CN103219224B - 具有环保加工的晶圆制造工艺 - Google Patents
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Abstract
一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将有瑕疵的整片晶圆进行加工，先将有瑕疵的破损(或完整片)晶圆进行切割，以形成数个独立的晶片，而依据所需的晶片厚度，于所述各晶片背面进行一预设厚度的研磨，再将研磨后具完整的晶片依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，可将原本被视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，再进行切割、研磨及挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，进而提高生产良率降低生产成本，同时减少晶圆废弃物的数量与增加晶圆利用率，以符合节能减炭及环保目的。
Description
技术领域
本发明有关于一种具有环保加工的晶圆制造工艺，特别是指将原本被测试厂经过测试的良率不足的晶圆或是因其他因素所造成的缺陷晶圆、库存呆料视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，再进行切割、研磨及挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
背景技术
晶圆为制作集成电路(积体电路)元件的基础，而晶圆的制作过程包含有下列几个主要步骤：首先备制出高纯度的液态半导体原料(如硅)，接着利用晶种(seed)借助拉晶(pooling)生成圆柱状的晶棒(ingot)，之后再进行切片(slicing)将晶棒切割成碟状，以形成晶圆。
而晶圆于制造后，会将晶圆送置于测试厂以进行晶圆测试，其晶圆测试主要目的是确认于一晶圆中有哪些良好晶片可供封装之用，最后计算出符合所需电性参数的良率晶片数目，以供测试厂人员对晶圆整体效能做出分析；然而，被测试厂经过测试的良率不足的晶圆，则会被视为瑕疵难加工的晶圆而丢弃或作为库存呆料。其次是晶圆于制造过程中，因其他因素所造成的缺陷晶圆(如有局部破损的晶圆或厚度不平均的晶圆)，也会被视为瑕疵的晶圆而丢弃。
因此，被测试厂经过测试的良率不足的晶圆或是因其他因素所造成的缺陷晶圆、库存呆料视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，大多数被当成废弃物处理，如此一来不仅会增加晶圆废弃物产量，又加上大多数废弃晶圆已镀有金属或其它氧化物在表面，该些金属或其它氧化物则会加深对环境的污染。
发明内容
为了解决上述现有技术的问题与缺陷，本发明主要目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将有瑕疵的整片晶圆(如仅外围有些许破损的晶圆也可为破片、完整片或部分晶片良率不足的晶圆)进行加工，将整片的晶圆进行切割，以形成数个独立的晶片，而依据所需的晶片厚度，于所述各晶片背面进行一预设厚度的研磨，再将研磨后具完整的晶片依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，可将原本被视为瑕疵而欲丢弃的晶圆，再进行切割、研磨及挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
本发明次要目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将有些许瑕疵的整片晶圆(如仅外围有些许破损的晶圆也可为破片、完整片或部分晶片良率不足的晶圆)进行加工，将整片的晶圆进行预留一底面厚度的切割，以形成数个相连的晶片，而于所述各相连的晶片背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片成为数个独立的晶片，再将研磨后具完整的晶片依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，相同使具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
本发明又一目的是提供一种具有环保加工的晶圆制造工艺，将剩余数个晶片或原始晶片厚度过厚的非完整晶圆，接着将具完整的晶片依序放置于载具或是具有放置槽的载具中，而于所述各晶片背面进行一预设厚度的研磨，且将研磨后具完整的晶片再依序放置于载具的放置槽中，即完成。如此，使得于被舍弃晶圆之中仍具完整的晶片或因原始厚度过厚的晶片，可被再挑选出再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，同时符合节能减炭及现今环保目的。
