CN102934518A - 高频加热装置 - Google Patents

Abstract

高频加热装置（100）具备：多个高频功率发生单元（102x）；以及控制部（103），从能够对高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，使得仅从一部分放射所述高频；在一部分高频功率发生单元停止的情况下等，也能够使用剩余的高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的加热。

Description

高频加热装置

技术领域

本发明涉及具备多个高频功率发生单元的高频加热装置，该高频功率发生单元具有使用半导体元件的放大器。

背景技术

在以往的微波炉等高频加热装置中，作为大功率的高频发生器件而使用磁控管。最近，研究了取代磁控管而使用振荡器和由半导体元件构成的放大器的微波炉（专利文献1）。

专利文献1所记载的微波炉具有产生高频的振荡器。从该振荡器发生的高频被由半导体元件构成的放大器放大。并且，放大的高频从配置于加热室内的多个平面天线向被加热物照射。

此外，在照射的高频中，由被加热物反射的反射波被各平面天线接收，接收的反射波被接收电路检测到。并且，在专利文献1所记载的微波炉中，具备能够使高频的相位变化的相位变换电路，使用相位变换电路对高频的相位进行控制。由此，能够对反射波进行控制，以比较好的状态对被加热物进行加热。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-357583号公报

发明的概要

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的微波炉中，由于长期使用导致的劣化，有时从多个平面天线中的一部分平面天线不再照射高频。此外，为了减小照射的高频功率，想到设定为对多个平面天线中的一部分天线不照射高频。

但是，在这种情况下，在专利文献1所记载的微波炉中，关于如何设定从剩余平面天线照射的高频的相位，并没有任何公开。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种高频加热装置，具备多个高频功率发生单元，该高频功率发生单元具有由半导体元件构成的放大器，在一部分高频功率发生单元停止的情况下，或使一部分高频功率发生停止的情况下，也能够使用其他高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的（比较合适的）加热。

解决课题所采用的技术手段

本发明的一例的高频加热装置（微波炉等）具备：加热室，容纳被加热物；多个高频功率发生单元，向所述加热室内放射高频；以及控制部，从能够对所述多个高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频。

另外，放射高频是指，例如以适于通过微波等放射进行加热的程度，放射充分高的频率的电磁波等。

发明的效果

根据本发明，在具备多个具有由半导体元件构成的放大器的高频功率发生单元的高频加热装置中，在一部分高频功率发生单元停止的情况下、或使一部分高频功率发生停止的情况下，也能够使用未停止的高频功率发生单元，对被加热物进行最佳的（合适的）加热。

将多个具备的高频功率发生单元全部使用的情况下，以及一部分停止的情况下，加热室内的电场分布变化，合适的频率或相位的条件不同。但是，根据所使用的高频功率发生单元的组合，来变更频率或相位的值，并且调整加热室内的电场分布，从而能够更可靠地提高加热效率。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1中的高频加热装置的框图。

图2是本发明的实施方式1中的功率检测器的框图。

图3是本发明的实施方式1中的算法的选择流程图。

图4A是本发明的实施方式1中的存储部的概念图。

图4B是表示选择了本发明的实施方式1中的算法的实例的流程图。

图5是本发明的实施方式2中的高频加热装置的框图。

图6是本发明的实施方式2中的算法的选择流程图。

图7是本发明的实施方式3中的高频加热装置的框图。

图8A是说明模拟条件的图。

图8B是表示模拟结果的图。

图8C是表示模拟结果的图。

图9是作为本发明的实施方式2的变形例的高频加热装置的框图。

图10是表示对应关系的表的图。

图11是高频加热装置的处理的流程图。

图12是表示短路控制部等的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明实施本发明的方式的一例。

实施方式的高频加热装置100如图1所示，具备：加热室101，容纳被加热物110；多个高频功率发生单元102a～102c，向加热室101内放射高频；以及控制部，从能够对多个高频功率发生单元102a～102c分别设定的频率或相位的值中，选择在多个高频功率发生单元102a～102c的仅一部分放射高频时适合的频率或相位的值，按照选择的频率或相位的值，仅使多个高频功率发生单元102a～102c的一部分放射高频。

例如，实施方式的高频加热装置100是一般家庭中利用的微波炉等。并且，该高频加热装置100具备：加热室101，容纳被加热物110（例如图1中的食品等）；以及多个（例如图1中的3个）高频功率发生单元102x，向所述加热室101内放射高频。

此外，有时仅多个高频功率发生单元102x的一部分进行高频的放射而将被加热物110加热（图4B的S402：是）。在此，上述的一部分例如可以是图1所示的3个高频功率发生单元102x中的高频功率发生单元102b、102c。

即，除了从多个高频功率发生单元102x的全部放射高频的情况（S402：否）以外，还有仅从一部分放射高频的情况（S402：是）。

此外，适于从多个高频功率发生单元102x的全部放射高频的情况（S402：否）的频率或相位的值（例如参照图8B的频率9F1），可能与适于仅从一部分放射时（S402：是）的频率或相位的值（参照频率9H1）不同。

在此，控制部103可以从多个频率或相位的值（参照频率9F1、9H1）中选择频率或相位的值。即，可以具备控制部103，选择适于仅该一部分放射高频时的频率或相位的值（参照频率9H1），按照选择的频率或相位的值（参照频率9H1），仅使所述一部分进行放射。

另外，适于从多个高频功率发生单元102x的全部放射高频的情况的频率或相位的值，例如是在从多个高频功率发生单元102x全部放射高频时（S402：否），加热效率为最大的频率或相位的值等。此外，适于仅从一部分放射时的频率或相位的值，例如是在从多个高频功率发生单元102x的仅一部分放射高频时（S402：是），加热效率为最大的频率或相位的值等。

另外，也可以是，例如预先将已确认加热效率为最大的频率或相位的值（参照频率9F1、9H1）存储到存储部中，根据所使用的高频功率发生单元的组合，从存储部读出。此外，也可以对频率或相位进行扫描，通过计算加热效率成为最大的频率或相位的值的算法，决定频率或相位的值。

由此，不仅在从多个高频功率发生单元102x全部放射高频的情况下（S402：否），在仅从一部分放射的情况下（S402：是），也能够可靠地进行适当条件的放射。由此，例如还能够可靠地提高加热效率。

另外，也可以是，例如控制部103取得如下信息，该信息表示：是从多个高频功率发生单元的全部（例如参照图1的天线108a～108c）放射高频（S402：否）、还是仅从一部分（例如、图1的天线108b、108c）放射高频（S402：是）。另外，作为取得的信息的具体例，在后面例示有图1的信息109I、图7的信息701I等。

