CN103022161A - 制作高导电高光反射低光损失之岛状成长结构背电极 - Google Patents

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CN103022161A CN2011102824267A CN201110282426A CN103022161A CN 103022161 A CN103022161 A CN 103022161A CN 2011102824267 A CN2011102824267 A CN 2011102824267A CN 201110282426 A CN201110282426 A CN 201110282426A CN 103022161 A CN103022161 A CN 103022161A
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简唯伦
刘幼海
刘吉人
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Abstract

本发明为制作高导电高光反射低光损失之岛状成长结构背电极，主要是采用银金属背电极岛状结构沉积成膜的机制原理，使其表面形成凸形的岛状结构，增加入射光到达背电极后反射光散射之方向性，提升光在吸收层的行进距离，再镀一层平滑表面的金属薄膜层，减少光损失，以增加太阳能电池发电效率。在基板温度较高时，银金属会以岛状结构沉积成膜，接着再镀一层高导电性、平滑表面的背电极，达到有效提高太阳能电池的效率。

Description

制作高导电高光反射低光损失之岛状成长结构背电极
技术领域
本发明是一种高导电高光反射低光损失之岛状成长结构背电极，提升光在吸收层的行进距离，提高太阳能效率，其主要目的:采用银金属背电极沉积成膜的机制原理，使其表面形成凸形的岛状结构，接着再镀一层高导电性、平滑表面的背电极。此方法即能达到增加入射光到达背电极后反射光散射之方向性，提升光在吸收层的行进距离，减少反射时光的损失，以增加太阳能电池发电效率。 
背景技术
在第一道制程为镀制背电极结构的太阳能电池，因为并不像先镀制前电极的太阳能电池有透明导电玻璃有texture(绒状)表面，所以缺乏光在组件内部散射、增加光行进距离的结构，若要提高散射率，需在电池入光前加装散射装置，成本相当高。如能有效改善此缺点，便能大大提升整体效率。 
发明内容
本发明主要是采用银金属背电极岛状结构沉积成膜的机制原理，使其表面形成凸形的岛状结构，增加入射光到达背电极后反射光散射之方向性，提升光在吸收层的行进距离，再镀一层平滑表面的金属薄膜层，减少光损失，以增加太阳能电池发电效率。先取得一个基板，利用溅镀方法镀制银金属背电极膜。在基板温度较高时，银金属会以岛状结构沉积成膜，我们可以运用此沉积特性，使其表面形成凸形的岛状结构，其目的在于增加银金属背电极的表面积，提升光反射后行进角度分布，增加光在太阳能组件内行径距离；接着再镀一层高导电性、平滑表面的背电极，其目的在于减少光在反射时，在背电极表面的吸收与损失，有效提高太阳能电池的效率。 
具体实施方法:
吾将本发明搭配附图，详细说明如下: 
图1为本发明平滑表面、岛状成长结构背电极之示意图，由图中可得知，一开始取得一基板(1)，将其放入将溅镀真空腔体内，在镀制过程中，将其基板温度提升至200℃，此时，银金属因为温度影响，成膜机制转变成岛状方式沉积，此行为，使其玻膜表面形成凸形的岛状结构(2)，产生了许多额外的表面积。接着以基板温度100℃的情况下在岛状结构薄膜层上方再镀制一层高导电性、平滑表面的银金属薄膜层(3)。此种方法，可以同时具有岛状结构、且能有平滑表面，完成一个高导电高光反射低光损失之岛状成长结构背电极，图2为本发明平滑凸形岛状表面结构之光行进路线图，当光遇到背电极反射时，未经过凸形的岛状结构(4)时，行进间散射角度分布较窄；相对于光经由膜层之凸形的岛状结构(5)时，由于增加光接触表面积，大大提升光散射角度分布，能提高光在于组件内行进距离，再加上有平滑高导电性薄膜金属背电极层，减少光损失，有效增加入射光之利用率，提升太阳能产业进争能力。
 以上说明,对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。 
附图说明:下面为结合附图对本发明进一步说明，图1为本发明背电极膜层镀制之示意图，图2为本发明平滑凸形岛状表面结构之光行进路线之示意图。 
图标主要符号说明。
1 …玻璃 
2 …凸形的岛状结构(岛状结构成长)
3 …高导电性、平滑表面的银金属薄膜层
4 …光行走非凸形的岛状结构背电极层之行进路线
5 …光行走本发明凸形的岛状结构背电极层之行进路线。

Claims (4)

1.本发明主要是采用银金属背电极岛状结构沉积成膜的机制原理，使其表面形成凸形的岛状结构，增加入射光到达背电极后反射光散射之方向性，提升光在吸收层的行进距离，再镀一层平滑表面的金属薄膜层，减少光损失，以增加太阳能电池发电效率。
2.根据权利要求1所述的一种银金属背电极岛状结构沉积成膜之方法，在镀制过程中，将其基板温度提升至一定温度(约为200℃)，银金属因为温度影响，成膜机制转变成岛状方式沉积。
3.根据权利要求1所述的一种银金属背电极岛状结构沉积成膜之方法，以基板温度100℃的情况下在岛状结构薄膜层上方再镀制一层高导电性、平滑表面的银金属薄膜层。
4.根据权利要求1所述的一种银金属背电极岛状结构沉积成膜之方法，基板无须任何特定结构限制，只须能承受200℃的制程温度即可。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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