本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具瑕疵的晶圆；将该晶圆进行切割，以形成数个独立的晶片；于所述各晶片背面进行一个预设厚度研磨；将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。
本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具瑕疵的晶圆；将该晶圆进行预留一个底面厚度的切割，以形成数个相连的晶片；于所述各相连的晶片背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片成为数个独立的晶片；将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。
本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：剩余数个晶片的非完整晶圆；将具完整的晶片依序放置于载体上；于所述各晶片背面进行一个厚度研磨；将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。
本发明一种具有环保加工的晶圆制造工艺，包含以下步骤：具部分晶片厚度太厚的非完整晶圆；将具完整的晶片依序放置于载体上；于所述各晶片背面进行一个厚度研磨；将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，该晶圆于切割时，利用一个切割器于晶圆表面以横向与纵向交错方式进行切割。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，所述各晶片于研磨时，利用一个研磨器于所述各晶片背面进行研磨。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤中，该载体为具有放置槽的载具，而研磨后具完整的晶片能依序放置于载具的放置槽中。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤之前，该晶片先设于一个粘贴膜上，并用紫外线灯进行照射。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，该具瑕疵的晶圆为有些许破损或破片的晶圆。
如上所述的具有环保加工晶圆制造工艺，其特征在于，该具瑕疵的晶圆为完整片的晶圆。
本发明将原本被视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆，再进行挑选程序，使得具瑕疵晶圆之中仍具完整的晶片，可被再挑选出而被加工再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以及节能、减炭及环保的有益效果。
附图说明
图1为本发明的晶圆制造工艺一实施流程图。
图2为本发明的晶圆制造工艺第一实施例流程示意图。
图3为本发明的晶圆制造工艺第二实施例流程示意图。
图4为本发明的晶圆制造工艺另一实施流程图。
图5为本发明的晶圆制造工艺第三实施例流程示意图。
图6为本发明的晶圆制造工艺第四实施例流程示意图。
图7为本发明的晶圆制造工艺又一实施流程图。
图8为本发明的晶圆制造工艺第五实施例流程示意图。
图9为本发明的晶圆制造工艺第六实施例流程示意图。
其中：
1、晶圆11、晶片2、粘贴膜
3、切割器4、研磨器5、紫外线灯
6、载具61、放置槽7、刮板
8、吸取器100、步骤110、步骤
120、步骤130、步骤200、步骤
210、步骤220、步骤230、步骤
300、步骤310、步骤320、步骤330、步骤
具体实施方式
为使方便简捷了解本发明的其他特征内容与优点及其所达成的功效能够更为显现，此将本发明配合附图，详细叙述本发明的特征以及优点，以下的各实施例为进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
请参阅图1、图2及图3所示，本发明揭露一种具有环保加工的晶圆制造工艺，该方法包含以下步骤：
步骤100：具瑕疵(如有些许破损、破片、完整片或部分晶片11良率不足)的晶圆1。
步骤110：将该晶圆1进行切割，以形成数个独立的晶片11。
步骤120：于所述各晶片11背面进行一预设厚度研磨。
步骤130：将研磨后具完整的晶片11依序放置于载体上(如具放置槽61的载具6)。
如此，可将原本被视为瑕疵而欲丢弃的晶圆1，再进行切割(如步骤110)、研磨(如步骤120)及挑选(如步骤130)程序，使得具瑕疵晶圆1之中仍具完整的晶片11，可被再挑选出而被再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
