CN103151833B - 一种防窃电方法及防窃电装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种防窃电方法和防窃电装置，该方法就是针对这类公开的窃电采取技术措施，在供电端打乱正弦交流电的特征属性，再送到输电线路上，到用电端再采用反向技术措施，恢复被打乱正弦交流电的特征属性。这样，对于在输电途中窃电的非法用户，其盗窃的电能是非正常的交流电，无法正常使用，甚至会导致部分家用电器损坏，这样就失去了盗电的动力，慢慢地就不去盗电了；而对于合法用户，由于在用电端已采用反向技术措施，恢复了正弦交流电的特征属性，所以使用起来与使用普通市电一样，没有任何差别。

Description

一种防窃电方法及防窃电装置

技术领域

本发明涉及电力财产安全领域，特别涉及一种在电力传输过程中防止非法用户私自拉线、直接盗电的防窃电方法以及实现这种方法的防窃电装置。

背景技术

无人值守的用电设施，如通信基站等，其用电一般就近取自公共电网，经过电能计量装置、开关及安保装置、输电电线（或电缆）等输送到用电设施，如通信基站等，如图1示：高压市电通过变压器变压产生目前使用的220VAC(单相)电压，或者三相的380VAC，通过输电电线从供电端传送到用电端。从图1中可以看出，从供电端到用电端的输电电线（或电缆）是裸露在户外的，这将成为非法用户下手的目标。非法用户通常是在这段供电线路上私自拉线，直接盗电。

发明内容

本发明的目的在于为了防止非法用户在供电端和合法用户的用电端之间的输电电线上私自拉线直接盗电，公开一种防窃电方法和防窃电系统。

本发明的技术方案是：一种防窃电方法，包括以下步骤：

步骤1、在供电端破坏每相交流电的正弦波波形特征；

步骤2、将被坏了正弦波波形特征的交流电传送到用电端；

步骤3、在用电端恢复被破坏了的每相交流电的正弦波波形状特征。

进一步的，上述的防窃电方法中：步骤1中将一相交流电波的正半周相位的波形和负半周相位的波形分离，步骤2中分别将分离后的正、负半周相位波形电波分别传送到用电端，步骤3中在用电端将分别接收到的的正、负半周相位波形电波结合恢复该相正弦交流电波。

进一步的，上述的防窃电方法中：所述的步骤3中，包括如下步骤：

步骤31、接收正半周相位波形电波；

步骤32、进行第一次相位过零检测，检测由正半周过零到负半周的过零点时刻；

步骤33、检测到过零点后产生触发信号，触发关闭正半周相位波形电波输出，开始输出负半周相位波形电波；

步骤34、接收负半周相位波形电波；

步骤35、进行第二次相位过零检测，检测由负半周过零到正半周的过零点时刻；

步骤36、检测到过零点后产生触发信号，触发关闭负半周相位波形电波输出，开始输出正半周相位波形电波；转向步骤31。

进一步的，上述的防窃电方法中：所述的步骤32中第一次相位过零检测，是检测到信号从正电压到零点，这样得到一个稍稍提前于绝对零点的过零信号，提前导通SCR2，以便获得完整的负半周相位波形电波输出；所述的步骤34中第二次相位过零检测，是检测到信号从负电压到零点，这样得到一个稍稍提前于绝对零点的过零信号，提前导通SCR1，以便获得完整的正半周相位波形电波输出；这样在用电端就可得到完整的正弦波交流电。

本发明还提供一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端的输电电线；在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线；所述的分相器包括二极管D1和二极管D2；所述的二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；所述的合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；所述的单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR2导通，在负半周时，控制和单向可控硅SCR1导通。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接微处理器输出

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZD1；所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极通过所述的限流电阻R3接正半周相位波形传输线，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，所述的击穿二极管的正极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；所述的光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地；所述的负半周相位波形过零检测电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，所述的击穿二极管ZD2的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；所述的光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻R1；所述的光耦U1输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U1的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦U1的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R1接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR1的栅极；所述的第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；所述的光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。

进一步的，上述的防窃电装置中：在所述的光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端设置有由微处理器控制的继电器，其常闭触点接在所述的光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端。

进一步的，上述的防窃电装置中：还包括与控制中心的通信端口，所述的微处理器通过所述的通信端口与控制中心相连，控制中心通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，利用微处理器使所述的第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通。