此外，也可以是，控制部103通过取得的该信息，仅在从多个高频功率发生单元全部放射高频的情况下（S402：否），以适于从多个高频功率发生单元的全部放射高频的情况的频率或相位的值来放射高频。另一方面，在仅从一部分放射高频的情况下（S402：是），以适于仅从一部分放射时的频率或相位的值来放射高频。

另外，也可以是，控制部103如后面所作的详细说明，例如包括：取得部103a，进行上述的取得；以及放射控制部103b，基于取得的信息进行动作。

（实施方式1）

以下，参照附图说明本发明的实施方式1中的高频加热装置100。

图1是实施方式1中的高频加热装置100的框图。

图1的高频加热装置100具备：加热室101，容纳被加热物110；多个高频功率发生单元102a、102b、102c；控制部103；存储部104；停止判定器109。

加热室101构成为，来自多个高频功率发生单元102a、102b、102c的高频不向加热室101之外泄露。此外，加热室101还构成为，将高频的能量封闭，将被加热物110（微波炉的情况下主要是食品）高效地加热。

即，各个高频功率发生单元102a、102b、102c具有输出高频的振荡器105a、105b、105c。此外，具有使用半导体元件的放大器106a、106b、106c，将从振荡器105a、105b、105c输出的高频放大并输出。此外，具有放射器108a、108b、108c，将从放大器106a、106b、106c输出的高频向加热室101内放射。

通过使用这些高频功率发生单元102a、102b、102c，能够得到大功率的高频输出。此外，通过使用多个高频功率发生单元102a、102b、102c，实现加热室101内的空间功率合成，从而能够提高输出。

振荡器105a、105b、105c例如可以采用利用了锁相环（PLL：PhaseLocked Loop）的频率合成器等。使用PPL的情况下，基于赋予的频率的数字数据来决定振荡频率。

放大器106a、106b、106c所使用的半导体元件，例如可以使用将由GaN（氮化镓）形成的HFET（HeterojunctionField Effect Transistor：异种接合2维电子气体场效应晶体管）用在最终段的多段放大器等。使用半导体元件的功率放大器随着近年来的半导体器件技术的进步，以微波炉所使用的2.4GHz带，也能够放大为数百W级的输出。

放射器108a、108b、108c是放射高频的天线。另外，在放射器108a、108b、108c中需要能够与高输出对应的构造。

高频功率发生单元102a、102b、102c分别具备功率检测器107a、107b、107c。从放射器108a、108b、108c放射的高频在加热室101内反射，返回到各个高频功率发生单元102a、102b、102c。这些高频（以后称为“反射波”）由功率检测器107a、107b、107c测定。另外，功率检测器107a、107b、107c例如可以由定向耦合器和检波二极管构成，该定向耦合器由4分之1波长结合传输线路等形成。

图2是功率检测器107a的框图。另外，其他功率检测器107b、107c的构成也与该功率检测器107a相同，所以省略详细说明。

图2的功率检测器107a由定向耦合器201、检波二极管202、终端电阻构成。定向耦合器201具有第1传输线路，该第1传输线路将与放大器106a（图1）连接的端口1（P1）和与放射器108a连接的端口2（P2）连结。此外，定向耦合器201具有第2传输线路，该第2传输线路与上述第1传输线路平行，将经由电阻接地的端口3（P3）和与检波二极管202连接的端口4（P4）连接。

检波二极管202能够对从端口4输出的高频的功率进行观测。

即，从端口1入射高频的情况下，经由第1传输线路向端口2输出高频的大部分。在向端口2输出高频的同时，从端口1入射的高频变小第1传输线路与第2传输线路的结合量，并向端口3（P3）输出。在此，从端口1入射的高频不向端口4（P4）输出。另一方面，从端口2入射高频的情况下，经由第1传输线路向端口1输出入射的高频的大部分。在向端口1输出高频的同时，向端口2入射的高频变小第1传输线路与第2传输线路的结合量，并向端口4输出。在此，从端口2入射的高频不向端口3输出。

通过使用检波二极管202来观测具有这样的特性的定向耦合器201的端口4的高频输出，能够观测从放射器108a返回的反射波107A的反射量。

控制部103分别与存储部104、停止判定器109、振荡器105a、105b、105c、功率检测器107a、107b、107c连接。此外，控制部103具有如下功能：从存储部104读出算法，向振荡器105a、105b、105c指示频率。另外，控制部103例如可以由LSI或微处理器等构成。

在存储部104中存储有多个用于决定从振荡器105a、105b、105c输出的高频的频率的值的算法。

在本实施方式中，并非仅存储使用全部振荡器105a、105b、105c的情况下的、用于决定全部振荡器的各频率的值的算法。即，在本实施方式中，存在至少包含1个振荡器的、可选择的振荡器的组合。对于各个组合，存储用于决定该组合的各振荡器的频率的算法。另外，存储的算法决定从各高频功率发生单元102a、102b、102c输出的高频被最充分地向被加热物110吸收的频率的值。也就是说，是决定反射波最少的频率的值的算法。

另外，存储部104例如可以由ROM（Read Only Memory）或非易失性的RAM（Random Access Memory）构成。

以下说明存储在存储部104中的算法的具体动作。

首先，控制部103对于将振荡器105a、105b、105c所能够控制的频带（例如从2.4GHz到2.5GHz）分割而得到的频率、即从f1到fn（f1＜f2＜···＜fn：n为3以上的自然数）的各频率，对各自的振荡器的频率进行扫描。这时，由功率检测器107a、107b、107c检测反射波对于从f1到fn的各频率的反射量Prefi（i＝1，····n）。

在此，若假定为除了被加热物110以外没有功率损失，则由被加热物110吸收的功率Pabsi（i＝1，····n）能够由下面的式1求出。

Pabsi＝Pout-Prefi·····（式1）

根据该式可知，Pabsi在频率越大时，反射越少，高频的能量越多地由被加热物110吸收，加热效率越高。

控制部103基于由功率检测器观测的Pabsi，决定加热效率最高的各振荡器的频率的值。并且，控制部103以成为所决定的值的频率的方式，设定各振荡器的频率。

以上说明了在使用全部振荡器105a、105b、105c的情况下，用于决定各振荡器中的全部频率的值的算法。

另一方面，对于振荡器的各个组合的算法也可以是，例如仅作为控制对象的振荡器的数量不同，除此之外基本相同。但是，不作为控制对象的振荡器停止，来自与停止的振荡器对应的功率检测器的输出被忽略。

