CN103199329A - 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法 - Google Patents

一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103199329A
CN103199329A CN2013100974907A CN201310097490A CN103199329A CN 103199329 A CN103199329 A CN 103199329A CN 2013100974907 A CN2013100974907 A CN 2013100974907A CN 201310097490 A CN201310097490 A CN 201310097490A CN 103199329 A CN103199329 A CN 103199329A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistance
gold ribbon
series resistance
ribbon line
power attenuator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100974907A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103199329B (zh
Inventor
张猛
文春华
姜万顺
马子腾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Electronics Technology Instruments Co Ltd CETI
Original Assignee
CETC 41 Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 41 Institute filed Critical CETC 41 Institute
Priority to CN201310097490.7A priority Critical patent/CN103199329B/zh
Publication of CN103199329A publication Critical patent/CN103199329A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103199329B publication Critical patent/CN103199329B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Attenuators (AREA)

Abstract

本发明提出一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,解决了现有技术中宽带大功率衰减器的平坦度补偿需要额外加工步骤、效率低、成本高的问题。本发明的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法利用衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标,不仅设计简单,而且可以简化生产流程,降低生产成本,提高生产效率。

Description

一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法
技术领域
本发明涉及微波技术领域,特别涉及一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法。
背景技术
微波技术发展到今天,武器装备中电子信息系统的微波信号功率已越来越大,频带也已越来越宽。目前,大功率宽带微波信号的主要测试手段还是对其进行功率衰减后再测试各种性能参数,而现在采用的大功率衰减部件主要是宽带大功率衰减器,因此,它在大功率宽频带测试领域应用非常广泛。平坦度指标是衡量宽带大功率衰减器性能的主要参数之一,而且也是影响整个大功率宽频带测试系统测试准确度的关键因素之一。
目前宽带大功率衰减器的平坦度补偿主要采用在衰减器的串联电阻上粘贴介质或涂导电胶的方法,都需要在衰减器生产流程之后增加额外的工艺步骤,生产成本高,效率低。
发明内容
本发明提出一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,解决了现有技术中宽带大功率衰减器的平坦度补偿需要额外加工步骤、效率低、成本高的问题。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,包括以下步骤:步骤1,先制作网版;步骤2,丝印高方阻,在串联电阻和并联电阻位置处都丝印高方阻;步骤3,丝印低方阻,且只丝印串联电阻部分,覆盖在高方阻上面;步骤4,丝印金带线,微波输入金带线和微波输出金带线分别与串联电阻连接,接地金带线与并联电阻连接;步骤5,进行烧结操作;步骤6,激光调阻;步骤7,在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉,且丝印保护玻璃釉的面积大于串联电阻部分和并联电阻部分;步骤8,再次进行烧结操作。
可选地,所述激光调阻的具体步骤为,采用激光在所述串联电阻和所述并联电阻位置处打孔,进而调节所述微波输入金带线和所述微波输出金带线之间、以及所述微波输入金带线和所述接地金带线之间的电阻值。
可选地,在所述步骤2和步骤3中,减少所述串联电阻和所述并联电阻的个数。
可选地,在所述步骤2、步骤3和步骤6中,减小所述串联电阻和所述并联电阻的阻值。
可选地,在所述步骤2、步骤3和步骤4中,减小所述串联电阻在信号传输方向的长度,并且使所述并联电阻与所述串联电阻在信号传输方向上的长度一致。
可选地,在所述步骤4中,增大连接到所述串联电阻两端的所述微波输入金带线和所述微波输出金带线的宽度。
本发明的有益效果是:利用宽带大功率衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标,不仅设计简单,而且可以简化生产流程,降低生产成本,提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据本发明制造方法得到的宽带大功率衰减片电路图;