本发明通过改变电波的波形特征使没有恢复的电波信号不适合于绝大部分家用电器使用，使非法用户失去窃电动力，从而减少电力被窃的机会。

以下将结合附图和实施例，对本发明进行较为详细的说明。

附图说明

图1是供配电系统示意图；

图2是本发明实施例1防窃电装置原理图；

图3是本发明实施例1采用的正半周相位波形过零检测电路原理图；

图4是本发明实施例1采用的负半周相位波形过零检测电路原理图；

图5是本发明实施例1的光耦触发电路原理图；

图6是本发明实施例1的微处理器及外围接口电路原理图；

图7是本发明实施例2防窃电装置原理图；

具体实施方式

如图2所示：本实施例是一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端的输电电线（或电缆）；在供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合生成完整交流电波的合相器，输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

本实施例中为单相交流电输出系统，输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线三根线，比目前没有防窃电装置的传输方式多一根导线；其中，正半周相位波形传输线和负半周相位波形传输线上所传输的电流是原相线的一半；分相器包括二极管D1和D2，二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；

合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR1导通，在负半周时，控制单向可控硅SCR2导通。本实施例中的控制电路如图3、4、5所示，控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；微处理器及外围电路如图6所示，微处理器的各引脚可以自己定义为输入和输出，但通信端口TXD、RXD是固定的。在微处理的TXD、RXD与外部的通信端口TX、RX相连接，这样，控制中心可以通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通，合法用户就可以获得完整交流电；而且，这种授权是有时效性的。反之，非法用户即便拥有防窃电装置，因得不到授权，或是时效性已过，第一、二光耦隔离触发电路就没输出触发脉冲，SCR1、SCR2处于关闭状态，非法用户就不能获得完整交流电。

过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；

光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；

正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器输入，第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接所述的微处理器输出。

如图3所示，正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZD1；光耦U4的输入发光二极管的阳极通过限流电阻R3接正半周相位波形传输线，击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，击穿二极管的正极接光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

负半周相位波形过零检测电路如图4所示，该电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，击穿二极管的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

第一次相位过零检测，是检测到信号从正电压到零点，这样得到一个稍稍提前于绝对零点的过零信号，提前导通SCR2，以便获得完整的负半周相位波形电波输出；所述的步骤34中第二次相位过零检测，是检测到信号从负电压到零点，这样得到一个稍稍提前于绝对零点的过零信号，提前导通SCR1，以便获得完整的正半周相位波形电波输出；这样在用电端就可得到完整的正弦波交流电。

如图5所示，第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻R1；光耦U1输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；光耦U1的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，在阴极接入到微处理器的接口DRa1与微处理器的引脚端加入一个限流电阻，以减轻微处理器的负载。光耦U1的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R1接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR1的栅极；第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，同样，在第二光耦隔离触发电路的光耦U2阴极接微处理器端DRa2端与微处理器的引脚端也加入一个限流电阻，以减轻微处理器的负载。如图6所示，当本实施例在作为三相四线制输电线路中使用时，微处理器上可以设定DRb1、DRb2、DRc1、DRc2的输出信号端，无一例外，在微处理器器的信号输出端都要输入一个限流电阻。

光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。微处理器在接收到上面如图3所示的正半周相位波形过零检测电路的光耦U4的输出有触发信号时，输出一个有效信号给光耦U1的发光二极管的阴极，使发光二极管发光，光耦输出端导通，单向可控硅SCR1的栅极得电，使单向可控硅SCR1导通，接收从正半周相位波形传输线传输过来的正半周相位波形的电波，当正半周相位波形过零检测电路没有输出触发信号时，微处理器的输出无效，光耦U1不导通，单向可控硅SCR1截止。第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻接负半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。在光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端设置有由微处理器控制的继电器，其常闭触点接在所述的光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端。

本实施例的工作过程如下：

首先、在供电端破坏每相交流电的正弦波波形特征；将一相交流电波的正半周相位的波形和负半周相位的波形分离。

然后，分别将分离后的正、负半周相位波形电波分别传送到用电端。

最后、在用电端恢复被破坏了的每相交流电的正弦波波形状特征。将分别接收到的的正、负半周相位波形电波结合恢复该相正弦交流电波。

在初始上电瞬间，合相器设备没有电源而不能工作，继电器常闭触点使SCR1，SCR2导通，从而使合相器电源组件得电而建立工作状态，继电器吸合而常闭触点断开，进入正常工作模式。