另外，作为存储在存储部104中的算法，不限于上述那样对频率进行扫描而决定最佳的频率的值的算法。即，也可以是，例如预先在出厂前，对于可选择的振荡器的各个组合，通过上述算法求出各振荡器的最佳的频率的值，并存储这些最佳的频率的值。

停止判定器109判定来自高频功率发生单元102a、102b、102c的高频的输出已停止这一情况。另外，例如通过观测来自放大器106a、106b、106c的电流，能够判定是否输出了高频。

接着，说明实施方式1中的选择用于对被加热物110进行加热的算法的流程。

图3是实施方式1的高频加热装置100中的选择用于对被加热物110进行加热的算法的流程图。

由于高频加热装置100的长期间使用，构成高频功率发生单元102a、102b、102c的部件劣化等，有时成为不输出高频的状态（以后也称为停止的状态）。

停止判定器109判定高频功率发生单元102a、102b、102c中的一部分已停止的情况（步骤S301）。判定为高频功率发生单元102a、102b、102c中的至少1个已停止时，停止判定器109进行如下动作。在该动作中，将表示从任一高频功率发生单元102a、102b、102c向加热室101的高频的输出是否已停止的信息输出至控制部103（步骤S302）。

控制部103确定高频的输出未停止的1个以上的高频功率发生单元。即，能够从这些1个以上的高频功率发生单元选择的高频功率发生单元的组合为1个以上。控制部103从存储部104确定于各个组合对应的算法（步骤S303）。控制部103依次执行从存储部104确定的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合。此外，决定该最好时的各高频功率发生单元的频率的值（步骤S304）。

控制部103向决定的组合所包含的高频功率发生单元中的振荡器输出决定的频率的值（步骤S305）。由此，该振荡器被设定为输出的频率的值（步骤S306）。

通过该设定的频率，高频功率发生单元发出高频，对加热室101内的被加热物110进行加热。

图4A是表示存储在存储部104中的数据的图。

图4B是表示通过图3的流程图的处理来切换加热条件时的例子的图。

如图4A中示意性地所示，在存储部104中存储有使用高频功率发生单元102a、102b、102c的全部来决定成为最佳加热条件的频率的算法A1（算法91）。此外，存储有从高频功率发生单元102a、102b、102c之中选择2个来决定成为最佳加热条件的频率的算法A2、A3、A4（算法921～923）。此外，存储有从高频功率发生单元102a、102b、102c之中选择1个来决定成为最佳加热条件的频率的算法A5、A6、A7（算法931～934）。

通常，高频加热装置100通过由算法A1决定的频率进行加热，该算法A1使用全部高频功率发生单元102a、102b、102c来决定成为最佳加热条件的频率。但是，由于高频加热装置100的经时劣化等，可能存在1个高频功率发生单元停止的情况。

如图4B的流程图所记载，最初，使用算法A1对被加热物110进行加热（步骤S401）。

然后，停止判定器109判定高频功率发生单元102a是否停止（步骤S402）。未判定为已停止的情况下（步骤S402：否），继续算法A1下的加热，在该判定之后，也进行算法A1下的加热（S401）。另一方面，判定为已停止的情况下（步骤S402：是），进行如下动作（S403～）。即，控制部103按照算法A4、A6、A7来依次执行，该算法A4、A6、A7使用高频功率发生单元102a以外的高频功率发生单元102b、102c来决定成为最佳加热条件的频率。由此，控制部103决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率的值（步骤S403）。

在本次的例子中，在按照算法A4决定的频率中，假定为得到了最好的加热效率。在此，按照由该算法A4决定的频率，由高频功率发生单元102b、102c重新开始加热（步骤404）。

通过以上的实施方式1的构成及流程图，本实施方式的高频加热装置100能够得到以下的效果。

高频功率发生单元102a、102b、102c的至少1个停止，而通过未停止的剩余的高频功率发生单元进行加热的情况下，与使用全部高频功率发生单元进行加热的情况相比，加热室101内的微波分布变化。因此，通过剩余的高频功率发生单元进行加热的情况下的、成为最佳的高频的频率的值与下述值不同。即，与通过全部高频功率发生单元进行加热的情况下的、成为最佳的高频的频率的值不同。因此，为了维持较高的加热效率并继续加热，需要再次按照算法来设定高频的频率。

在此，本实施方式的高频加热装置100，预想高频功率发生单元102a、102b、102c停止的情况而进行如下的存储。即，存储能够从高频功率发生单元102a、102b、102c选择的高频功率发生单元的组合。对于各个组合，预先在存储部104中存储用于决定为了高效地加热而对各高频功率发生单元设定的频率的值的算法。

并且，高频加热装置100在高频功率发生单元102a、102b、102c至少1个停止的情况下，选择算法。即，从存储器104选择用于使用未停止的高频功率发生单元的全部或一部分来决定成为最佳加热条件的频率的1个以上算法。然后，通过分别执行这些1个以上的算法，决定加热所使用的高频功率发生单元的组合及各振荡器的频率的值。

通过这些构成，在一部分高频功率发生单元停止的情况下，也能够尽可能地提高加热效率。

另外，在本实施方式1中，使高频功率发生单元停止的情况下，以停止的高频功率发生单元的检测器也停止为前提进行了说明。另一方面，并非一定要使停止的高频功率发生单元的检测器停止。即，若高频功率发生单元停止，则无法从该高频功率发生单元的天线放射高频，但是经由天线能够检测反射波。因此，也可以仅使用检测器的功能，来决定成为最佳加热条件的频率。

例如，高频功率发生单元102a停止的情况下，在重新选择高频的频率的过程中，从高频功率发生单元102b、102c的天线108b、108c放射并计算加热效率时，也可以进行如下动作。在该动作中，在用于该计算的反射波的检测中，使用包含停止的高频功率发生单元102a的检测器（功率检测器）107a在内的全部检测器107a、107b、107c。通过该动作，将高频的频率最佳化。

在加热室101内，根据高频的频率不同，被加热物110的吸收的程度较大地变化。例如，与通过全部高频功率发生单元进行加热相比，有时仅通过一部分高频功率发生单元进行加热时加热效率更高。即，通过投入功率与加热效率相乘所得的值的比较，与使用未停止的全部高频功率发生单元相比，有时仅使用未停止的这些全部高频功率发生单元中的一部分更好。特别是，在使用利用半导体元件的振荡器和放大器的情况下，与使用磁控管的情况不同，能够细致地控制频率，并且还能够控制相位，所以能够使加热室101的空间内的电场分布较大地变化。

