CN102856367A - 随机噪声源 - Google Patents

随机噪声源 Download PDF

Info

Publication number
CN102856367A
CN102856367A CN2012103011210A CN201210301121A CN102856367A CN 102856367 A CN102856367 A CN 102856367A CN 2012103011210 A CN2012103011210 A CN 2012103011210A CN 201210301121 A CN201210301121 A CN 201210301121A CN 102856367 A CN102856367 A CN 102856367A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gaas
shaped
random noise
noise source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012103011210A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102856367B (zh
Inventor
李文
黄寓洋
殷志珍
张耀辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Original Assignee
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS filed Critical Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority to CN201210301121.0A priority Critical patent/CN102856367B/zh
Publication of CN102856367A publication Critical patent/CN102856367A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102856367B publication Critical patent/CN102856367B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。

Description

随机噪声源
技术领域
本发明涉及信号处理和密码技术领域，特别涉及一种随机噪声源。
背景技术
随机噪声源是随机数产生器的核心。真随机性、高质量、高带宽是高质量噪声源的三个基本要求。首先，高质量的噪声源，要求信号是真随机的。其次，噪声信号的质量要满足随机性的要求，能够通过各种参数测试，如频数、序列、扑克、游程和自相关检验等。最后，在满足真随机性和高质量的前提下，要求噪声源具有尽可能高的带宽。随机噪声源的带宽决定了产生随机数能够达到的速度。
半导体超晶格器件是一个理想的多自由度变量非线性混沌振荡系统。这种固态器件的非线性特性与耦合来源于电子通过量子阱(势阱)的共振隧穿，并取决于超晶格的材料体系、结构设计、掺杂浓度和外加偏压等。在特定条件下，超晶格表现出自发混沌振荡特性。利用这种固态自发混沌振荡特性，可以产生高质量、高带宽的随机噪声，带宽可高达GHz以上。
然而，一般的超晶格均工作在低温环境。为了提高系统的环境适应性，降低环境对其的干扰，扩大其使用范围，实现室温工作的半导体超晶格固态随机噪声源很有必要。
发明内容
本发明提供一种能够工作在室温环境下的高质量、高带宽的随机噪声源，实现带宽GHz以上的平坦宽带混沌信号的输出。
具体地，本发明提供的一种随机噪声源，包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件例如由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。
本发明还提供了一种随机噪声源，包括：半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用GaAs衬底上的GaAs/AlxGa1-xAs材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成，其中x为0.2至1的实数；封装体与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。
本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上；适于应用在数据加密、密钥管理、安全协议、数字签名、身份认证等领域。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的一种随机噪声源的结构示意图；
图2A-2E是利用半导体微加工制作图1中半导体超晶格器件的过程示意图；
图3是图2A中超晶格材料结构的第一种典型结构举例示意图；
图4是图2A中超晶格材料结构的第二种典型结构举例示意图；
图5是图2A中超晶格材料结构的第三种典型结构举例示意图；
图6是本发明的一种随机噪声源的信号测试电路示意图。
具体实施方式
请参阅图1，为本发明的一种随机噪声源的结构示意图。在图1中，随机噪声源100可在室温环境下工作输出高质量、高带宽的随机噪声信号且带宽达GHz以上，其包括半导体超晶格器件120和封装体110。封装体110与半导体超晶格器件120形成电性连接以实现随机噪声信号的输出。本实施例中，半导体超晶格器件120为二端器件，封装体120例如包括微波印刷电路板；半导体超晶格器件120例如利用银浆固定在微波印刷电路板上，并用压焊机引线将半导体超晶格器件120的第一、第二接触电极121、123分别引出以与微波印刷电路板形成电连接，实现随机噪声信号的输出。在此，随机噪声源100的封装形式可以采用DIP，QFP等封装形式。
图2A-2E是利用半导体微加工制作图1中的半导体超晶格器件120的过程示意图。
请参阅图2A，首先提供超晶格材料结构10，其实现方法例如是利用目前主流的分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)等外延生长技术及掺杂技术形成。在图2A中，超晶格材料结构10主要包括：n型掺杂半导体衬底11以及依序形成在n型掺杂半导体衬底11上的第一接触层13、超晶格层结构15以及第二接触层17。本实施例中，为了实现半导体超晶格器件的室温工作，必须增强器件的量子限制效应，抑制各种热激发漏电；同时还需满足超晶格材料结构中晶格匹配的要求，因此超晶格材料结构10优选地采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，其中x优选为0.2至1的实数，更优选的，x=0.45。而超晶格材料结构10中的各个功能层的具体结构将结合图3至图5在后续进行举例说明。