本实施例中是按下列步骤实现合相的：

A、接收正半周相位波形电波。

B、进行第一次相位过零检测；此时过零点信号是从正电压到零点。

C、检测到过零点后产生触发信号，触发截断输出正半周相位波形电波输出，开始输出负半周相位波形电波。

D、进行第二次相位过零检测；此时过零点是信号从负电压到零点。

E、检测到过零点后产生触发信号，触发关闭输出负半周相位波形电波输出，开始输出正半周相位波形电波；

转向步骤A。

下面对本实施例进行更进一步的分析：

在正半周相位波形下降快到零点时，正半周相位波形过零检测电路检测到过零点Pa1，送到微处理器MCU；如图3所示，MCU适时的产生触发脉冲DRa2，经光耦隔离驱动电路U2，经R2施加合适足够的触发电流到单向可控硅SCR2的栅极（G2），使SCR2开始导通。需要注意的是，这时刻SCR1是处于导通状态的（见下述），而SCR1的阴极和SCR2的阳极是接在一起的，所以这里的触发电流是由正弦交流电正半周本身提供，由限流电阻R2限制提供合适足够的触发电流，而光耦隔离驱动电路仅仅起到一个开关通路作用如图5所示。过零后，SCR1截止，SCR2导通。

负半周相位波形上升快到零点时，负半周相位波形过零检测电路检测到过零点Pa2如图4所示，送到MCU；MCU适时的产生触发脉冲DRa1，经光耦隔离驱动电路U1，经R1施加合适足够的触发电流到单向可控硅SCR1的栅极（G1），使SCR1开始导通。需要注意的是，这时刻SCR2是处于导通状态的（见上述），经SCR2和分相器的D1、D2，由限流电阻R1限制提供合适足够的触发电流，使SCR1开始导通。而光耦隔离驱动电路仅仅起到一个开关通路作用如图5所示。过零后，SCR2截止，SCR1导通。

由上述可知，在正、负半周相位波形时，SCR1/SCR2进入轮流导通状态，从而使分路的正、负半周相位波形的两个半周合成为一个完整的正弦交流电，即所谓“合相”；经合相器的输出恢复成为标准的正弦交流电，这样合法用户就可以正常使用了。

另外，本实施例中采用交叉触发、提前导通的方式。即由正半周相位波形过零检测过零点Pa1，产生触发脉冲DRa2，使SCR2导通，SCR1截止；而由负半周相位波形过零检测过零点Pa2，产生触发脉冲DRa1，使SCR1导通，SCR2截止。这种交叉触发方式有两大优点：一是可以保证两个可控硅分别在两半周内完整的导通，不存在起始导通延迟，亦即不存在过零点时的交越失真，因而输出端可获得完整的正弦交流电；二是互为缺相保护，即若正半周传输线路在途中断线的话，合相器不但没有正半周相位输出，也没有负半周相位输出；反之亦然；这样在输出端可获得完整的正弦交流电，不会有半周相位输出的情况发生。

在图5中，还有一个初始触发电路，由继电器两组常闭触点短路光耦U1和光耦U2。在刚上电瞬间，合相器没有电而无法工作，此时继电器因无电而常闭触点将R1/R2直接与SCR1/G1（SCR2/G2）接通，这样SCR1/SCR2将处于常通状态，使电源组件得电，建立工作电压，使合相器进入正常工作状态；这时，MCU控制继电器吸合，SCR1/SCR2进入轮流导通状态，即进入上述正常的工作状态。

如图6所示为本实施例中的微处理器的接口电路及外围电路原理图，在图6中，除了电源和地以外，微处理器使用内部时钟；微处理器的数据端口还定义了通信接口和控制端口；在输入端口中，主要是检测的过零点检测信号；在输出端口中，主要是输出触发控制信号及继电器控制信号。通信口具有对合法用户的防窃电装置进行授权的功能。在微处理的TXD、RXD与外部的通信端口COM中的TX、RX相连接，另外，微处理的GND与外部的通信端口的GND相连接。这样，控制中心可以通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通，合法用户就可以获得完整交流电；而且，这种授权是有时效性的。反之，非法用户即便拥有防窃电装置，因得不到授权，或是时效性已过，第一、二光耦隔离触发电路就没输出触发脉冲，SCR1、SCR2处于关闭状态，非法用户就不能获得完整交流电；

