CN102931822A - 基于主电路脉冲的高压igbt串联主动均压装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了电力电子应用技术领域的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置。其技术方案是，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片。本发明解决高压IGBT串联电路中各高压IGBT器件的电压均衡问题，防止器件承受超过其耐压水平的过高电压而发生损坏，同时有效限制串联电路损耗和开关时间，保证系统可靠性、效率和控制性能。本发明采样串联电路各高压IGBT承受的主电路脉冲，提取其有用信息反馈至控制芯片，控制芯片根据反馈量调整各串联高压IGBT门极信号的时序，实现高压IGBT串联电路的动态均压。

Description

基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置

技术领域

本发明属于电力电子应用技术领域，尤其涉及一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置。

背景技术

近年来，节能、环保和可持续发展成为世界性的话题，各类大容量电力电子变换装置在节能控制和新能源利用方面发挥着越来越重要的作用。同时，大容量电力电子变换装置也越来越多地在冶金轧钢、交通、国防等重要领域得到应用。

随着大容量电力电子变换器应用范围的不断推广和扩展，对其电压、电流和功率等级要求也日益提高。绝缘栅双极型晶体管（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）具有开关速度快、开关损耗小、易于驱动等优势，因而在大容量电力电子装置中得到广泛应用。近年来，IGBT所能达到的额定电压不断提升，但仍难以满足大容量电力电子装置不断增长的电压要求。高压IGBT通常是指耐压3300V及以上电压等级的IGBT器件。在我国的供电电压等级下，若变换器采用常规的两电平拓扑，即便使用现有最高耐压等级的6500V高压IGBT，仍无法与6kV及以上等级的供电系统或负载直接连接。

在现有器件电压水平下，提高电力电子装置的额定电压的措施主要包括三类：增加变压器、采用多电平拓扑、功率半导体器件串联运行。变压器的引入会大幅度增加装置的成本和体积，采用三电平以上的多电平拓扑则会使变换器的结构和控制非常复杂。相比之下，功率半导体器件串联运行相当于利用多个开关器件组成更高额定电压的器件，在理论上是最为直接、易行、低成本的提高电力电子装置电压等级的方法。

IGBT串联运行的关键是确保各IGBT在关断稳定工作状态及开关过程中，其承受电压的均衡，分别称为静态均压和动态均压。

IGBT串联静态电压不均衡主要是由于IGBT漏电流的不一致造成的。在IGBT的集电极C和发射极E之间并联均压电阻，可以很好地实现关断稳态过程中的静态均压。

动态不均压的因素则比较复杂，主要包括IGBT参数不一致、换流回路参数不一致、驱动电路参数不一致、驱动控制信号不一致等，但动态不均压的物理本质均可以归结为开关电磁暂态过程中各串联器件等效电容中瞬态能量的不平衡。以往出现的IGBT串联均压装置主要针对于低压IGBT（耐压1700V及以下）串联电路，按照均压装置中动态均压电路的连接位置，可以分为负载侧均压装置和门极侧均压装置两大类。负载侧均压装置的原理是将开关过程中各串联IGBT之间不平衡的瞬态能量吸收并消耗在IGBT外电路中，如果应用在高压IGBT串联电路中，由于高压IGBT器件承受的电压高、电流大，因此在高压IGBT串联电路长期运行时负载侧均压装置的损耗非常大，造成系统效率大幅度降低和散热困难。门极侧均压装置的原理是在开关过程中增长串联电路中承受较高电压的IGBT工作在放大区的时间，将各串联IGBT之间不平衡的瞬态能量消耗在IGBT中，门极侧均压装置自身的损耗很小，但如果应用在高压IGBT串联电路中，长期运行时高压IGBT工作在放大区产生的高开关损耗将难以承受，造成器件损坏和系统故障，此外门极侧均压装置会增长开关时间，使串联电路开关频率降低，限制系统的控制性能。

可见，以往的IGBT串联均压装置，包括负载侧均压装置和门极侧均压装置，都是在电压不均衡产生之后，将不平衡瞬态能量吸收和消耗在系统中，因此可以总结为被动均压装置。被动均压装置无法避免或抑制IGBT串联电路中不平衡瞬态能量的产生，不适用于高压IGBT串联电路的均压。

