CN103064755A - Nand闪存写数据处理方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种NAND闪存写数据处理方法和装置。该方法包括如下步骤：设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。其有效地防止了写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。

Description

NAND闪存写数据处理方法和装置

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，具体涉及一种NAND FLASH（NAND闪存）写数据处理方法和装置，其有效地防止写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。

背景技术

闪存（FLASH）是一种在嵌入式系统中应用的存储装置，其在嵌入式系统中的作用类似于硬盘在个人计算机（PC）上的作用。一般地，现有的闪存主要有两种，一种是NAND闪存（NAND FLASH），另一种是NOR闪存（FLASH）。

NAND闪存的数据是以位（bit）的方式保存在存储单元（Memory Cell）中。这些存储单元以8个或者16个为单位，连成位线（bit line）,形成字节（byte(×8)）/字（word×16）），这就是NAND闪存的位宽，多个字节再组成页（page），即每页有多个字节,多个页形成一个块（Block）。具体一片NAND闪存上有多少个区块视具体需要而定，根据区块的数量得到NAND闪存的存储空间。

NAND闪存是一种物理上按块擦除、按页编程的存储装置，在NAND闪存中，区块（Block）是其中最小的可擦除实体，擦除一个区块就是把所有的位（bit）设置为“1”，而最小的编程实体是字节（byte），其通过编程将已擦除的位从“1”变成“0”。因此，在逻辑上为了配合其物理特性，在逻辑上也会按块和页的方式去组织逻辑物理映射关系（shadowing）。在传统的方法中，逻辑块与物理块一一对应，逻辑页映射到对应物理块中的所有物理页上，以充分利用物理存储空间，这种映射方法称为常规（Normal）逻辑物理映射模式，这种物理块称为常规类型（Normal type）物理块,如图1所示。

一般地，NAND闪存分为多级单元NAND闪存（Multi-Level Cell NANDFLASH，MLC NAND闪存，又称多层单元NAND闪存），单层单元NAND闪存（Single-Level Cell NAND FLASH），三层单元NAND闪存(Triple-Level CellNAND FLASH)。

MLC NAND闪存的每一个单元可以存储两位（2-bit），因此，MLC NAND有显著的密度优越性，通常被用于消费电子和其它低成本产品的嵌入式系统中。

现有技术中，MLC NAND中一个常规类型（（Normal type）物理块的区块（block）的页（page）之间存在关联，是以页对(page对)的形式存在的，每个页对由两个页组成（LSB page，MSB page，（Least Significant BitPage，Most Significant Bit Page；最低有效位页，最高有效位页，或称LSB页，MSB页））。因此，如果在MLC NAND中写其中一个页（如MSB page）时断电，则会造成整个页对（MSB page和LSB page）关联错误，即串扰（crosstalk）数据破坏，由于LSB page可能存放之前已经写好的逻辑数据，所以会造成逻辑上数据的丢失，引发逻辑错误，从而导致存储系统甚至上层应用的逻辑错误。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NAND闪存写数据处理方法和装置，其有效地防止了写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。

为实现本发明目的而提供的一种NAND闪存写数据处理方法，包括如下步骤：

设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；

在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

较优地，作为一可实施例，所述的NAND闪存写数据处理方法，还包括如下步骤：

当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中；

在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

较优地，作为一可实施例，所述根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理，包括如下步骤：

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

根据扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束更新过程返回；

否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束更新过程返回。

较优地，作为一可实施例，在启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中的步骤中，还包括如下步骤：

如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并。

为实现本发明目的还提供一种多层级单元NAND闪存装置，包括多个逻辑块和多个物理块，所述物理块包括多个LSB页，还包括写数据控制器；

所述写数据控制器，包括设置模块，更新处理模块，扫描检测模块，其中：

所述设置模块，用于设置MLC NAND闪存的LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；

所述更新处理模块，用于在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；

所述扫描检测模块，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

较优地，作为一可实施例，所述写数据控制器，还包括合并模块，回收模块，其中：

所述合并模块，用于当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中；

所述回收模块，用于在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

较优地，作为一可实施例，所述扫描检测模块包括检测判断子模块和判断处理子模块，其中：

所述检测判断子模块，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

所述判断处理子模块，用于根据检测判断子模块扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束返回；否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束返回。

较优地，作为一可实施例，所述合并模块还包括修复子模块；

所述修复子模块，用于如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并模块重新合并。

本发明的有益效果：本发明的NAND闪存写数据处理方法和装置，根据MLC NAND闪存页对的关联特点，设置MLC NAND闪存页对的逻辑物理映射，通过将逻辑页映射到物理块的LSB page上，从而屏蔽掉物理块各个页之间的关联性，在更新逻辑数据时，只更新物理块中的LSB page，从而解决写MSB page造成LSB page损坏的问题，有效地防止了写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。进一步地，本发明还通过LSB回收合并来回收物理空间，避免容量损失。