超晶格层结构15主要包括周期排列的势阱层和势垒层而形成多个层叠周期，而层叠周期的数量一般在30至100范围，一般不掺杂或者弱掺杂。超晶格层结构15两端的第一、第二接触层13及17进行n型高掺杂，以利于后续形成低阻的欧姆接触。通常，外延生长及掺杂后的结构为半导体晶圆外延片，因此需要进行切片以获得具有合适尺寸的超晶格材料结构10；而单个超晶格材料结构10的尺寸范围例如在10μm(微米)至100μm范围。此外，在切片后还通常会使用丙酮、异丙醇和去离子水清洗超晶格材料结构10。
请参阅图2B，对半导体超晶格材料结构10进行台面蚀刻，具体方法可为：使用干法蚀刻或者湿法蚀刻方式刻蚀第二接触层17及超晶格层结构15直至第一接触层13后停止，以致于蚀刻后的第二接触层17a及超晶格层结构15a位于第一接触层13的部分区域上，且第一接触层13的暴露区域形成台面130。在图2B中，台面130位于蚀刻后的第二接触层17a及超晶格层结构15a的两侧。干法蚀刻例如是反应离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)、电感耦合等离子体蚀刻(Inductively Coupled Plasma，ICP)或离子束蚀刻(Ion Beam Etching，IBE)等。
请参阅图2C，沉积钝化层18以覆盖第一接触层13、超晶格层结构15a及第二接触层17a。具体地，可以使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）来形成钝化层18。钝化层18例如由100nm至2000nm厚度的氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)等介电材料组成。
请参阅图2D，进行钝化层开孔步骤，以在钝化层18上形成接触孔18a、18b。其中，钝化层开孔可使用干法(例如RIE等)或者湿法蚀刻方式实现，接触孔18a形成于第一接触层13形成的台面130上且位于超晶格层结构15a及第二接触层17a的一侧，接触孔18b形成于第二接触层17a上。
请参阅图2E，进行金属沉积步骤，具体实施方法可为使用电子束蒸发、溅射或者热蒸发形成金属层，且金属层例如由AuGe、Ni、Au及其合金组成。在图2E中，金属层包括第一部分19a及第二部分19b；其中，第一部分19a沉积在接触孔18a内，第二部分19b沉积在接触孔18b和部分钝化层18上而与第一接触层13间隔设置。
最后，对图2E中的结构进行退火步骤，以快速退火使金属层的第一部分19a和第二部分19b分别与第一接触层13和第二接触层17a形成欧姆接触而制得第一、第二接触电极121及123(请参阅图1)，并且第二接触电极123通过钝化层18与第一接触层13间隔设置而相互电绝缘(也即使用介质上走线的方法实现小台面器件电极的引出)；从而可获得本实施例中的半导体超晶格器件120(如图1所示)。退火温度例如在350摄氏度至450摄氏度，退火时间例如为10至200秒。
请参阅图3，为图2A中超晶格材料结构10的第一种典型结构举例示意图。在图3中，超晶格材料结构10采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系，其包括n型Si(硅)掺杂InP衬底11以及依序形成在n型Si掺杂InP衬底11上的n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层13、In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格层结构15、n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层17。其中，n型Si掺杂InP衬底11的Si掺杂浓度为2×1018cm-3。n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层13包括：4000Ǻ(埃)n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的In0.53Ga0.47As层和1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的In0.53Ga0.47As层。In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格层结构15依序包括：8.8Ǻ 第一In0.53Ga0.47As层、17.6Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的In0.53Ga0.47As势阱层、8.8Ǻ 第二In0.53Ga0.47As层及29.4Ǻ In0.52Al0.48As势垒层。n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层17依序包括：1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的In0.53Ga0.47As层、1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的In0.53Ga0.47As层及3000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1019cm-3的In0.53Ga0.47As层。
