CN102938632A - 一种晶体振荡器及其振荡电路 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及晶体振荡器，特别涉及一种晶体振荡器及其振荡电路，用于解决现有晶体振荡器中的谐振电路在工作时会影响晶体谐振器的品质因素Q值，从而导致晶体振荡器的相位噪声恶化的问题。本发明实施例的振荡电路，包括：晶体谐振器及用于产生谐振的谐振单元；其中，晶体谐振器的一端与谐振单元的输入端连接，用于将自身的固有频率传输至谐振单元；谐振单元用于根据晶体谐振器的固有频率产生谐振并输出谐振频率。本发明实施例的振荡电路中采用晶体谐振器与谐振电路输入端连接方式，使得工作时，晶体谐振器的Q值不会受到谐振电路的影响，从而有效地降低了晶体振荡器的相位噪声。
Description
技术领域
本发明涉及晶体振荡器，特别涉及一种晶体振荡器及其振荡电路。
背景技术
振荡器是通过自激方式产生稳定波形信号，把直流电能转换为交流电能的电路或器件；晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件，晶体振荡器广泛应用于通信、导航、雷达、移动通信、程控电话、全球定位系统GPS(Global Positioning System)、卫星通信、遥控移动设备、精密测量仪器仪表等领域，作为电子通讯设备的关键部件，起着控制频率和提供频率基准的作用。
国际电工委员会(IEC)将晶体振荡器分为四类，即普通晶体振荡、电压控制式晶体振荡、温度补偿式晶体振荡及恒温控制式晶体振荡OCXO(OvenControlled Crystal Oscillator)。其中，温度补偿晶体振荡器主要是通过感应环境温度，将温度信息作适当变换后控制晶振的输出频率，达到稳定输出频率的效果；普通晶体振荡器完全由晶体的自由振荡以输出频率，主要适用于稳定度要求不高的场合；压控晶体振荡器是产生输出信号频率随输入控制电压变化的晶体振荡器，它是锁相环的重要组成部分，通过锁相环的环路反馈控制产生输出频率稳定的信号；恒温晶体振荡器OCXO是利用恒温槽使晶体振荡器中的石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是目前频率稳定度和精确度最高的晶体振荡器，它在老化率、温度稳定性、长期稳定度和短期稳定度等方面的性能都非常好。
晶体振荡器在通信、导航、雷达等高精密设备及系统的应用中是不允许频率颤抖的，而相位噪声是表征晶体振荡器频率颤抖的一个重要参数。相位噪声即单边带相位噪声，晶体振荡器在某一偏移频率处的相位噪声定义为在该频率处1Hz带宽内的信号功率与信号的总功率比值。晶体振荡器的相位噪声的好坏会直接影响通讯、雷达等设备或系统的性能参数，如：对于数字通信系统，载波信号的相位噪声会影响载波跟踪精度；对于雷达系统，载波相位噪声会对分离得到的有用回波信号造成严重影响等；而影响晶体振荡器的相位噪声的因素主要是晶体振荡器的振荡电路中谐振电路的有载Q值，即接入信号源内阻和负载电阻的品质因数Q值，其值为谐振时感抗值或容抗值与电阻值之比；但目前晶体振荡器的振荡电路的拓扑结构中，一般采用晶体谐振器替代LC振荡电路中的元件作为谐振电路，使LC振荡电路在工作时会影响晶体谐振器的品质因数Q的值，进而影响谐振电路的品质因数Q的值，从而导致晶体振荡器的相位噪声恶化。
综上所述，现有晶体振荡器中的谐振电路在工作时会影响晶体谐振器的Q值，从而导致晶体振荡器的相位噪声恶化。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶体振荡器及其振荡电路，用于解决现有晶体振荡器中的谐振电路在工作时会影响晶体谐振器的品质因素Q值，从而导致晶体振荡器的相位噪声恶化的问题。
本发明实施例提供了一种振荡电路，包括：晶体谐振器及用于产生谐振的谐振单元；其中，
所述晶体谐振器的一端与所述谐振单元的输入端连接，用于将自身的固有频率传输至所述谐振单元；
所述谐振单元，用于根据所述晶体谐振器的固有频率产生谐振并输出谐振频率。
较佳地，所述振荡电路还包括：输出端与晶体谐振器的另一端连接的调谐单元，用于调整输入到所述调谐单元的电压，并将调整后的电压输出至所述晶体谐振器；
所述晶体谐振器，用于将输入的电压输出至所述谐振单元；
所述谐振单元，用于根据输入的电压调整输出的谐振频率。
较佳地，所述谐振单元为LC振荡电路。
较佳地，所述LC振荡电路为电容三点式振荡电路。
较佳地，所述LC振荡电路为电感三点式振荡电路。
较佳地，所述振荡电路还包括含有多个稳压器件的稳压单元，用于为所述振荡电路提供工作电压。
较佳地，所述多个稳压器件采用串联连接。
较佳地，所述振荡电路还包括选频单元及输出单元；其中，选频单元的输入端与所述谐振单元的输出端连接，所述选频单元的输出端与所述输出单元的输入端连接；
