CN103108081A - 一种移动终端的sim卡检测控制装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种移动终端的SIM卡检测控制装置,包括电源管理芯片、第一检测模块、第二检测模块和工作状态检测模块;由电源管理芯片根据插入的是第一SIM卡或第二SIM卡输出相应的第一电压和第二电压,根据SIM卡是否异常输出相应的异常电压;第一检测模块对第一电压和第二电压比较后输出第一识别电压,第二检测模块对第一电压和分压后的第二电压比较后输出第二识别电压;工作状态检测模块根据异常电压、第二电压、第一识别电压和第二识别电压输出相应的检测信号;根据第一识别电压和第二识别电压的电压值即可识别出插入的是第一SIM卡还是第二SIM卡,根据检测信号的电压值即可判断SIM卡的工作状态。
Description
技术领域
本发明涉及移动通信技术领域,特别涉及一种移动终端的SIM卡检测控制装置。
背景技术
目前,随着智能手机的发展和普及,手机对用户来说越来越重要。用户使用手机的多种业务功能试SIM卡一直处于超负荷工作状态,导致SIM卡出现一些异常问题,例如,插入SIM卡后手机显示找不到SIM卡,需要关机取出SIM卡重新插入再开机、手机才能检测SIM卡;或者用户在使用手机时由于业务的需要频繁地更换SIM卡,则需要关机取出卡后插入另外的SIM卡、再开机;再或者SIM卡一直无服务,需要重新多次插如SIM卡。现有的手机不能就上述问题进行手机的自我修复功能。
另外, SIM卡的电压SIMVCC有1.8V和3.0V。现有的手机并没有检测插入的是1.8V的SIM卡还是3.0V的SIM卡,若是双卡双待的手机可能出现通讯混乱。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种移动终端的SIM卡检测控制装置,能检测插入的SIM卡的电压,在手机出现异常问题时能恢复正常的工作状态。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种移动终端的SIM卡检测控制装置,其包括电源管理芯片、第一检测模块、第二检测模块和工作状态检测模块;
所述电源管理芯片用于提供第一电压、第二电压和异常电压;
所述第一检测模块连接电源管理芯片,用于根据所述第一电压和第二电压的比较结果识别第一SIM卡的插入状态,并输出相应的第一识别电压;
所述第二检测模块连接电源管理芯片,用于对第二电压进行分压、根据所述第一电压和分压后的第二电压的比较结果识别第二SIM卡的插入状态,并输出相应的第二识别电压;
所述工作状态检测模块连接电源管理芯片、第一检测模块和第二检测模块,用于根据所述异常电压、第二电压、第一识别电压和第二识别电压判断SIM卡的工作状态,并输出相应的检测信号。
所述电源管理芯片的型号为PM8029,所述第一SIM卡为1.8V的SIM卡,所述第二SIM卡为3.0V的SIM卡。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,所述工作状态检测模块包括第一三极管、与门、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管为NPN三极管;所述第一三极管的基极连接电源管理芯片的C5脚,第一三极管的发射极通过第二电阻接地,第一三极管的集电极连接第一电阻的一端、还连接与门的第二输入端;所述第一电阻的另一端连接电源管理芯片的G21脚、还连接与门的供电端;所述与门的第一输入端连接第一检测模块的第四端和第二检测模块的第八端,与门的接地端接地。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,所述第一检测模块包括第一比较器和第二场效应管,所述第二场效应管为PMOS管;所述第一比较器的正输入端连接电源管理芯片的G1脚,第一比较器的负输入端连接电源管理芯片的G21脚和第二场效应管的源极,第一比较器的输出端连接第二场效应管的栅极;所述第二场效应管的漏极连接第二检测模块的第八端和与门的第一输入端;第一比较器的电源端连接电池,其接地端接地。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,所述第二检测模块包括第二比较器、第三场效应管、第三电阻和第四电阻,所述第三场效应管为PMOS管;所述第二比较器的正输入端连接电源管理芯片的G21脚和第三场效应管的漏极,第二比较器的负输入端通过第三电阻连接电源管理芯片的G1脚、还通过第四电阻接地,第二比较器的输出端连接第三场效应管的栅极;所述第三场效应管的源极连接第二场效应管的漏极和与门的第一输入端;第二比较器的电源端连接电池,其接地端接地。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,还包括第一电容和第二电容,所述第一电容的一端连接电源管理芯片的G21脚,第一电容的另一端接地;所述第二电容的一端连接电源管理芯片的G1脚,第二电容的另一端接地。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,还包括第五电阻,所述第五电阻的一端连接第一三极管的栅极,第五电阻的另一端连接电源管理芯片的C5脚。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,所述第二检测模块还包括第三电容,所述第三电容的一端连接第二比较器的负输入端,第三电容的另一端接地。