请参阅图4，为图2A中超晶格材料结构10的第二种典型结构举例示意图。在图4中，超晶格材料结构10采用InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系，其包括n型Si(硅)掺杂InP衬底11以及依序形成在n型Si掺杂InP衬底11上的n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层13、InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构15、n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层17。其中，n型Si掺杂InP衬底11的Si掺杂浓度为2×1018cm-3。n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层13包括：4000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的In0.53Ga0.47As层和1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的In0.53Ga0.47As层。InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构15依序包括：4.40Ǻ 第一In0.53Ga0.47As层、9.09Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的InAs势阱层、4.40Ǻ 第二In0.53Ga0.47As层及14.15Ǻ AlAs势垒层。n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层17依序包括：1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的In0.53Ga0.47As层、1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的In0.53Ga0.47As层及3000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1019cm-3的In0.53Ga0.47As层。此外，在n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层13及n型Si掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层17与InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构15之间还分别形成有7.34 Ǻ不掺杂的In0.53Ga0.47As层，以降低载流子的泄露。
此外，对于使用InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系的情形下，可以补偿 AlAs 与 InP 材料的晶格失配；通过合理选择InGaAs的组分，可以使其晶格常数与InP衬底一致。而 InAs、AlAs 的晶格常数分居 InP 的两侧，可以通过合理设计，为两者选择合适厚度，达到补偿与InP衬底应力失配的效果。
请参阅图5，为图2A中超晶格材料结构10的第三种典型结构举例示意图。在图5中，超晶格材料结构10采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系，其包括n型Si掺杂GaAs衬底11以及依序形成在n型Si掺杂GaAs衬底11上的n型Si掺杂GaAs第一接触层13、GaAs/Al0.45Ga0.55As超晶格层结构15、n型Si掺杂GaAs第二接触层17。其中，n型Si掺杂GaAs衬底11的Si掺杂浓度为2×1018cm-3。n型Si掺杂GaAs第一接触层13包括：5000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的GaAs 层和1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的GaAs层。GaAs/Al0.45Ga0.55As超晶格层结构15依序包括：20Ǻ 第一GaAs层、30Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的GaAs势阱层、20Ǻ 第二GaAs层及40Ǻ Al0.45Ga0.55As势垒层。n型Si掺杂GaAs第二接触层17依序包括：1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1017cm-3的GaAs层、1000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1018cm-3的GaAs层及3000Ǻ n型Si掺杂浓度为2×1019cm-3的GaAs层。此外，在n型Si掺杂GaAs第一接触层13及n型Si掺杂GaAs第二接触层17与GaAs/Al0.45Ga0.55As超晶格层结构15之间还分别形成有20 Ǻ不掺杂的GaAs层，以降低载流子的泄露。
在本发明第四实施例中，超晶格材料结构10采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.2Ga0.8As材料体系， 其他结构与第三种典型结构相同，不再赘述。
在本发明第五实施例中，超晶格材料结构10采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.4Ga0.6As材料体系， 其他结构与第三种典型结构相同，不再赘述。
在本发明第六实施例中，超晶格材料结构10采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.5Ga0.5As材料体系， 其他结构与第三种典型结构相同，不再赘述。
在本发明第七实施例中，超晶格材料结构10采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.98Ga0.02As材料体系， 其他结构与第三种典型结构相同，不再赘述。
需要说明的是，实施例一至实施例七所示仅为本发明的超晶格材料结构10的举例，本发明并不以此为限；超晶格材料结构10中的各个功能层的具体结构、厚度、掺杂浓度以及材料组分等可根据实际应用情形适当调整。
请参阅图6，为本发明实施例的一种随机噪声源信号测试电路示意图。在本发明实施例中，在获得图1所示随机噪声源100之后，可搭建如图6所示的测试架构对随机噪声源100输出的噪声信号进行分析，其中噪声信号分析包括对振荡信号进行时、频域分析两部分。在图6所示的测试架构中，测量连接线路均采用带SMA(Sub-Miniature Type A，微型A型)接头的50欧姆高频电缆线，带宽为20GHz以上；取样电阻200使用50欧姆的精密同轴负载，偏置电源使用Keithley 2612A电源，高频示波器300采用Agilent 86109B 50G高速采样示波器，高频示波器300和频谱分析仪400电性连接至取样电阻200和随机噪声源100之间的节点。通过这中测试架构，可以分析特定偏置电压下的超晶格固态自发混沌振荡特性。从实际测试结果来看：本发明上述实施例提供的随机噪声源100可以在室温条件下，产生3dB带宽达2GHz的宽带噪声信号，其能够产生随机数的速度达1 Gbit/s。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1.一种随机噪声源，其特征在于，包括：