所述选频单元，用于从所述谐振单元输出的谐振频率中，选择在设定的频率范围内的谐振频率，并通过所述输出单元输出。
本发明实施例提供一种晶体振荡器，包括上述振荡电路。
较佳地，所述晶体振荡器为恒温晶体振荡器。
本发明实施例的振荡电路中采用晶体谐振器与谐振电路输入端连接方式，使得工作时，晶体谐振器的Q值不会受到谐振电路的影响，从而有效地降低了晶体振荡器的相位噪声。
附图说明
图1为本发明实施例的第一种振荡电路结构示意图；
图2为本发明实施例的第一种振荡电路的电路示意图；
图3为本发明实施例的第二种振荡电路结构示意图；
图4为本发明实施例的第三种振荡电路结构示意图；
图5为本发明实施例的稳压单元的电路示意图；
图6为本发明实施例的第四种振荡电路结构示意图；
图7为本发明实施例的第四种振荡电路的的电路示意图。
具体实施方式
背景技术中晶体振荡器的振荡电路的拓扑结构一般采用晶体谐振器替代LC振荡电路中的元件作为谐振电路，在工作时LC振荡电路会影响晶体谐振器的品质因数Q的值，进而影响谐振电路的有载Q值，从而导致晶体振荡器的相位噪声恶化；本发明中采用晶体谐振器与谐振电路输入端连接方式，使得工作时，晶体谐振器的Q值不会受到谐振电路的影响，从而有效地降低了晶体振荡器的相位噪声。
本发明实施例提供了一种晶体振荡器，包括振荡电路，如图1所示，该振荡电路包括：用于产生谐振的谐振单元1及晶体谐振器2；其中，
晶体谐振器2的一端与谐振单元1的输入端连接，用于将自身的固有频率传输至谐振单元1；
谐振单元1用于根据晶体谐振器2的固有频率产生谐振并输出谐振频率。
具体的，谐振单元1的电路设计时，使谐振单元1自身产生的频率与晶体谐振器2的固有频率相同；正常工作时，谐振单元1与晶体谐振器2产生谐振，并输出谐振频率，此时，输出的谐振频率等于晶体谐振器2的固有频率。
需要说明的是，本发明实施例中晶体振荡器可为普通晶体振荡、电压控制式晶体振荡、温度补偿式晶体振荡等。
较佳地，本发明实施例的晶体振荡器为恒温晶体振荡器。
本发明实施例的晶体谐振器2一端连接谐振单元1的输入端，正常工作时，谐振单元1与晶体谐振器2产生谐振，并输出谐振频率；不仅保证了谐振单元1输出的谐振频率的稳定性，而且由于晶体谐振器2连接于谐振单元1的输入端，使得谐振单元1的电路不会影响到晶体谐振器2的Q值，从而能够有效的降低晶体振荡器的相位噪声。
其中，谐振单元1可以为LC振荡电路。
较佳地，LC振荡电路为电容三点式振荡电路。
较佳地，LC振荡电路为电感三点式振荡电路。
如图2所示，为本发明实施例第一种振荡电路的电路示意图，图中谐振单元1为电容三点式振荡电路，其输入端与晶体谐振器2连接，谐振单元1的输出端与选频单元5连接，将谐振单元1的谐振频率输出至选频单元5；选频单元5用于谐振单元1输出的谐振频率中选择在设定的频率范围内的谐振频率并输出，及滤除不在设定的频率范围内的谐振频率及其他频率(其中，其他频率包括干扰产生的频率等)；其中，设定的频率范围由选频单元5自身的电路结构决定。
需要说明的是，图2只是给出了振荡电路的一种电路的实现形式，并非限制性的，谐振单元1还可以采用其他形式的电容三点式振荡电路、电感三点式振荡电路或其形式的谐振电路，只要能实现谐振的电路都包括在本发明实施例中；图中的各元器件，如电阻、电容、电感等，其值大小可根据实际电路配置；某一阻值(或电容值或电感值)的电阻(或电容或电感)也可采用多个电阻(或电容或电感)的并联、串联、串并联等方式达到该阻值(或电容值或电感值)。
较佳地，为了在不改变谐振单元1的内部电路的情况下，调整谐振单元1输出的谐振频率，如图3所示，本发明实施例的振荡电路还包括：输出端与晶体谐振器2的一端连接的调谐单元3，用于调整输入到调谐单元3的电压，并将调整后的电压输出至晶体谐振器2；
晶体谐振器2的另一端与谐振单元1连接，用于将输入该晶体谐振器2的电压输出至谐振单元1；
谐振单元1用于根据输入至该谐振单元1的电压调整输出的谐振频率以满足要求。
具体的，调谐单元3的输出端与晶体谐振器2的一端连接，该晶体谐振器2的另一端与谐振单元1的输入端连接，晶体谐振器2将调谐单元3输出的调整后的电压及自身的固有频率传输至谐振单元1，谐振单元1根据输入至谐振单元1的电压调整输出的谐振频率以满足要求；谐振单元1将调整后的谐振频率输出至选频单元5。
较佳地，为了进一步降低晶体谐振器的相位噪声，如图4所示，本发明实施例的振荡电路还包括稳压单元4，分别与谐振单元1及调谐单元3连接，用于为谐振单元1及调谐单元3提供稳定的工作电压；其中，稳压单元4包括多个稳压器件。
较佳地，稳压器件为串联型稳压器、并联型稳压器或开关型稳压器。
