CN102929319A - 一种低压差线性稳压器 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种低压差线性稳压器,包括:误差放大器,误差放大器为双端输入双端输出的全差分误差放大器,用于将反馈电压与参考电压进行比较以生成残差信号并将所述残差信号放大;第一功率器件,用于为负载提供负载电流;第二功率器件,第二功率器件与第一功率器件结构一致,但宽长比缩小;以及共模反馈电路,共模反馈电路根据所述第一功率器件输出端提供的第一共模电平、第二功率器件输出端提供的第二共模电平以及参考电压进行计算并生成共模控制信号,以及输出共模控制信号给误差放大器。本发明提高了电路的对称性,能够将电源上的抖动转化为共模信号,使共模抑制电路的作用更为明显,进一步地提高了低压差线性稳压器的电源纹波抑制比。
Description
技术领域
本发明涉及电子线路领域,特别涉及一种低压差线性稳压器。
背景技术
随着便携式电子产品向着更小型化、性能更强的方向发展,片上系统(SOC)成为集成电路发展方向,一个片上系统的各个模块由单独的线性稳压器单独供电,各个线性稳压器共用一个总的电源线,随着片上系统复杂度的提高和工作频率的提高,电源线上的噪声和杂波越发复杂,影响着片上系统的性能。因此如何提高电源噪声抑制能力成为低压差线性稳压器的一个研究热点。
对于低压差线性稳压器(Low Drop Out Regulator,以下简称LDO),传统的提高电源抑制能力都是在误差放大器部分进行优化,例如提高误差放大器的增益,提高误差放大器的增益确实能显著提高LDO的电源噪声抑制能力,但是高增益的误差放大器容易不稳定,需要比较复杂的频率补偿技术,并且静态功耗也显著增大;再例如在《高性能低压差线性稳压器研究与设计》(浙江大学,王忆,2010-04-01)这篇博士论文中采用三级放大器作为运算放大器,通过优化使三级放大器的电源噪声相互抵消来提高LDO的电源纹波抑制比,但是三级放大器的静态功耗同样很大,并且三级放大器难以完全匹配,随着工艺偏差,各级之间电源噪声抵消的效果会变差,再者三级放大器容易不稳定。综上,现有技术具有功耗大,稳定性差的缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于如何克服现有技术中低压差线性稳压器的低静态功耗和高电源噪声抑制能力不能兼得的缺陷。
为此,本发明的目的在于提出一种低压差线性稳压器,该低压差线性稳压器具有电源纹波抑制能力强、功耗小、稳定性好的的优点。
本发明提出一种低压差线性稳压器,包括:误差放大器,所述误差放大器为双端输入双端输出的全差分误差放大器,用于将反馈电压与参考电压进行比较以生成残差信号并将所述残差信号放大,其中,所述参考电压为所述误差放大器的正输入信号;第一功率器件,用于为负载提供负载电流,其中,所述第一功率器件的输入端与所述误差放大器的正输出端相连,所述第一功率器件的输出端为所述误差放大器提供负输入信号以及为共模反馈电路提供第一共模电平;第二功率器件,所述第二功率器件与所述第一功率器件的结构一致,并且所述第二功率器件中器件的宽长比为所述第一功率器件中器件的宽长比的1/N,其中N>1,其中,所述第二功率器件的输入端与所述误差放大器的负输出端相连,所述第二功率器件的输出端为所述共模反馈电路提供第二共模电平;以及所述共模反馈电路,所述共模反馈电路根据所述第一共模电平、所述第二共模电平以及参考电压进行计算并生成共模控制信号,以及输出所述共模控制信号给所述误差放大器。
在本发明的一个实施例中,所述误差放大器进一步包括:第一NMOS管和第二NMOS管,其中,所述第一NMOS管的栅极接第一偏置电压,所述第二NMOS管的栅极接所述共模控制信号,所述第一NMOS管与第二NMOS管的源极接地;第三NMOS管和第四NMOS管,其中,所述第三NMOS管和第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管和第二NMOS管的漏极相连,所述第三NMOS管的栅极与所述误差放大器的正输入信号相连,所述第四NMOS管的栅极与所述误差放大器的负输入信号相连;第五NMOS管和第六NMOS管,其中,所述第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第六NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连,所述第五NMOS管和第六NMOS管的栅极接第二偏置电压,所述第五NMOS管的漏极接所述负输出端,所述第六NMOS管的漏极接所述正输出端;以及第一PMOS管和第二PNMOS管,其中,所述第一PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极接电源,所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极接第三偏置电压。
