CN103205688B - 易于去除辅助图形的掩模板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于蒸镀工艺的掩模板及其制作方法，在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差。掩模板包括主图形区域、辅助图形区域和间隔带，间隔带一边连接主图形区域，一边连接辅助图形；连接主图形区域的间隔带边缘由至少一个向主图形区域缩进的非水平线段及至少一个水平线段组成；连接辅助图形区域的间隔带边缘为水平线段；间隔带由至少一个连接实桥及至少一个镂空图形组成，连接实桥连接主图形区域与辅助图形区域，间隔带中除了连接实桥的地方镂空。

Description

易于去除辅助图形的掩模板及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种掩模板及其制作方法，具体涉及该种掩模板易于剥离的间隔带的制作方法。

背景技术

有机EL显示面板具有由通过附加电压而发光的低分子有机EL（OrganicElectro-Luminescence：OEL，有机发光电子板）材料形成的有机发光层，有机EL显示面板一般通过下述方式制造：在透明基板上形成透明电极层；在该透明电极层上形成由低分子有机EL材料形成的有机发光层；在该有机发光层上形成金属电极层。在该有机EL显示面板的制造工序中，在透明电极层上形成有机发光层通常采用具有规定图案的多个细微通孔的蒸镀金属掩模，并将低分子有机EL材料蒸镀于基板上。

这种有机电致发光显示器包括有机电致发光装置，有机电致发光装置具有分别堆叠在基底上的阳极、有机材料层和阴极。有机材料层包括有机发射层，有机发射层由于复合空穴和电子得到的激光而发光。此外，为了将空穴和电子平稳的传输到发射层并提高发射效率，电子注入层和电子传输层可设置在阴极和有机发射层之间，空穴注入层和空穴传输层可设置在阳极和有机发射层之间。

通常，可通过诸如真空沉积、离子电镀、溅射等物理气相沉积法和采用气象反应的化学气相沉积法来制造具有这种构造的有机电致发光装置。当通过这些方法来制造有机电致发光装置时，需要具有预定图案的掩模以在正确的位置堆叠有机材料层。由于传统工艺中，将掩模板固定在掩模框架上时掩模受外向拉力，因此要在掩模板的边料设计辅助图形用以施加拉力，最后要将固定后的掩模板的边料去除裁剪。

目前一般是用剪刀进行裁减，但裁减的边存在不齐整、外观不美观的问题，对于一些通过掩模板外边框进行对位的情况，外边框的不平整必会导致对位时的位置偏差。

发明内容

本发明的目的是提供一种易于去除辅助图形的掩模板及其制作方法，可以解决现有技术中掩模板外边框存在不齐整、外观不美观的问题，并且在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框对位时不会导致位置偏差。

针对以上技术问题，本发明提出以下技术方案：

一种用于蒸镀工艺的掩模板，包括：主图形区域，主图形区域具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180μm的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还包括间隔带，间隔带一边连接主图形区域，一边连接辅助图形。

连接主图形区域的间隔带边缘由至少一个向主图形区域缩进的非水平线段及至少一个水平线段组成。

优选的，向主图形区域缩进的非水平线段为半月形或凹形。

优选的，蒸镀用掩膜板的厚度为10-200μm。

更优选的，所述蒸镀用掩膜板的厚度为大于等于10μm、小于30μm。

优选的，该掩模板的材料是镍铁合金或纯镍。

优选的，连接辅助图形区域的间隔带边缘为水平线段。

所述间隔带由至少一个连接实桥及至少一个镂空图形组成，其中，连接实桥连接主图形区域与辅助图形区域，间隔带中除了连接实桥的地方镂空；所述连接实桥平面为梯形，其上底的长度短于下底。

优选的，所述梯形连接实桥，其上底与主图形区域相连，下底与辅助图形区域相连。

优选的，连接实桥连接主图形区域的一端处于向主图形区域缩进的非水平线段内，尺寸为0.05mm-0.1mm；连接实桥连接辅助图形区域的一端尺寸为0.1mm-0.3mm。

所述连接实桥之间间隔为3mm-5mm。

所述间隔带线径在0.5mm-2mm的范围内。

一种掩模板的制作方法，其特征在于，利用单面蚀刻、双面蚀刻、电铸或电铸加蚀刻工艺，在掩膜板上形成间隔带的镂空图形。

本发明所涉及的掩模板及其制作方法，由于间隔带一边连接主图形区域，一边连接辅助图形，且间隔带由至少一个连接实桥及至少一个镂空图形组成，因此在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为传统的掩模板。