半导体超晶格器件，由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成；以及
封装体，与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。
2.如权利要求1所述的随机噪声源，其特征在于，采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂InP衬底、n型掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层、In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格层结构以及n型掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层；并且In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格层结构中的In0.53Ga0.47As势阱层为n型掺杂。
3.如权利要求2所述的随机噪声源，其特征在于，该In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格层结构包括多个层叠周期，每个层叠周期依序包括：第一In0.53Ga0.47As层、n型掺杂In0.53Ga0.47As势阱层、第二In0.53Ga0.47As层以及In0.52Al0.48As势垒层；该多个层叠周期的数量为30至100个。
4.如权利要求2所述的随机噪声源，其特征在于，该n型掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层与该n型掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层中的每一个是由多个掺杂浓度不同的In0.53Ga0.47As层构成。
5.如权利要求1所述的随机噪声源，其特征在于，采用InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂InP衬底、n型掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层、InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构以及n型掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层；并且InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构中的InAs势阱层为n型掺杂。
6.如权利要求5所述的随机噪声源，其特征在于，该InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构包括多个层叠周期，每个层叠周期依序包括：第一In0.53Ga0.47As层、n型掺杂InAs势阱层、第二In0.53Ga0.47As层以及AlAs势垒层；该多个层叠周期的数量为30至100个。
7.如权利要求5所述的随机噪声源，其特征在于，该n型掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层与该n型掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层中的每一个是由多个掺杂浓度不同的In0.53Ga0.47As层构成。
8.如权利要求5所述的随机噪声源，其特征在于，该n型掺杂In0.53Ga0.47As第一接触层及该n型掺杂In0.53Ga0.47As第二接触层与该InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs超晶格层结构之间还分别形成有不掺杂的In0.53Ga0.47As层，以降低载流子的泄露。
9.如权利要求1所述的随机噪声源，其特征在于，采用GaAs衬底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂GaAs衬底、n型掺杂GaAs第一接触层、GaAs/Al0.45Ga055As超晶格层结构以及n型掺杂GaAs第二接触层；并且GaAs/Al0.45Ga055As超晶格层结构中的GaAs势阱层为n型掺杂。
10.如权利要求9所述的随机噪声源，其特征在于，该GaAs/Al0.45Ga055As超晶格层结构包括多个层叠周期，每个层叠周期依序包括：第一GaAs层、n型掺杂GaAs势阱层、第二GaAs层以及Al0.45Ga055As势垒层；该多个层叠周期的数量为30至100个。
11.如权利要求9所述的随机噪声源，其特征在于，该n型掺杂GaAs第一接触层与该n型掺杂GaAs第二接触层中的每一个是由多个掺杂浓度不同的GaAs层构成。
12.如权利要求9所述的随机噪声源，其特征在于，该n型掺杂GaAs第一接触层及该n型掺杂GaAs第二接触层与该GaAs/Al0.45Ga055As超晶格层结构之间还分别形成有不掺杂的GaAs层，以降低载流子的泄露。
13.如权利要求1所述的随机噪声源，其特征在于，该半导体超晶格器件为二端器件。
14.如权利要求1所述的随机噪声源，其特征在于，该封装体包括微波印刷电路板，与该半导体超晶格器件电性连接。
15. 一种随机噪声源，其特征在于，包括：
半导体超晶格器件，由采用GaAs衬底上的GaAs/AlxGa1-xAs材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成，其中x为0.2至1的实数；
封装体，与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。
CN201210301121.0A 2012-02-13 2012-08-23 随机噪声源 Expired - Fee Related CN102856367B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210301121.0A CN102856367B (zh) 2012-02-13 2012-08-23 随机噪声源