所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其中,所述第三电阻的阻值为8Ω,第四电阻的阻值为12Ω 。
相较于现有技术,本发明提供的移动终端的SIM卡检测控制装置,由电源管理芯片根据插入的是第一SIM卡或第二SIM卡输出相应的第一电压和第二电压,其还根据SIM卡是否异常输出相应的异常电压;第一检测模块根据第一电压和第二电压的比较结果识别第一SIM卡的插入状态并输出相应的第一识别电压,第二检测模块对所述第二电压分压后,根据所述第一电压和分压后的第二电压的比较结果识别第二SIM卡的插入状态,并输出相应的第二识别电压;工作状态检测模块根据异常电压、第二电压、第一识别电压和第二识别电压输出相应的检测信号来确定SIM卡的工作状态;根据第一识别电压和第二识别电压的电压值即可识别出插入的是第一SIM卡还是第二SIM卡,根据检测信号的电压值即可有效地检测出SIM卡的工作状态。
附图说明
图1为本发明移动终端的SIM卡检测控制装置较佳实施例的电路原理图。
具体实施方式
本发明提供一种移动终端的SIM卡检测控制装置,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,本发明提供的移动终端的SIM卡检测控制装置,特别地用于移动终端为手机时,如何识别插入的SIM卡是第一SIM卡还是第二SIM卡,以及能检测出SIM卡的工作状态。在本实施例中,所述第一SIM卡为1.8V的SIM卡,所述第二SIM卡为3.0V的SIM卡。如图1所示,所述SIM卡检测控制装置包括电源管理芯片U1、第一检测模块20、第二检测模块30和工作状态检测模块10。所述电源管理芯片U1的G1脚连接第一检测模块20的第五端5和第二检测模块30的第九端9。电源管理芯片U1的G21脚连接第一检测模块20的第七端7、工作状态检测模块10的第二端2和第二检测模块30的第十一端11。电源管理芯片U1的C5脚连接工作状态检测模块10的第一端1。所述工作状态检测模块10的第三端3连接第一检测模块20的第四端4和第二检测模块30的第八端8。第一检测模块20的第六端6、第二检测模块30的第十端10分别连接电池VBATT。
其中,所述电源管理芯片U1的型号为PM8029,其G1脚输出SIM卡的供电电压、即第一电压SIMVCC。若是1.8V的SIM卡,则第一电压SIMVCC为1.8V;若是3.0V的SIM卡,则第一电压SIMVCC为3.0V。电源管理芯片U1的G21脚输出1.8V的第二电压V_S3_1.8V 。电源管理芯片U1的C5脚、也叫GPIO10控制脚,其输出异常电压,即当SIM卡异常时输出低电平,正常时保持高电平。
所述工作状态检测模块10用于根据所述异常电压、第二电压V_S3_1.8V、第一识别电压和第二识别电压判断SIM卡的工作状态,其包括第一三极管Q1、与门AND2、第一电阻R1和第二电阻R2。所述第一三极管Q1为NPN三极管,与门AND2为二输入与门,第一电阻R1为上拉电阻,第二电阻R2为下拉电阻。所述第一三极管Q1的基极、即工作状态检测模块10的第一端1连接电源管理芯片U1的C5脚,第一三极管Q1的发射极通过第二电阻R2接地,第一三极管Q1的集电极连接第一电阻R1的一端、还连接与门AND2的第二输入端B;所述第一电阻R1的另一端、即工作状态检测模块10的第二端2连接电源管理芯片U1的G21脚、还连接与门AND2的供电端;所述与门AND2的第一输入端A连接第一检测模块20的第四端4和第二检测模块30的第八端8,与门AND2的接地端接地。与门AND2的输出端F输出的SIM_DET信号即是手机的工作状态的检测信号。当手机识别到SIM卡或SIM卡正常工作时,SIM_DET信号为高电平;当SIM卡出现异常状态时,SIM_DET信号为低电平。以异常状态为手机找不到SIM卡为例,此时所述的SIM_DET信号为低电平;当手机找到SIM卡时,SIM_DET信号会从低电平转变为高电平。
