CN103178158B - 具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法 - Google Patents

具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，该方法为依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）、第一减反射层（5）、第二减反射层（6）、ＧａＩｎＰ电池（7）、第三减反射层（8）、第四减反射层（9）和第五减反射层（10）；在第三减反射层（8）上形成所述顶电极（11）；在Ｇｅ电池（2）的整个下形成底电极（1）。

Description

具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体光电技术领域，特别是涉及一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池是把光能转换为电能的光电子器件，对太阳能电池来说，单结的太阳能电池只能覆盖及利用某一波长范围的阳光，为了充分利用太阳光不同波段的光子能量，提高太阳能电池的光电转换效率，一般将多种不同带隙的半导体材料搭配，组成多结太阳能电池。
目前，在晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池中，在无聚光条件下光电转换效率最大能达到32％。但在太阳能电池进行光转换的过程中，反射的损失降低了太阳能电池单位面积入射的光子数，导致太阳能电池电流密度降低，从而影响电池的能量转换效率。为提高电池的光电转换效率，应减少电池表面光的反射损失，增加光的透射。因此业内一般都采用在太阳能电池表面形成减反射膜，以达到减少表面光的反射损失，从而提高太阳能电池的效率。
对于用于减少光损失的减反射膜，一般可选用单层或多层的形式。单层减反射膜是利用光在减反射膜的两侧处反射光存在位相差的干涉原理而达到减反射效果；对于多层减反射膜，其利用多层减反射膜中的每一层的减反射作用进行叠加，最终将多层减反射膜等效为单层减反射膜，从而进一步提高对光反射的抑制效果，达到提高太阳能电池效率的目的。
但是目前使用的多层减反射膜依然不能令人满意，这是因为多层减反射膜由于采用多层结构，多层减反射膜之间的折射率难以良好匹配，因此，多层减反射膜的应用仍有待提高。
发明内容：
为解决上述问题，本发明旨在提出一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，采用该方法制得的四结太阳能电池，可以达到良好的折射率匹配，提高太阳能电池的效率。
本发明提出的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：
步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）；
步骤二：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＡｓ电池（4）生长第一减反射层（5），此后在真空镀膜机中将第二减反射层（6）蒸镀到第一减反射层（5）的表面上；
步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层（6）上生长ＧａＩｎＰ电池（7）；
步骤四：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ电池（7）上依次生长第三减反射层（8）和第四减反射层（9），此后在真空镀膜机中，在第四减反射层（9）的表面上蒸镀第五减反射层（10）；
步骤五：在第五减反射层（10）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层（9）和第五减反射层（10），直至露出第三减反射层（8）为止；
步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层（8）的将要形成顶电极（11）的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极（11）；
步骤七：在Ｇｅ电池（2）的整个下表面溅射金属银，以形成底电极（1）。
附图说明：
图1为本发明提出的制造方法制得的具有减反射膜的四结太阳能电池。
具体实施方式：
下面通过具体实施方式对本发明提出的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法进行详细说明。
实施例1
参见图1，本发明提出的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法包括如下步骤：
步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）；
步骤二：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＡｓ电池（4）生长第一减反射层（5），此后在真空镀膜机中将第二减反射层（6）蒸镀到第一减反射层（5）的表面上；
步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层（6）上生长ＧａＩｎＰ电池（7）；
步骤四：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ电池（7）上依次生长第三减反射层（8）和第四减反射层（9），此后在真空镀膜机中，在第四减反射层（9）的表面上蒸镀第五减反射层（10）；
步骤五：在第五减反射层（10）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层（9）和第五减反射层（10），直至露出第三减反射层（8）为止；
步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层（8）的将要形成顶电极（11）的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极（11）；
步骤七：在Ｇｅ电池（2）的整个下表面溅射金属银，以形成底电极（1）；
其中，第一减反射层（5）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第二减反射层（6）为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm；第三减反射层（8）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第四减反射层（9）为Si3N4薄膜，其折射率为：2.1-2.4，其厚度为50-60nm；第五减反射层（10）为Ta2O5薄膜，其折射率为2.0～2.15，其厚度为80-100nm。
其中，MOCVD生长第一减反射层（5）和第三减反射层（8）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640～680℃，生长速率为0.4～0.6nm/s；
其中，MOCVD生长第四减反射层（9）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660～680℃，生长速率为0.5～0.7nm/s；
其中，蒸镀第二减反射层（6）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5torr，生长速率为0.2～0.4nm/s；
其中，蒸镀第五减反射层（10）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5torr，生长速率为0.2～0.3nm/s。
实施例2
下面介绍本发明提出的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法的优选实施例，该方法包括如下步骤：
步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）；
步骤二：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＡｓ电池（4）生长第一减反射层（5），此后在真空镀膜机中将第二减反射层（6）蒸镀到第一减反射层（5）的表面上；
步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层（6）上生长ＧａＩｎＰ电池（7）；
步骤四：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ电池（7）上依次生长第三减反射层（8）和第四减反射层（9），此后在真空镀膜机中，在第四减反射层（9）的表面上蒸镀第五减反射层（10）；
步骤五：在第五减反射层（10）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层（9）和第五减反射层（10），直至露出第三减反射层（8）为止；
步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层（8）的将要形成顶电极（11）的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极（11）；
步骤七：在Ｇｅ电池（2）的整个下表面溅射金属银，以形成底电极（1）；
其中，第一减反射层（5）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm；第二减反射层（6）为ZnS薄膜，其折射率为2.15，厚度为60nm；第三减反射层（8）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.3，厚度为36nm；第四减反射层（9）为S i3N4薄膜，其折射率为：2.3，其厚度为55nm；第五减反射层（10）为Ta2O5薄膜，其折射率为2.1，其厚度为85nm。
其中，其中，MOCVD生长第一减反射层（5）和第三减反射层（8）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640～680℃，生长速率为0.4～0.6nm/s；
其中，MOCVD生长第四减反射层（9）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660～680℃，生长速率为0.5～0.7nm/s；
其中，蒸镀第二减反射层（6）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5torr，生长速率为0.2～0.4nm/s；
其中，蒸镀第五减反射层（10）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5torr，生长速率为0.2～0.3nm/s。
本发明所提出的制造方法制得的具有减反射膜的四结太阳能电池在应用波段范围吸收小，折射率相匹配，具有良好的光学性能。
以上实施方式已经对本发明进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本发明的范围，本发明的保护范围由所附的权利要求限定。