具体的，稳压单元4中的多个稳压器件采用串联连接，以提供工作电压的稳定度。如图5所示，为本发明实施例的稳压单元4的电路示意图，图5中采用两个稳压器U1及U2串联，形成二级稳压电路；如振荡电路的输入电压为+12V，而振荡电路中元器件的工作电压为5V或者3.3V，若采用一个稳压器将电压从+12V直接输出+5V的电压，则由于压降较大会使输出电压不稳定，从而增加晶体振荡器的相位噪声；本发明实施例所采用的两个稳压器串联，稳压器U1的输入端连接+12V的输入电压，经过第一级稳压后输出+8V电压；稳压器U2的输入端连接+8V电压，经过第二级稳压后输出+5V电压，稳压电路经过两级稳压后，可将输出电压稳定在5V，由于每一级的稳压过程的压降较小，所以输出电压稳定，从而降低了晶体振荡器的相位噪声；
另外，若使用单个稳压器组成的单级稳压电路，稳压器自身的干扰较大时，相位噪声就会出现鼓包现象，而本发明实施例采用多个稳压器串联连接组成的多级稳压电路，保证了晶体振荡器的工作电压的稳定度，从而保证了相位噪声的指标。
需要说明的是，为了进一步降低相位噪声，本发明实施例的振荡电路中在选择晶体管(如三极管、二极管等晶体管)时，应尽量选择工作频率与谐振电路谐振频率相同或接近的晶体管，且尽可能选择本身噪声较小的晶体管。
如图6所示，为本发明实施例的第四种振荡电路的结构示意图，包括：稳压单元4、调谐单元3、晶体谐振器2、谐振单元1、选频单元5及输出单元6；其中，稳压单元4通过多个稳压器串联组成多级稳压电路，为调谐单元3、谐振单元1及选频单元5提供稳定的工作电压，其中，稳压器可为串联型稳压器、并联型稳压器、开关型稳压器等；调谐单元3用于调整输入到该调谐单元的电压，并将调整后的电压输出至晶体谐振器2；晶体谐振器2用于将输入到该晶体谐振器2的电压及自身的固有频率输出至谐振单元1；谐振单元1根据晶体谐振器2的固有频率产生谐振并根据输入到该谐振单元1的电压调整输出的谐振频率，并将调整后的谐振频率输出至选频单元5；选频单元5从谐振单元1输出的谐振频率中选择设定的频率范围内的谐振频率，并将选定的谐振频率输出至输出单元6，并滤除不在设定的频率范围内的谐振频率及其他频率(其中，其他频率包括干扰产生的频率等)；最后由输出单元6输出选频单元5选定的频率。
为了进一步降低相位噪声，可在输出单元6的输出端添加铁氧磁环体，将输出端与负载隔离，从而防止负载上产生的干扰反馈到输出端，进而降低晶体振荡器的相位噪声。
如图7所示，为本发明第四种振荡电路的电路示意图，其中，稳压单元4采用两个串联型稳压器串联连接形成二级稳压电路，以提供稳定的工作电压；调谐单元3通过调节可变电阻RP1调整输入至该调谐单元3的电压，并通过晶体谐振器2将调整后的电压传输至谐振单元1的输入端，在不改变谐振单元1的电路结构的前提下，改变谐振单元1输出的谐振频率；晶体谐振器2将调谐单元3调整后的电压及自身的固有频率传递至谐振单元1；谐振单元1根据晶体谐振器2的固有频率产生谐振，并根据输入到该谐振单元1的电压调整输出的谐振频率，输出调整后的谐振频率至选频单元5；选频单元5采用LC电路，对谐振单元1输出的调整后的谐振频率进行过滤，输出在设定的频率范围内的谐振频率至输出单元6，滤除不在设定的频率范围内的谐振频率及其他频率(其中，其他频率包括干扰产生的频率等)；输出单元6输出选频单元5选定的谐振频率。
需要说明的是，在调谐单元3不对输入至该调谐单元的电压进行调整时，谐振单元1与晶体谐振器2产生谐振，并输出谐振频率，该谐振频率与晶体谐振器2的固有频率相同；在调谐单元3对输入至该调谐单元的电压进行调整时，将调整后的电压通过晶体谐振器2输出至谐振单元1，谐振单元1根据输入至该谐振单元1的电压在小范围内调整输出的谐振频率，此时输出的谐振频率为调整后的谐振频率。
需要说明的是，图7提供的电路图是振荡电路的一种电路实现形式，只是说明性的，并非限制本发明实施例，只要能实现本发明实施例中各功能单元的电路的变换或等效变形均包括在本发明实施例中；例如，稳压单元中可采用三个或多个稳压器串联连接以实现通过稳定的工作电压的目的，其中，稳压器也可采用并联型稳压器、开关型稳压器等；又如，谐振单元1也可采用其他改进的电容三点式振荡电路或电感三点式振荡电路以实现在谐振单元1的频率与晶体谐振器2的固有频率相同时，与晶体谐振器2产生谐振，并输出谐振频率；图中的各元器件，如电阻、电容、电感等，其值大小可根据实际电路配置；某一阻值(或电容值或电感值)的电阻(或电容或电感)也可采用多个电阻(或电容或电感)的并联、串联、串并联等方式达到该阻值(或电容值或电感值)。
需要说明的是，晶体振荡器的相位噪声中的干扰，其近端(指频率相对于晶体谐振器的固有频率频偏不超过1000Hz的频率范围)主要由晶体谐振器2决定，远端(指频率相对于晶体谐振器2的固有频率频偏超过1000Hz的频率范围)主要由振荡电路的稳压电路、调谐电路、输出电路等部分决定；本发明实施例采用晶体谐振器与谐振单元的输入端连接的方式，使得工作时，晶体谐振器的Q值不会受到谐振电路的影响，从而有效地降低了晶体振荡器近端的相位噪声；本发明实施例采用多个稳压器串联连接的多级稳压单元，保证了晶体振荡器的工作电压的稳定度，从而有效地降低了晶体振荡器远端的相位噪声。
