CN102854759A - 降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，包括：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。利用本申请所提供的方法，可以避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种降低光刻胶图形缺陷的方法以及一种形成光刻胶图形的设备。
背景技术
涂胶、显影工艺是半导体制造中的一项重要技术。具体的，在涂胶、显影工艺里，晶圆需在涂胶/显影机中经历一系列的工艺步骤，如在预处理晶圆的上表面涂胶、甩胶、烘焙（常称软烘），期间，利用涂胶/显影机内部的自动传送装置将晶圆在各操作位之间转移。软烘完成后，利用另一套传送装置将经过涂胶处理的晶圆每次一片的送入对准与曝光系统中，进行曝光，从而将特定掩膜版上的图形直接刻印到已经过涂胶处理的晶圆上。曝光后的晶圆需从曝光系统转移到晶圆轨道系统，进行短时间的曝光后烘焙（常称为后烘），以提供光刻胶的粘附性并减少驻波。而后，晶圆重新回到涂胶/显影机中，进行显影。
然而，利用上述工艺步骤对晶圆进行涂胶、显影后，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。
发明内容
本发明解决的问题是利用现有技术中的涂胶、显影工艺，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。
为解决上述问题，本发明提供了以下技术方案：
一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，包括：
判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；
统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；
根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
优选的，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
优选的，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
优选的，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶包括：
判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；
判断所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
优选的，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶还包括：
判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
优选的，所述根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作包括：
当所统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶；
当所统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。
优选的，所述停止运行所述第一光刻胶后还包括：清除所述涂胶/显影机内，第二光刻胶运行过程中产生的废气。
优选的，所述清除所述涂胶/显影机内，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
优选的，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。
一种形成光刻胶图形的设备，包括涂胶/显影机和自动控制装置；其中，所述自动控制装置包括：
判断单元：用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；
统计单元：用于统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机内处理过的晶圆数量；
控制单元：用于根据所述统计单元统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
优选的，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
优选的，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
优选的，所述判断单元包括：
第一判断单元：用于判断即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；
第二判断单元：用于判断所述第一光刻胶运行之间，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
优选的，所述判断单元还包括：
第三判断单元：用于判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
优选的，所述控制单元包括：
第一控制单元：用于当所述统计单元中统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行第一光刻胶；
第二控制单元，用于当所述统计单元中统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行第一光刻胶。
优选的，所述控制单元还包括：
第三控制单元：用于停止运行所述第一光刻胶后，控制所述涂胶/显影机，清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。
优选的，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；
其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
优选的，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
由于第二光刻胶运行过中所产生的废气会对第一光刻胶的运行产生一定的影响，因此，本发明所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法中，会在涂胶/显影机里运行第一光刻胶之前，先判断之前运行过的光刻胶中是否存在第二光刻胶。如果存在，则会统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量，并根据所统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作，从而避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法流程图；