主动均压装置是相对于被动均压装置而言的，能够主动调节串联电路中各IGBT的门极信号，从而抑制串联电路中各IGBT之间不平衡瞬态能量的产生，可以在实现均压的同时，避免IGBT及其外电路的过高损耗，因此主动均压装置更适用于高压IGBT串联电路。

发明内容

针对背景技术中提到的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT串联电路中各高压绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的电压均衡问题，本发明提出了一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置。

其技术方案是，一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片；

其中，所述状态反馈电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极连接，状态反馈电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，状态反馈电路的弱电输出端子与控制芯片的输入引脚连接；所述状态反馈电路用于采样高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的主电路脉冲，并将采集到的主电路脉冲发送送至控制芯片；

所述门极驱动电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，门极驱动电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极连接，门极驱动电路的弱电输入端子与控制芯片的输出引脚连接；所述门极驱动电路将控制芯片输出的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT门极控制电信号转换为门极驱动电压，施加在高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极和发射极之间；

所述静态均压电路的正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT集电极连接，负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极连接；所述静态均压电路用于平衡串联电路处于关断稳定状态时各高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的电压；

所述控制芯片各输入引脚分别与状态反馈电路的弱电输出端子连接，各输出引脚分别与门极驱动电路的弱电输入端子连接；所述控制芯片用于接收和处理状态反馈电路输出的反馈电信号，并将处理后的信号发送给门极驱动电路。

所述状态反馈电路包括第一限流电阻、电压尖峰抑制器、二极管、采样电阻、比较电路、光纤反馈信号发送电路、第一光纤和光纤反馈信号接收电路；其中，所述第一限流电阻一端作为状态反馈电路的强电正端子，另一端与电压尖峰抑制器的正端子连接；所述第一限流电阻用于限制状态反馈电路中的电流；

所述电压尖峰抑制器的正端子与第一限流电阻相连，负端子与二极管的阳极相连；所述电压尖峰抑制器用于控制高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受主电路脉冲的电压上升速度和幅值；

所述二极管的阳极与电压尖峰抑制器的负端子连接，阴极与采样电阻连接；所述二极管用于防止电压尖峰抑制器中的电流反向；

所述采样电阻的一端与二极管阴极连接，另一端构成状态反馈电路的强电负端子；所述采样电阻用于将电压尖峰抑制器中的电流转换为电压信号，并将该电压信号输入比较电路；

所述比较电路的两个输入端连接在采样电阻的两端，输出端与光纤反馈信号发送电路的输入端连接；所述比较电路用于将采样电阻两端的电压信号与反馈信号阈值电压进行比较，并将比较结果信号输出到光纤反馈信号发送电路；

所述光纤反馈信号发送电路的输入端与比较电路输出端连接，输出端通过光纤与光纤反馈信号接收电路连接；所述光纤反馈信号发送电路用于将比较电路的比较结果信号通过第一光纤发送给光纤反馈信号接收电路；

所述光纤反馈信号接收电路的输入端通过第一光纤与光纤反馈信号发送电路连接，输出端构成状态反馈电路的弱电输出端子，与控制芯片的输入引脚连接；所述光纤反馈信号接收电路用于将光纤反馈信号转换为反馈电信号传给控制芯片。

所述电压尖峰抑制器由若干支动态电压抑制管串联构成。

所述光纤反馈信号发送电路由光纤信号高速发送端子和限流电阻串联构成。

所述该光纤反馈信号接收电路由光纤信号高速接收端子和限流电阻串联构成。

所述门极驱动电路包括光纤信号发送端子、第二限流电阻、第二光纤、驱动模块和门极电阻；其中，所述光纤信号发送端子的正端与第二限流电阻连接，负端构成门极驱动电路的弱电输入端子；所述光纤信号发送端子输出端连接第二光纤；光纤信号发送端子用于将控制芯片输出的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT门极控制电信号转换为光纤控制信号；

所述第二限流电阻的一端与光纤信号发送端子的正端连接，另一端连接5V电源；所述第二限流电阻用于限制光纤信号发送端子中的电流；

所述第二光纤的一端与光纤发送端子的输出端连接，另一端与驱动模块的输入端连接；所述第二光纤用于传输光纤控制信号；

所述驱动模块的输入端连接第二光纤，正输出端与门极电阻连接，负输出端构成门极驱动电路的强电正端子；所述驱动模块用于将光纤控制信号转换为门极驱动电压，根据光纤信号的亮灭改变门极驱动电压的高低电平，控制高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的导通和关断；