其中1为辅助图形区域的绷网孔；2为主图形区域的开口；3为辅助图形区域；4为主图形区域；5为剪刀裁剪边缘。

图2为本发明实施例中的掩模板。

其中11为主图形区域；22为间隔带；33为辅助图形区域；44为主图形区域开口；55为辅助图形区域绷网孔。

图3为第一种实施例中间隔带的局部放大图。

其中111为半月形线段，即间隔带与主图形区域交界处；222为水平线段；333为梯形连接实桥；444为镂空图形；555为间隔带与辅助图形交界处；666为梯形连接实桥上底；777为梯形连接实桥下底。

图4为第二种实施例中间隔带的局部放大图。

其中1111为凹形线段，即间隔带与主图形区域交界处；2222为水平线段；3333为梯形连接实桥；4444为镂空图形；5555为间隔带与辅助图形区域的交界处。

具体实施方式

实施例1

图2所示的用于蒸镀工艺的掩模板，包括：主图形区域11，主图形区域具有满足蒸镀要求的开口44，主图形开口尺寸在30-180μm的范围内；辅助图形区域33，用于提供拉力的施力点；间隔带22，间隔带一边连接主图形区域11，一边连接辅助图形33。蒸镀用掩膜板的厚度为10-200μm。优选蒸镀用掩膜板的厚度为大于等于10μm、小于30μm。

图3所示的连接主图形区域11的间隔带22边缘由至少一个向主图形区域缩进的半月形线段111及至少一个水平线段222组成；连接辅助图形区域33的间隔带边缘为水平线段。

所述间隔带22由至少一个连接实桥333及至少一个镂空图形444组成，其中，连接实桥连接主图形区域11与辅助图形区域33，间隔带22中除了连接实桥333的地方镂空444；所述连接实桥平面为梯形，其上底666的长度短于下底777。

所述梯形连接实桥333的上底666与主图形区域11相连，下底777与辅助图形区域33相连。连接实桥333连接主图形区域11的一端处于向主图形区域缩进的半月形线段内，尺寸为0.05mm；连接实桥连接辅助图形区域的一端尺寸为0.1mm；所述连接实桥之间间隔为3mm；所述间隔带线径为0.5mm。

实施例2

图4所示的连接主图形区域11的间隔带22边缘由至少一个向主图形区域缩进的凹形线段1111及至少一个水平线段2222组成；连接辅助图形区域33的间隔带边缘为水平线段。所述间隔带22由至少一个连接实桥3333及至少一个镂空图形4444组成，其中，连接实桥连接主图形区域11与辅助图形区域33，间隔带22中除了连接实桥3333的地方镂空4444；所述连接实桥平面为梯形，其上底666的长度短于下底777。所述梯形连接实桥的上底与主图形区域相连，下底与辅助图形区域相连。所述梯形连接实桥3333的上底666与主图形区域11相连，下底777与辅助图形区域33相连。连接实桥3333连接主图形区域的一端处于向主图形区域缩进的凹形线段内，尺寸为0.1mm；连接实桥连接辅助图形区域的一端尺寸为0.3mm；连接实桥之间间隔为5mm；间隔带线径为2mm。

实施例3

利用单面蚀刻工艺制作掩模板的方法，在掩膜板上形成间隔带的镂空图形。

将20-80μm厚的因瓦合金板进行前处理工序，蚀刻面喷砂，去除板面杂质，提高干膜结合力；然后进行正反面贴干膜；将需蚀刻面的曝光区域如图2中隔离带22的非深色区域及除开口以外的其他区域；剥离蚀刻面干膜表层的透明高分子保护膜，进行显影，清除未曝光膜，不蚀刻面由于保护膜没有剥离，干膜没有显影清除。显影后的板进行蚀刻阶段：蚀刻压力为20±1psi；蚀刻速度为10-60Hz；氯化铁蚀刻液比重为1.00-1.50g/cm³；蚀刻阶段完成后非曝光区域刻穿，褪膜，形成间隔带的镂空区域及掩模板开口。

实施例4

利用双面蚀刻工艺制作掩模板的方法，在掩膜板上形成间隔带的镂空图形。

将20-80μm因瓦合金板进行前处理工序，两面喷砂，去除板面杂质，提高干膜结合力；之后进行正反面贴干膜；双面的曝光区域如图2中隔离带22的非深色区域及除开口以外的其他区域；剥离两面干膜表层的透明高分子保护膜，进行显影，清除未曝光膜。显影后的板进形蚀刻阶段：蚀刻压力为20±1psi；蚀刻速度为10-60Hz；氯化铁蚀刻液比重为1.00-1.50g/cm³；蚀刻阶段完成后非曝光区域刻穿，褪膜，形成隔离带的镂空区域及掩模板开口。