图2为本发明实施例一中，所提供的判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶的一种方法流程图；
图3为本发明实施例一中，所提供的判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶的另一种方法流程图；
图4是本发明实施例二所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法流程图；
图5是本发明实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，自动控制装置的结构示意图；
图6是本发明实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，判断单元的一种结构示意图；
图7是本发明实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，判断单元的另一种结构示意图；
图8是本发明实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，控制单元的结构示意图；
图9是本发明实施例四所提供的形成光刻胶图形设备中，控制单元的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述，利用现有技术中的涂胶、显影工艺，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。
发明人研究发现，这是由于现有技术中涂胶/显影机的涂胶单元里，通常安装有多种不同种类的光刻胶，而且根据具体的生产需求，不同种类的光刻胶混合运行，即根据生产需要，所述涂胶单元在待处理的晶圆表面涂覆特定种类光刻胶，而且涂覆有光刻胶的晶圆，会在所述涂胶/显影机中高精度热板单元的反应腔室里，经历的曝光后的烘烤制程（常称为后烘），而在后烘制程中会产生大量的废气。
发明人进一步研究发现，所述废气中的成分含有残留的氨和溶解剂，而所述废气中的氨会污染所述高精度热板单元的反应腔室。当所述涂胶单元里先前运行的光刻胶为高沸点材料时，涂覆有该光刻胶的晶圆，在经历后烘制程时，所产生的废气不易排出所述高精度热板单元的反应腔室，从而导致所述高精度热板单元的反应腔室受到污染。
由于所述涂胶单元中不同种类的光刻胶是混合运行的，当所述高精度热板单元的反应腔室受到污染后，所述涂胶单元中再运行对氨比较敏感的光刻胶时，涂覆有该光刻胶的晶圆，在经历曝光后的烘烤制程时，曝光过程中所产生的光酸，就会部分被所述高精度热板单元的反应腔室内残留的氨中和，从而使得涂覆有该对氨敏感的光刻胶的晶圆，在经历后续的显影过程中，其表面的光刻胶无法反应完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响后续刻蚀工艺的正常进行。
有鉴于此，本发明提供了一种降低光刻胶图形的方法，应用涂胶/显影机，包括：
判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；
统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；
根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
由于所述第二光刻胶运行过中所产生的废气会对所述第一光刻胶的运行产生一定的影响，因此，本发明所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法中，会在涂胶/显影机里运行第一光刻胶之前，先判断之前运行过的光刻胶中是否存在第二光刻胶。如果存在，则会统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前的时间里，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量，并根据所统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作，从而避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，最终影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例一：
如图1所示，本发明所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，所述涂胶/显影机包括涂胶单元和高精度热板单元，包括以下步骤：
步骤S101：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶。其中，所述第一光刻胶的材料对氨敏感；所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
在本发明的一个实施例中，如图2所示，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶包括：
首先判断所述涂胶/显影机的涂胶单元中，当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶。如果所述涂胶单元中即将开始运行的光刻胶为第一光刻胶，则判断所述涂胶单元中，在所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
如果所述涂胶单元中在运行所述第一光刻胶之前，没有运行过所述第二光刻胶，则所述涂胶单元中直接开始运行所述第一光刻胶；如果所述涂胶单元中在运行所述第一光刻胶之前，曾运行过所述第二光刻胶，则执行步骤S102。
在本发明的另一个实施例中，如图3所示，当所述涂胶单元中，在运行所述第一光刻胶之前，曾运行过所述第二光刻胶时，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶，还可以进一步判断所述涂胶单元中，在即将开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。如果所述涂胶单元中刚刚结束运行的光刻胶是第二光刻胶，则直接停止运行所述第一光刻胶；如果所述涂胶单元中刚刚结束运行的光刻胶不是第二光刻胶，再执行步骤S102。
如果所述涂胶单元中即将开始运行的光刻胶不是所述第一光刻胶，则所述涂胶单元中直接开始运行该光刻胶。
步骤S102：统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量。
由前可知，所述第二光刻胶在后烘制程中所产生的废气会对所述第一光刻胶的后烘制程造成影响，即所述第一光刻胶在曝光过程中所产生的光酸。会部分被所述第二光刻胶在后烘制程中所产生的废气中存在的氨中和，从而使得所述第一光刻胶在显影过程中反应不完全，进而导致涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，在经历显影之后，其表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，影响到后续刻蚀工艺的正常进行。
