CN102921675A - 一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 - Google Patents
一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102921675A CN102921675A CN2011102275185A CN201110227518A CN102921675A CN 102921675 A CN102921675 A CN 102921675A CN 2011102275185 A CN2011102275185 A CN 2011102275185A CN 201110227518 A CN201110227518 A CN 201110227518A CN 102921675 A CN102921675 A CN 102921675A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- radio
- spray gun
- free radical
- plasma
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,包括两个射频电极、一个接地电极、一个射频电源,其特征在于:该喷枪壳体为金属板,四周密封连接,上端为进气端,下端为喷气口,两个射频电极被壳体围在喷枪内部,介质阻挡层包裹着两个射频电极,喷枪金属壳体作为接地电极保持接地,两个射频电极之间有一条缝隙,工作气体采用氩气和氧气的混合气体,工作气体从两个射频电极之间的缝隙喷出,常压下,当射频电极与射频电源连接时,在射频电极的下面会产生大面积的辉光等离子体,等离子体中的自由基束流与被清洗的物体表面进行反应,由于大部分等离子体在介质阻挡层下面产生,降低了金属污染。
Description
【技术领域】
本发明涉及到一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,喷枪金属壳体作为接地电极保持接地,两个射频电极被介质阻挡层石英包覆,工作气体从两个射频电极之间的缝隙喷出,射频电极与射频电源接通时在射频电极的下面产生大面积的辉光等离子体,等离子体中的自由基与硅片表面光刻胶或其他衬底表面有机物发生反应,达到清洗目的。
【背景技术】
随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的清洗要求也越来越高,在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,传统上的湿化学方法不可控制、清洗不彻底、容易引入新的杂质等,而目前的干法清洗设备,是在真空状态下,使用等离子体对硅片表面直接清洗,真空室中由于离子的溅射,很容易使真空壁上溅射出金属原子,对硅片造成污染,另外采用真空系统使得设备成本高昂,操作繁琐;过去在常压下的等离子体在射频电极和接地电极之间产生,但接地电极由金属构成,容易溅射出金属原子,使硅片等被清洗物体受到金属污染,并且由于放电局限于射频电极和接地电极之间,放电范围较小,因此放电面积受到局限,影响清理速率。
本发明介绍了一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪。喷枪的射频电极由介质阻挡层包覆,喷枪金属壳体作为接地电极,常压下,当射频电极与射频电源连接时,在射频电极的下面会产生大面积的辉光等离子体,等离子体中的自由基束流与被清洗的物体表面进行反应,由于大部分等离子体在介质阻挡层下面产生,因此不会在放电时产生金属溅射,造成金属污染。
【发明内容】
一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,包括两个射频电极、一个接地电极、一个射频电源,其特征在于:该喷枪壳体为金属板,四周密封连接,上端为进气端,下端为喷气口,两个射频电极被壳体围在喷枪内部,介质阻挡层包裹着两个射频电极,喷枪金属壳体作为接地电极保持接地,两个射频电极之间有一条缝隙,工作气体采用氩气和氧气的混合气体,工作气体从两个射频电极之间的缝隙喷出,常压下,当射频电极与射频电源连接时,在射频电极的下面会产生大面积的辉光等离子体,等离子体中的自由基束流与被清洗的物体表面进行反应,由于大部分等离子体在介质阻挡层下面产生,降低了金属污染。
所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:包覆两个射频电极的介质阻挡层材料为石英,两个射频电极呈长方体结构,间距1mm。
所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:喷枪金属壳体与两个射频电极介质阻挡层之间无缝紧贴。
所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:等离子体放电工作气体为氩气和氧气的混合气体,在射频电极的下面产生大面积的辉光等离子体,并且不会有金属原子被溅射出来。
本发明大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,工作在常压下,采用射频电源放电,产生辉光等离子体。由于大部分等离子体在包覆射频电极的介质阻挡层下面产生,因此会减少放电时产生的金属溅射,降低金属污染。
本发明主要用途为清洗硅片表面上的光刻胶和有机污染物,也可用于其它衬底表面的有机物清洗。
【附图说明】
图1为本发明一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪原理示意图。
图2为本发明一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪外形图。
请参阅图1,一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪原理,包括射频电极103、金属壳体101、包覆射频电极的介质阻挡层石英106、射频电源102、供气源107、流量计108以及供气管路109。壳体作为接地电极并保持接地。包覆射频电极的石英与壳体之间无缝连接,两个射频电极间距1mm,供气源107提供氩气和氧气,气体经过流量计108时按一定比例形成混合气体,混合气体经供气导管109后,均匀进入射频电极103之间的间隙,当射频电极103与射频电源102接通后,射频电极的介质阻挡层下面会产生大面积的等离子体,等离子体中的自由基与硅片或其他衬底105表面的光刻胶或其它有机物104发生反应,达到清洗目的。
请参阅图2,一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,工作气体通过上端的进气口202进入喷枪内部,金属壳体101作为接地电极保持接地,包覆射频电极的介质阻挡层106之间是进气狭缝,射频电极通过绝缘块201与射频电源连接。当射频电极与射频电源接通后,在介质阻挡层106的下面会产生大面积的等离子体。
上面参考附图结合具体的实施例对本发明进行了描述,然而,需要说明的是,对于本领域的技术人员而言,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对上述实施做出许多改变和修改,这些改变和修改都落在本发明的权利要求限定的范围内。
Claims (4)
1.一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,包括两个射频电极、一个接地电极、一个射频电源,其特征在于:该喷枪壳体为金属板,四周密封连接,上端为进气端,下端为喷气口,两个射频电极被壳体围在喷枪内部,介质阻挡层包裹着两个射频电极,喷枪金属壳体作为接地电极保持接地,两个射频电极之间有一条缝隙,工作气体采用氩气和氧气的混合气体,工作气体从两个射频电极之间的缝隙喷出,常压下,当射频电极与射频电源连接时,在射频电极的下面会产生大面积的辉光等离子体,等离子体中的自由基束流与被清洗的物体表面进行反应,由于大部分等离子体在介质阻挡层下面产生,降低了金属污染。
2.如权利1所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:包覆两个射频电极的介质阻挡层材料为石英,两个射频电极呈长方体结构,间距1mm。
3.如权利1所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:喷枪金属壳体与两个射频电极介质阻挡层之间无缝紧贴。