实施例5

利用电铸制作工艺制作掩模板的方法，依次进行：芯模前处理、贴膜、曝光、显影、电铸、脱模、水洗、烘干和剥离。

步骤1.准备电铸用芯模；本实施例中，所述电铸用芯模的板面镜面光亮，无划痕，板面长宽为600mm*800mm。

步骤2.通过前处理的除油、水洗、喷砂步骤，将芯模表面处理干净；

步骤3.曝光区域为：图2中的深色区域及开口区域，即连接实桥及掩模板开口；

步骤4.处理干净后通过电铸前活化工序提高芯模表面的结合力，电铸时通过控制电铸时间和电流密度来控制镀层的厚度；

步骤5.通过控制添加剂的比例和量来控制镀层表面质量，其中包括控制镀液成分、电流密度、镀液温度、pH和添加剂步骤，以达到制备出来的材料镀层的铁含量在40%～55%。

本实施例中，所述镀铸液成分可以具体包括：180～200g/L的硫酸镍、30～50g/L的氯化镍、40～50g/L的硼酸、14～17g/L的硫酸亚铁。所述电铸液还包括如下添加剂：0.5-1ml/L的稳定剂、0.5-1ml/L的润湿剂、1-5ml/L的光亮剂。此外，所述制备方法的具体电铸工艺参数如下：pH值为3.4-3.8；温度为40-45℃；阴极电流密度值Do为1-3A/dm²；镀速为910-1225μm/h。

实施例6

利用电铸制作工艺制作掩模板的方法，依次进行：芯模前处理、贴膜、曝光、显影、电铸、脱模、水洗、烘干和剥离。

电铸工艺段进行：芯模前处理、贴膜、曝光、显影和电铸，

蚀刻工艺段进行：贴膜、曝光、蚀刻、脱膜、水洗、烘干和剥离；

0.18mm的芯模进行贴膜面喷砂处理，去除表面杂质，提高其干膜结合为力；

贴膜后放入曝光机，按原始文件曝黑主图形区域的开口44、辅助图形区域的开口55，并在图形区域的四角处曝黑处在对角位置的至少2个对为点，用于CCD二次对位；

将曝光好的芯模显影，清除未曝光干膜；

进入电铸槽开始沉积材料，参数如下：

氯化镍10～20g/L

硼酸40g/L

镍添加剂8-10ml/L

光亮剂1ml/L

湿润剂1-2ml/L

稳定剂0.5-1ml/L

温度T50℃

电流2A

时间240min

pH4.2

电铸后的芯模烘干后，无需脱膜，进入蚀刻工艺段，直接正反面贴膜；

通过CCD定位电铸前曝黑的对位点，在镀层干膜面曝黑间隔带处的镂空图形444及4444，芯模背面干膜上的一层透明高分子保护膜不剥离，防止其在蚀刻是受到腐蚀，起到保护芯模的作用；

蚀刻完成后，镂空图形被刻穿，进行脱膜处理，清除镀层表面的干膜，再水洗烘干。

以上实施例目的在于说明本发明，而非限制本发明的保护范围，所有在不违背本发明精神原则的条件下做出的简单变换均落入本发明的保护范围内。

Claims (13)

1.一种用于蒸镀工艺的掩模板，包括：主图形区域，主图形区域具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180μm的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还包括间隔带，间隔带一边连接主图形区域，一边连接辅助图形；所述间隔带由至少一个连接实桥及至少一个镂空图形组成，其中，连接实桥连接主图形区域与辅助图形区域，间隔带中除了连接实桥的地方镂空。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，连接主图形区域的间隔带边缘由至少一个向主图形区域缩进的非水平线段及至少一个水平线段组成。

3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，向主图形区域缩进的非水平线段为半月形或凹形。

4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，连接辅助图形区域的间隔带边缘为水平线段。

5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，该蒸镀用掩膜板的厚度为10-200μm。

6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述蒸镀用掩膜板的厚度为大于等于10μm、小于30μm。

7.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，该掩模板的材料是镍铁合金或纯镍。

8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述连接实桥平面为梯形，其上底的长度短于下底。

9.根据权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述梯形连接实桥，其上底与主图形区域相连，下底与辅助图形区域相连。

10.根据权利要求1、8或9所述的掩模板，其特征在于，连接实桥连接主图形区域的一端处于向主图形区域缩进的非水平线段内，尺寸为0.05mm-0.1mm；连接实桥连接辅助图形区域的一端尺寸为0.1mm-0.3mm。

11.根据权利要求1、8或9所述的掩模板，其特征在于，所述连接实桥之间间隔为3mm-5mm。

12.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述间隔带线径在0.5mm-2mm的范围内。

13.一种掩模板的制作方法，其特征在于，利用单面蚀刻、双面蚀刻、电铸或电铸加蚀刻工艺，在掩膜板上形成间隔带的镂空图形；所述间隔带由至少一个连接实桥及至少一个镂空图形组成，其中，连接实桥连接主图形区域与辅助图形区域，间隔带中除了连接实桥的地方镂空。