理20天，期间保持基质水分含量为40％，控制CO2气体950PPm， 逐渐形成水仙仔球。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A: 鳞茎处理：选择当年生长健壮、无霉烂斑点的新鲜水仙球，首先进行打破休眠处理，然后剥去鳞茎最外层干皱的鳞片和基部残余老根，流水冲洗30 min后放入清水中浸泡15min，再用50％多菌灵500倍液浸泡20-30 min或者用50％福美双粉500倍液浸泡10-15min，最后用无菌水冲洗3-5次；
B:鳞片切割：将处理完的水仙鳞茎纵向切成8块切块，然后将每块切块再纵切成带有1-3个鳞片和鳞茎盘的小块；
C: 鳞片催芽处理：将培养基质经消毒后，控制基质水份含量为10-50％；将基质把鳞片切片进行包埋，于20-25℃且黑暗条件下催芽20-30天，期间保持基质水份含量在10-50％，控制CO2气体含量在900-950PPm，在水仙鳞片上分化出小鳞片；
D:鳞片膨大处理：在分化出来的小鳞片上涂抹300-400mg/L GA3或400-500 mg/L的乙烯利促使鳞片的分化，当分化出来的小鳞片达到90%以上后，继续在温度为15-20℃的黑暗环境中，进行鳞片膨大处理20-40天，期间保持基质水分含量为20-40％，控制CO2气体900-950PPm， 逐渐形成水仙仔球。
2.根据权利要求1所述的一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，步骤A中的打破休眠处理是在低温5-8℃处理5-8周或者用1.0%的硝酸钾、0.10%硫脲、550mg/L GA3、500 mg/L的乙烯利处理。
3.根据权利要求1所述的一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，步骤C中的培养基质配比为：草木灰：泥炭：蛭石：细沙：园土：1：1：3：1：2。
4.根据权利要求1所述的一种利用水仙鳞片培养水仙仔球的方法，步骤C中的消毒方法为：利用蒸汽进行消毒，先将基质晒干后，装入高压锅内，让蒸汽通过基质1小时；或者选用福尔马林稀释60倍，喷洒基质(每立方分米喷洒500mL，边喷，边翻动基质)，喷后用较厚的塑料薄膜密封半月，之后启封摊散、翻动，让药味挥发10-20天后即可使用。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Owner name: TAICANG YOUHUO BIOTECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: CHANGSHU JIASHENG AGRICULTURAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD. Effective date: 20150429 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 215500 SUZHOU, JIANGSU PROVINCE TO: 215411 SUZHOU, JIANGSU PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150429 Address after: 215411 Taicang province Jiangsu city Shaxi town Guizhuang Fu Development Zone Applicant after: TAICANG YOUHUO BIOTECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 215500, Jiangsu, Suzhou province Changshou City Xinzhuang Town (Yang Yuan) School Village Applicant before: Changshu Jiasheng Agricultural Technology Development Co., Ltd. |
|
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Effective date of registration: 20191120 Address after: 221300 No. 88 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: SU Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute (Pizhou) Co., Ltd. Address before: 215411 Taicang province Jiangsu city Shaxi town Guizhuang Fu Development Zone Patentee before: TAICANG YOUHUO BIOTECHNOLOGY CO., LTD. |
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Effective date of registration: 20211231 Address after: 221300 506, block B, electronic industrial park, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Xuzhou Bochuang Construction Development Group Co.,Ltd. Address before: No.88 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee before: SU Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute (Pizhou) Co.,Ltd. |