CN102844122B - 药剂分配器装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明，提供了一种用于分配药剂的分配器装置，所述装置包括至少一个金属性部件，所述金属性部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，其中所述非金属性表面与下面的金属性部件具有界面，所述金属性部件基本包括金属氟化物和/或金属碳化物成分。

Description

药剂分配器装置
技术领域
本发明涉及用于分配药剂的分配器装置、通过具体但决非排除地参照加压分配器装置来制造用于分配药剂的分配器装置的方法和处理所述分配器装置的部件的方法。
背景技术
通过利用加压分配器装置的吸入向患者分发药剂是众所周知的，该加压分配器装置以载液分配药剂。该药剂可呈现为微粒悬浮液或溶液、或者甚至为该两种的组合。这种装置常常也称为加压计量吸入器(pMDI)，且非常普遍地用于治疗哮喘和慢性阻塞性肺病(COPD)。
关于此类分配器装置的问题包括活性药剂在该装置的内表面上的吸附、粘合或降解、以及药剂自身对输送装置部件的腐蚀。而这会在装置的搁置寿命期间导致效力损失和/或不稳定的剂量。在某些情况下，如果活性药剂以颗粒的悬浮液提供，则会发生药物颗粒的聚集。为了减少活性药物的表面吸附而采用的一个方法是通过等离子体沉积来沉积低能聚合物或无机涂层(或该两种的组合)。EP0642992、EP1066073和WO2008/146024为现有技术文件的实例，公开了等离子体聚合到分配器装置的多种部件上。然而，认识到对于此类型的涂层会存在诸多输送问题。一个问题与使用微粒悬浮液作为输送系统的装置有关。这些输送系统会因药剂颗粒粘附于以及这些微粒“粘结”在分配器装置内的罐壁上或其它表面上而受影响。这可导致影响药剂剂量的团聚。第二个问题是由于一些药剂通过与某些材料、尤其是金属氧化物如氧化铝和氧化镁接触而自催化降解以及部件与药剂之间的其它反应，如腐蚀。分配器装置的某些部件、尤其是罐体，由铝形成，因此具有还包含溶合化合物(alloying compound)如氧化镁的氧化铝表面层。以阻挡层涂布此部件潜在地提供了一种途径，可同时防止降解和药剂颗粒粘附于具有非粘性阻挡层的表面。然而，如果降解和/或腐蚀仅与具体药物有关，则并非总是需要具有非粘性性能(例如，如果药物存在于溶液输送系统中)。另外，一些涂层的性能由于多种原因而不能达到最佳。此类原因之一在于涂层可能会有裂缝或针孔出现，该裂缝或针孔能够使溶液中存在的药剂分子到达能够发生降解和/或腐蚀的部件部分的表面、如罐的氧化铝表面。
发明内容
在至少一些实施方式中，本发明解决了上述问题和需要。
根据本发明的第一方面，提供一种用于分配药剂的分配器装置，所述装置包括至少一个金属性部件，所述金属性部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，其中所述非金属性表面与下面的金属性部件具有界面，所述金属性部件基本包括金属氟化物和/或金属碳化物成分(moiety)。
本发明提供了分配器装置的一个或多个金属性部件表面的表面改性。与所述金属性部件的其它未处理表面相比，表面改性的界面基本消除或至少降低了易受此类工艺影响的药剂降解。易腐蚀性能够显著下降。
在一个实施方式中，所述界面不具有在其上沉积的涂层。在这些实施方式中，所述界面自身在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。在此类实施方式中，所述非金属性表面基本由所述界面组成，使得所述界面在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。所述金属氟化物和金属碳化物成分极其稳定，并能够提供不会降解多种药物配方的表面并提供腐蚀抑制。所述界面基本包括金属氟化物成分的实施方式特别优选用于这些应用。
在其它实施方式中，所述非金属性表面包括沉积在所述界面上的涂层，使得所述涂层在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。所述涂层可为聚合物涂层或无机涂层。优选地，所述涂层为等离子体聚合的聚合物涂层。已发现，所述表面改性的界面能为随后的等离子体聚合涂层的沉积提供优异的底层。然而，在沉积所述涂层之前可实施一种或多种进一步的表面处理或预加工，即除了所述界面直接涂有所述涂层的实施方式之外，本发明还包括所述界面间接涂有所述涂层的实施方式。而且，即使在(无论用何种方法沉积的)所述涂层中存在裂缝，所述表面改性的界面也能保护多种药物配方不被降解和腐蚀，否则将允许所述药物配方通向所述金属性部件表面的未涂敷部分。
在所述界面基本包括金属氟化物成分的实施方式中，所述聚合物涂层可为氟碳聚合物，优选为全氟化碳聚合物。
在所述界面基本包括金属碳化物成分的实施方式中，所述聚合物涂层优选为烃聚合物，但还可为含氟聚合物或上述两种的组合。
有利地，所述界面包括用X射线光电子能谱仪(XPS)测得的小于约15At％、优选小于约10At％、更优选小于约7At％的氧。最优选地，所述界面包括用XPS测得的约5At％或更低的氧。通常，上述At％应为使用的工艺和金属等级允许的情况下尽可能接近0。这样，所述药剂降解的可能性被最小化，腐蚀性能被最大化。
有利地，所述界面包括用X射线光电子能谱仪(XPS)测得的小于约25At％、优选小于约5At％、更优选小于约1At％的金属离子。不希望束缚于任何具体理论或推测，相信在所述界面的未反应的金属离子为所述药剂降解的原因。同样，相信由本发明提供的所述表面改性减少了在所述界面的未反应金属粒子的数量。
所述分配器装置可为以载液分配所述药剂的加压分配器装置的形式。
优选地，所述分配器装置包括金属性罐体。然而，所述分配器装置的其它部件，如阀杆和弹簧，可依照本发明进行表面改性。
有利地，所述金属性部件由铝形成，但本发明不限于铝，由其它金属的碳化物和氟化物形成也是可以的。在特别优选的实施方式中，所述金属性部件为铝罐体。或者，所述金属性部件可由不锈钢形成。
根据本发明的第二方面，提供一种用于分配药剂的分配器装置的金属性部件，所述部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，其中所述非金属性表面与下面的金属性部件具有界面，所述金属性部件基本包括金属氟化物和/或金属碳化物成分。
所述金属性部件可为在以载液分配所述药剂的加压分配器中使用的金属性罐体形式，其中所述非金属性表面为所述罐体的内部表面。
根据本发明的第三方面，提供了一种处理药剂分配器装置的金属性部件的方法，所述部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，所述方法包括以下步骤：
提供所述部件；和
在等离子体处理步骤中使用含氟和/或碳的前体在包括基本不存在氧的条件下表面改性所述非金属性表面，致使与下面的金属性部件形成界面，其中所述界面基本包括金属氟化物和/或金属碳化物成分。
用此方法表面改性的所述金属性部件可随后直接用于药剂分配器装置，即所述表面改性的界面在所述装置的存放或使用期间可与所述药剂接触。
在可替代的实施方式中，所述方法进一步包括将涂层沉积到所述界面上的步骤，使得所述涂层在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。所述涂层可通过等离子体沉积来沉积。
优选地，所述涂层为聚合物涂层。有利地，所述聚合物涂层通过等离子体聚合来沉积。
所述涂层可为无机涂层，所述无机涂层可通过等离子体沉积来沉积。
在所述界面基本包括金属氟化物成分的实施方式中，所述前体可为氟碳化合物，优选全氟化碳。所述全氟化碳可为通式CnF2n+2，其中n为1至8。通常，优选更小的前体，因为氟的比例更大。可使用环状和/或不饱和的全氟化碳。特别优选的前体为CF4和环状C4F8。其它适合的前体包括C2F6、C3F8、C5F10以及化学制品HFA134a(1，1，1，2-四氟乙烷)和HFA227(1，1，1，2，3，3，3-七氟丙烷)，通常在药剂分配器装置中用作推进剂(propellants)。
在所述界面基本包括金属碳化物成分的实施方式中，所述前体可为烃，优选甲烷或乙烷，还优选C3H8和C4H10。通常，可使用通式CnH2n+2的烷烃，其中n为1至12。可使用烯烃或炔烃。可使用环状烃作为所述前体。
有利地，所述等离子体处理步骤的至少一部分在DC偏压控制或使用最小DC偏压进行。整个等离子体处理步骤可在DC偏压控制下进行，或者，DC偏压控制可在所述等离子体处理步骤开始之后的期望点实施。
通常，如果DC偏压控制未实施，则所述等离子体处理步骤利用正向功率模式以最小DC偏压执行。
在所述等离子体内产生的引入离子(incoming ion)的轰击能量与所述DC偏压成比例。优选地，所述DC偏压控制可使用100～800伏、优选350～700伏、最优选400～550伏的DC偏压进行。通过这些DC偏压，离子轰击的水平显著，且氟离子明显加速以嵌入表面，而无需任何表面聚合。存在于该表面上的不期望的物质，如碳、天然氧化物以及其它有害材料能被溅射掉。有利地，所述DC偏压大于或等于350伏，优选500伏。在实施最小DC偏压的实施方式(例如以正向功率模式操作)中，采用的所述最小DC偏压可接合DC偏压控制下使用的DC偏压在以上指定的范围内。
在某些优选的实施方式中，所述等离子体处理步骤通过对所述部件施加RF电位来进行。这样，在中空部件内，可产生有利的“中空阴极效应”，因为以部件的RF电位发射的电子不能容易逃脱。上述效应可为相比远离所述部件的量明显为更高能量的等离子体。该效应在所述部件为罐时特别显著，其中以所述罐的RF电位在所述罐内部发射的电子不能从所述罐内部逃脱。在这些条件下，所述表面可利用令人惊奇的低功率水平用反应性氟令人惊奇地猛烈轰击，从而提供有效的工艺。对于不是中空且不能利用该效应的部件，使它们处于RF电位时，由于在待处理的表面产生的等离子体壳体内离子加速而提供更好的表面轰击。
或者，所述等离子体处理步骤可通过使所述部件保持接地来进行。该方法对随后生产等离子体沉积涂层的实施方式特别优选，因为随后的等离子体涂层工艺以金属性部件接地而有利地进行，因而可以最低破坏对用于处理所述部件的设备进行所述表面改性和随后的等离子体沉积步骤。
优选地，所述等离子体处理步骤使用0.05至5Wcm-2、优选0.1至1Wcm-2的功率密度进行。
所述部件在表面改性步骤之前可经历清洁步骤。优选地，上述清洁步骤利用等离子体清洁处理，且最优选地，等离子体用氩气形成。由任何清洁步骤排除氧很重要，因为部件表面的氧化会使表面转化为氟化物或碳化物更困难。另外，吸附至加工设备的壁上的氧能够浸出并使任何随后沉积的等离子体涂层分离，从而使随后的等离子体涂层步骤更困难和不利。
根据本发明的第四方面，提供一种制造药剂分配器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
用根据本发明第三方面的方法处理所述分配器装置的部件；
组装上述部件以提供组装的药剂分配器装置。
尽管已如上说明了本发明，但本发明扩展至已陈述的或以下说明书、附图或权利要求中的任何创造性组合。
附图说明
现将参照附图说明根据本发明的方法和分配器装置的实施方式，其中：
图1为加压分配器装置的截面图；
图2示出了用于处理罐体的布置的第一实施方式；和
图3示出了用于处理罐体的布置的第二实施方式。
具体实施方式
图1描绘了基本如10所示的加压分配器装置，该加压分配器装置包括容纳包含加压药剂的布置14的壳体12。壳体12包括放置包含加压药剂的布置14的端部开口的圆柱形部分12a和用作接口的端部开口的通道12b。壳体12进一步包括支撑具有通路12e的插座12d的内壁12c，具有通路12e的插座12d容纳包含加压药剂的布置的阀杆。通路12e与开口12f连通，而开口12f与端部开口的通道12b限定的出口通道连通。内壁12c具有其内形成的若干孔口12g，孔口12g允许空气从壳体的上部区域流入端部开口的通道12b。
现将详细说明加压药剂容器布置14的结构和操作。布置14包括其上使套圈18卷曲的罐体16。基本如20所示的计量阀系统安装在套圈18上。计量阀系统20包括阀杆22，阀杆22的一部分布置在阀构件24内。阀杆22和阀构件24都位于阀壳体26内，且阀杆22能逆着弹簧28的作用在阀壳体26内轴向往复，弹簧28将阀杆22偏压至如图1所示的关闭位置。
计量阀系统20进一步包括计量腔室30，计量腔室30由阀构件24、阀杆22的一部分以及内密封件32和外密封件34限定。内密封件32用于相对于阀壳体26密封阀构件24，并使计量腔室30与阀壳体26的内部36隔开。外密封件34用于相对于套圈18密封阀构件24和阀壳体26，且还从加压药剂容器布置14的外部密封计量腔室30。
由罐体密封件42提供进一步的密封，用于在套圈18的卷边上相对于套圈18密封罐体16。阀壳体26具有多个沟槽38，多个沟槽38能够使阀壳体26的内部36与罐体16的内部40连通。阀杆22具有两个沟道44、46。每个沟道44、46包括纵向通路和横向通路。布置阀杆沟道44的横向通路，使得加压药剂容器布置14在其如图1所示的关闭位置时，计量腔室30与阀壳体26的内部36连通，且由此还与罐体16的内部40连通。如以下更详细解释的一样，计量腔室30的体积相当于以单一剂量管理的含药剂流体的体积。在图1所示的关闭位置中，上述剂量完全包含在计量腔室30内，且由于外密封件34的作用而不能泄露至加压药剂容器布置14的外部。
为了释放含药剂流体的剂量，将阀杆22逆着弹簧28的偏压作用压入阀壳体26的内部36至阀杆沟道44不再与计量腔室30连通的程度。阀杆22设计为，在此分配位置，阀杆22的阀杆沟道46与计量腔室30连通，从而使计量腔室30内的含药剂流体的剂量通过阀杆22分配。该剂量随后通过通路12e、开口12f和端部开口的通道12b离开装置。
在随后释放阀杆22时，弹簧28的偏压作用使阀杆22移回到图1所示的位置。由此，阀杆沟道46呈相对于外部密封计量腔室30的位置，且阀杆沟道44呈阀壳体26的内部36与计量腔室30连通的位置。由于罐体16的相对高压的内部40与计量腔室30的相对低压之间的压差，计量腔室30再充满含药剂流体的另一剂量。
图1所示的加压分配器装置10为此类装置的一个实例，且在确切的作用方式上多少程度不同的许多其它计量布置是已知的。本发明没有主张图1所示的装置的作用方式或任何其它加压分配器装置的作用方式。更确切地说，本发明提供了进行处理以抑制药剂损失于装置的内表面的装置和用于该装置的部件、以及生产此装置和部件的相关方法。图1所示的装置提供用于帮助读者理解可如何实施本发明。本领域技术人员应理解，除了图1所示的一种装置以外，本发明还能应用于其它加压分配器装置的设计，并且实际上，除了加压分配器装置以外，也能应用于不同类型的药剂分配器装置。
本发明提供了抑制药剂损失于加压分配器装置的内表面的表面处理方法。该工艺利用金属性底层的表面改性代替直接涂布金属性底层的现有技术工艺。然而，本发明包括将聚合物涂层沉积到表面改性的金属性底层。现将参照氟化工艺说明本发明的第一实施方式，其中表面处理在罐体的表面生成金属氟化物部分。在恰当的等离子体条件下，氟碳化合物气态前体可完全破解为其原子构成。在工艺条件如前体气体的压力、功率和停留时间的适当控制下，不发生聚合，且未涂布经受等离子体的表面。而是表面被氟和碳原子/离子轰击。已发现CF4为最适宜的气态氟碳化合物前体，且不希望受限于任何具体理论，相信这是因为CF4分子提供最可行的氟与碳的比例。其它适宜的前体包括C2F6、C3F8、C4F8、CF5F10、HFA134a和HFA227。
图2示出了根据本发明表面改性罐体50的布置。在该布置中，罐体50通过将罐50定位于自身保持在RF电位的的平桌52上而保持在RF电位。罐50和桌子52定位于等离子体反应器54内，用作接地电极。接地电极可为等离子体腔室自身或附加电极。等离子体反应器54具有气体进料入口56和用于排出气体的出口58。等离子体反应器54与适合的气体输送源以及包括抽吸布置的适合的排气系统连接。这些附加的项目未示于图2中，但本领域技术人员将容易想到适合的布置。前体氟碳化合物气体通过气体进料入口56由通常包括一个或多个质量流控制器的输送源输送给等离子体反应器54。表面改性在气态氟碳化合物前体流入等离子体反应器54时发生，并产生适合的等离子体。通常对罐体50施加13.56MHz RF功率，且利用本领域周知的技术撞击等离子体。可使用其它RF技术以获得同等效果，且预期可以连续或脉冲模式使用4kHz至20MHz频率。在此工艺期间，氟(中性或电离的)与罐50的金属氧化物表面层反应，并优先取代氧，从而形成金属氟化物。在优选的实施方式中，罐由铝形成，且在处理之前具有天然或加工的氧化铝的表面层。根据本发明的表面改性提供氟化铝的表面层，它及其稳定并提供不会自催化/降解多种药物配方且其自身不易腐蚀的底层。
优选在工艺期间将罐50保持在RF电位，因为可形成强等离子体。具体地，RF电极采用正向功率控制的DC偏压。此DC偏压的水平与等离子体内产生的引入离子的轰击能量成比例。如果DC偏压超出约350伏，则轰击程度显著，且氟离子加速至它们变得容易嵌入罐表面且碳、天然氧化物和其它有害材料能被溅射掉的程度。该工艺在500伏以上特别有效。如果对罐50施加的电源在DC偏压控制、即在驱动恒定的高DC偏压的同时使功率波动下驱动是特别有利的。这样，在工艺期间的轰击和处理水平保持恒定。在处理在基本封闭区域内形成等离子体的部件，如罐体50时，观察到进一步的优点。此时，观察到“中空阴极”类似的效果，且发现，以罐体50的RF电位发射的电子(由DC偏压驱动)不能逃脱罐体50的物理约束。该效果为在罐体50内产生的等离子体具有比罐外的体积产生的等离子体高数倍的能量。这使表面以相比预期明显低的功率水平被反应性氟猛烈轰击，从而具有工艺更有效的效果。作为工艺条件的代表性但不限制的实例，等离子体反应器内的压力可为1x10-2至10毫巴，优选为7x10-2至3x10-1毫巴。可使用0.05至5Wcm-2之间的功率密度。DC偏压可为100至800伏，尽管上述提及了优选大于350伏的DC偏压。DC偏压通常低于700伏，且有利地为400至550伏。多个罐体可定位于桌子52上以提供批量处理工艺。优选使用全氟化碳，尽管该工艺还将适用氢氟碳，虽然对工艺的速度和/或效率具有一些折衷。
XPS已用于特征化以此方法处理的铝罐体的氟化表面。在压制和洗涤后，罐表面的原始样品包含高水平的氧化物(通常具有用XPS测得的40至55At％的氧)和20至3At％0的来自拉延油或来自大气普通吸附的碳。在根据本发明的氟化后，观察到从氧化铝到氟化物的明显的化学变化，该氟化物具有用XPS测得的约5At％的氧、45At％的氟以及剩余铝及其合金元素。在根据本发明的处理之前，在铝罐体的XPS光谱中观察到第二峰。不希望束缚于任何具体理论或推测，相信该第二峰对应于未反应的金属离子。如果没有处理，相信约30At％的金属离子存在于表面。在处理后，未反应的金属离子含量充分下降，可降低金属离子含量至低于1At％。
图3描绘了实施表面改性并随后在罐体60上沉积聚合物涂层的进一步的实施方式。在此实施方式中，罐体60接地，且细长RF电极62基本沿着罐体的纵轴布置在罐体60的内部。罐体60存在于具有气态前体进料入口66和用于排出气体的出口68的等离子体反应器64内。如同图2所示的实施方式，适合的气体输送源和排气系统(未示出)将连同图3所示的布置一起使用。RF电极62可具有任何适宜形式，如销或类似结构或线圈。在任何最初工艺步骤，如清洁(以下详述)后，工艺前体气体在质量流控制下引入等离子体反应器64内。等离子体反应器64内的压力允许稳定在工艺条件，且通过合适的布置如排气出口68上的节流蝶阀(未示出)或通过使用质量流控制器的气流来控制。对RF电极62施加功率，并产生相对较强的等离子体以提供表面改性。上述前体气体可为全氟化碳以生成具有金属-氟成分和随后的氟碳聚合物涂层的氟化表面，或者可为烃前体，该烃前体用于提供具有金属碳化物成分和随后的烃聚合物涂层的改性表面。上述涂层可为任何聚合的层。在典型的工艺条件下，通过XPS测量观察到罐体60的内部表面内的氧含量在工艺开始的两分钟内从40至44At％降至5至10At％。对于工艺的剩余部分，切换电源至DC偏压模式或保持在DC偏压模式，且改性的表面涂有等离子体聚合的层。等离子体聚合的层可代替为用正向功率模式沉积。对于图3所示的配置，由于所述RF电极62定位于接地的所述罐体60内，该罐的有效电阻随着罐逐渐涂布而增加。因此，到达接地罐的正常电子路径随着涂层厚度增加而缩减。正向功率操作典型地用于涂布药剂分配器装置的部件如罐体的现有技术的等离子体聚合工艺。然而，在标准正向功率操作中，来自电源的电子发射将随着工艺进行而减少，自DC偏压将降低，且等离子体强度将下降，从而在其后一阶段产生不牢固的多孔涂层。相比之下，通过运行DC偏压控制持续有效比例或所有的涂层循环，DC偏压被固定，并保持恒定的电子发射，这又保持了恒定的等离子体密度。这同时在涂层的横向范围和涂层深度上提供恒定的沉积速率和高质量的均匀涂层。可对涂层保持稳定的速率，直至获得所需的厚度。通常，所需的厚度为15至200nm，但在该点上，本发明不限于此。在聚合期间，DC偏压优选为50至500伏，最优选50至350伏。对涂层的等离子体聚合的DC偏压控制的进一步优点发生在工艺的末端。在现有技术中对于涂布的部件通常存放一至七天，以使涂层上的反应活性表面部位饱和。在关于图3所述的工艺中，电源和DC偏压模式可简单切断，且气态单体的供应允许在之后流动一段时间，通常为5秒至10分钟，优选为30秒至1分钟。等离子体的强度随着电容储蓄器中的电子耗尽而逐渐减弱，从而允许用包含相对更少的电离物质的等离子体冲洗表面，直至该表面用“纯”的电离单体冲洗。该效果在于用惰性的物质以及能够从等离子体反应器64重新获得涂布的部件的单体去“脱帽(cap off)”涂层，而无需随后的对于不饱和需要的休息期。
如图3所示的待处理的部件接地且使用单独的RF电极的配置为用于等离子体聚合聚合物涂层的优选配置。该配置还适用于早期的表面改性步骤。对于表面改性步骤和随后的等离子体聚合步骤均使用相同配置的优点在于两个步骤可作为一个连续操作的部分进行。这是特别有利的，由于气体/单体既可用作表面改性步骤的前体，还可用作等离子体涂布步骤的单体气体。当部件的表面转变为金属氟化物成分时，优选前体/单体为CF4、C2F6、C3F8、C4F8、HFA134a或HFA224中的一种。如果希望部件表面的改性生成金属碳化物层，优选前体/单体为甲烷或乙烷，也可使用至多为C5的烷烃、烯烃和炔烃。
通过本发明处理的部件可在聚合物改性步骤之前经历预清洁步骤。在现有技术中普遍使用利用氧的预清洁步骤。本发明人已认识到，在预清洁步骤或者甚至在加工部件的其它地方使用氧是非常不利的。本发明人已发现，氧的存在对聚合物涂层的构建以及它们的附着力是有害的。吸附至例如等离子体反应器的壁和其它零件的氧能够浸出以分离涂层和/或单体，这对聚合物是有害的，且增加了加工时间。因此，任何预清洁步骤应排除氧。特别有利的预清洁步骤在表面改性步骤之前使用氩等离子体清洁部件。

Claims (33)

1.一种用于分配药剂的分配器装置，所述装置包括至少一个金属性部件，所述金属性部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，其中所述非金属性表面与下面的金属性部件具有界面，所述界面包括金属氟化物和/或金属碳化物成分，且所述界面包括用XPS测得的小于15At%的氧。
2.根据权利要求1所述的分配器装置，其中，所述非金属性表面包括所述界面，使得所述界面在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。
3.根据权利要求1所述的分配器装置，其中，所述非金属性表面包括沉积在所述界面上的涂层，使得所述涂层在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。
4.根据权利要求3所述的分配器装置，其中，所述涂层为聚合物涂层或无机涂层。
5.根据权利要求4所述的分配器装置，其中，所述涂层为等离子体聚合的聚合物涂层。
6.根据权利要求4或5所述的分配器装置，其中，所述界面包括金属氟化物成分，所述聚合物涂层为氟碳聚合物。
7.根据权利要求4或5所述的分配器装置，其中，所述界面包括金属碳化物成分，所述聚合物涂层为烃聚合物。
8.根据权利要求1所述的分配器装置，其中，所述界面包括用XPS测得的小于10At%的氧。
9.根据权利要求8所述的分配器装置，其中，所述界面包括用XPS测得的小于7At%的氧。
10.根据权利要求9所述的分配器装置，其中，所述界面包括用XPS测得的小于5At%的氧。
11.根据权利要求1所述的分配器装置，所述分配器装置为以载液分配所述药剂的加压分配器装置的形式。
12.根据权利要求1所述的分配器装置，所述分配器装置包括金属性罐体，其中所述非金属性表面为所述罐体的内部表面。
13.根据权利要求1所述的分配器装置，其中，所述金属性部件由铝形成。
14.一种用于分配药剂的分配器装置的金属性部件，所述部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，其中所述表面与下面的金属性部件具有界面，所述界面包括金属氟化物和/或金属碳化物成分，且所述界面包括用XPS测得的小于15At%的氧。
15.根据权利要求14所述的金属性部件，所述金属性部件为在以载液分配所述药剂的加压分配器中使用的金属性罐体的形式，其中所述非金属性表面为所述罐体的内部表面。
16.一种处理药剂分配器装置的金属性部件的方法，所述部件具有在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的至少一个非金属性表面，所述方法包括以下步骤：
提供所述部件；和
在等离子体处理步骤中使用含氟和/或碳的前体在包括不存在氧的条件下表面改性所述表面，致使与下面的金属性部件形成界面，其中所述界面包括金属氟化物和/或金属碳化物成分，且所述界面包括用XPS测得的小于15At%的氧。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括将涂层沉积到所述界面上的步骤，使得所述涂层在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述涂层为通过等离子体聚合而沉积的聚合物涂层。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述界面包括金属氟化物成分，且所述前体为氟碳化合物。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述前体为全氟化碳。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述前体为CF4。
22.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述界面包括金属碳化物成分，且所述前体为烃。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述前体为甲烷或乙烷。
24.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述等离子体处理步骤的至少一部分在DC偏压控制下进行。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述DC偏压控制使用100到800伏范围内的DC偏压进行。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述DC偏压控制使用350到700伏范围内的DC偏压进行。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述DC偏压控制使用400到550伏范围内的DC偏压进行。
28.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述等离子体处理步骤通过对所述部件施加RF电位来进行。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述部件为罐体，且进行所述表面改性的步骤以形成包括氟成分的界面。
30.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述等离子体处理步骤通过使所述部件保持接地来进行。
31.根据权利要求16至18中任一项所述的方法，其中，所述等离子体处理步骤使用0.05至5Wcm-2的功率密度来进行。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述等离子体处理步骤使用0.1至1Wcm-2的功率密度来进行。
33.一种制造药剂分配器装置的方法，所述方法包括以下步骤：用权利要求16至32中任一项所述的方法处理所述分配器装置的部件；提供所述装置的其它部件；以及组装上述部件以提供组装的药剂分配器装置。
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