附图说明

图1是常规（Normal）逻辑物理映射关系示意图；

图2是本发明实施例NAND闪存写数据处理方法流程图；

图3是本发明实施例LSB模式逻辑物理映射关系示意图；

图4是本发明实施例LSB模式下写断电数据破坏示意图；

图5是写断电数据修复过程示意图；

图6是LSB物理块合并、回收模式示意图；

图7是LSB物理块回收合并过程中断电后逻辑修复示意图；

图8是本发明实施例MLC NAND闪存装置结构示意图。

具体实施方式

为使明的本发明的NAND闪存写数据处理方法和装置目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明做进一步详细说明，但是，应当说明的是，以下所描述的具体实施例仅用于说明本发明，但不是限定本发明的范围。

本实施例中的NAND闪存写数据处理方法，如图2所示，包括如下步骤：

步骤S100，设置MLC NAND闪存逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块。

在本发明实施例中，作为一种可实施方式，在进行MLC NAND闪存逻辑物理映射模式设置时，设置一种LSB逻辑物理映射模式：一个逻辑块映射到多个物理块，只将逻辑块上逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，如图3所示。

步骤S200，在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系。

本发明实施例中，作为一种可实施方式，在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，每个逻辑虚拟页对应物理块中的LSB page,在更新逻辑数据时，使用LSB逻辑物理映射模式，这样逻辑数据只会更新到物理块的LSB page上面，对应的MSB page不存放逻辑数据。这样在MLC NAND闪存逻辑数据更新的过程中，只会用到对应物理块的LSB page,从而屏蔽物理页之间的关联性。

步骤S300，在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

如果在更新LSB page的过程中断电，只会导致当前正在编程的那个LSBpage丢失，从而避免之前写过的逻辑数据被破坏。

如图4所示，如果在MLC nand闪存物理编程的过程中发生断电，导致最后正在编程的LSB page编程失败，数据破坏，但是由于该物理块只用到了LSB page,所以不会发生串扰（cross talk）问题，所以不会引起前面写过的物理页数据破坏。

较佳地，所述步骤S300中，所述根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理，包括如下步骤：

步骤S310，在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

步骤S320，根据扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束更新过程返回；否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束更新过程返回。

本发明实施例中，为了清除上一次断电写失败的影响，重新上电时会启动写断电数据恢复，如图5所示，重新上电初始化时会检查上一次写的物理块是否存在物理页数据破坏现象，如果存在，需要对这个物理块中的有效数据进行备份转移处理，将原物理块中的有效页拷贝到另外的一个新的物理块对应的页中，舍弃掉最后一次编程失败的页（page），然后更新逻辑物理对应关系，使逻辑块重新映射到新的物理块上，擦除原物理块。这样，写断电只会丢失最后正在写的那一页逻辑数据，而之前已经更新完成的逻辑数据不会丢失。

更佳地，作为一种可实施方式，本发明实施例的NAND闪存写数据处理方法，还包括如下步骤：

步骤S400，当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型（Normal Type）物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中。

本发明实施例中，作为一种可实施方式，所述预设条件可以是人为预设的触发条件，如扫描检测到需要重新合并的LSB块，或者其他的人为预设的触发条件，重新触发。

由于LSB type物理块只用到了LSB page,会造成物理块存储空间浪费，本发明实施例通过LSB物理块的合并模式来解决这个问题，如图6所示。当逻辑块更新完成，或物理块上LSB page用完，或其他预设条件满足时，触发启动LSB物理块的合并模式，该合并模式是将同一逻辑块对应的多个LSBType物理块合并成一个Normal Type物理块,将LSB type物理块中的有效数据拷贝到Normal Type物理块中。

本发明实施例中，在物理块上LSB页用完或其他预设条件满足的时候，触发启动LSB合并模式，将多个LSB物理块合并到常规（Normal）物理块中，释放出LSB模式下冗余的物理块，这样可以保证MLC NAND的容量不会有太大损失。

更进一步地，作为一种可实施方式，本发明实施例中，所述步骤S400还包括如下步骤：

步骤S410，如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型（Normaltype）物理块,保留LSB类型（LSB type）物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并。

为了防止LSB物理块合并过程中断电造成逻辑物理映射错误，本发明通过映射修复模式，如图7所示，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并。