而依据上述步骤100～130所述，本发明试举一实施方法(如图2所示)，将有些许瑕疵的整片晶圆1(如破损的晶圆)进行加工，可先将晶圆1设置于一粘贴膜2并使晶圆1表面朝上，以将整片的晶圆1进行切割，于切割时，可借助一切割器3于晶圆1表面以横向与纵向交错方式进行切割，以形成数个独立的晶片11，再于已切割后的晶圆1表面覆设有另一粘贴膜2，并翻转使晶圆1背面朝上(而原先位于晶圆1背面的粘贴膜2即可除去)，而依据所需的晶片11厚度，于所述各晶片11背面进行一预设厚度的研磨，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一刮板7将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
又依据上述步骤100～130所述，本发明试举另一实施方法(如图3所示)，将有些许瑕疵的整片晶圆1(如破损的晶圆)进行加工，可先将晶圆1设置于一粘贴膜2并使晶圆1表面朝上，以将整片的晶圆1进行切割，于切割时，可借助一切割器3于晶圆1表面以横向与纵向交错方式进行切割，以形成数个独立的晶片11，再于已切割后的晶圆1表面覆设有另一粘贴膜2，并翻转使晶圆1背面朝上(而原先位于晶圆1背面的粘贴膜2即可除去)，而依据所需的晶片11厚度，于所述各晶片11背面进行一预设厚度的研磨，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后再于晶圆1背面覆设有另一粘贴膜2(而原先位于晶圆1表面的粘贴膜2即可除去)，可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一吸取器8于晶片11表面进行吸取，将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
请参阅图4、图5及图6所示，本发明揭露另一种具有环保加工的晶圆制造工艺，该方法包含以下步骤：
步骤200：具瑕疵(如有些许破损、破片、完整片或部分晶片11良率不足)的晶圆1。
步骤210：将该晶圆1进行预留一底面厚度的切割，以形成数个相连的晶片11。
步骤220：于所述各相连的晶片11背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片11成为数个独立的晶片11。
步骤230：将研磨后具完整的晶片11依序放置于载体上(如具放置槽61的载具6)。
如此，可将原本被视为瑕疵而欲丢弃的晶圆1，再进行切割(如步骤210)、研磨(如步骤220)及挑选(如步骤230)程序，使得具瑕疵晶圆1之中仍具完整的晶片11，可被再挑选出而被再利用，相同达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
而依据上述步骤200～230所述，本发明试举一实施方法(如图5所示)，将有些许瑕疵的整片晶圆1(如破损的晶圆)进行加工，可视情况所需先将晶圆1设置于一粘贴膜2并使晶圆1表面朝上，以将整片的晶圆1进行切割；又或者是将回收后的晶圆1直接进行切割，于切割时，可借助一切割器3于晶圆1表面以横向与纵向交错方式进行预留一底面厚度的切割，以形成数个底面相连的晶片11，再于已切割后的晶圆1表面覆设有一粘贴膜2，并翻转使晶圆1背面朝上，而依据所需的晶片11厚度，于所述各相连的晶片11背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片11成为数个独立的晶片11，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一刮板7将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
又依据上述步骤200～230所述，本发明试举另一实施方法(如图6所示)，将有些许瑕疵的整片晶圆1(破损的晶圆)进行加工，可视情况所需先将晶圆1设置于一粘贴膜2并使晶圆1表面朝上，以将整片的晶圆1进行切割；又或者是将回收后的晶圆1直接进行切割，于切割时，可借助一切割器3于晶圆1表面以横向与纵向交错方式进行预留一底面厚度的切割，以形成数个底面相连的晶片11，再于已切割后的晶圆1表面覆设有一粘贴膜2，并翻转使晶圆1背面朝上，而依据所需的晶片11厚度，于所述各相连的晶片11背面对预留底面厚度进行厚度研磨，使所述各相连的晶片11成为数个独立的晶片11，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后再于晶圆1背面覆设有另一粘贴膜2(而原先位于晶圆1表面的粘贴膜2即可除去)，可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一吸取器8于晶片11表面进行吸取，将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
请参阅图7、图8及图9所示，本发明揭露又一种具有环保加工的晶圆制造工艺，该方法包含以下步骤：
步骤300：具剩余数个晶片11或部分晶片11厚度太厚的非完整晶圆1。
步骤310：将具完整的晶片11依序放置于一载体。
步骤320：于所述各晶片11背面进行一厚度研磨。
