CN103117324A - 一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法，应用于太阳能电池生产领域。本发明实施例的方法包括：在硅片背表面印刷铝电场；烘干背表面；在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；在背表面的氮化硅膜上印刷电极；烘干背表面。本发明实施例能够加强背表面钝化。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产方法，特别涉及一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。
背景技术
随着社会的飞速发展，石油，煤炭等不可再生能源的储量越来越少，价格越来越高。作为重要的清洁能源之一，目前利用太阳能的技术越来越受到重视并得到广泛的应用。太阳能电池的生产方法也在不断优化。
现有技术中太阳能电池的生产方法，大致包括以下步骤：清洗制绒；磷扩散制作PN结；等离子刻边；去除磷硅玻璃；等离子体增强化学气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉积正面氮化硅减反射膜；印刷背电极及烘干；印刷背电场及烘干；印刷正面电极；快速烧结。现有技术中对背表面先进行背电极的印刷，再进行背电场的印刷。
现有技术中正面氮化硅膜能对电池正表面起到很好的钝化作用，但是背表面没有很好的钝化。
发明内容
本发明实施例提供加强背表面钝化的一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。
一种背表面钝化的方法，包括：
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面。
一种制作太阳能电池的方法，包括：
清洗制绒；
在硅片正表面磷扩散制作P-N结；
去除磷硅玻璃；
在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜；
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面；
在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷电极；
对硅片进行烧结。
本发明实施例提供的技术方案中，由于铝很难穿透氮化硅膜，所以在铝电场印刷之后进行沉积氮化硅膜；铝电场稀松并且有许多气孔，在沉积完背表面氮化硅之后，背表面的氢会向硅片体内扩散，起到钝化作用；在沉积完背表面氮化硅之后再印刷背面电极，可以避免背面电极和硅的接触，也可以起到钝化的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中背表面钝化的方法实施例示意图；
图2为本发明实施例中制作太阳能电池的方法实施例示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了能够加强背表面钝化的一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法。以下进行详细说明。
请参阅图1所示，本发明实施例中背表面钝化的方法包括：
11、在硅片背表面印刷铝电场：
在硅片的背表面用丝网印刷一层铝浆，形成一层铝层即铝电场；
12、烘干背表面：
将背表面印刷了铝电场的硅片放入烘箱，充分烘干背表面的铝电场；
13、在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜：
利用PECVD沉积法在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜，使用了氨气和硅烷来进行沉积，为了增加氮化硅膜中的氢含量，要求氨气的含量要高，氨气的流量为6升每分至9升每分，氨气与硅烷的比值为6至8.，沉积时间为400秒至500秒，更优的，在沉积中使用的氨气流量为6升每分，硅烷流量为0.8升每分，沉积时间为450秒；
14、在背表面的氮化硅膜上印刷电极：
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷两条条形电极；
15、烘干背表面：
将背表面印刷了电极的硅片放入烧结炉，对其进行烘干并使硅片满足烧结要求。
所谓的钝化，其目的是降低半导体的表面活性，使表面的复合速度降低，其主要方式是饱和半导体表面处的悬挂键，降低表面活性，加强表面的清洁，避免由于杂质在表面层的引入而形成复合中心，以此来降低减少载流子的表面复合速度。本实施例中由于铝很难穿透氮化硅膜，所以要在铝电场印刷之后进行沉积氮化硅膜；未烧结的铝电场稀松并且有许多气孔，用PECVD法在背表面的铝电场上沉积氮化硅，反应过程中氢离子会进入铝电场内形成含氢的背场，在烧结之后随着铝硅合金形成，背场中的氢会向硅片体内扩散，从而和背表面的悬挂键结合，使悬挂键饱和，起到钝化作用；在沉积完背表面氮化硅之后再印刷背面电极，可以避免背面电极和硅的接触；在铝电场上沉积氮化硅的过程中，由于沉积过程中产生的等离子体轰击铝电场，使得铝电场中的气体成分充分挥发，铝电场表面更加平整且少气孔，也可以起到钝化的作用。
请参阅图2所示，本发明实施例中制作太阳能电池的方法包括：
201、清洗制绒：
对硅片的正表面进行绒面加工以及清洗；
202、在硅片正表面磷扩散制作P-N结：
对硅片进行扩散工艺，在正表面形成P-N结；
203、去除磷硅玻璃：
去除硅片表面形成的含有磷元素的二氧化硅；
204、在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜：
利用PECVD沉积法在硅片正表面上沉积氮化硅减反射膜；
205、在硅片背表面印刷铝电场：
在硅片的背表面用丝网印刷一层铝浆，形成一层铝层即铝电场；
206、烘干背表面；
将背表面印刷了铝电场的硅片放入烘箱，充分烘干背表面的铝电场；
207、在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜：
利用PECVD沉积法在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜，使用了氨气和硅烷来进行沉积，为了增加氮化硅膜中的氢含量，要求氨气的含量要高，氨气的流量为6升每分至9升每分，氨气与硅烷的比值为6至8.，沉积时间为400秒至500秒，更优的，在沉积中使用的氨气流量为6升每分，硅烷流量为0.8升每分，沉积时间为450秒；
208、在硅片背表面的氮化硅膜上印刷电极：
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷两条条形电极；
209、烘干背表面：
将硅片放入烧结炉，对其进行烘干并使硅片满足烧结要求；
210、在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷电极：
在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷正面电极；
211、对硅片进行烧结：
对硅片进行快速烧结处理。