因此，通过被加热物的材质和分量、形状不同，有时使用一部分的高频功率发生单元更好。因此，根据高频功率发生单元的组合，还有如下情况。即，与使用大量高频功率发生单元相比，使用较少的高频功率发生单元，有时能够使高频的能量集中到被加热物110的部分上，能够提高加热效率。另外，例如，加热效率是指，从放射器放射的高频的能量怎样程度地由被加热物吸收的效率。

如上所述，在高频功率发生单元的至少1个故障的情况下，有时不通过未停止的全部单元进行加热，而仅使用一部分高频功率发生单元来进行加热，从而能够提高加热效率。

另外，在本实施方式1中，在出厂时，即用户向高频加热装置100发出开始被加热物的加热的指示之前，预先将在高频功率发生单元102a、102b、102c的一部分停止的情况下使用的算法存储到存储部104中。由此，即使在高频功率发生单元102a、102b、102c的一部分停止的情况下，仅读出存储在存储部104中的算法就能够对应。由此，能够在短时间内重新选择加热条件而开始加热。

另外，在实施方式1中，按照存储在存储部104中的算法，使用高频加热装置100所具备的功率检测器107a、107b、107c进行计算。但是，也可以是，在出厂前，预先对振荡器的全部组合，通过上述算法求出各振荡器的最佳的频率的值，将该最佳的频率的值存储在存储部中。这种情况下，在高频加热装置100中，功率检测器107a、107b、107c并不是必须的构成。

此外，例如决定的各个振荡器（振荡器105a、105b、105c）的频率的值也可以是如下的值等。即，作为将由各个功率检测器（功率检测器107a、107b、107c）观测的反射量合计而得的合计量（反射量的平均量），也可以是产生最少的量的频率的值等。

另外，例如也可以对振荡器105a、105b、105c设定相互不同的频率。即，也可以是，对各个振荡器105a、105b、105c的频率单独进行扫描，对这些振荡器105a等分别设定使上述的合计量成为最少的量的各频率的值。

（实施方式2）

在本实施方式2中，与实施方式1相比，不同点在于，对高频的相位进行控制。以下，参照附图说明本发明的实施方式2中的高频加热装置500。另外，对于与实施方式1共通的部分，适当赋予同一符号并省略重复说明。

图5是本发明的实施方式1中的高频加热装置500的框图。

实施方式2与实施方式1相比，在振荡器105a与放大器106a之间还具备相位变换器501a。此外，在振荡器105b与放大器106b之间还具备相位变换器501b。此外，在振荡器105c与放大器106c之间还具备相位变换器501c。

相位变换器501a、501b、501c与控制部103连接。并且，相位变换器501a、501b、501c基于来自控制部103的相位信息，使来自振荡器105a、105b、105c的高频的相位变化。由此，相位变化的高频从相位变换器501a、501b、501c向放大器106a、106b、106c输出。

存储部104存储多个用于决定从振荡器105a、105b、105c输出的高频的频率及相位的值的算法。

在本实施方式中，并不是只存储用于决定使用全部振荡器105a、105b、105c的情况的、各振荡器的频率及相位的值的算法。存储有与从振荡器105a、105b、105c选择的1个以上振荡器的组合分别对应的算法。

另外，存储的各个算法决定从对应的1以上的高频功率发生单元输出的高频最多向被加热物110吸收的频率及相位。也就是说，是决定反射波最少的频率及相位的算法。

以下说明存储在存储部104中的算法的具体动作。

首先，控制部103对于将振荡器105a、105b、105c所能够控制的频带分割而得的频率、即从f1到fn（f1＜f2＜····＜fn：n为3以上的自然数）的各频率，对各个振荡器的频率进行扫描。另外，作为上述的能够控制的频带的一例，例如可以举出从2.4GHz到2.5GHz的频带。这时，由功率检测器107a、107b、107c观测反射波对于从f1到fn的各频率的反射量Prefi（i＝1，····n）。

若假定为除被加热物110以外没有功率损失，则由被加热物110吸收的功率Pabsi（i＝1，····n）可以由下式1求出。

Pabs i＝Pout-Prefi·····（式1）

根据该式可知，Pabsi在频率较大时，反射较少，高频的能量向被加热物110较好地吸收，加热效率较高。

控制部103基于由功率检测器观测的Pabsi，决定加热效率最高的各振荡器的频率。并且，以成为决定的频率的方式设定各振荡器的频率。

接着，对相位变换器501a所能够控制的相位的偏移量θa进行处理。偏移量θa是指，相对于振荡器的相位的、由相位变换器501a调整的相位的变化量。即，对于将相位的偏移量θa分割为规定范围所得到的、从相位的偏移量θa1到θam（θ1＜θ2＜····＜θm：m为3以上的自然数），对相位的偏移量进行扫描。上述的规定范围例如是从0°到360°的范围。

与对频率进行扫描的情况同样，由功率检测器107a、107b、107c观测反射波对于从θa1到θam的各偏移量的反射量Prefj（j＝1、····、m）。

若假定为在被加热物110以外没有功率损失，由被加热物110吸收的功率Pabsj（j＝1、····、m）能够通过下式求出。

Pabsj＝Pout-Prefj·····（式2）

根据该式可知，Pabsj在相位的偏移量较大时，反射较少，高频的能量由被加热物110较好地吸收，加热效率较高。

控制部103基于由功率检测器107a、107b、107c观测到的Pabsj，决定加热效率最高的相位变换器501a的相位的偏移量。然后，以成为所决定的相位的偏移量的方式，设定相位变换器501a的相位的偏移量。

同样地，对于相位变换器501b、501c，也依次决定偏移量，设定各相位变换器501b、501c的相位的偏移量。

在此，为了控制加热室101内的电磁场分布，并不是必须设定全部高频功率发生单元的相位变换器501a、501b、501c的偏移量。加热室101内的电磁场分布能够通过各相位变换器501a、501b、501c的相对的相位差来控制。因此，例如也可以是，控制部103不使用相位变换器501a，仅对相位变换器501b、501c设定相位变化量。

以上说明了在使用全部振荡器105a、105b、105c的情况下，用于决定各振荡器中的全部振荡器的频率的算法。此外，对于振荡器的全部组合的算法，例如仅作为控制对象的振荡器的数量不同，基本与上述算法相同。