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210031598.1 2012-02-13
CN2012100315981A CN102569369A (zh) 2012-02-13 2012-02-13 随机噪声源
CN201210301121.0A CN102856367B (zh) 2012-02-13 2012-08-23 随机噪声源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102856367A true CN102856367A (zh) 2013-01-02
CN102856367B CN102856367B (zh) 2015-01-21

Family

ID=46414347

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012100315981A Pending CN102569369A (zh) 2012-02-13 2012-02-13 随机噪声源
CN201210301121.0A Expired - Fee Related CN102856367B (zh) 2012-02-13 2012-08-23 随机噪声源

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012100315981A Pending CN102569369A (zh) 2012-02-13 2012-02-13 随机噪声源

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN102569369A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111029403A (zh) * 2018-10-09 2020-04-17 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 信号处理装置和信号处理方法、半导体超晶格器件的应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103354494B (zh) * 2013-07-05 2016-08-10 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于超晶格混沌同步的通讯系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101053129A (zh) * 2004-09-16 2007-10-10 康宁股份有限公司 制造一种InP基垂直腔面发射激光器的方法及由此方法制造的装置
CN101981699A (zh) * 2008-01-28 2011-02-23 阿米特·戈亚尔 基于半导体的大面积柔性电子器件
US20110127491A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101053129A (zh) * 2004-09-16 2007-10-10 康宁股份有限公司 制造一种InP基垂直腔面发射激光器的方法及由此方法制造的装置
CN101981699A (zh) * 2008-01-28 2011-02-23 阿米特·戈亚尔 基于半导体的大面积柔性电子器件
US20110127491A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YAOHUI ZHANG ET AL: "Transition between synchronization and chaos in doped GaAs/AlAs superlattices", 《SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111029403A (zh) * 2018-10-09 2020-04-17 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 信号处理装置和信号处理方法、半导体超晶格器件的应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN102569369A (zh) 2012-07-11
CN102856367B (zh) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103346406B (zh) 基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器
CN104465342B (zh) 基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法
CN109991766B (zh) 一种加载于波导内的高电子迁移率晶体管太赫兹波调制器
JP2008227084A (ja) 半導体装置
WO2014070281A2 (en) Optically-triggered linear or avalanche solid state switch for high power applications
Razzak et al. RF operation in graded AlxGa1− xN (x= 0.65 to 0.82) channel transistors
CN102856367B (zh) 随机噪声源
CN105549227A (zh) 一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器
Pandey et al. Andreev reflection in ballistic normal metal/graphene/superconductor junctions
CN105206684B (zh) 一种平面耿氏二极管及其制备方法
CN102570978A (zh) 随机噪声源及其制作方法
CN107170800A (zh) 一种复合钝化层栅场板GaN HEMT元胞结构及器件
CN114649409A (zh) 高电子迁移率晶体管、制备方法、功率放大/开关器
CN107017310B (zh) 一种高功率低噪音的平面耿氏二极管及其制备方法
CN110504297A (zh) 基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用
Kim et al. GaN MIS-HEMT PA MMICs for 5G mobile devices
CN209641619U (zh) 一种电子束器件
JP2001156301A (ja) 共鳴トンネル装置
CN209071337U (zh) 带多量子阱缓冲层的phemt低噪声放大器外延结构
Kuhnel et al. Solution processable GHz silicon Schottky diodes
EP4174956A1 (en) A high frequency switch with field effect transistor
Cao et al. RF Harmonic Distortion of Coplanar Waveguides on GaN-on-Si and GaN-on-SiC Substrates
Ulutas et al. Influence of Bi on dielectric properties of GaAs1− xBix alloys
CN115985960B (zh) 一种高速GaN功率器件及其制备方法
Huang et al. A monolithic distributed phase shifter based on right-handed nonlinear transmission lines at 30 GHz

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150121

Termination date: 20200823