本发明实施例提供一种振荡电路，如图1所示，包括：晶体谐振器2及用于产生谐振的谐振单元1；其中，
晶体谐振器2的一端与谐振单元1的输入端连接，用于将自身的固有频率传输至谐振单元1；
谐振单元1用于根据晶体谐振器2的固有频率产生谐振并输出谐振频率。
较佳地，如图3所示，该振荡电路还包括：输出端与晶体谐振器2的另一端连接的调谐单元3，用于调整输入到该调谐单元3的电压，并将调整后的电压输出至晶体谐振器2；
晶体谐振器2用于将输入至该晶体谐振器2的电压传输至谐振单元1；
谐振单元1用于根据输入至该谐振单元1的电压调整输出的谐振频率。
较佳地，谐振单元1为LC振荡电路。
较佳地，LC振荡电路为电容三点式振荡电路。
较佳地，LC振荡电路为电感三点式振荡电路。
较佳地，如图4所示，该振荡电路还包括含有多个稳压器件的稳压单元4，用于为振荡电路提供工作电压。
较佳地，多个稳压器件采用串联连接。
较佳地，如图6所示，振荡电路还包括选频单元5及输出单元6；其中，
选频单元5的输入端与谐振单元1的输出端连接，选频单元5的输出端与输出单元6的输入端连接；
选频单元5用于从谐振单元1输出的谐振频率中，选择在设定的频率范围内的谐振频率，并通过输出单元6输出。
其中，设定的频率范围是由选频单元5自身的电路决定的。
本发明实施例的振荡电路可应用于普通晶体振荡器、电压控制式晶体振荡、温度补偿式晶体振荡等。
较佳地，本发明实施例的振荡电路应用于恒温晶体振荡器。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
本发明实施例的振荡电路中采用晶体谐振器与谐振电路输入端连接方式，使得工作时，晶体谐振器的Q值不会受到谐振电路的影响，从而有效地降低了晶体振荡器的相位噪声。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种振荡电路，其特征在于，所述振荡电路包括：晶体谐振器及用于产生谐振的谐振单元；其中，
所述晶体谐振器的一端与所述谐振单元的输入端连接，用于将自身的固有频率传输至所述谐振单元；
所述谐振单元，用于根据所述晶体谐振器的固有频率产生谐振并输出谐振频率。
2.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡电路还包括：输出端与晶体谐振器的另一端连接的调谐单元，用于调整输入到所述调谐单元的电压，并将调整后的电压输出至所述晶体谐振器；
所述晶体谐振器，用于将输入的电压输出至所述谐振单元；
所述谐振单元，用于根据输入的电压调整输出的谐振频率。
3.如权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述谐振单元为LC振荡电路。
4.如权利要求3所述的振荡电路，其特征在于，所述LC振荡电路为电容三点式振荡电路。
5.如权利要求3所述的振荡电路，其特征在于，所述LC振荡电路为电感三点式振荡电路。
6.如权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡电路还包括含有多个稳压器件的稳压单元，用于为所述振荡电路提供工作电压。
7.如权利要求6所述的振荡电路，其特征在于，所述多个稳压器件采用串联连接。
8.如权利要求6所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡电路还包括选频单元及输出单元；其中，选频单元的输入端与所述谐振单元的输出端连接，所述选频单元的输出端与所述输出单元的输入端连接；
所述选频单元，用于从所述谐振单元输出的谐振频率中，选择在设定的频率范围内的谐振频率，并通过所述输出单元输出。
9.一种晶体振荡器，其特征在于，包括如权利要求1～8任一所述的振荡电路。
10.如权利要求9所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶体振荡器为恒温晶体振荡器。
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| WO (1) | WO2013023477A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111756332A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-09 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种基于多谐振器的低噪声晶体振荡器及其实现方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550293A (en) * | 1984-01-27 | 1985-10-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Narrow deviation voltage controlled crystal oscillator |