在本发明的一个实施例中,所述共模反馈电路进一步包括:第三PMOS管和第四PMOS管,其中,所述第三PMOS管和第四PMOS管的源极接电源,所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极接第四偏置电压;第五PMOS管和第六PMOS管,其中,所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极相连,所述第五PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第一共模电平,所述第六PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平;第七PMOS管和第八PMOS管,其中,所述第七PMOS管的源极与所述第八PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极相连,所述第七PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第二共模电平,所述第八PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平;第七NMOS管,其中,所述第七NMOS管的源极接地,所述第七NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的漏极相连,再与所述第六PMOS管和第八PMOS管的漏极相连,作为所述共模反馈电路的共模输出端,以输出所述共模控制信号给所述误差放大器;以及第八NMOS管,其中,所述第八NMOS管的源极接地,所述第八NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的漏极相连,再与所述第五PMOS管和第七PMOS管的漏极相连。
在本发明的一个实施例中,还包括:第一分压电阻和第二分压电阻,其中,所述第一功率器件的输出端经过所述第一分压电阻和所述第二分压电阻接地,所述第一分压电阻与第二分压电阻之间具有第一节点,所述第一节点提供所述第一共模电平和所述负输入信号;第三分压电阻和第四分压电阻,其中,所述第二功率器件的输出端经过所述第三分压电阻和所述第四分压电阻接地,所述第三分压电阻与第四分压电阻之间具有第二节点,所述第二节点提供所述第二共模电平,其中,第一分压电阻:第三分压电阻=第二分压电阻:第四分压电阻=1:N。
本发明的低压差线性稳压器具有如下优点:(1)两个负反馈系统能共同抑制电源噪声对LDO输出电压的影响,显著提高了LDO的电源纹波抑制能力;(2)两个负反馈系统共同作用,降低了对每个模块的要求,尤其是降低了对误差放大器增益的要求,则显著减小了误差放大器的静态功耗,从而显著减小LDO的静态功耗;(3)将LDO各个模块的要求降低后,电路实现起来更为简单,LDO也更为稳定;(4)误差放大器增益降低,有利于其展宽其带宽,则LDO能够抑制更高频的电源纹波抖动。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明所述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明实施例的低压差线性稳压器的示意图;
图2是本发明实施例的误差放大器的电路图;
图3是本发明实施例的共模反馈电路的电路图;以及
图4是本发明实施例的第一功率器件、第二功率器件及对应的反馈电阻网络的电路图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解所述术语的具体含义。
图1是本发明实施例的低压差线性稳压器的示意图。如图1所示,本发明实施例的低压差线性稳压器包括:误差放大器1、第一功率器件2、第二功率器件3以及共模反馈电路4。具体地:
误差放大器1为双端输入双端输出的全差分误差放大器,用于将LDO的反馈电压与参考电压进行比较以生成残差信号并将残差信号放大。该误差放大器3具有三个输入端口和两个输出端口:两个差分信号输入端(Vin+,Vin-),两个差分信号输出端(vout+,Vout-)和一个共模控制端(Vcon)。其中两个输出端的差模信号受两个输入端的差模信号控制,两个输出端的共模信号受共模控制端控制。如图1所示,该误差放大器1的正输入端Vin+接参考电压Vref,负输入端Vin-接反馈电压Vf1。该误差放大器1的正输出端Vout+接第一功率器件2的输入端,负输出端Vout-接第二功率器件3的输入端。控制端Vcon接共模反馈电路4提供的共模信号Vcm_out。
第一功率器件2用于为负载提供负载电流。其中,第一功率器件2的输入端与误差放大器1的正输出端Vout+相连,输出端Vout接负载,该输出端Vout即LDO的输出端。第一功率器件2的输出端经过通过第一分压电阻RFB1和第二分压电阻RFB2接地,而RFB1,RFB2分压(对应图中A点处)得到反馈电压Vf1,该反馈电压Vf1一方面作为误差放大器1的负输入信号(即反馈电压Vf1接误差放大器1的负输入端Vin-),另一方面作为共模反馈电路4的第一共模电平(即反馈电压Vf1接共模反馈电路4的第一共模输入端Vin1)。