实施例2如图7所示，本实施例是一种三相四线的防窃电装置，工作原理与施例1的单相电基本相同。其电路具有A、B、C三相，因此具有3个如实施例1的分相器和合相器，只是每相电之间相位相差为120度，其传输电流三相间互为回路。因此，在三相负载基本平衡时，其零线电流基本为零。

通过大量试验、测试，对非法用户盗电后，部分家用电器的使用情况如下：

1、电感型负载：如空调、冰箱、风扇、洗衣机、电磁灶、电炒锅、微波炉、可旋转式电暖器等不能使用，而且，长期挂在线路上，可能还会造成损坏。

2、照明灯具：

白织灯：明显闪烁，且昏暗，照度仅相当于标称值的1/4；

节能灯：部分品质好的可用，但照度下降；

日光灯：电感镇流器的日光灯不能使用；

部分品质好的电子镇流器的日光灯可用，但照度下降，可能还会伴有闪烁。

3、电视：液晶电视大部分能用；

早期的GRT（显象管）电视大部分不能用；

少部分GRT（显象管）电视免强能用，但会出现明显的偏色，即红一块，紫一块，青一块；

4、电脑：液晶显示器的电脑和笔记本大部分能用；

早期的GRT（显象管）显示器的电脑大部分不能用；

少部分GRT（显象管）显示器的电脑免强能用，但会出现明显的偏色，即红一块，紫一块，青一块；

5、音响：免强能用，但音质很差，达不到欣赏的目的。

6、仅取功率型的家电，如电水壶，电热毯、热水器等大部分能用，但功率下降。

Claims (10)

1.一种防窃电方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在供电端破坏每相交流电的正弦波波形特征，将一相交流电波的正半周相位的波形和负半周相位的波形分离；

步骤2、将被坏了的正弦波波形特征的交流电传送到用电端；

步骤3、在用电端恢复被破坏了的每相交流电的正弦波波形特征，将分别接收到的的正、负半周相位波形电波结合恢复该相正弦交流电波。

2.根据权利要求1所述的防窃电方法，其特征在于：步骤1中将交流电波的正半周相位的波形和负半周相位的波形分离，步骤2中分别将分离后的正、负半周相位波形电波分别传送到用电端，步骤3中在用电端将分别接收到的正、负半周相位波形电波结合恢复该相正弦交流电波。

3.根据权利要求2所述的防窃电方法，其特征在于：所述的步骤3中，包括如下步骤：

步骤31、接收正半周相位波形电波；

步骤32、进行第一次相位过零检测，检测由正半周相位波形电波过零到负半周相位波形电波的过零点时刻；

步骤33、检测到过零点后产生触发信号，关闭正半周相位波形电波输出，开始输出负半周相位波形电波；

步骤34、接收负半周相位波形电波；

步骤35、进行第二次相位过零检测，检测由负半周相位波形电波过零到正半周相位波形电波的过零点时刻；

步骤36、检测到过零点后产生触发信号，关闭负半周相位波形电波输出，转向步骤31。

4.根据权利要求3所述的防窃电方法，其特征在于：所述的步骤32中第一次相位过零检测，是检测到信号从正电压到零点，所述的步骤34中第二次相位过零检测，是检测到信号从负电压到零点。

5.一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端相连接的输电电线；

其特征在于：在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

6.根据权利要求5所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线，其中，正半周相位波形传输线和负半周相位波形传输线上所传输的电流是原相线的一半；所述的分相器包括二极管D1和二极管D2；所述的二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；

所述的合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；所述的单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR1导通，在负半周时，控制单向可控硅SCR2导通。

7.根据权利要求6所述的防窃电装置，其特征在于：所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；

所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；

所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；

所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器输入，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接所述的微处理器输出。

8.根据权利要求7所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZD1；所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极通过所述的限流电阻R3接正半周相位波形传输线，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，所述的击穿二极管的正极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；所述的光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地；

所述的负半周相位波形过零检测电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，所述的击穿二极管ZD2的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；所述的光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

9.根据权利要求7所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻R1；所述的光耦U1输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U1的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，所述的光耦U1的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R1接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR1的栅极；

所述的第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；所述的光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，所述的光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。

10.根据权利要求7至9中任一所述的防窃电装置，其特征在于：还包括与控制中心的通信端口，所述的微处理器通过所述的通信端口与控制中心相连，控制中心通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，利用微处理器使所述的第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通。