另外，在本实施方式2中，控制部103在设定了各振荡器105a、105b、105c的频率之后，设定各相位变换器501a、501b、501c的相位的偏移量。另一方面，也可以采用将设定的顺序倒置的、顺序相反的方法。此外，控制部103也可以反复实施各振荡器的频率和各相位变换器的相位的偏移量的设定，而对设定进行微调整。

另外，作为存储在存储部104中的算法，不限于进行上述动作的算法。即，例如也可以预先在出厂前对于振荡器的全部组合，通过上述的算法求出各振荡器的最佳的频率及相位的偏移量，并存储该频率及相位的偏移量。

另外，其他构成例如与实施方式1同样。

接着，说明本实施方式2的高频加热装置500中的、选择用于对被加热物110进行加热的算法的动作。

图6是选择对实施方式2的高频加热装置500中的被加热物110进行加热的算法的处理的流程图。

停止判定器109判定高频功率发生单元102a、102b、102c的一部分已停止的情况（步骤S301）。判定为高频功率发生单元102a、102b、102c中的至少1个停止的情况下，停止判定器109进行如下的输出。即，将表示从任一高频功率发生单元102a、102b、102c向加热室101的高频的输出是否已停止的信息输出至控制部103（步骤S302）。

控制部103确定高频的输出未停止的1个以上的高频功率发生单元。即，存在能够从这些1个以上的高频功率发生单元选择的高频功率发生单元的组合。控制部103从存储部104确定与各个组合对应的算法（步骤S303）。控制部103依次执行从存储部104确定的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合和加热效率最好时的各高频功率发生单元的频率及相位（步骤S304）。控制部103向决定的组合所包含的各高频功率发生单元中的振荡器输出所决定的频率，向相位变换器输出相位的偏移量（步骤S505）。

对于决定的组合所包含的高频功率发生单元中的振荡器和相位变换器，进行如下动作。即，将该振荡器的频率和该相位变换器的相位的偏移量分别设定为从控制部103输出的频率和相位的偏移量（步骤S506）。通过该设定的频率和相位，高频功率发生单元发出高频而将加热室101内的被加热物110再次加热。

通过以上那样的实施方式2的构成及流程图，本实施方式的高频加热装置500能够得到以下的效果。

在高频功率发生单元102a、102b、102c的至少1个停止、而通过未停止的剩余的高频功率发生单元进行加热的情况下，与使用全部高频功率发生单元进行加热的情况相比，加热室101内的微波分布变化。因此，加热效率最佳的高频的频率和相位的偏移量与使用全部高频功率发生单元进行加热的情况不同。因此，为了维持较高的加热效率而继续加热，需要再次按照算法来设定高频的频率和相位的偏移量。

在此，本实施方式的高频加热装置500预想到高频功率发生单元102a、102b、102c停止的情况，进行如下的存储。即，将用于决定能够使用1个以上的高频功率发生单元高效加热的频率和相位的算法预先存储到存储部104中。

此外，高频功率发生单元102a、102b、102c的至少1个停止的情况下，进行如下的选择。即，控制部103使用剩余的未停止的高频功率发生单元的全部或一部分，从存储部104选择用于决定成为最佳加热条件的频率和相位的值的算法。然后，通过执行这些1个以上的算法，决定用于加热的高频功率发生单元的组合及各振荡器的频率与相位变换器的相位的偏移量。

此外，与实施方式1相比，不同点在于，在本实施方式2的构成中，对高频功率发生单元的振荡器的频率和相位变换器的相位的偏移量的双方进行控制。由此，能够更细致地控制加热室101内的电场分布，向被加热物110的加热效率变得更高。因此，即使一部分高频功率发生单元停止，与实施方式1相比，也能够将加热效率提高到更高的效率。

另外，与实施方式1相同，存在如下情况，即，控制部103并不是使用未停止的全部高频功率发生单元来进行加热。即，有时从存储部104选择对未停止的高频功率发生单元的仅一部分的高频的频率和相位进行控制的算法。

此外，在本实施方式中，对频率和相位进行控制，但是也可以使用将频率固定的振荡器，仅控制相位变换器501a、501b、501c的相位。

此外，存储在存储部104中的算法的具体内容除了以下的点以外，与实施方式1相同。即，除了高频的频率以外，还对相位进行扫描，测定高频的反射量，计算向被加热物110吸收的功率并求出。

即，在存储部104中，与能够从多个（1以上）高频功率发生单元选择的高频功率发生单元的各个组合对应地存储算法。即，在存储部104中存储有用于决定向被加热物110吸收最大的能量的频率和相位的偏移量、即反射波最少的频率和相位的偏移量的算法。

另外，在实施方式2中，按照存储在存储部104中的算法，使用高频加热装置500所具备的功率检测器107a、107b、107c进行计算。但也可以是，在出厂前预先对于振荡器的全部组合，通过上述的算法求出各振荡器的最佳频率和各相位变换器的相位的偏移量。将求出的该最佳的频率和相位的偏移量存储在存储部104中。这种情况下，在高频加热装置500中，功率检测器107a、107b、107c并不是必需的构成。

接着，使用模拟结果来说明本申请发明的效果。

图8A是从上方观察加热室的底面的图，是表示模拟条件的图。

如图8A所示，在由宽度410mm、进深314mm、高度230mm的大小构成的加热室的底面801，配置有4个平面天线801a、801b、801c、801d。配置有平面天线801a、801b、801c、801d的4个位置是从加热室的底面801的中心以等间隔配置的、一边120mm的正方形的4个顶点的位置。此外，作为被加热物，设定285g的水负荷，计算对于该被加热物的加热效率。

图8B是表示对使用全部4个高频功率发生单元（高频功率发生单元102a～102d：参照图8A）的情况、和使用3个或2个高频功率发生单元的情况的加热效率进行计算的结果的第1部分的图。

图8C是表示该结果的第2部分的图。

即，表示设定由各算法决定的加热效率最好的频率或频率及相位的偏移量时的加热效率。

图8B的（0-1）表示使用仅将频率最佳化的算法，对全部4个高频功率发生单元的频率进行控制的情况。（0-2）表示使用将频率和相位的偏移量最佳化的算法，对全部4个高频功率发生单元的频率和相位的偏移量进行控制的情况。仅将频率最佳化时，加热效率为78.4%，通过将频率和相位的偏移量的双方最佳化，能够将加热效率提高到94.98%。即，与仅进行频率的控制相比，通过对频率和相位的偏移量的双方进行控制，能够进一步提高加热效率。