本实施例提供的制作太阳能电池的方法制作出来的电池，由于采用了背表面钝化的方法，相比与现有技术方法制作出来的电池，在开路电压、短路电流上性能都有很大的提高，转换效率也有所提高，以下给出现有技术与本发明实施例提供的方法制作出来的电池片的数据进行对比，其中实施例编号是指生产出来的电池片的编号，填充因子是实际功率与理论功率通过公式计算出来，用以计算转换效率，而转换效率是利用公式计算出来将太阳能转换成电能的效率，可以由此知道电池的性能。以下给出的表1是利用本发明实施例制作的电池片的各项数值以及平均值：
表1
以下给出的表2是利用现有技术方法制作的电池片的各项数值以及平均值：
表2
从以上两个对比的表格可以看出，利用本发明实施例制作的电池片，由于对背表面进行了钝化，使得电池片的最大功率，开路电压，短路电流，填充因子和转换效率平均值均比利用现有技术方法制作的电池片要高，电池性能更好。
以上对本发明实施例所提供的一种背表面钝化的方法以及一种制作太阳能电池的方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种背表面钝化的方法，其特征在于，包括：
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3利用等离子体增强化学气相沉积法沉积背表面氮化硅膜，在等离子体增强化学气相沉积法中使用氨气来进行沉积，氨气流量为6升每分至9升每分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤3在等离子体增强化学气相沉积法中使用硅烷来进行沉积，氨气比硅烷的值为6到8。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述步骤3的沉积时间为400秒至500秒。
5.一种制作太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
清洗制绒；
在硅片正表面磷扩散制作P-N结；
去除磷硅玻璃；
在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜；
在硅片背表面印刷铝电场；
烘干背表面；
在硅片背表面的铝电场上沉积氮化硅膜；
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷电极；
烘干背表面；
在硅片正表面的氮化硅减反射膜上印刷电极；
对硅片进行烧结。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片正表面沉积氮化硅减反射膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅减反射膜。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉积氮化硅膜的方法为等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅膜，在等离子体增强化学气相沉积法中使用氨气来进行沉积，氨气流量为6升每分至9升每分。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述在等离子体增强化学气相沉积法中使用硅烷来进行沉积，氨气比硅烷的值为6到8。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉积氮化硅膜的沉积时间为400秒至500秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105655439A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 润峰电力有限公司 | 一种高背反射晶硅太阳电池的制作工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179100A (zh) * | 2007-01-17 | 2008-05-14 | 江苏林洋新能源有限公司 | 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法 |
| CN101315953A (zh) * | 2007-05-29 | 2008-12-03 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种适合薄太阳电池的背电极及制作方法 |
| CN101383390A (zh) * | 2008-09-25 | 2009-03-11 | 江苏林洋新能源有限公司 | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳电池的方法 |
| CN101710598A (zh) * | 2008-05-04 | 2010-05-19 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种太阳能电池制作方法 |
| WO2010147483A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Rec Solar As | Method for improved passivation and solar cell with improved passivation |
-
2011
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101179100A (zh) * | 2007-01-17 | 2008-05-14 | 江苏林洋新能源有限公司 | 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法 |
| CN101315953A (zh) * | 2007-05-29 | 2008-12-03 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种适合薄太阳电池的背电极及制作方法 |
| CN101710598A (zh) * | 2008-05-04 | 2010-05-19 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种太阳能电池制作方法 |
| CN101383390A (zh) * | 2008-09-25 | 2009-03-11 | 江苏林洋新能源有限公司 | 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳电池的方法 |
| WO2010147483A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Rec Solar As | Method for improved passivation and solar cell with improved passivation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105655439A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 润峰电力有限公司 | 一种高背反射晶硅太阳电池的制作工艺 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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