所述第一检测模块20用于根据所述第一电压SIMVCC和第二电压V_S3_1.8V识别1.8V的SIM卡的插入状态,并输出相应的第一识别电压;其包括第一比较器A1和第二场效应管Q2。所述第二场效应管Q2为PMOS管。所述第一比较器A1的正输入端、即第一检测模块20的第五端5连接电源管理芯片U1的G1脚,第一比较器A1的负输入端、即第一检测模块20的第七端7连接电源管理芯片U1的G21脚和第二场效应管Q2的源极,第一比较器A1的输出端连接第二场效应管Q2的栅极;所述第二场效应管Q2的漏极、即第一检测模块20的第四端4连接第二检测模块30的第八端8和与门AND2的第一输入端A;第一比较器A1的电源端连接电池VBATT,其接地端接地。
所述第二检测模块30用于对第二电压V_S3_1.8V进行分压、根据所述第一电压和分压后的第二电压V_S3_1.8V识别3V的SIM卡的插入状态,并输出相应的第二识别电压;其包括第二比较器A2、第三场效应管Q3、第三电阻R3和第四电阻R4。所述第三场效应管Q3为PMOS管,第三电阻R3和第四电阻R4为分压电阻。所述第二比较器A2的正输入端、即工作状态检测模块10的第十一端11连接电源管理芯片U1的G21脚和第三场效应管Q3的漏极,第二比较器A2的负输入端通过第三电阻R3连接电源管理芯片U1的G1脚、还通过第四电阻R4接地,第二比较器A2的输出端连接第三场效应管Q3的栅极;所述第三场效应管Q3的源极、即第二检测模块30的第八端8连接第二场效应管Q2的漏极和与门AND2的第一输入端A;第二比较器A2的电源端连接电池VBATT,其接地端接地。其中,第三电阻R3与电源管理芯片U1的G1脚连接的一端即是第二检测模块30的第九端9。
所述SIM卡检测控制装置还包括第一电容C1、第二电容C2、第五电阻R5。所述第一电容C1的一端连接电源管理芯片U1的G21脚,第一电容C1的另一端接地;所述第二电容C2的一端连接电源管理芯片U1的G1脚,第二电容C2的另一端接地。所述第五电阻R5的一端连接第一三极管Q1的栅极,第五电阻R5的另一端连接电源管理芯片U1的C5脚。所述第二检测模块30还包括第三电容C3,所述第三电容C3的一端连接第二比较器A2的负输入端,第三电容C3的另一端接地。所述第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3均为滤波电容。第五电阻R5为限流电阻,以保护第一三极管Q1。
在本实施例中,由电池VBATT对第一比较器A1和第二比较器A2供电,其供电范围是2.0V~36.0V。由于电源管理芯片U1的要求其输出第一电压SIMVCC的电源线上的电流不超过150mA,根据3.0V的第一电压SIMVCC可计算出最大电阻为20Ω,这样能保证1.8V的电压经过所述电源线时,电源线不会被烧坏。由于第二比较器A2的负输入端输入的电压要求是1.8V,设置第三电阻R3为8Ω,第四电阻R4为12Ω。
请继续参阅图1,下面将对本发明提供的SIM卡检测控制装置的工作原理进行阐述。
当插入手机的是1.8V的SIM卡时,第一电压SIMVCC为1.8V输入第一比较器A1的正输入端,第二电压V_S3_1.8V为1.8V输入第一比较器A1的负输入端。这两个电压同时输入第一比较器A1进行比较输出低电平使第二场效应管Q2导通,第二场效应管Q2的漏极输出第一识别电压即是1.8V的第二电压V_S3_1.8V。此时,由于1.8V的第一电压SIMVCC被第三电阻R3和第四电阻R4分压,使输入第二比较器A2的负输入端的电压为1.2V,比第二比较器A2的正输入端输入的第二电压V_S3_1.8V(为1.8V)小,使第二比较器A2输出高电平导致第三场效应管Q3截止。
当插入手机的是3.0V的SIM卡时,第一电压SIMVCC为3.0V,需要先经过第三电阻R3和第四电阻R4分压后、得到的1.8V的分压电压再输入第二比较器A2的负输入端,与第二比较器A2的正输入端输入的第二电压V_S3_1.8V(为1.8V)进行比较,使第二比较器A2输出低电平控制第三场效应管Q3导通,第三场效应管Q3的源极输出的第二识别电压即是1.8V的第二电压V_S3_1.8V。此时,由于输入第一比较器A1的正输入端的第一电压SIMVCC为3.0V,比第一比较器A1的负输入端的第二电压V_S3_1.8V(为1.8V)大,使第一比较器A1输出高电平控制第二场效应管Q2截止。
这样,插入1.8V的SIM卡时,第二场效应管Q2导通,第三场效应管Q3截止,第一识别电压为高电平,第二识别电压为低电平;插入3.0V的SIM卡时,第二场效应管Q2截止,第三场效应管Q3导通,第一识别电压为低电平,第二识别电压为高电平。无论插入哪种SIM卡都不会影响对方的工作,且通过检测第一识别电压和第二识别电压哪个为高电平即可识别出插入的是1.8V的SIM卡还是3V的SIM卡。