第二功率器件3与第一功率器件2的内部结构一致,第二功率器件3与第一功率器件2的区别在于不需要对外提供大的电流,仅作辅助参考作用。第二功率器件3的输出端经过通过第三分压电阻RFB3和第四分压电阻RFB4接地,而RFB3,RFB4分压(对应图中B点处)得到Vf2,该Vf2作为共模反馈电路4的第二共模电平(即反馈电压Vf2接共模反馈电路4的第二共模输入端Vin2)。第二功率器件3中器件的宽长比为第一功率器件2中器件的宽长比的1/N,其中N>1。相应地各个分压电阻也应符合条件RFB1:RFB3=RFB2:RFB4=1:N。N的取值随实际情况定,一般取N=5。
共模反馈电路4有三个输入信号:两个信号输入端(Vin1、Vin2)和参考共模电平输入端(Vcm)。该共模反馈电路4的作用是:检测Vin1和Vin2的共模电平,将检测到的共模电平与参考共模电平作差运算后将残差放大后输出到共模信号输出端(Vcm_out)。其中共模反馈电路4的Vin1,Vin2端分别与四个分压电阻产生Vf1,Vf2相连,参考共模电平输入端Vcm接LDO的参考电压Vref。共模反馈电路4有两种实现方式,一种先检测两个输入信号的共模电平Vin=(Vin1+Vin2)/2,然后计算该共模电平与参考共模电平的差值Vcm_out=Vcm-Vin=Vcm-(Vin1+Vin2)/2;另一种实现方式,用两个差分电路分别计算参考共模电平与两个输入信号的差值,V1=(Vcm-Vin1)/2,V2=(Vcm-Vin2)/2,然后将两个差值相加Vcm_out=V1+V2=Vcm-(Vin1+Vin2)/2。
由此可以看出,本发明中由误差放大器1和第一功率器件2构成一个负反馈闭环系统,由误差放大器1,第一功率器件2,第二功率器件3和共模反馈电路4构成另一个负反馈闭环系统,这两个负反馈系统能共同抑制电源噪声对LDO输出电压的影响。
本发明利用了共模反馈电路提高LDO电源纹波抑制比,其原理是:首先对于全差分的误差放大器来说,电源上纹波抖动对于误差放大器两个输出端Vout+,Vout-的影响是一样的,Vout+通过功率器件和反馈电阻得到反馈电压Vf1,Vout-通过辅助电路和反馈电阻得到反馈电压Vf2,由于功率器件与辅助电路结构完全一样,则电源上纹波抖动对Vf1和Vf2的影响也完全一样,也即电源噪声的影响是在Vf1和Vf2上叠加了一个共模信号,共模反馈电路的作用即为检测并放大Vf1和Vf2上的共模信号Vf=(Vf1+Vf2)/2,并产生一个控制信号Vcm_out=A*(Vref-Vf);Vcm_out与误差放大器的共模控制端Vcom相连,则误差放大器,第一功率器件,第二功率器件,共模反馈电路构成一个负反馈闭环系统。当电源上产生一个正的偏差时,误差放大器的两个输出信号Vout+和Vout-,以及两个反馈信号Vf1和Vf2,LDO的输出电压Vout均跟随产生一个正的偏差,则共模反馈电路的输出信号Vcm_out产生一个负的偏差,该负的偏差作用在误差放大器的共模控制端Vcon,使误差放大器的输出Vout+和Vout-均下降,抵消掉电源上正的偏差的影响,则Vout+和Vout-,Vf1和Vf2以及LDO的输出电压Vout均返回到之前的稳定电平;反之,当电源上产生一个负的偏差时,情况也一样。因此,共模反馈电路与误差放大器,第一功率器件,第二功率器件(以及分压电阻)构成的负反馈系统能抑制电源偏差对LDO输出电压的影响,也即增强LDO的噪声抑制能力。其抑制噪声的能力受该负反馈系统的开环增益影响,能够抑制的噪声的带宽受该负反馈系统的带宽影响。
本发明的低压差线性稳压器具有如下优点:(1)两个负反馈系统能共同抑制电源噪声对LDO输出电压的影响,显著提高了LDO的电源纹波抑制能力;(2)两个负反馈系统共同作用,降低了对每个模块的要求,尤其是降低了对误差放大器增益的要求,则显著减小了误差放大器的静态功耗,从而显著减小LDO的静态功耗;(3)将LDO各个模块的要求降低后,电路实现起来更为简单,LDO也更为稳定;(4)误差放大器增益降低,有利于其展宽其带宽,则LDO能够抑制更高频的电源纹波抖动。
为使本领域技术人员更好地理解本发明,现结合图2-图4对本发明的各部件分别作进一步介绍。
图2是本发明实施例的误差放大器的电路图。
如图2所示,本发明的误差放大器1进一步包括:第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2,其中,第一NMOS管NM1的栅极接第一偏置电压Vbias1,第二NMOS管NM2的栅极接共模控制信号Vcon,第一NMOS管NM1与第二NMOS管NM2的源极接地;第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4,其中,第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4的源极与第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2的漏极相连,第三NMOS管NM3的栅极与误差放大器的正输入信号Vin+相连,第四NMOS管NM4的栅极与误差放大器的负输入信号Vin-相连;第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6,其中,第五NMOS管NM5的源极与第三NMOS管NM3的漏极相连,第六NMOS管NM6的源极与第四NMOS管NM4的漏极相连,第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的栅极接第二偏置电压Vbias2,第五NMOS管NM5的漏极接负输出端Vout-,第六NMOS管NM6的漏极接正输出端Vout+;以及第一PMOS管PM1和第二PNMOS管,其中,第一PMOS管PM1的漏极与第五NMOS管NM5的漏极相连,第二PMOS管PM2的漏极与第六NMOS管NM6的漏极相连,第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2的源极接电源VDD,第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2的栅极接第三偏置电压Vbias3。