重新上电初始化时会检测逻辑物理映射关系，如果检测到上次断电发生LSB物理块回收合并过程中，启动映射修复模式。所述映射修复模式是执行逻辑修复处理，擦除常规类型（Normal type）物理块,保留LSB类型（LSBtype）物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，回复到LSB物理块回收合并前的状态，从而保证逻辑映射关系的正确性。

步骤S500，在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规（Normal）逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型（Normal type）物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

本发明实施例中，在合并完成后，启动回收模式，更新逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规（Normal）逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型（Normal type）物理块上，擦除并释放原有LSBtype物理块。本发明实施例的回收模式是将LSB逻辑物理映射模式切换到常规（Normal）逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型（Normaltype）物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块，其回收释放LSB类型（LSBtype）物理块没有利用到的物理空间，从而保证MLC Nand的容量不会有很大损失。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种多层级单元（MLC）NAND闪存装置，由于此装置解决问题的原理与前述一种NAND闪存写数据处理方法的工作过程相似，因此，此装置的实施可以通过前述方法实现，重复之处不再赘述。

作为一种可实施方式，为实现本发明目的，本发明实施例的一种多层级单元（MLC）NAND闪存装置，如图8所示，其包括多个逻辑块和多个物理块，所述物理块包括多个LSB页；

本发明实施例中，所述MLC NAND闪存装置，还包括写数据控制器100；

所述写数据控制器100，包括设置模块110，更新处理模块120，扫描检测模块130，其中：

所述设置模块110，用于设置MLC NAND闪存逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块。

所述更新处理模块120，用于在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系。

所述扫描检测模块130，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

较佳地，作为一种可实施方式，所述扫描检测模块130包括检测判断子模块131和判断处理子模块132，其中：

所述检测判断子模块131，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

所述判断处理子模块132，用于根据检测判断子模块扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束返回；否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束返回。

更佳地，本发明的MLC NAND闪存装置的写数据控制器100，还包括合并模块140，回收模块150，其中：

所述合并模块140，用于当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型（Normal Type）物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中。

所述回收模块150，用于在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规（Normal）逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型（Normaltype）物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

进一步地，所述合并模块140还包括修复子模块141。所述修复子模块141，用于如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型（Normal type）物理块,保留LSB类型（LSB type）物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并模块重新合并。

本发明实施例的NAND闪存写数据处理方法和装置，根据MLC NAND闪存页对的关联特点，设置MLC NAND闪存页对的逻辑物理映射，通过将逻辑页映射到物理块的LSB page上，从而屏蔽掉物理块各个页之间的关联性，在更新逻辑数据时，只更新物理块中的LSB page，从而解决写MSB page造成LSB page损坏的问题，有效地防止了写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。进一步地，本发明还通过LSB回收合并来回收物理空间，避免容量损失。

最后应当说明的是，很显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型。

Claims (8)

1.一种NAND闪存写数据处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；

在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存写数据处理方法，其特征在于，还包括如下步骤：

当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中；

在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

3.根据权利要求1或2所述的NAND闪存写数据处理方法，其特征在于，所述根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理，包括如下步骤：

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

根据扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束更新过程返回；否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束更新过程返回。

4.根据权利要求2所述的NAND闪存写数据处理方法，其特征在于，在启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中的步骤中，还包括如下步骤：

如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并。

5.一种多层级单元NAND闪存装置，包括多个逻辑块和多个物理块，所述物理块包括多个LSB页，其特征在于，还包括写数据控制器；

所述写数据控制器，包括设置模块，更新处理模块，扫描检测模块，其中：

所述设置模块，用于设置MLC NAND闪存的LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；

所述更新处理模块，用于在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；

所述扫描检测模块，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

6.根据权利要求5所述的多层级单元NAND闪存装置，其特征在于，写数据控制器，还包括合并模块，回收模块，其中：

所述合并模块，用于当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时，启动合并模式，将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中；

所述回收模块，用于在合并完成后，启动回收模式，更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系，将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上，擦除并释放原有LSB type物理块。

7.根据权利要求5或6所述的多层级单元NAND闪存装置，其特征在于，所述扫描检测模块包括检测判断子模块和判断处理子模块，其中：

所述检测判断子模块，用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误；

所述判断处理子模块，用于根据检测判断子模块扫描检测结果判断如果不存在数据错误，则结束返回；否则是最后写的过程中断电，把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中，擦除原物理块，并更新逻辑物理对应关系，结束返回。

8.根据权利要求6所述的多层级单元NAND闪存装置，其特征在于，所述合并模块还包括修复子模块；

所述修复子模块，用于如果在合并过程中发生断电、重新上电时，扫描检测到合并被中断时，启动映射修复模式，执行逻辑修复处理，擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块，修复LSB逻辑物理映射关系，将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态，等待再次被触发合并模块重新合并。

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