所述门极电阻的一端与驱动模块的正输出端连接，另一端构成门极驱动电路的强电负端子；所述门极电阻用于控制门极电流。

所述静态均压电路由均压电阻组成。

本发明具有以下优点：

1.不增加串联电路中各高压IGBT在开关过程中工作在放大区的时间，因此不增加开关损耗；

2.高压IGBT的负载侧仅有静态均压电路，主动均压装置流过的电流小，损耗低；

3.避免了开关过程中各串联IGBT之间不平衡的瞬态能量的产生，提高了系统效率；

4.使串联电路中各高压IGBT保持正常的开关速度，不增加开关时间，保证了大容量电力电子变换系统的开关频率和控制性能；

5.在主电路和控制板之间采用光纤传输反馈和控制信号，提高了装置在强电磁环境中的抗干扰能力，保证了系统可靠性。

附图说明

图1是本发明提供的总体电路原理图；

图2是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的状态反馈电路部分电路原理图；

图3是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的状态反馈电路中比较电路部分电路原理图；

图4是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的门极驱动电路部分原理图；

图5是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的静态均压电路部分原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对优选实施例作详细说明。应该强调的是下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。

图1是本发明提供的总体电路原理图。图1中，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片；

其中，所述状态反馈电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极连接，状态反馈电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，状态反馈电路的弱电输出端子与控制芯片的输入引脚连接；所述状态反馈电路用于采样高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的主电路脉冲，并将采集到的主电路脉冲发送送至控制芯片；

所述门极驱动电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，门极驱动电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极连接，门极驱动电路的弱电输入端子与控制芯片的输出引脚连接；所述门极驱动电路将控制芯片输出的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT门极控制电信号转换为门极驱动电压，施加在高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极和发射极之间；

所述静态均压电路的正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT集电极连接，负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极连接；所述静态均压电路用于平衡串联电路处于关断稳定状态时各高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的电压；

所述控制芯片各输入引脚分别与状态反馈电路的弱电输出端子连接，各输出引脚分别与门极驱动电路的弱电输入端子连接；所述控制芯片用于接收和处理状态反馈电路输出的反馈电信号，并将处理后的信号发送给门极驱动电路。

图2是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的状态反馈电路部分电路原理图。图2中，在状态反馈电路中，从其强电正端子到强电负端子，依次串接第一限流电阻、电压尖峰抑制器、二极管和采样电阻。由于状态反馈电路中二极管的正向导通压降以及限流电阻和采样电阻上的电压都远低于高压IGBT集电极C和门极G之间电压V_CG，而且V_CG与高压IGBT集电极C和发射极E之间电压V_CE近似相等，因此可以认为电压尖峰抑制器两端电压与V_CE近似相等。电压尖峰抑制器由若干支动态电压抑制管（TVS）串联构成，其击穿电压等于单支TVS击穿电压与TVS个数的乘积。电压尖峰抑制器的击穿电压即为本发明中的主电路脉冲阈值电压，可以通过改变单支TVS击穿电压或改变串联TVS个数进行调整，以适应串联电路中高压IGBT的参数特性。

在高压IGBT开关过程中，如果V_CE超过主电路脉冲阈值电压，则可以认为动态电压抑制器两端电压超过其击穿电压，各TVS被击穿。此时，电压尖峰抑制器两端电压上升速度变缓，限制了V_CE上升速度，有效抑制了主电路脉冲电压尖峰的幅值。同时，由于各TVS被击穿，电压尖峰抑制器中的电流迅速上升，与其串联的采样电阻上的电压随之增高，若采样电阻上的电压超过比较电路的反馈信号阈值电压，则比较电路的输出由低电平变为高电平，光纤反馈信号发送电路输出的光纤反馈信号由亮变灭，光纤反馈信号接收电路输出到控制芯片的反馈电信号由低电平变为高电平。当VC_E回落到主电路脉冲阈值电压以下时，动态电压抑制器中各TVS恢复阻断状态，采样电阻两端电压随着动态电压抑制器中电流的回落而下降，当采样电阻电压下降到0V时，比较电路的输出由高电平变回低电平，光纤反馈信号由灭变亮，控制芯片接收到的反馈电信号再次由高电平变为低电平。