| CN1877984A (zh) * | 2005-06-07 | 2006-12-13 | 日本电波工业株式会社 | 石英振荡电路 |
| CN1945965A (zh) * | 2005-10-03 | 2007-04-11 | 川崎微电子股份有限公司 | 制造晶体振荡器的方法及由该方法制造的晶体振荡器 |
| CN200953542Y (zh) * | 2006-08-25 | 2007-09-26 | 百利通电子(上海)有限公司 | 一种晶体振荡器电路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730326A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Kokusai Electric Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| US6052036A (en) * | 1997-10-31 | 2000-04-18 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Crystal oscillator with AGC and on-chip tuning |
| JP2007049254A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| US20070236301A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-10-11 | Romi Mayder | Inexpensive low phase noise high speed stabilized time base |
| US7649426B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-01-19 | Cts Corporation | Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators |
-
2011
- 2011-08-15 CN CN2011102325112A patent/CN102938632A/zh active Pending
-
2012
- 2012-06-04 WO PCT/CN2012/076445 patent/WO2013023477A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550293A (en) * | 1984-01-27 | 1985-10-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Narrow deviation voltage controlled crystal oscillator |
| CN1877984A (zh) * | 2005-06-07 | 2006-12-13 | 日本电波工业株式会社 | 石英振荡电路 |
| CN1945965A (zh) * | 2005-10-03 | 2007-04-11 | 川崎微电子股份有限公司 | 制造晶体振荡器的方法及由该方法制造的晶体振荡器 |
| CN200953542Y (zh) * | 2006-08-25 | 2007-09-26 | 百利通电子(上海)有限公司 | 一种晶体振荡器电路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111756332A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-09 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种基于多谐振器的低噪声晶体振荡器及其实现方法 |
| CN111756332B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-07-20 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种基于多谐振器的低噪声晶体振荡器及其实现方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013023477A1 (zh) | 2013-02-21 |
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