CN103208977B - 柱状晶体电极 - Google Patents
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Abstract
柱状晶体电极，柱状晶体电极包括晶片、中间电极、四周电极、所述中间电极的竖直高度为L，所述中间电极的水平宽度为D，位于上部的两四周电极水平最短间隔为W，所述中间电极上部到晶片上部最顶端的最短竖直高度为H，最佳柱状晶体电极的设计方法必须满足：W＝0.4mm，W/H＝(0.4/15)*f，L*D＝K*f，K＝(2-3)/25，f为晶片的固有频率，f的范围为1-150MHz。本发明结构简单，精度高。
Description
技术领域
本发明涉及晶体电极设计方法，具体为柱状晶体电极。
背景技术
柱状晶体为电子行业重要的元器件，在生产中对频率稳定性要求很高，目前生产的柱状晶体因其电极缺陷很多，缺陷多表现在频率稳定性差，频率散差不容易控制，开发一种新型的柱状晶体电极非常必要。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供柱状晶体电极，以解决上述背景技术中的缺点。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
柱状晶体电极，柱状晶体电极包括晶片、中间电极、四周电极、所述中间电极的竖直高度为L，所述中间电极的水平宽度为D，位于上部的两四周电极水平最短间隔为W，所述中间电极上部到晶片上部最顶端的最短竖直高度为H。
最佳柱状晶体电极的设计方法必须满足：W＝0.4mm，W/H＝(0.4/15)*f，L*D＝K*f，K＝(2-3)/25。
本发明中，f为晶片的固有频率，f的范围为1-150MHz。
本发明的技术原理为：当设计的频率与固有频率相近时，共振最大，效果越显著。
有益效果
本发明结构简单，精度高。
附图说明
图1为本发明柱状晶体电极的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
参见图1，柱状晶体电极中柱状晶体电极的结构示意图，柱状晶体电极，柱状晶体电极包括晶片1、中间电极2、四周电极3、所述中间电极2的竖直高度为L，所述中间电极2的水平宽度为D，位于上部的两四周电极3水平最短间隔为W，所述中间电极2上部到晶片1上部最顶端的最短竖直高度为H。
最佳柱状晶体电极的设计方法必须满足：W＝0.4mm，W/H＝(0.4/15)*f，L*D＝K*f，K＝(2-3)/25。
本发明中，f为晶片的固有频率，f的范围为1-150MHz。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.柱状晶体电极，其特征在于，柱状晶体电极包括晶片、中间电极、四周电极，所述中间电极的竖直高度为L，所述中间电极的水平宽度为D，位于上部的两四周电极水平最短间隔为W，所述中间电极上部到晶片上部最顶端的最短竖直高度为H，最佳柱状晶体电极的设计方法必须满足：W＝0.4mm，W/H＝(0.4/15)*f，L*D＝K*f，K＝(2-3)/25，f为晶片的固有频率，f的范围为1-150MHz。
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| CN103208977A CN103208977A (zh) | 2013-07-17 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2012
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