发明人更进一步研究发现，当所述涂胶单元中在所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述高精度热板单元的反应腔室内处理过的晶圆数量不小于24个时，所述第一光刻胶和第二光刻胶运行之间所经历的时间，可以将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶在显影过程中反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。
因此，当所述涂胶单元中在运行所述第一光刻胶之前，曾运行过所述第二光刻胶时，需统计所述涂胶单元中在开始运行所述第一光刻胶之前，结束运行所述第二光刻胶之后，所述高精度热板单元中处理过得晶圆数量。当获得该统计值之后，执行步骤S103。
需要说明的是，所述高精度热板单元中包括4个反应腔室，且在所述涂胶/显影机正常工作时，4个反应腔室同时工作。而每个反应腔室中每次仅处理一个晶圆，因此，本发明实施例中在统计所述高精度热板单元中处理过的晶圆数量时，统计的是4个反应腔室中处理过得晶圆总量，其中，每个反应腔室中所处理过得晶圆数量相等。
步骤S103：根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
当所统计的所述高精度热板单元中处理过得晶圆数量小于24时，所述第二光刻胶在后烘制程中所产生的废气，仍会对所述第一光刻胶的后烘制程产生不利影响，故需要控制所述涂胶/显影机停止运行所述涂胶单元中的第一光刻胶。
当所统计的所述高精度热板单元中处理过的晶圆数量不小于24时，所述第二光刻胶在后烘制程中所产生的废气，不会再对所述第一光刻胶的后烘制程和显影过程产生不利影响，故可以控制所述涂胶/显影机继续运行所述涂胶单元中的第一光刻胶。
在本发明的一个实施例中，所述步骤S101中仅判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶时，若所述涂胶/显影机中的涂胶单元里，在运行所述第一光刻胶之前，未运行过所述第二光刻胶时，则所述涂胶单元中未运行所述第一光刻胶之前，所述高精度热板单元中的反应腔室里处理过的晶圆数量不进行统计。只有当所述第二光刻胶结束运行时，才开始统计所述高精度热板单元中的反应腔室里处理过的晶圆数量，直到所述涂胶单元中开始运行所述第一光刻胶时，统计结束。
当所统计的数量为0时，则代表所述涂胶单元中刚刚结束运行所述第二光刻胶，就开始运行所述第一光刻胶，即所述第一光刻胶紧跟于所述第二光刻胶之后，中间不运行其他光刻胶，此时，需控制所述涂胶/显影机停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
所述统计的高精度热板单元中处理过的晶圆数量大于0且小于24时，则代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，运行过第三光刻胶，但是所述第三光刻胶运行的时间，仍不能将所述高精度热板单元中残留的氨降到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，仍会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。这时，仍需要控制所述涂胶/显影机，停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
当所述统计的高精度热板单元中处理过的晶圆数量不小于24时，则代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，运行过第三光刻胶，且所述第三光刻胶运行的时间，可以将所述高精度热板单元中反应腔室内残留的氨，降到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。这时，可以继续进行所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
在本发明的另一实施例中，所述步骤S101中包括进一步判断所述涂胶单元中，在即将开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶时，则可以时刻对所述高精度热板单元中反应腔室里处理过的晶圆数量进行统计。当所述涂胶单元中运行第一光刻胶运行前，未运行过所述第二光刻胶时，或所述涂胶单元中运行第一光刻胶运行前，刚刚结束运行的光刻胶为所述第二光刻胶时，所述统计的数量时刻保持为0。只有在所述涂胶单元中刚刚结束运行所述第二光刻胶，且即将开始运行的光刻胶不是所述第一光刻胶时，所述统计才开始计数。
综上所述，本发明所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法中，会在涂胶/显影机中的涂胶单元里运行第一光刻胶之前，先判断之前运行过的光刻胶中是否存在第二光刻胶。如果存在，则会统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量，当期间，所述处理过的晶圆数量小于一定数值时，即在未经过足够的时间，使得所述高精度热板单元中反应腔室里的残留氨，降到所述第一光刻胶可以承受的程度时，所述涂胶/显影机就会停止所述涂胶单元运行所述第一光刻胶，从而避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶运行后，涂覆有所述第一光刻胶的晶圆表面所产生的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，最终影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
实施例二：
如图4所示，本发明所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法中，在控制所述涂胶/显影机，停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶之后，还进一步包括步骤S104：清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气，以便所述涂胶单元中可以继续运行所述第一光刻胶，且不会对涂覆有所述第一光刻胶的晶圆表面所形成的光刻胶图形带来缺陷。
在本发明的一个实施例中，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气可以解释为：在所述涂胶单元中运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感，从而将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。