Claims (2)

1.一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，依次包括如下步骤：
步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ge电池(2)、应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池(3)以及GaInAs电池(4)；
步骤二：利用MOCVD工艺在GaInAs电池(4)生长第一减反射层(5)，此后在真空镀膜机中将第二减反射层(6)蒸镀到第一减反射层(5)的表面上；
步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层(6)上生长GaInP电池(7)；
步骤四：利用MOCVD工艺在GaInP电池(7)上生长第三减反射层(8)，此后在真空镀膜机中，在第三减反射层(8)的表面上依次蒸镀第四减反射层(9)和第五减反射层(10)；步骤五：在第五减反射层(10)的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极(11)的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层(9)和第五减反射层(10)，直至露出第三减反射层(8)为止；
步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层(8)的将要形成顶电极(11)的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极(11)；
步骤七：在Ge电池(2)的整个下表面溅射金属银，以形成底电极(1)；
其中，第一减反射层(5)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第二减反射层(6)为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm；第三减反射层(8)为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第四减反射层(9)为Si3N4薄膜，其折射率为：2.1-2.4，其厚度为50-60nm；第五减反射层(10)为Ta2O5薄膜，其折射率为2.0～2.15，其厚度为80-100nm。
2.如权利要求1所述的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，其特征在于：
其中，MOCVD生长第一减反射层(5)和第三减反射层(8)的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640～680℃，生长速率为0.4～0.6nm/s；
其中，MOCVD生长第四减反射层(9)的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660～680℃，生长速率为0.5～0.7nm/s；
其中，蒸镀第二减反射层(6)的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5torr，生长速率为0.2～0.4nm/s；
其中，蒸镀第五减反射层(10)的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10-5tor r，生长速率为0.2～0.3nm/s。
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