图8B的（1a-1）～（1d-3）是对使高频功率发生单元中的1个停止的情况的加热效率进行计算的结果。

（1a-1）～（1a-3）表示使天线802d的高频的放射停止的情况。

（1a-1）表示，使用全部4个高频功率发生单元，直接使用将频率和相位的偏移量最佳化后的、上述（0-2）的频率和相位的偏移量，从天线（平面天线）801a、801b、801c放射高频时的加热效率。该加热效率如（0-2）所示，为71.25%，与使用4个天线放射高频的上述（0-2）的加热效率94.98%相比大幅降低。即，降低的降低幅度为94.98-71.25＝23.73%。

（1a-2）表示，在使天线802d的高频的放射停止的状态下，使用4个高频功率发生单元的功率检测部的数据，再次将频率和相位的偏移量最佳化时的加热效率。该加热效率为76.36%。在该（1a-2）中，与（1a-1）的加热效率71.25%相比，虽然改善了加热效率，但是与（0-2）的加热效率94.98%相比，仍相当低。

（1a-3）表示，将停止的高频功率发生单元的天线802d与加热室的壁面短路等（例如可以将图12的短路控制部103Q短路）的加热效率。这种情况下，不使用停止的高频功率发生单元的功率检测器的数据，仅使用剩余的3个高频功率发生单元的功率检测器的数据，将频率和相位的偏移量最佳化。该加热效率为93.29%。（1a-3）中的该加热效率93.29%与前述的（0-2）的加热效率94.98%大体同等。

同样地，（1b-1）～（1b-3）表示与天线802c连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（1c-1）～（1c-3）表示与天线802b连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（1d-1）～（1d-3）表示与天线802a连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。

这些结果也与上述的（1a-1）～（1a-3）的结果同样，通过将停止的高频功率发生单元的天线与加热室的壁面短路等，实现了与（0-2）相近的加热效率。即，不使用停止的高频功率发生单元的功率检测器的数据，仅使用剩余的3个高频功率发生单元的功率检测器的数据，将频率和相位的偏移量最佳化。由此，实现了相近的加热效率（参照（1b-3）的91.42%、（1c-3）的96.24%、（1d-3）的89.02%）。

图8C是表示对使各高频功率发生单元中的2个停止的情况的加热效率进行计算的结果的图。

（2a-1）～（2a-3）是使天线802c、802d的高频的放射停止的情况。

（2a-1）为，使用全部4个高频功率发生单元，直接应用将频率和相位的偏移量最佳化后的、（0-2）的频率和相位的偏移量，从天线801a、801b放射高频的情况的加热效率。该加热效率为48.16%，与使用4个天线放射高频的（0-2）的加热效率94.98%相比，大幅降低。即，该降低的降低幅度为94.98-48.16＝46.82%。

（2a-2）表示，在使天线802c、802d的高频的放射停止的状态下，使用4个高频功率发生单元的功率检测部的数据，再次将频率和相位的偏移量最佳化时的加热效率。该加热效率为56.04%。与上述的（2a-1）的加热效率48.16%相比，虽然改善了加热效率，但是与前述的（0-2）的加热效率94.98%相比仍相当低。

（2a-3）表示，将停止的高频功率发生单元的天线802c、802d与加热室的壁面短路等，不使用停止的高频功率发生单元的功率检测器的数据，仅使用剩余的2个高频功率发生单元的功率检测器的数据，将频率和相位的偏移量最佳化时的加热效率。该加热效率为89.99%。（2a-3）中的该加热效率89.99%与（2a-1）、（2a-2）的加热效率48.16%、56.04%相比，大幅改善。

同样地，（2b-1）～（2b-3）表示与天线802b、802c连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（2c-1）～（2c-3）表示与天线802a、802b连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（2d-1）～（2d-3）表示与天线802a、802d连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（2e-1）～（2e-3）表示与天线802b、802d连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。此外，（2f-1）～（2f-3）表示与天线802a、802c连接的高频功率发生单元停止的情况的结果。

这些结果也与（2a-1）～（2a-3）的结果同样，将停止的高频功率发生单元的天线与加热室的壁面短路等，不使用停止的高频功率发生单元的功率检测器的数据，仅使用剩余的2个高频功率发生单元的功率检测器的数据，将频率和相位的偏移量最佳化，从而实现较高的加热效率。

这样，预先准备与高频功率发生单元的各个组合对应的算法。即，不仅准备用于决定使用全部4个高频功率发生单元的功率检测器的数据时的最佳加热条件的算法，还准备用于决定使1个或多个高频功率发生单元停止、而使用剩余的高频功率发生单元的功率检测器的数据时的最佳加热条件（频率和相位的值）的算法。由此，通过根据状況来将算法切换使用，能够维持较高的加热效率。

此外，有如下的各加热效率。即，像（1c-3）那样，使与天线802b连接的高频功率发生单元停止，对剩余的高频功率发生单元的频率和相位的偏移量进行调整时的加热效率（96.24%）。此外，像（2f-3）那样，使与天线802a、802c连接的高频功率发生单元停止，对剩余的高频功率发生单元的频率和相位的偏移量进行调整时的加热效率（96.36%）。这些各热效率分别比对全部4个高频功率发生单元的频率和相位的偏移量进行调整的（0-2）的加热效率（94.98%）高。

即，鉴于这些情况，可以想到进行如下的动作。即，除了由于长期间的使用而高频功率发生单元劣化的情况以外的其他情况（未劣化的情况）下，也主动使1个或多个高频功率发生单元停止，而能够以更高的加热效率进行加热。以下说明这样的主动停止的实施方式。

（实施方式3）

在本实施方式3中，与实施方式1相比，不同点在于，具有用户能够指定加热功率的输入部（图7的输入部701）。以下，参照附图说明本发明的实施方式3中的高频加热装置700。另外，对与实施方式1共通的部分赋予同一符号，并省略详细说明。

图7是本实施方式中的高频加热装置700的框图。

实施方式3与实施方式1相比，还具备能够由用户701u指定加热功率的输入部701。输入部701与控制部103连接。用户能够向输入部701指定对被加热物110进行加热的功率（参照信息701I）。例如，用户能够指定500W、750W、1000W等。

用户701u从输入部701指定加热的功率后，表示所指定的功率的功率信息（参照图10第1列）被输出至控制部103。

控制部103为了满足用户701u指定的功率，从高频功率发生单元102a、102b、102c决定所使用的高频功率发生单元的个数（参照图10第3列、图11的S51）。控制部103从存储部104确定用于使用所决定的高频功率发生单元的个数（例如2个）来进行加热的算法。控制部103依次执行所确定的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率（参照第2、第3列、S52a、S52b）。