在本发明的另一个实施例中，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气可以解释为：在所述涂胶单元中没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆，即控制所述涂胶/显影机，在不放入待处理晶圆的情况下，让所述高精度热板单元工作一定的时间，从而将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。其中，所述一定的时间不少于所述高精度热板单元中处理24个表面涂覆有光刻胶的晶圆的时间。
本发明实施例所提供的降低光刻胶缺陷图形的方法，相较于实施例一中所提供的降低光刻胶缺陷图形的方法，进一步提供了所述涂胶/显影机在停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶之后，无需关闭所述涂胶/显影机，进行人工清理，而是在保证所述涂胶/显影机正常工作前提下，避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来不利影响的两种解决方案，从而节省了不断开启涂胶/显影机的时间，提高了所述涂胶/显影机的工作效率。
实施例三
本发明提供了一种形成光刻胶图形的设备，包括涂胶/显影机和自动控制装置。其中，所述涂胶/显影机包括涂胶单元和高精度热板单元；所述自动控制装置，如图5所示，包括：判断单元201、统计单元202与控制单元203。下面对所述自动控制装置的各个单元进行详细描述。
所述判断单元201，用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶。其中，所述第一光刻胶的材料对氨敏感；所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
在本发明的一个实施例中，如图6所示，所述判断单元201包括：用于判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶的第一判断单元20101，以及用于判断所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶的第二判断单元20102。
具体工作时，首先利用所述第一判断单元20101，判断所述涂胶/显影机的涂胶单元中，当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶。如果所述第一判断单元20101的判断结果为：所述涂胶单元中即将开始运行的光刻胶为第一光刻胶，则利用所述第二判断单元20102，判断所述涂胶单元中，在所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
如果所述第二判断单元20102的判断结果为：所述涂胶单元中在运行所述第一光刻胶之前，没有运行过所述第二光刻胶，则所述涂胶单元中直接开始运行所述第一光刻胶；如果所述涂胶单元中在运行所述第一光刻胶之前，曾运行过所述第二光刻胶，则开启所述统计单元202。
如果所述第一判断单元20101的判断结果为：所述涂胶单元中即将开始运行的光刻胶不是第一光刻胶，则所述第二判断单元20102不工作，所述涂胶单元中开始运行当前即将开始运行的光刻胶。
在本发明的另一个实施例中，如图7所示，所述判断单元201还包括第三判断单元20103。所述第三判断单元20103用于进一步判断所述涂胶单元中，在即将开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
当所述第三判断单元20103的判断结果为：所述涂胶单元中在即将开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶为第二光刻胶时，则直接开启所述控制单元203，控制所述涂胶/显影机中的所述涂胶单元，停止开始运行所述第一光刻胶。
当所述第三判断单元20103的判断结果为：所述涂胶单元中在即将开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶不是第二光刻胶时，则开启所述统计单元202，对所述涂胶单元结束所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前的时间内，所述高精度热板单元中处理过的晶圆数量进行统计。
需要说明的是，所述高精度热板单元中包括4个反应腔室，且在所述涂胶/显影机正常工作时，4个反应腔室同时工作。而每个反应腔室中每次仅处理一个晶圆，因此，本发明实施例中所述统计单元202统计的是：所述高精度热板单元中4个反应腔室中处理过的晶圆总量，其中，每个反应腔室中所处理过的晶圆数量相等。
在本发明的一个实施例中，当所述判断单元201仅包括第一判断单元20101和第二判断单元20102时，所述统计单元202在所述第二判断单元20102的判断结果为所述涂胶单元中在开始运行的所述第一光刻胶之前，没有运行过所述第二光刻胶时，所述统计单元202不工作。只有当所述涂胶单元中所述第二光刻胶运行结束时，所述统计单元202才开始工作，且当所述涂胶单元中刚刚结束运行所述第二光刻胶，就开始运行所述第一光刻胶时，所述统计单元202的统计结果为0；当所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，还运行过第三光刻胶时，所述统计单元202的结果为大于0。
在本发明的另一个实施例中，所述判断单元201还包括第三判断单元20103，此时，所述统计单元202的工作状况可以和上一个实施例中相同，也可以为：当所述第二判断单元20102的判断结果为：所述涂胶单元中在开始运行的所述第一光刻胶之前，没有运行过所述第二光刻胶时，或所述第三判断单元20103的判断结果为：所述涂胶单元中开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的不是所述第二光刻胶，则所述统计单元202均处于待机状态，即所述统计单元202的统计结果为0.只有当所述涂胶单元中在开始运行所述第一光刻胶之前，运行过所述第二光刻胶，且所述涂胶单元中在开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶不是第二光刻胶时，所述统计单元202才会在所述涂胶单元中结束运行所述第二光刻胶的时刻，开始计数，当所述涂胶单元中开始运行所述第一光刻胶时，计数结束，并将统计结果发给所述控制单元203。
所述控制单元203用于根据所述统计单元202中统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
由于当所述涂胶单元中在所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述高精度热板单元的反应腔室内处理过的晶圆数量不小于24个时，所述第一光刻胶和第二光刻胶运行之间所经历的时间，可以将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程时，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。