其中NM1,NM2为放大器提供偏置电流,NM3和NM4为主放大管,将输出差分电压信号转化为差分电流信号,NM5和NM6为隔离管,用来隔离输出电压对输入的影响,提高放大器的反向隔离性能,PM1和PM2作为有源电阻,将差分电流信号转化成差分电压信号输出。
图3是本发明实施例的共模反馈电路的电路图。如图3所示,本发明的共模反馈电路4进一步包括:第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4,其中,第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的源极接电源VDD,第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅极接第四偏置电压Vbias4;第五PMOS管PM5和第六PMOS管PM6,其中,第五PMOS管PM5的源极与第六PMOS管PM6的源极和第三PMOS管PM3的漏极相连,第五PMOS管PM5的栅极接共模反馈电路的第一共模电平Vin1,第六PMOS管PM6的栅极接共模反馈电路的参考电平Vcm;第七PMOS管PM7和第八NMOS管PM8,其中,第七PMOS管PM7的源极与第八NMOS管PM8的源极和第四PMOS管PM4的漏极相连,第七PMOS管PM7的栅极接共模反馈电路的第二共模电平Vin2,第八NMOS管PM8的栅极接共模反馈电路的参考电平Vcm;第七NMOS管NM7,其中,第七NMOS管NM7的源极接地,第七NMOS管NM7的栅极与第七NMOS管NM7的漏极相连,再与第六PMOS管PM6和第八NMOS管PM8的漏极相连,作为共模反馈电路的共模输出端Vcm_out,以输出共模控制信号给误差放大器;以及第八NMOS管NM8,其中,第八NMOS管NM8的源极接地,第八NMOS管NM8的栅极与第八NMOS管NM8的漏极相连,再与第五PMOS管PM5和第七PMOS管PM7的漏极相连。
其中,PM3为PM5和PM6提供直流偏置电流,PM5和PM6构成差分对,PM6的漏极输出电流为gm(Vcm-Vin1)/2;PM4为PM7和PM8提供直流偏置电流,PM7和PM8构成差分对,PM8的漏极输出电流为gm(Vcm-Vin2)/2,NM7采用二极管连接方式,作为二极管电阻,收集PM6和PM8的漏极电流,并将其转化为电压信号,作为共模输出信号Vcm_out=gmR(Vcm-Vin1/2-Vin2/2),其中gm为PM5,PM6,PM7,PM8的跨导,R为NM7的等效电阻,近似等1/gm2(gm2为PM7的跨导)。
图4是本发明实施例的第一功率器件、第二功率器件及对应的反馈电阻网络的电路图。如图4所示,可明显地看出第一功率器件2与第二功率器件3具有相同的结构。其中,第一功率器件2中,NMOS管M1是功率管,栅极接输入控制电压Vcon,源极接输出电流端,在LDO的闭环系统中,输出电流端即为LDO的输出电压端,其电压是恒定的,即M1的源极电压是恒定的,当栅极电压Vcom上升时,LDO对外输出电流增大,反之减小;NMOS管M2是隔离管,用来隔离VDD上电源噪声对M1输出电流的影响,M2的源极接M1的漏极,M2的漏极接VDD,栅极通过电阻R1接VDD,并且其栅极与地之间并联电阻C1,R1和C1构成RC网络,抑制电源上高频噪声对输出电流的影响。该第一功率器件2的输出端经过第一分压电阻RFB1和第二分压电阻RFB2后接地,且RFB1,RFB2之间具有第一节点A点,该A点提供Vf1。
第二功率器件3及其对应的反馈电阻网络的结构与第一功率器件及其对应的反馈电阻网络完全一样,只是其MOS管M3,M4的宽度W是功率器件对应的管子M1,M2的1/N(N>1),因为其不需要对外提供大的负载电流,只需要能反应电源噪声对输出反馈电压的影响即可。相应地,第二功率器件3对应的分压电阻RFB3,RFB4分别取的是RFB1,RFB2的N倍。
需要说明的是,第一、第二功率器件及其反馈电阻网络的形式亦可以采取其他形式,图4的示例仅是为了阐述的方便,而不作为本发明的限定。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对所述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。
Claims (4)
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:
误差放大器,所述误差放大器为双端输入双端输出的全差分误差放大器,用于将反馈电压与参考电压进行比较以生成残差信号并将所述残差信号放大,其中,所述参考电压为所述误差放大器的正输入信号;
第一功率器件,用于为负载提供负载电流,其中,所述第一功率器件的输入端与所述误差放大器的正输出端相连,所述第一功率器件的输出端为所述误差放大器提供负输入信号以及为共模反馈电路提供第一共模电平;
第二功率器件,所述第二功率器件与所述第一功率器件的结构一致,并且所述第二功率器件中器件的宽长比为所述第一功率器件中器件的宽长比的1/N,其中N>1,其中,所述第二功率器件的输入端与所述误差放大器的负输出端相连,所述第二功率器件的输出端为所述共模反馈电路提供第二共模电平;以及
所述共模反馈电路,所述共模反馈电路根据所述第一共模电平、所述第二共模电平以及参考电压进行计算并生成共模控制信号,以及输出所述共模控制信号给所述误差放大器。
2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述误差放大器进一步包括:
第一NMOS管和第二NMOS管,其中,所述第一NMOS管的栅极接第一偏置电压,所述第二NMOS管的栅极接所述共模控制信号,所述第一NMOS管与第二NMOS管的源极接地;
第三NMOS管和第四NMOS管,其中,所述第三NMOS管和第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管和第二NMOS管的漏极相连,所述第三NMOS管的栅极与所述误差放大器的正输入信号相连,所述第四NMOS管的栅极与所述误差放大器的负输入信号相连;
第五NMOS管和第六NMOS管,其中,所述第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第六NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连,所述第五NMOS管和第六NMOS管的栅极接第二偏置电压,所述第五NMOS管的漏极接所述负输出端,所述第六NMOS管的漏极接所述正输出端;以及
第一PMOS管和第二PNMOS管,其中,所述第一PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极接电源,所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极接第三偏置电压。
3.如权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述共模反馈电路进一步包括:
第三PMOS管和第四PMOS管,其中,所述第三PMOS管和第四PMOS管的源极接电源,所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极接第四偏置电压;
第五PMOS管和第六PMOS管,其中,所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极相连,所述第五PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第一共模电平,所述第六PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平;
第七PMOS管和第八PMOS管,其中,所述第七PMOS管的源极与所述第八PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极相连,所述第七PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第二共模电平,所述第八PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平;
第七NMOS管,其中,所述第七NMOS管的源极接地,所述第七NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的漏极相连,再与所述第六PMOS管和第八PMOS管的漏极相连,作为所述共模反馈电路的共模输出端,以输出所述共模控制信号给所述误差放大器;以及
第八NMOS管,其中,所述第八NMOS管的源极接地,所述第八NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的漏极相连,再与所述第五PMOS管和第七PMOS管的漏极相连。
4.如权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,还包括:
第一分压电阻和第二分压电阻,其中,所述第一功率器件的输出端经过所述第一分压电阻和所述第二分压电阻接地,所述第一分压电阻与第二分压电阻之间具有第一节点,所述第一节点提供所述第一共模电平和所述负输入信号;
第三分压电阻和第四分压电阻,其中,所述第二功率器件的输出端经过所述第三分压电阻和所述第四分压电阻接地,所述第三分压电阻与第四分压电阻之间具有第二节点,所述第二节点提供所述第二共模电平,
其中,第一分压电阻:第三分压电阻=第二分压电阻:第四分压电阻=1:N。
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