然后，向判断为用于加热的高频功率发生单元（例如高频功率发生单元102a、102b）的振荡器输出所决定的频率。此外，向判断为不用于加热的高频功率发生单元（例如高频功率发生单元102c）的振荡器输出停止振荡的信息。

如以上那样，在本实施方式3中，具有能够由用户适当选择用于加热的功率的输入部701，按照用户指定的功率，决定适当个数的高频功率发生单元，选择与个数对应的算法。按照选择的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率。使从高频功率发生单元的一部分向加热室101的高频的输出停止，向未停止的高频功率发生单元输出所决定的频率。

通过这些构成，在用户指定的功率下，也能够使加热效率最大化。

另外，在实施方式3中，控制部103仅规定振荡器105a、105b、105c的频率，但也可以像实施方式2那样，还具备相位变换器501a、501b、501c，对频率和相位的偏移量的双方进行控制。此外，也可以像实施方式2的变形例那样，使用将频率固定的振荡器，仅对相位变换器501a、501b、501c的相位的偏移量进行控制。

另外，例如也可以如上述所述，决定高频功率发生单元的个数。此外，也可以是，例如指定的功率越大，则决定的个数越多。

（实施方式4）

在本实施方式4中，与实施方式1相比，不同点在于，具有能够由用户选择节能模式的输入部。

例如，本发明的实施方式4中的框图与图7所示的实施方式3中的框图相同。但是，能够由用户701u（图7）向输入部701指定对被加热物110进行加热的模式。例如，能够由用户指定加热效率最高的加热模式（节能模式）等。用户从输入部701指定节能模式后，表示所指定的模式的信息（参照图7的信息701I）被输出至控制部103。

控制部103从存储部104调用与能够从全部高频功率发生单元选择的高频功率发生单元的各个组合对应的算法。控制部103依次执行调用的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率。然后，向判断为用于加热的高频功率发生单元（例如高频功率发生单元102a、102b）的振荡器输出所决定的频率。另一方面，向判断为不用于加热的高频功率发生单元（例如高频功率发生单元102c）的振荡器输出停止振荡的信息。

如上所示，在本实施方式4中，具有能够由用户选择加热模式的输入部701，按照用户指定的模式，依次执行与能够选择的组合对应的算法，决定加热效率最好的高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率。然后，按照选择的算法，使从高频功率发生单元的一部分向加热室101的高频的输出停止，向未停止的高频功率发生单元输出加热效率变高的频率。通过这些构成，能够使加热效率最大化。

另外，在实施方式4中，控制部103仅规定振荡器105a、105b、105c的频率，如实施方式2所示，也可以还具备相位变换器501a、501b、501c，对频率和相位的偏移量的双方进行控制。此外，也可以像实施方式2的变形例那样，使用将频率固定的振荡器，仅对相位变换器501a、501b、501c的相位的偏移量进行控制。

此外，作为本实施方式的变形例，还能够由用户从输入部701指定加热时间。

这种情况下，依次执行与高频功率发生单元的各组合对应的算法，根据各组合中的最高的加热效率和加热功率进行逆向计算，决定高频功率发生单元的组合及各高频功率发生单元的频率，以在指定的时间内结束加热处理。另外，这时，根据被加热物110的重量不同，即使是相同的加热功率，加热所需的时间也不同。因此，例如，通过在加热室101的底面配置重量传感器，并正确地测定被加热物的重量，能够更正确地估计加热时间。

（变形的实施方式）

在实施方式1至4的算法中，通过测定来自加热室101的反射波，将高频的频率和相位的偏移量最佳化。但是，在反射波中，有如下的第1、第2反射波。第1反射波是由从天线端观察时的、高频功率发生单元102x侧的阻抗与加热室101侧的阻抗之间的不匹配导致的反射波。第2反射波是从各高频功率发生单元向加热室101的放射的高频未由被加热物110消耗、而经由天线返回的反射波。可以分别检测这2种反射波，仅对某一反射波优先进行控制。

在实施方式1或2中，也可以是，不再从高频功率发生单元的一部分放射高频的情况下，通过高频加热装置所具备的LED或液晶等向用户报知故障。

从实施方式1到4，说明了3个高频功率发生单元，但是使用4个以上高频功率发生单元，并将算法预先存储在存储部中，也能够得到同样的效果。

从实施方式1到4，具有停止判定器109，但是若控制部103具有停止判定的功能，也可以省略停止判定器109。此外，在实施方式3、4中，也可以省略停止判定器109。

在实施方式2中，使用了设定高频的频率和相位的偏移量的双方的算法。另一方面，也可以使用将频率固定的1个振荡器，将仅设定相位变换器501a、501b、501c的相位的偏移量的算法存储到存储部104中而使用。图9表示这样的变形例。

图9是作为本发明的实施方式2的变形例的高频加热装置800的框图。

在图9记载的高频加热装置800中，与图5的高频加热装置500相比，不同点在于，振荡器105a、105b、105c为1个振荡器801x。来自该振荡器801x的高频输出被分配给各相位变换器501a、501b、501c而输出。其他构成与高频加热装置500相同。另外，振荡器的数量不限于1个。

另外，这样，例如进行如下的动作。即，在高频加热装置100中，从多个高频功率发生单元102a、102b、102c中的至少1个向加热室的高频的输出停止的情况下，进行如下的动作。即，这种情况下，控制部103从存储部104选择用于决定使用未停止的高频功率发生单元对被加热物110进行加热时最佳的相位的算法。然后，按照选择的算法，对从未停止的高频功率发生单元的振荡器输出的高频的相位进行控制。通过该构成，使用未停止的剩余的高频功率发生单元进行加热的情况下，也能够提高加热效率，能够可靠地维持较高的加热效率。

另外，也可以是，设置短路控制部（图12的短路控制部103Q），仅一部分（例如仅高频功率发生单元102b、102c）进行放射的情况下（S402：是），使未包含在该一部分中的各个高频功率发生单元102x（例如高频功率发生单元102a）的天线短路。

由此，这些天线分别成为（较大的）负荷，通过加热，能够避免对被加热物110赋予的热量减少。

另外，本发明不仅能够作为装置、系统、集成电路等来实现，也可以作为以构成该装置等的处理单元为步骤的方法来实现，或者作为使计算机执行这些步骤的程序来实现，或者作为记录有该程序的计算机可读取的CD-ROM等记录介质来实现，或者作为表示该程序的信息、数据或信号来实现。并且，这些程序、信息、数据及信号也可以经由因特网等通信网络来发布。