图2为本发明高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
现有的宽带大功率衰减器的平坦度补偿,主要采用在衰减器的串联电阻上粘贴介质或涂导电胶。本发明公开了一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,利用衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标,通过调整自身效应电容的容值,就可以应用常用的分布式参数电路结构来实现高平坦度指标宽带大功率衰减器的衰减电路,并可应用厚膜加工工艺直接生产出满足工程应用要求的衰减片,这样,不仅设计简单,而且可以简化生产流程,降低生产成本,提高生产效率。
如图1所示,根据本发明制造方法得到的宽带大功率衰减片包括:微波输入金带线1、微波输出金带线2、接地金带线3、串联电阻4和并联电阻5。
图2为本发明高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法的流程图,包括以下步骤:步骤1,先制作网版;步骤2,丝印高方阻,在图1所示的串联电阻4和并联电阻5位置处都丝印高方阻;步骤3,丝印低方阻,且只丝印串联电阻4部分,覆盖在高方阻上面,这样可以保证串联电阻4和并联电阻5的连接和过渡良好,避免出现腰鼓状,还可以提升功率容量;步骤4,丝印金带线,微波输入金带线1和微波输出金带线2分别与串联电阻4连接,接地金带线3与并联电阻5连接;步骤5,进行烧结操作;步骤6,激光调阻,具体地,采用激光在图1所示串联电阻4和并联电阻5位置处打孔,进而调节微波输入金带线1和微波输出金带线2之间、以及微波输入金带线1和接地金带线3之间的电阻值;步骤7,在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉,为了更好的保护电阻,丝印保护玻璃釉的面积需大于串联电阻部分和并联电阻部分,且只需略大于串联电阻部分和并联电阻部分即可;步骤8,再次进行烧结操作。经过上述工艺步骤,就可以直接生产出满足工程应用要求的衰减片,在DC~40GHz宽频带内可实现高平坦度指标的宽带大功率衰减器,节约了加工步骤,提高了效率。
在上述步骤2和步骤3中,减少串联电阻4和并联电阻5的个数,能够增大衰减器自身效应电容;或者,在上述步骤2、步骤3和步骤6中,减小串联电阻4和并联电阻5的阻值,也能够增大衰减器自身效应电容;或者,在上述步骤2、步骤3和步骤4中,减小串联电阻4在信号传输方向的长度,并且使并联电阻5与串联电阻4在信号传输方向上的长度一致,能够增大衰减器自身效应电容;再或者,在上述步骤4中,增大连接到串联电阻4两端的微波输入金带线1和微波输出金带线2的宽度,能够增大衰减器自身效应电容。
根据宽带大功率衰减器悬置微带衰减片电路结构的特点,本发明的制造方法通过在多个大于3dB衰减的子衰减器上构建自身效应电容的方式补偿高频衰减。根据公式Ω=1/(jωC),因为自身效应电容的存在而补偿了高频段衰减量,也就实现了宽频带范围内衰减量的均衡,从而实现了宽带大功率衰减器的高平坦度指标,简化了生产流程,降低了生产成本,提高了生产效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,先制作网版;
步骤2,丝印高方阻,在串联电阻和并联电阻位置处都丝印高方阻;
步骤3,丝印低方阻,且只丝印串联电阻部分,覆盖在高方阻上面;
步骤4,丝印金带线,微波输入金带线和微波输出金带线分别与串联电阻连接,接地金带线与并联电阻连接;
步骤5,进行烧结操作;
步骤6,激光调阻;
步骤7,在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉,且丝印保护玻璃釉的面积大于串联电阻部分和并联电阻部分;
步骤8,再次进行烧结操作。
2.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,所述激光调阻的具体步骤为采用激光在所述串联电阻和所述并联电阻位置处打孔,进而调节所述微波输入金带线和所述微波输出金带线之间、以及所述微波输入金带线和所述接地金带线之间的电阻值。
3.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,在所述步骤2和步骤3中,减少所述串联电阻和所述并联电阻的个数。
4.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,在所述步骤2、步骤3和步骤6中,减小所述串联电阻和所述并联电阻的阻值。
5.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,在所述步骤2、步骤3和步骤4中,减小所述串联电阻在信号传输方向的长度,并且使所述并联电阻与所述串联电阻在信号传输方向上的长度一致。
6.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法,其特征在于,在所述步骤4中,增大连接到所述串联电阻两端的所述微波输入金带线和所述微波输出金带线的宽度。
CN201310097490.7A 2013-03-25 2013-03-25 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法 Expired - Fee Related CN103199329B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310097490.7A CN103199329B (zh) 2013-03-25 2013-03-25 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310097490.7A CN103199329B (zh) 2013-03-25 2013-03-25 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103199329A true CN103199329A (zh) 2013-07-10
CN103199329B CN103199329B (zh) 2016-12-28