4.如权利1所述的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪,其特征在于:等离子体放电工作气体为氩气和氧气的混合气体,在射频电极的下面产生大面积的辉光等离子体,并且不会有金属原子被溅射出来。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110227518.5A CN102921675B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110227518.5A CN102921675B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102921675A true CN102921675A (zh) | 2013-02-13 |
CN102921675B CN102921675B (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=47636681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110227518.5A Expired - Fee Related CN102921675B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102921675B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215171A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Res Dev Corp Of Japan | 大気圧プラズマ反応方法 |
US6396214B1 (en) * | 1998-12-07 | 2002-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Device for producing a free cold plasma jet |
CN1525803A (zh) * | 2003-02-27 | 2004-09-01 | 王守国 | 常压射频和直流混合型冷等离子体系统及其喷枪 |
CN1777346A (zh) * | 2004-11-15 | 2006-05-24 | K.C.科技股份有限公司 | 等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置 |
CN201020056Y (zh) * | 2007-04-05 | 2008-02-13 | 北京白象新技术有限公司 | 具有自检功能的交、直流混合起辉低温等离子体灭菌装置 |
CN101121095A (zh) * | 2007-05-25 | 2008-02-13 | 北京工业大学 | 一种处理挥发性有机物的低温等离子体装置 |
CN102085520A (zh) * | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 中国科学院微电子研究所 | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗系统 |
-
2011
- 2011-08-10 CN CN201110227518.5A patent/CN102921675B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215171A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Res Dev Corp Of Japan | 大気圧プラズマ反応方法 |
US6396214B1 (en) * | 1998-12-07 | 2002-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Device for producing a free cold plasma jet |
CN1525803A (zh) * | 2003-02-27 | 2004-09-01 | 王守国 | 常压射频和直流混合型冷等离子体系统及其喷枪 |
CN1777346A (zh) * | 2004-11-15 | 2006-05-24 | K.C.科技股份有限公司 | 等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置 |
CN201020056Y (zh) * | 2007-04-05 | 2008-02-13 | 北京白象新技术有限公司 | 具有自检功能的交、直流混合起辉低温等离子体灭菌装置 |
CN101121095A (zh) * | 2007-05-25 | 2008-02-13 | 北京工业大学 | 一种处理挥发性有机物的低温等离子体装置 |
CN102085520A (zh) * | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 中国科学院微电子研究所 | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102921675B (zh) | 2017-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102896113A (zh) | 一种新型的双介质阻挡常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
CN103247754B (zh) | 无晶片自动调整 | |
TWI755798B (zh) | 電感耦合電漿處理系統 | |
TW202106121A (zh) | 具有法拉第遮罩裝置的電漿處理系統 | |
CN100571903C (zh) | 清洗硅片刻蚀腔室的方法 | |
CN102310063A (zh) | 蜂窝形状等离子体自由基清洗系统 | |
CN102085520A (zh) | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗系统 | |
CN213660344U (zh) | 一种等离子体处理装置 | |
CN101583233A (zh) | 一种常压等离子体装置 | |
TW200802596A (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR20140022738A (ko) | 플라즈마 프로세싱에서의 결함 감소 | |
CN102085521A (zh) | 常压介质阻挡型活性自由基清洗系统 | |
CN102098863B (zh) | 用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法 | |
CN102891071A (zh) | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
CN102921676A (zh) | 一种新型的具有排气功能的常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
CN102087487A (zh) | 常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法 | |
CN202207679U (zh) | 一种蜂窝状常压等离子体自由基清洗设备 | |
CN102921675A (zh) | 一种新型的大面积放电的常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
CN203030580U (zh) | 一种常压等离子体自由基清洗设备 | |
CN102820204A (zh) | 一种射频、介质阻挡常压辉光等离子体扫描去胶系统 | |
JPH0822980A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008261010A (ja) | 成膜装置 | |
CN102181838B (zh) | 铬版制造工艺 | |
KR100948951B1 (ko) | 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치 | |
TWI667555B (zh) | 光刻膠去除裝置及其清洗方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170125 Termination date: 20190810 |