另外，基于实施方式说明了本发明，但本发明不限于上述实施方式。只要不脱离本发明的主旨，对本实施方式施以本领域技术人员能够想到的各种变形的方式、以及将不同的实施方式中的构成要素组合而构成的方式，也包含在本发明的范围内。

工业实用性

本发明在具有多个高频功率发生单元的高频加热装置中，在一部分高频功率发生单元停止的情况、或使一部分高频功率发生停止的情况下，使用未停止的高频功率发生单元，也能够对被加热物最佳地（比较合适地）进行加热，所以作为微波炉等高频加热装置是有用的。

能够可靠地以适当的条件（频率等）进行放射。并且，例如能够可靠地提高加热效率。

符号的说明

100高频加热装置

101加热室

102a、102b、102c高频功率发生单元

102x多个高频功率发生单元

103控制部

104存储部

105a、105b、105c、801振荡器

106a、106b、106c放大器

107a、107b、107c功率检测器

108a、108b、108c放射器

109停止判定器

501a、501b、501c相位变换器

701输入部

801底面

801X宽度

801Y进深

802X距离

802Y距离

9F1、9G1、9H1频率

9F2、9G2、9H2加热效率

802a、802b、802c、802d平面天线

Claims (14)

1.一种高频加热装置，具备：

加热室，容纳被加热物；

多个高频功率发生单元，向所述加热室内放射高频；以及

控制部，从能够对所述多个高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使所述多个高频功率发生单元的所述仅一部分放射所述高频。

2.如权利要求1所述的高频加热装置，

具备输入部，输入预先决定的指示，

所述控制部，在输入了该预先决定的指示的情况下，按照适于所述仅一部分放射所述高频时的、所选择的所述频率或相位的值，使所述多个高频功率发生单元的所述仅一部分放射所述高频。

3.如权利要求2所述的高频加热装置，

还具备存储部，存储多个算法，该多个算法包括：决定在使所述多个高频功率发生单元的全部放射所述高频而对所述被加热物进行加热时适合的频率或相位的值的算法；以及决定在使所述多个高频功率发生单元的所述仅一部分放射所述高频而进行加热时适合的频率或相位的值的算法；

所述控制部从存储的所述多个算法中选择规定的算法，选择由所选择的所述算法决定的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使所述多个高频功率发生单元的全部或所述仅一部分放射所述高频。

4.如权利要求3所述的高频加热装置，

所述输入部是由用户指定从所述多个高频功率发生单元向所述加热室内放射的高频的功率的输入部，

所述控制部执行所存储的多个所述算法中的、对应于与指定的所述功率对应的个数的高频功率发生单元的所述算法，选择由所述算法决定的加热效率最高的所述高频功率发生单元的组合和各个所述高频功率发生单元的频率或相位的值，按照选择的所述高频功率发生单元和所述频率或相位的值，使选择的所述组合的高频功率发生单元放射所述高频。

5.如权利要求3所述的高频加热装置，

所述输入部是由用户指定节能模式的输入部，

所述控制部在指定了所述节能模式的情况下，执行所存储的所述多个算法的每一个，选择由所述算法决定的加热效率最高的所述高频功率发生单元的组合和各个所述高频功率发生单元的频率或相位的值，按照所述频率或相位的值，使选择的所述组合的高频功率发生单元放射所述高频。

6.如权利要求3所述的高频加热装置，

所述输入部是由用户指定加热时间的输入部，

所述控制部执行所存储的所述多个算法的每一个，根据由各个所述算法决定的最高的加热效率和加热功率进行逆向运算，选择所述高频功率发生单元的组合和各个所述高频功率发生单元的频率或相位的值，以在指定的所述加热时间内完成加热处理，按照所述频率或相位的值，使选择的所述组合的高频功率发生单元放射所述高频。

7.如权利要求1所述的高频加热装置，

1个以上的所述高频功率发生单元分别具有：

振荡器，输出高频；

放大器，将从所述振荡器输出的所述高频放大并输出；以及

放射器，将从所述放大器输出的所述高频向所述加热室内放射。

8.如权利要求1所述的高频加热装置，

1个以上的所述高频功率发生单元分别具有：

振荡器，输出高频；

相位变换器，使从所述振荡器输出的所述高频的相位变化并输出；

放大器，将从所述相位变换器输出的所述高频放大并输出；以及

放射器，将从所述放大器输出的所述高频向所述加热室内放射。

9.如权利要求3～6中任一项所述的高频加热装置，

所述存储部在开始所述被加热物的加热之前，预先存储所述多个算法。

10.如权利要求1所述的高频加热装置，

具备检测部，检测无法放射高频的所述高频功率发生单元，

所述控制部选择在除了由所述检测部检测到的无法放射高频的所述高频功率发生单元以外的所述高频功率发生单元的全部或仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使除了所述检测到无法放射高频的高频功率发生单元以外的所述高频功率发生单元的所述全部或仅一部分放射所述高频。

11.如权利要求1所述的高频加热装置，

所述控制部从能够对所述多个高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时加热效率成为最大的频率或相位的值。

12.如权利要求1所述的高频加热装置，

还具备存储部，存储多个算法，该多个算法包括：决定在使所述多个高频功率发生单元的全部放射所述高频并对所述被加热物进行加热时适合的频率或相位的值的算法；以及决定在使所述多个高频功率发生单元的所述仅一部分放射所述高频并进行加热时适合的频率或相位的值的算法，

所述控制部从存储的所述多个算法选择规定的算法，选择由所选择的所述算法决定的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使所述多个高频功率发生单元的全部或所述仅一部分放射所述高频。

13.如权利要求12所述的高频加热装置，

具备检测部，检测无法放射高频的所述高频功率发生单元，

所述控制部选择在除了由所述检测部检测到无法放射高频的的所述高频功率发生单元以外的所述高频功率发生单元的全部或仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值的算法，选择由所选择的所述算法决定的频率或相位的值，按照选择的所述频率或相位的值，使除了所述检测到无法放射高频的高频功率发生单元以外的所述高频功率发生单元的全部或所述仅一部分放射所述高频。

14.如权利要求1所述的高频加热装置，

所述多个高频功率发生单元分别具有放射所述高频的放射器，

所述控制部具备短路控制部，在所述控制部使所述仅一部分放射高频的情况下，使不包含在该一部分中的所述高频功率发生单元各自的所述放射器短路。

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