状态反馈电路中的第一限流电阻可以将电流限制在各元件额定电流以下，保证电压尖峰抑制器和二极管不发生过流损坏。电压尖峰抑制器对于从其负端子流向正端子的反向电流没有抑制能力，与其串联的二极管可以有效阻断反向电流，保证电压尖峰抑制器的安全运行。

图3是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的状态反馈电路中比较电路部分电路原理图。比较电路是高速比较器芯片ADCMP600和外围电阻R₁、R₂、R₃、R₄构成的滞环比较电路。定义比较电路输出从低电平变为高电平过程的比较阈值电压为V_TH1，定义比较电路输出从高电平变为低电平过程的比较阈值电压为V_TH2，在比较器芯片外围电阻阻值满足R₁/R₂=R₃/R₄的前提下，可以推导出V_TH1=5R₁/R₂，V_TH2=0。因此，可以通过改变外围电阻的阻值来调整两个比较阈值电压V_TH1和V_TH2。此处的比较阈值电压V_TH1即为所述反馈信号阈值电压。

控制芯片的输入是串联电路中各高压IGBT状态反馈电路输出的反馈电信号。在开关过程中，反馈电信号的高电平时间近似等于高压IGBT集电极C和发射极E之间电压V_CE超过主电路脉冲阈值电压的时间长度。串联电路开通过程中，较晚开通或开通较慢的高压IGBT会承受较高的主电路脉冲电压尖峰，其V_CE超过主电路脉冲阈值电压的时间长于其他高压IGBT，因此其反馈电信号高电平时间也长于其他高压IGBT；串联电路关断过程中，较早关断或关断较快的高压IGBT会承受较高的主电路脉冲电压尖峰，其V_CE超过主电路脉冲阈值电压的时间长于其他高压IGBT，因此其反馈电信号高电平时间也长于其他高压IGBT。基于上述关系，在开通过程中，控制芯片对串联电路中各高压IGBT的反馈电信号高电平时间（表示为AC1_on和AC2_on）进行计时，开通过程结束后，计算各高压IGBT反馈电信号高电平时间之差的绝对值|AC1_on-AC2_on|并将该值作为比例积分（PI）调节器的输入量，比例积分调节器的输出量T_on是控制芯片输出门极控制电信号开通时刻的提前时间量，控制芯片将反馈电信号高电平时间较长的高压IGBT的下次开通时刻提前T_on；在关断过程中，控制芯片对串联电路中各高压IGBT的反馈电信号高电平时间（表示为AC1_off和AC2_off）进行计时，关断过程结束后，计算各高压IGBT反馈电信号高电平时间之差的绝对值|AC1_off-AC2_off|并将该值作为比例积分调节器的输入量，比例积分调节器的输出量T_off是控制芯片输出门极控制电信号关断时刻的延后时间量，控制芯片将反馈电信号高电平时间较长的高压IGBT的下次关断时刻延后T_off。

图4是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的门极驱动电路部分原理图。门极驱动电路由光纤信号发送端子、第二限流电阻、第二光纤、驱动模块和门极电阻组成。控制芯片输出门极控制电信号为低电平时，光纤信号发送端子输出的光纤控制信号点亮，驱动模块输出的门极驱动电压为高电平，高压IGBT导通；控制芯片输出门极控制电信号为高电平时，光纤信号发送端子输出的光纤控制信号熄灭，驱动模块输出的门极驱动电压为低电平，高压IGBT关断。门极驱动电路中的第二限流电阻将光纤信号发送端子中的电流限制在额定电流范围内，保证光纤信号发送端子的可靠工作。门极驱动电路中的门极电阻将高压IGBT的门极电流限制在其额定电流范围内，保证高压IGBT的安全。

图5是本发明提供的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置的静态均压电路部分原理图。静态均压电路由均压电阻构成，可以是单支电阻，也可以是串并联的多支电阻，前提是总阻值和总额定功率符合设计要求。均压电阻的阻值小于高压IGBT在关断稳定状态中的等效电阻（关断稳态电压除以关断漏电流），因此在关断稳定状态中，各高压IGBT与其静态均压电路并联后总的等效电阻之间的差异被有效降低，各高压IGBT之间的电压分配更加平均，即静态均压电路的接入保证了静态均压效果。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片；

其中，所述状态反馈电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极连接，状态反馈电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，状态反馈电路的弱电输出端子与控制芯片的输入引脚连接；所述状态反馈电路用于采样高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的主电路脉冲，并将采集到的主电路脉冲发送送至控制芯片；