因此，如图8所示，所述控制单元203包括第一控制单元20301和第二控制单元20302两个控制单元。其中，所述第一控制单元20301用于当所述统计单元202中统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机，停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作，从而避免所述第二光刻胶在在后烘制程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行过程产生不利影响，进而导致在涂覆有所述第一光刻胶的晶圆表面，形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，影响后续刻蚀工艺的正常进行。
所述第二控制单元20302用于当所述统计单元202中统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机，继续所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
在本发明的一个实施例中，所述判断单元201仅包括第一判断单元20101和第二判断单元20102。在该实施例中，所述统计单元202中的统计数量为0时，则代表所述涂胶单元中刚刚结束运行所述第二光刻胶，就开始运行所述第一光刻胶，即所述第一光刻胶紧跟于所述第二光刻胶之后，所述第一光刻胶与所述第二光刻胶运行之间，没有再运行其他光刻胶，此时，需利用所述第一控制单元20301，控制所述涂胶/显影机，停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
当所述统计单元202中统计的数量大于0且小于24时，则代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，还运行过第三光刻胶，但是所述第三光刻胶运行的时间，仍不能将所述高精度热板单元中反应腔室内残留的氨，降到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，仍会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。这时，仍需要利用所述第一控制单元20301，控制所述涂胶/显影机，停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
当所述统计单元202的统计数量不小于24时，则代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，运行过第三光刻胶，且所述第三光刻胶运行的时间，可以将所述高精度热板单元中反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。这时，可以利用所述第二控制单元20302控制所述涂胶/显影机，继续进行所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
在本发明的另一个实施例中，所述判断单元201还包括第三判断单元20103。当所述第三判断单元20103的判断结果为：所述涂胶单元中在开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶为第二光刻胶，则所述控制单元203不工作，所述涂胶单元中开始运行所述第一光刻胶。
当所述第三判断单元20103的判断结果为：所述涂胶单元中在开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶不是第二光刻胶时，所述控制单元203根据所述统计单元202的统计结果，控制所述涂胶/显影机内的工作。这时，当所述统计单元202中统计的数量大于0且小于24时，代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，还运行过第三光刻胶，但是所述第三光刻胶运行的时间，不能将所述高精度热板单元中反应腔室里残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。故需要利用所述第一控制单元20301，控制所述涂胶/显影机停止所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
当所述统计单元202的统计数量不小于24时，代表所述涂胶单元中在结束运行所述第二光刻胶之后，开始运行所述第一光刻胶之前，运行过第三光刻胶，且所述第三光刻胶运行的时间，可以将所述高精度热板单元中反应腔室里残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面得到的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。故可以利用所述第二控制单元20302控制所述涂胶/显影机，继续进行所述涂胶单元中运行所述第一光刻胶的工作。
综上所述，本发明所提供的形成光刻胶图形的设备中，所述自动控制装置会在涂胶/显影机中的涂胶单元里运行第一光刻胶之前，先判断之前运行过的光刻胶中是否存在第二光刻胶。如果存在，则会统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量，当期间所述处理过的晶圆数量小于一定数值时，即未将所述高精度热板单元中反应腔室里的残留氨，降到所述第一光刻胶可以承受的程度时，所述涂胶/显影机就会停止所述涂胶单元运行所述第一光刻胶，从而避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的影响，进而解决所述第一光刻胶运行后，涂覆有所述第一光刻胶的晶圆表面所产生的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，最终影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
实施例四：
如图9所示，在本发明实施例所提供的形成光刻胶图形的设备中，所述控制单元203还包括第三控制单元20303。所述第三控制单元20303用于停止运行所述第一光刻胶后，控制所述涂胶/显影机，清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。
在本发明的一个实施例中，利用所述第三控制单元20303，清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气可以解释为：利用所述第三控制单元20303，控制所述涂胶/显影机的工作，在所述涂胶单元中运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24，即所述涂胶/显影机中运行所述第三光刻胶的时间，可以将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶显影反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感，