当SIM卡正常工作时电源管理芯片U1的C5脚输出的异常电压为高电平控制第一三极管Q1导通,第一电阻R1将与门AND2的第二输入端B的输入电压上拉为高电平(相当于1.8V的第二电压V_S3_1.8V),与门AND2的第一输入端A输入的第一识别电压也是高电平,则与门AND2的输出端F输出的SIM_DET信号为高电平,此时SIM卡处于正常的工作状态。当SIM卡出现异常时,电源管理芯片U1的C5脚输出的异常电压由高电平转换为低电平控制第一三极管Q1截止,则与门AND2输出变为低电平,SIM_DET信号的电平由高变低即显示SIM卡异常,SIM_DET信号处于检测状态。当SIM卡恢复正常(如SIM卡的电压稳定)时,所述C5脚输出的异常电压又变为高电平控制第一三极管Q1导通,则SIM_DET信号由低电平转为高电平,SIM卡自动恢复正常工作状态。通过检测SIM_DET信号的高、低电平即可判断SIM卡的工作状态是正常还是异常。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,包括电源管理芯片、第一检测模块、第二检测模块和工作状态检测模块;
所述电源管理芯片用于提供第一电压、第二电压和异常电压;
所述第一检测模块连接电源管理芯片,用于根据所述第一电压和第二电压的比较结果识别第一SIM卡的插入状态,并输出相应的第一识别电压;
所述第二检测模块连接电源管理芯片,用于对第二电压进行分压、根据所述第一电压和分压后的第二电压的比较结果识别第二SIM卡的插入状态,并输出相应的第二识别电压;
所述工作状态检测模块连接电源管理芯片、第一检测模块和第二检测模块,用于根据所述异常电压、第二电压、第一识别电压和第二识别电压判断SIM卡的工作状态,并输出相应的检测信号。
2.根据权利要求1所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述电源管理芯片的型号为PM8029,所述第一SIM卡为1.8V的SIM卡,所述第二SIM卡为3.0V的SIM卡。
3.根据权利要求1所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述工作状态检测模块包括第一三极管、与门、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管为NPN三极管;所述第一三极管的基极连接电源管理芯片的C5脚,第一三极管的发射极通过第二电阻接地,第一三极管的集电极连接第一电阻的一端、还连接与门的第二输入端;所述第一电阻的另一端连接电源管理芯片的G21脚、还连接与门的供电端;所述与门的第一输入端连接第一检测模块的第四端和第二检测模块的第八端,与门的接地端接地。
4.根据权利要求3所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述第一检测模块包括第一比较器和第二场效应管,所述第二场效应管为PMOS管;所述第一比较器的正输入端连接电源管理芯片的G1脚,第一比较器的负输入端连接电源管理芯片的G21脚和第二场效应管的源极,第一比较器的输出端连接第二场效应管的栅极;所述第二场效应管的漏极连接第二检测模块的第八端和与门的第一输入端;第一比较器的电源端连接电池,其接地端接地。
5.根据权利要求4所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述第二检测模块包括第二比较器、第三场效应管、第三电阻和第四电阻,所述第三场效应管为PMOS管;所述第二比较器的正输入端连接电源管理芯片的G21脚和第三场效应管的漏极,第二比较器的负输入端通过第三电阻连接电源管理芯片的G1脚、还通过第四电阻接地,第二比较器的输出端连接第三场效应管的栅极;所述第三场效应管的源极连接第二场效应管的漏极和与门的第一输入端;第二比较器的电源端连接电池,其接地端接地。
6.根据权利要求1所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,还包括第一电容和第二电容,所述第一电容的一端连接电源管理芯片的G21脚,第一电容的另一端接地;所述第二电容的一端连接电源管理芯片的G1脚,第二电容的另一端接地。
7.根据权利要求3所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,还包括第五电阻,所述第五电阻的一端连接第一三极管的栅极,第五电阻的另一端连接电源管理芯片的C5脚。
8.根据权利要求5所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述第二检测模块还包括第三电容,所述第三电容的一端连接第二比较器的负输入端,第三电容的另一端接地。
9.根据权利要求5所述的移动终端的SIM卡检测控制装置,其特征在于,所述第三电阻的阻值为8Ω,第四电阻的阻值为12Ω 。
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