步骤330：将研磨后具完整的晶片11再依序放置于载体上(如具放置槽61的载具6)。
如此，可将原本被视为瑕疵或规格不符而欲丢弃的晶片11，再进行研磨(如步骤320)及挑选(如步骤330)程序，使得具瑕疵晶圆1之中仍具完整的晶片11，可被再挑选出而被再利用，相同达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
而依据上述步骤300～330所述，本发明试举一实施方法(如图8所示)，将剩余数个晶片11或部分厚度过厚晶片11的非完整晶圆1进行加工，于该晶圆1中仍具完整的晶片11依序放置于一载体上，若当载体为一载具6时，将所述各晶片11先设于载具6中，再于所述各晶片11表面覆设有一粘贴膜2，并翻转使所述各晶片11背面朝上；若当载体为一粘贴膜2时，可将所述各晶片11设置于粘贴膜2上(此时所述各晶片11背面朝上)，而依据所需的晶片11厚度，于所述各相连的晶片11背面进行厚度研磨，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一刮板7将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
又依据上述步骤300～330所述，本发明试举另一实施方法(如图9所示)，将剩余数个晶片11或部分厚度过厚晶片11的非完整晶圆1进行加工，于该晶圆1中仍具完整的晶片11依序放置于一载体上，若当载体为一载具6时，将所述各晶片11先设于载具6中，再于所述各晶片11表面覆设有一粘贴膜2，并翻转使所述各晶片11背面朝上；若当载体为一粘贴膜2时，可将所述各晶片11设置于粘贴膜2上(此时所述各晶片11背面朝上)，而依据所需的晶片11厚度，于所述各相连的晶片11背面进行厚度研磨，于研磨时，可借助一研磨器4于所述各晶片11背面进行研磨，研磨后再于晶圆1背面覆设有另一粘贴膜2(而原先位于晶圆1表面的粘贴膜2即可除去)，可将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5(此时粘贴膜2朝上而所述各晶片11朝下)，借此降低粘贴膜2的粘度，最后再借助一吸取器8于晶片11表面进行吸取，将所述各具完整的晶片11与粘贴膜2脱离，并依序放置于载具6的放置槽61中(或放置于任一载体上)，即完成。
值得注意的事，上述各实施方法中，可依照粘贴膜2的粘度特性，而选择是否将粘贴膜2及所述各晶片11照射紫外线灯5。即当粘贴膜2的粘度较低时，粘贴膜2及所述各晶片11则无须照射紫外线灯5；反之，当粘贴膜2的粘度较高时，粘贴膜2及所述各晶片11则可照射紫外线灯5，借此降低粘贴膜2的粘度，达到方便将所述各晶片11与粘贴膜2脱离；此外，上述步骤100及200所述具瑕疵的晶圆1可为些许破损、破片或完整片。
综上所述，本发明的技术特征是将原本被视为瑕疵难加工而欲丢弃的晶圆1，再进行挑选程序，使得具瑕疵晶圆1之中仍具完整的晶片11，可被再挑选出而被加工再利用，达到提高生产良率降低生产成本，减少晶圆废弃物的数量，以符合节能减炭及环保目的。
但上列详细说明是针对本发明的一可行实施例的具体说明，该实施例并非用以限制本发明，而凡未脱离本发明技艺精神所为的等效实施或变更，均应包含于本发明的权利要求范围中。
Claims (4)
1.一种具有环保加工的晶圆制造工艺，其特征在于，包含以下步骤：
剩余数个晶片的非完整晶圆；
将该非完整晶圆上具完整的晶片依序放置于载体上；
于所述具完整的晶片背面进行一个厚度研磨；
将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体；
其中，于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤中，该载体为具有放置槽的载具，而研磨后具完整的晶片能依序放置于载具的放置槽中。
2.一种具有环保加工的晶圆制造工艺，其特征在于，包含以下步骤：
具部分晶片厚度太厚的非完整晶圆；
将该非完整晶圆上具完整的晶片依序放置于载体上；
于所述具完整的晶片背面进行一个厚度研磨；
将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体；
其中，于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤中，该载体为具有放置槽的载具，而研磨后具完整的晶片能依序放置于载具的放置槽中。
3.如权利要求1或2所述的具有环保加工晶圆制造工艺，其特征在于，所述各晶片于研磨时，利用一个研磨器于所述各晶片背面进行研磨。
4.如权利要求1或2所述的具有环保加工晶圆制造工艺，其特征在于，于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤之前，该晶片先设于一个粘贴膜上，并用紫外线灯进行照射。
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