在本发明的另一个实施例中，利用所述第三控制单元20303清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气可以解释为：利用所述第三控制单元20303，控制所述涂胶/显影机的工作，使在所述涂胶单元中没有光刻胶运行的前提下，所述高精度热板单元中处理不小于24个的伪晶圆，即控制所述涂胶/显影机，在不放入待处理晶圆的情况下，让所述高精度热板单元工作一定的时间，从而将所述高精度热板单元中的反应腔室内残留的氨，降低到所述第一光刻胶可以承受的程度，即此时所述涂胶单元中再运行所述第一光刻胶，当涂覆有所述第一光刻胶的晶圆，经历所述高精度热板单元中的反应腔室内的后烘制程后，不会造成所述第一光刻胶反应不完全，从而导致所述晶圆表面形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联现象，进而影响到后续刻蚀工艺的正常进行。其中，所述一定的时间不少于所述高精度热板单元中处理24个表面涂覆有光刻胶的晶圆的时间。
本发明实施例所提供的形成光刻胶图形的设备，相较于实施例一中所提供的形成光刻胶图形的设备，所述控制单元203中增加了第三控制单元20303，用于清除所述高精度热板单元中反应腔室里残留的氨，从而在保证所述涂胶/显影机正常工作前提下，避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来不利影响，进而节省了不断开启涂胶/显影机的时间，提高了所述涂胶/显影机的工作效率。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (18)
1.一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，其特征在于，包括：
判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；
统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；
根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶包括：
判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；
判断所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶还包括：
判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作包括：
当所统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶；
当所统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。
7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述停止运行所述第一光刻胶后还包括：
清除所述涂胶/显影机内，第二光刻胶运行过程中产生的废气。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清除所述涂胶/显影机内，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；
其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清除所述涂胶/显影机内，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。
10.一种形成光刻胶图形的设备，其特征在于，包括涂胶/显影机和自动控制装置；其中，所述自动控制装置包括：
判断单元：用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；
统计单元：用于统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机内处理过的晶圆数量；
控制单元：用于根据所述统计单元统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作。
11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
13.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述判断单元包括：
第一判断单元：用于判断即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；
第二判断单元：用于判断所述第一光刻胶运行之间，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
14.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述判断单元还包括：
第三判断单元：用于判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
15.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述控制单元包括：
第一控制单元：用于当所述统计单元中统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行第一光刻胶；
第二控制单元，用于当所述统计单元中统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行第一光刻胶。
16.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述控制单元还包括：
第三控制单元：用于停止运行所述第一光刻胶后，控制所述涂胶/显影机，清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。
17.根据权利要求16所述的设备，其特征在于，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；
其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
18.根据权利要求16所述的设备，其特征在于，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：
在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。
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