所述门极驱动电路的强电正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极连接，门极驱动电路的强电负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极连接，门极驱动电路的弱电输入端子与控制芯片的输出引脚连接；所述门极驱动电路将控制芯片输出的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT门极控制电信号转换为门极驱动电压，施加在高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的门极和发射极之间；

所述静态均压电路的正端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT集电极连接，负端子与高压绝缘栅双极型晶体管IGBT发射极连接；所述静态均压电路用于平衡串联电路处于关断稳定状态时各高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受的电压；

所述控制芯片各输入引脚分别与状态反馈电路的弱电输出端子连接，各输出引脚分别与门极驱动电路的弱电输入端子连接；所述控制芯片用于接收和处理状态反馈电路输出的反馈电信号，并将处理后的信号发送给门极驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述状态反馈电路包括第一限流电阻、电压尖峰抑制器、二极管、采样电阻、比较电路、光纤反馈信号发送电路、第一光纤和光纤反馈信号接收电路；其中，所述第一限流电阻一端作为状态反馈电路的强电正端子，另一端与电压尖峰抑制器的正端子连接；所述第一限流电阻用于限制状态反馈电路中的电流；

所述电压尖峰抑制器的正端子与第一限流电阻相连，负端子与二极管的阳极相连；所述电压尖峰抑制器用于控制高压绝缘栅双极型晶体管IGBT承受主电路脉冲的电压上升速度和幅值；

所述二极管的阳极与电压尖峰抑制器的负端子连接，阴极与采样电阻连接；所述二极管用于防止电压尖峰抑制器中的电流反向；

所述采样电阻的一端与二极管阴极连接，另一端构成状态反馈电路的强电负端子；所述采样电阻用于将电压尖峰抑制器中的电流转换为电压信号，并将该电压信号输入比较电路；

所述比较电路的两个输入端连接在采样电阻的两端，输出端与光纤反馈信号发送电路的输入端连接；所述比较电路用于将采样电阻两端的电压信号与反馈信号阈值电压进行比较，并将比较结果信号输出到光纤反馈信号发送电路；

所述光纤反馈信号发送电路的输入端与比较电路输出端连接，输出端通过光纤与光纤反馈信号接收电路连接；所述光纤反馈信号发送电路用于将比较电路的比较结果信号通过第一光纤发送给光纤反馈信号接收电路；

所述光纤反馈信号接收电路的输入端通过第一光纤与光纤反馈信号发送电路连接，输出端构成状态反馈电路的弱电输出端子，与控制芯片的输入引脚连接；所述光纤反馈信号接收电路用于将光纤反馈信号转换为反馈电信号传给控制芯片。

3.根据权利要求2所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述电压尖峰抑制器由若干支动态电压抑制管串联构成。

4.根据权利要求2所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述光纤反馈信号发送电路由光纤信号高速发送端子和限流电阻串联构成。

5.根据权利要求2所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述该光纤反馈信号接收电路由光纤信号高速接收端子和限流电阻串联构成。

6.根据权利要求1所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述门极驱动电路包括光纤信号发送端子、第二限流电阻、第二光纤、驱动模块和门极电阻；其中，所述光纤信号发送端子的正端与第二限流电阻连接，负端构成门极驱动电路的弱电输入端子；所述光纤信号发送端子输出端连接第二光纤；光纤信号发送端子用于将控制芯片输出的高压绝缘栅双极型晶体管IGBT门极控制电信号转换为光纤控制信号；

所述第二限流电阻的一端与光纤信号发送端子的正端连接，另一端连接5V电源；所述第二限流电阻用于限制光纤信号发送端子中的电流；

所述第二光纤的一端与光纤发送端子的输出端连接，另一端与驱动模块的输入端连接；所述第二光纤用于传输光纤控制信号；

所述驱动模块的输入端连接第二光纤，正输出端与门极电阻连接，负输出端构成门极驱动电路的强电正端子；所述驱动模块用于将光纤控制信号转换为门极驱动电压，根据光纤信号的亮灭改变门极驱动电压的高低电平，控制高压绝缘栅双极型晶体管IGBT的导通和关断；

所述门极电阻的一端与驱动模块的正输出端连接，另一端构成门极驱动电路的强电负端子；所述门极电阻用于控制门极电流。

7.根据权利要求1所述的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置，其特征在于，所述静态均压电路由均压电阻组成。

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