Family

ID=48721751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310097490.7A Expired - Fee Related CN103199329B (zh) 2013-03-25 2013-03-25 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103199329B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545590A (zh) * 2013-10-24 2014-01-29 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种微波薄膜衰减器的制作方法
CN107947754A (zh) * 2017-11-23 2018-04-20 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种宽频带高性能衰减电路
CN109378558A (zh) * 2018-08-28 2019-02-22 张家港保税区灿勤科技有限公司 一种提高自身承受功率的滤波器及制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3227975A (en) * 1964-08-31 1966-01-04 Hewlett Packard Co Fixed coaxial line attenuator with dielectric-mounted resistive film
US4310812A (en) * 1980-08-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power attenuator and termination having a plurality of cascaded tee sections
US20040233011A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Malcolm Bruce G. In-line attenuator
US7256664B1 (en) * 2005-04-15 2007-08-14 Smiths Interconnect Microwave Components, Inc. Voltage controlled attenuator with no intermodulation distortion
CN101364658A (zh) * 2008-09-17 2009-02-11 深圳市研通高频技术有限公司 同轴连接器型衰减器
CN102110615A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 华东光电集成器件研究所 厚膜功率模块成膜基板的制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3227975A (en) * 1964-08-31 1966-01-04 Hewlett Packard Co Fixed coaxial line attenuator with dielectric-mounted resistive film
US4310812A (en) * 1980-08-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power attenuator and termination having a plurality of cascaded tee sections
US20040233011A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Malcolm Bruce G. In-line attenuator
US7256664B1 (en) * 2005-04-15 2007-08-14 Smiths Interconnect Microwave Components, Inc. Voltage controlled attenuator with no intermodulation distortion
CN101364658A (zh) * 2008-09-17 2009-02-11 深圳市研通高频技术有限公司 同轴连接器型衰减器
CN102110615A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 华东光电集成器件研究所 厚膜功率模块成膜基板的制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
韦祖鑫: "宽频带卡片式衰减器设计考虑", 《宇航计测技术》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545590A (zh) * 2013-10-24 2014-01-29 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种微波薄膜衰减器的制作方法
CN103545590B (zh) * 2013-10-24 2016-09-07 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种微波薄膜衰减器的制作方法
CN107947754A (zh) * 2017-11-23 2018-04-20 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种宽频带高性能衰减电路
CN109378558A (zh) * 2018-08-28 2019-02-22 张家港保税区灿勤科技有限公司 一种提高自身承受功率的滤波器及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103199329B (zh) 2016-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101757974B1 (ko) 비대칭 지셀 전력분배기
CN103367845B (zh) 一种超宽带微带平衡滤波器
CN102856641A (zh) 多频带无线终端天线
CN104471790B (zh) 天线、天线系统和通信装置
CN102355222B (zh) 阻抗匹配系统和阻抗匹配装置
CN103199329A (zh) 一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法
CN100495814C (zh) 任意双频带3dB分支定向耦合器
CN207587946U (zh) 一种平面巴伦
CN103957057A (zh) 一种光收发装置
CN105186083A (zh) 一种小型化超宽带微波功分器
CN201708229U (zh) 腔体滤波器及滤波器腔体
CN202662762U (zh) 一种大功率低互调衰减器
CN202308241U (zh) 一种带传输零点的高通滤波器
CN204651444U (zh) 一种可调频的量子耦合滤波器
CN204991919U (zh) 一种小型化超宽带微波功分器
CN103344806A (zh) 一种双定向电桥
CN203288723U (zh) 一种交指耦合双工器
CN203351719U (zh) 超宽带微带平衡滤波器
CN204834806U (zh) 一种介质带阻陷波滤波器
CN202487735U (zh) 低互调宽带功分器
Li et al. Tri-band bandpass filter with wide stop-band using stub-loaded triple-mode resonator
CN202435356U (zh) 一种新型微波开关滤波组件
CN105634533A (zh) 通信装置及其功率放大电路
CN104767017A (zh) 一种可调频的量子耦合滤波器
CN101990222A (zh) 信号传输装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190308

Address after: 266000 No. 98 Xiangjiang Road, Huangdao District, Qingdao City, Shandong Province

Patentee after: China Electronics Technology Instrument and Meter Co., Ltd.

Address before: 266000 No. 98 Xiangjiang Road, Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong

Patentee before: The 41st Institute of CETC

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161228

Termination date: 20210325

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee